전자기사 · 2022

전자기사 (2022-03-05)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.진공 중 반지름이 a(m)인 무한길이의 원통 도체 2개가 간격 d(m)로 평행하게 배치되어 있다. 두 도체 사이의 정전용량(C)을 나타낸 것으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.진공 중 한 변의 길이가 0.1m인 정삼각형의 3정점 A, B, C에 각각 2.0×10-6C의 점전하가 있을 때, 점 A의 전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가?

    1. ①1.8√2
    2. ②1.8√3
    3. ③3.6√2
    4. ④3.6√3

  3. 3.진공 내 전위함수가 V = x2 + y2(V)로 주어졌을 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저장되는 정전에너지(J)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.자극의 세기가 7.4×10-5Wb, 길이가 10cm인 막대자석이 100AT/m의 평등자계 내에 자계의 방향과 30°로 놓여 있을 때 이 자석에 작용하는 회전력(N·m)은?

    1. ①2.5×10-3
    2. ②3.7×10-4
    3. ③5.3×10-5
    4. ④6.2×10-6

  5. 5.공기 중에서 1V/m의 전계의 세기에 의한 변위전류밀도의 크기를 2A/m2으로 흐르게 하려면 전계의 주파수는 몇 MHz 가 되어야 하는가?

    1. ①9000
    2. ②18000
    3. ③36000
    4. ④72000

  6. 6.반지름이 a(m)인 접지된 구도체와 구도체의 중심에서 거리 d(m) 떨어진 곳에 점전하게 존재할 때, 점전하에 의한 접지된 구도체에서의 영상전하에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①영상전하는 구도체 내부에 존재한다.
    2. ②영상전하는 점전하와 구도체 중심을 이은 직선상에 존재한다.
    3. ③영상전하의 전하량과 점전하의 전하량은 크기는 같고 부호는 반대이다.
    4. ④영상전하의 위치는 구도체의 중심과 점전하 사이 거리(d(m))와 구도체의 반지름(a(m))에 의해 결정된다.

  7. 7.투자율이 μ(H/m), 자계의 세기가 H(AT/m), 자속밀도가 B(Wb/m2)인 곳에서의 자계 에너지 밀도(J/m3)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.z축 상에 놓인 길이가 긴 직선 도체에 10A의 전류가 +z 방향으로 흐르고 있다. 이 도체의 주위의 자속밀도가 Wb/m2 일 때 도체가 받는 단위 길이당 힘(N/m)은? (단, 는 단위벡터이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.평행 극판 사이의 간격이 d(m)이고 정전용량이 0.3μF인 공기 커패시터가 있다. 그림과 같이 두 극판 사이에 비유전율이 5인 유전체를 절반 두께 만큼 넣었을 때 이 커패시터의 정전용량은 몇 μF 이 되는가?

    1. ①0.01
    2. ②0.05
    3. ③0.1
    4. ④0.5

  10. 10.평등 전계 중에 유전체 구에 의한 전계 분포가 그림과 같이 되었을 때 ε1과 ε2의 크기 관계는?(문제 오류로 가답안 발표시 2번으로 발표되었지만 확정답안 발표시 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 가답안인 2번을 누르면 정답 처리 됩니다.)

    1. ①ε1 ＞ ε2
    2. ②ε1 ＜ ε2
    3. ③ε1 = ε2
    4. ④무관하다.

  11. 11.진공 중에 4m 간격으로 평행한 두 개의 무한 평판 도체에 각각 +4 C/m2, -4 C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V 인가?

    1. ①1.36×1011
    2. ②1.36×1012
    3. ③1.8×1011
    4. ④1.8×1012

  12. 12.내부 원통 도체의 반지름이 a(m), 외부 원통 도체의 반지름이 b(m)인 동축 원통 도체에서 내외 도체 간 물질의 도전율이 σ(℧/m)일 때 내외 도체 간의 단위 길이당 컨덕턴스(℧/m)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.어떤 도체에 교류 전류가 흐를 때 도체에서 나타나는 표피 효과에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①도체 중심부보다 도체 표면부에 더 많은 전류가 흐르는 것을 표피 효과라 한다.
    2. ②전류의 주파수가 높을수록 표피 효과는 작아진다.
    3. ③도체의 도전율이 클수록 표피 효과는 커진다.
    4. ④도체의 투자율이 클수록 표피 효과는 커진다.

  14. 14.진공 중에 4m의 간격으로 놓여진 평행 도선에 같은 크기의 왕복 전류가 흐를 때 단위 길이당 2.0×10-7N의 힘이 작용하였다. 이때 평행 도선에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③4
    4. ④8

  15. 15.인덕턴스(H)의 단위를 나타낸 것으로 틀린 것은?

    1. ①Ω·s
    2. ②Wb/A
    3. ③J/A2
    4. ④N/(A·m)

  16. 16.유전율이 ε = 2ε0이고 투자율이 μ0인 비도선성 유전체에서 전자파의 전계의 세기가 V/m 일 때, 자계의 세기 H(A/m)는? (단, 는 단위벡터이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 17.자기회로에서 전기회로의 도전율 σ(℧/m)에 대응되는 것은?

