문항 목록
1진공 중 반지름이 a(m)인 무한길이의 원통 도체 2개가 간격 d(m)로 평행하게 배치되어 있다. 두 도체 사이의 정전용량(C)을 나타낸 것으로 옳은 것은?
2진공 중 한 변의 길이가 0.1m인 정삼각형의 3정점 A, B, C에 각각 2.0×10-6C의 점전하가 있을 때, 점 A의 전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
3진공 내 전위함수가 V = x2 + y2(V)로 주어졌을 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저장되는 정전에너지(J)는?
4자극의 세기가 7.4×10-5Wb, 길이가 10cm인 막대자석이 100AT/m의 평등자계 내에 자계의 방향과 30°로 놓여 있을 때 이 자석에 작용하는 회전력(N·m)은?
5공기 중에서 1V/m의 전계의 세기에 의한 변위전류밀도의 크기를 2A/m2으로 흐르게 하려면 전계의 주파수는 몇 MHz 가 되어야 하는가?
6반지름이 a(m)인 접지된 구도체와 구도체의 중심에서 거리 d(m) 떨어진 곳에 점전하게 존재할 때, 점전하에 의한 접지된 구도체에서의 영상전하에 대한 설명으로 틀린 것은?
7투자율이 μ(H/m), 자계의 세기가 H(AT/m), 자속밀도가 B(Wb/m2)인 곳에서의 자계 에너지 밀도(J/m3)는?
8z축 상에 놓인 길이가 긴 직선 도체에 10A의 전류가 +z 방향으로 흐르고 있다. 이 도체의 주위의 자속밀도가 Wb/m2 일 때 도체가 받는 단위 길이당 힘(N/m)은? (단, 는 단위벡터이다.)
9평행 극판 사이의 간격이 d(m)이고 정전용량이 0.3μF인 공기 커패시터가 있다. 그림과 같이 두 극판 사이에 비유전율이 5인 유전체를 절반 두께 만큼 넣었을 때 이 커패시터의 정전용량은 몇 μF 이 되는가?
10평등 전계 중에 유전체 구에 의한 전계 분포가 그림과 같이 되었을 때 ε1과 ε2의 크기 관계는?(문제 오류로 가답안 발표시 2번으로 발표되었지만 확정답안 발표시 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 가답안인 2번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
11진공 중에 4m 간격으로 평행한 두 개의 무한 평판 도체에 각각 +4 C/m2, -4 C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V 인가?
12내부 원통 도체의 반지름이 a(m), 외부 원통 도체의 반지름이 b(m)인 동축 원통 도체에서 내외 도체 간 물질의 도전율이 σ(℧/m)일 때 내외 도체 간의 단위 길이당 컨덕턴스(℧/m)는?
13어떤 도체에 교류 전류가 흐를 때 도체에서 나타나는 표피 효과에 대한 설명으로 틀린 것은?
14진공 중에 4m의 간격으로 놓여진 평행 도선에 같은 크기의 왕복 전류가 흐를 때 단위 길이당 2.0×10-7N의 힘이 작용하였다. 이때 평행 도선에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
15인덕턴스(H)의 단위를 나타낸 것으로 틀린 것은?
16유전율이 ε = 2ε0이고 투자율이 μ0인 비도선성 유전체에서 전자파의 전계의 세기가 V/m 일 때, 자계의 세기 H(A/m)는? (단, 는 단위벡터이다.)
17자기회로에서 전기회로의 도전율 σ(℧/m)에 대응되는 것은?
18단면적이 균일한 환상철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 NB회인 B 코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100mH이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20mH이고, 결합계수가 1일 때, B코일의 권수(NB)는 몇 회인가?
19전계가 유리에서 공기로 입사할 때 입사각 θ1과 굴절각 θ2의 관계와 유리에서의 전계 E1과 공기에서의 전계 E2의 관계는?
20면적이 0.02m2, 간격이 0.03m이고, 공기로 채워진 평행평판의 커패시터에 1.0×10-6C의 전하를 충전시킬 때, 두 판 사이에 작용하는 힘의 크기는 약 몇 N 인가?
21다음 임피던스 파라미터 중 출력 개방 전달 임피던스는?
22직류 전압원에 저항 R을 접속하였을 때 흐르는 전류를 30% 증가시키기 위해서는 저항값을 약 얼마로 변경시켜야 하는가?
23그림과 같은 페이저도(phasor diagram)가 있을 때, 등가 임피던스는?
24다음 회로에서 어드미턴스 파라미터 Y11은?
25어떤 회로의 피상전력이 20kVA이고 유효전력이 15kW 일 때 이 회로의 역률은?
26다음과 같이 두 개의 저항이 직렬로 연결되어 있는 회로에서 각 저항의 전압과의 관계식으로 옳은 것은?
27일 때 f(t)의 최종값은?
28다음 그림 (1)의 회로에서 i(t)의 파형이 그림 (2)와 같을대, 출력 v(t)를 라플라스 변환한 V(s)로 옳은 것은?
29다음 회로의 노튼 등가회로는?
30x(t) = te-atu(t) 의 Fourier 변환 X(ω)에서 ω = 0일 때의 값 X(0)은?
31그림의 회로에서 정현파 입력에 대한 정상상태 응답(steady state response) Vo(t)는?
32다음 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
33저항 R = 50Ω, 인덕턴스 L = 1mH, 커패시터 C = 10pF 인 RLC 직렬 공진회로의 양호도 Q는?