    1. ①자속
    2. ②기자력
    3. ③투자율
    4. ④자기저항

  18. 18.단면적이 균일한 환상철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 NB회인 B 코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100mH이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20mH이고, 결합계수가 1일 때, B코일의 권수(NB)는 몇 회인가?

    1. ①100
    2. ②200
    3. ③300
    4. ④400

  19. 19.전계가 유리에서 공기로 입사할 때 입사각 θ1과 굴절각 θ2의 관계와 유리에서의 전계 E1과 공기에서의 전계 E2의 관계는?

    1. ①θ1 ＞ θ2, E1 ＞ E2
    2. ②θ1 ＜ θ2, E1 ＞ E2
    3. ③θ1 ＞ θ2, E1 ＜ E2
    4. ④θ1 ＜ θ2, E1 ＜ E2

  20. 20.면적이 0.02m2, 간격이 0.03m이고, 공기로 채워진 평행평판의 커패시터에 1.0×10-6C의 전하를 충전시킬 때, 두 판 사이에 작용하는 힘의 크기는 약 몇 N 인가?

    1. ①1.13
    2. ②1.41
    3. ③1.89
    4. ④2.83

  21. 21.다음 임피던스 파라미터 중 출력 개방 전달 임피던스는?

    1. ①Z11
    2. ②Z12
    3. ③Z21
    4. ④Z22

  22. 22.직류 전압원에 저항 R을 접속하였을 때 흐르는 전류를 30% 증가시키기 위해서는 저항값을 약 얼마로 변경시켜야 하는가?

    1. ①0.3R
    2. ②0.77R
    3. ③R
    4. ④1.3R

  23. 23.그림과 같은 페이저도(phasor diagram)가 있을 때, 등가 임피던스는?

    1. ①20√2 - j20√2
    2. ②20√2 + j20√2
    3. ③40√2 + j40√2
    4. ④40√2 – j40√2

  24. 24.다음 회로에서 어드미턴스 파라미터 Y11은?

    1. ①1/2 ℧
    2. ②1/3 ℧
    3. ③1/6 ℧
    4. ④1/12 ℧

  25. 25.어떤 회로의 피상전력이 20kVA이고 유효전력이 15kW 일 때 이 회로의 역률은?

    1. ①0.9
    2. ②0.75
    3. ③0.6
    4. ④0.45

  26. 26.다음과 같이 두 개의 저항이 직렬로 연결되어 있는 회로에서 각 저항의 전압과의 관계식으로 옳은 것은?

    1. ①V1V2 = R1R2
    2. ②V1V2 = (R1R2)2
    3. ③V1R1 = V2R2
    4. ④V1R2 = V2R1

  27. 27.일 때 f(t)의 최종값은?

    1. ①0
    2. ②3
    3. ③5
    4. ④∞

  28. 28.다음 그림 (1)의 회로에서 i(t)의 파형이 그림 (2)와 같을대, 출력 v(t)를 라플라스 변환한 V(s)로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  29. 29.다음 회로의 노튼 등가회로는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  30. 30.x(t) = te-atu(t) 의 Fourier 변환 X(ω)에서 ω = 0일 때의 값 X(0)은?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③1/a2
    4. ④2/a2

  31. 31.그림의 회로에서 정현파 입력에 대한 정상상태 응답(steady state response) Vo(t)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  32. 32.다음 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  33. 33.저항 R = 50Ω, 인덕턴스 L = 1mH, 커패시터 C = 10pF 인 RLC 직렬 공진회로의 양호도 Q는?

    1. ①100
    2. ②200
    3. ③300
    4. ④400

  34. 34.다음과 같은 회로에서 VS = 80∠0° 일 때, 전체 전류 IT의 크기는 약 몇 A 인가?

    1. ①8.5
    2. ②9.4
    3. ③10.3
    4. ④11.2

  35. 35.다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  36. 36.다음 중 그림과 같은 이상 변압기의 방정식으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.다음 회로의 필터 종류는?

    1. ①대역 저지 필터
    2. ②대역 통과 필터
    3. ③고대역 통과 필터
    4. ④저대역 통과 필터

  38. 38.내부에 기전력 E1, E2, …, En을 포함하는 회로망A의 출력 단자 a-b 사이에서 바라본 테브닌 전압을 ET, 테브닌 임피던스를 ZT라고 할 때, 부하 Z에 흐르는 전류 I는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.회로망 함수가 그림과 같이 2개 극점과 1개의 영점을 가질 때, 시간영역 f(t)로 옳은 것은?

    1. ①f(t) = e-αtcosωt
    2. ②f(t) = e-αtsinωt
    3. ③f(t) = tsinωt
    4. ④f(t) = tcosωt

  40. 40.시정수 τ인 RL 직렬회로에 t = 0 에서 직류전압을 가하였을 때 t = 4τ에서의 회로전류는 정상치의 약 몇 % 인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)

    1. ①63%
    2. ②86%
    3. ③95%
    4. ④98%

  41. 41.다음 저역통과필터회로의 임계주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R=1kΩ, R2=10kΩ, C=20nF 이다.)