34다음과 같은 회로에서 VS = 80∠0° 일 때, 전체 전류 IT의 크기는 약 몇 A 인가?
35다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)
36다음 중 그림과 같은 이상 변압기의 방정식으로 옳은 것은?
37다음 회로의 필터 종류는?
38내부에 기전력 E1, E2, …, En을 포함하는 회로망A의 출력 단자 a-b 사이에서 바라본 테브닌 전압을 ET, 테브닌 임피던스를 ZT라고 할 때, 부하 Z에 흐르는 전류 I는?
39회로망 함수가 그림과 같이 2개 극점과 1개의 영점을 가질 때, 시간영역 f(t)로 옳은 것은?
40시정수 τ인 RL 직렬회로에 t = 0 에서 직류전압을 가하였을 때 t = 4τ에서의 회로전류는 정상치의 약 몇 % 인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
41다음 저역통과필터회로의 임계주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R=1kΩ, R2=10kΩ, C=20nF 이다.)
42RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
43이상적인 연산 증폭기의 특징 중 틀린 것은?
44다이오드 직선 검파회로에서 변조도 50%, 진폭 10√2 V 인 피변조파가 인가되었을 때, 부하저항에 나타나는 변조 신호파 출력전압은? (단, 검파 효율은 80% 이다.)
45그림(b)는 회로(a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로(a)의 부하저항 RL의 값은 약 몇 kΩ 인가? (단, C1, C2는 교류적으로 단락이다.)
46두 입력단에 입력되는 신호의 절댓값이 큰 극성에 따라 출력이 나타나며, 부귀환이 없는 무한이득을 사용하는 회로는?
47다음과 같은 비안정 멀티바이브레이터의 출력(VO1, VO2) 발진주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R2=47kΩ, RC=560Ω, C1=C2=0.01μF 이다.)
48전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부귀환을 걸 때 전압 증폭도 Af = 40이 되었다. 이때 귀환율 β는?
49다음 Tunnel Diode의 전류 특성 곡선에서 발진이 일어날 수 있는 영역은?
50수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?
51BJT를 이용한 B급 증폭기의 최대 전력효율은 약 얼마인가?
52정류기에서 파형을 일정하게 유지하기 위해 사용되는 필터는?
53이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100μA이고, IB가 1mA일 때, 컬렉터 전류는 몇 mA 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)
54부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
55다음 연산 증폭기로 구성한 계측 증폭기(instrumentation amplifier)의 출력 Vout은?
56임의의 입력파형이 규정된 기준 레벨에 이르는 순간을 검출할 수 있어서 전압비교 회로로 널리 사용되는 회로는?
57커패시터형 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동률에 대한 설명 중 옳은 것은? (단, 부하 저항은 커패시터와 병렬구조이다.)
58다음 회로에서 출력전압 Vout은? (단, R1=R2=R3=R4 이다.)
59다음 회로의 명칭은?
60MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?
61npn BJT의 각 단자의 도핑 농도를 높은 순서대로 나열한 것은?
62다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?
63반도체에서 아인슈타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
64양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?
65평형상태의 트랜지스터에 대한 설명으로 틀린 것은?
66반도체 IC의 절연 방법(isolation) 중 pn접합에 의한 절연과 비교하여 산화막 절연의 특징이 아닌 것은?
67실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
68접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?
69물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
70외부에서 인가된 전압에 의하여 캐리어가 이동하는 것은?
71금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?
72전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.602×10-19[C]이다.)
73어떤 송신기가 10MHz의 전파를 1kW의 출력으로 방사한다면 매 초당 몇 개의 광자(photon)가 방출되는가? (단, 플랑크 상수는 6.624×10-34[J·sec]이다.)
74n채널 MOSFET의 단면구조로 옳은 것은?
75터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링(Tunneling)은 언제 발생하는가?
76진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?
77pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때, 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage 보다는 낮은 범위이다.)
782종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
79반도체 재료의 제조 시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?
80브래그(Bragg)의 반사조건으로 옳은 것은? (단, d : 주기구조의 폭, λ : 빛의 파장, n : 정수, θ : 결정면의 광선사의 각도이다.)
812의 보수표현이 1의 보수표현보다 널리 사용되는 주된 이유는?
82연산장치의 누산기(accumulator)에 대한 설명 중 옳은 것은?
83다음 중 NOR 게이트와 등가 게이트는?
84CPU의 기본 구조가 아닌 것은?
85C언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은? (단, math.h가 정의되었다고 가정한다.)
86우측 회전(right rotate)을 수행하는 순환 시프트 레지스트에 데이터 (11011001)2가 저장되어 있을 때, 제어 신호가 연속해서 3번 들어온 결과 값은?
87플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때 최소 몇 단위 플립플롭이 필요한가?
88인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어를 의하여 판별하는 방법은?
89버스 클록(bus clock)이 2.5 GHz 이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭은?
90다음 소자 중 전원과 관련된 신호는 제외한 데이터와 주소 연결선의 수가 가장 많은 것은?
91Two address machine에서 기억용량 216 이고 Word length가 40bit라면 이 명령어 형식(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?
92다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?
93다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
94다음은 C언어 프로그램의 일부이다. F의 값으로 옳은 것은?
95다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 바르게 나열한 것은?
96순서도를 작성하는 일반적인 규칙 중 틀린 것은?
97다음 볼대수식을 최소화 하면?
98MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
99어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?
100다음 회로의 논리식으로 옳은 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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