    1. ①5.86
    2. ②6.96
    3. ③7.96
    4. ④8.89

  42. 42.RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?

    1. ①고역특성이 좋지 않다.
    2. ②저역특성이 좋지 않다.
    3. ③중역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
    4. ④저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.

  43. 43.이상적인 연산 증폭기의 특징 중 틀린 것은?

    1. ①입력저항이 ∞ 이다.
    2. ②출력저항이 0 이다.
    3. ③전압이득이 0 이다.
    4. ④주파수 대역폭이 ∞ 이다.

  44. 44.다이오드 직선 검파회로에서 변조도 50%, 진폭 10√2 V 인 피변조파가 인가되었을 때, 부하저항에 나타나는 변조 신호파 출력전압은? (단, 검파 효율은 80% 이다.)

    1. ①0.4 V
    2. ②0.8 V
    3. ③1.2 V
    4. ④4 V

  45. 45.그림(b)는 회로(a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로(a)의 부하저항 RL의 값은 약 몇 kΩ 인가? (단, C1, C2는 교류적으로 단락이다.)

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④4

  46. 46.두 입력단에 입력되는 신호의 절댓값이 큰 극성에 따라 출력이 나타나며, 부귀환이 없는 무한이득을 사용하는 회로는?

    1. ①비교기 회로
    2. ②위상 동기 루프 회로
    3. ③비안정 멀티바이브레이터 회로
    4. ④슈미트 트리거 회로

  47. 47.다음과 같은 비안정 멀티바이브레이터의 출력(VO1, VO2) 발진주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R2=47kΩ, RC=560Ω, C1=C2=0.01μF 이다.)

    1. ①1.1
    2. ②1.5
    3. ③75
    4. ④23

  48. 48.전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부귀환을 걸 때 전압 증폭도 Af = 40이 되었다. 이때 귀환율 β는?

    1. ①0.0124
    2. ②0.0248
    3. ③0.0496
    4. ④0.0992

  49. 49.다음 Tunnel Diode의 전류 특성 곡선에서 발진이 일어날 수 있는 영역은?

    1. ①A 영역
    2. ②B 영역
    3. ③C 영역
    4. ④모든 영역에서 발생

  50. 50.수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?

    1. ①AFC회로가 필요하다.
    2. ②주위 온도가 영향이 크다.
    3. ③주파수의 변경이 용이하다.
    4. ④발진 주파수의 안정도가 높다.

  51. 51.BJT를 이용한 B급 증폭기의 최대 전력효율은 약 얼마인가?

    1. ①23%
    2. ②50%
    3. ③79%
    4. ④99%

  52. 52.정류기에서 파형을 일정하게 유지하기 위해 사용되는 필터는?

    1. ①대역통과필터
    2. ②대역제거필터
    3. ③저역통과필터
    4. ④고역통과필터

  53. 53.이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100μA이고, IB가 1mA일 때, 컬렉터 전류는 몇 mA 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)

    1. ①109
    2. ②120
    3. ③137
    4. ④154

  54. 54.부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
    2. ②이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
    3. ③이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
    4. ④이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.

  55. 55.다음 연산 증폭기로 구성한 계측 증폭기(instrumentation amplifier)의 출력 Vout은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  56. 56.임의의 입력파형이 규정된 기준 레벨에 이르는 순간을 검출할 수 있어서 전압비교 회로로 널리 사용되는 회로는?

    1. ①슈미트 트리거 회로
    2. ②비안전 멀티바이브레이터 회로
    3. ③블로킹 발진회로
    4. ④이상 발진회로

  57. 57.커패시터형 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동률에 대한 설명 중 옳은 것은? (단, 부하 저항은 커패시터와 병렬구조이다.)

    1. ①부하 저항에서는 반비례하고, 커패시터에서는 비례한다.
    2. ②부하 저항에서는 비례하고, 커패시터에서는 반비례한다.
    3. ③부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 비례한다.
    4. ④부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 반비례한다.

  58. 58.다음 회로에서 출력전압 Vout은? (단, R1=R2=R3=R4 이다.)

    1. ①Vout = V1 - V2
    2. ②Vout = V2 - V1
    3. ③Vout = 2(V1 - V2)
    4. ④Vout = 2(V2 - V1)

  59. 59.다음 회로의 명칭은?

    1. ①Schmitt trigger
    2. ②Voltage doubler
    3. ③Multivibrator
    4. ④Miller sweep

  60. 60.MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?

    1. ①드레인과 바디 사이
    2. ②게이트와 소스 사이
    3. ③게이트와 드레인 사이
    4. ④드레인과 소스 사이

  61. 61.npn BJT의 각 단자의 도핑 농도를 높은 순서대로 나열한 것은?

    1. ①이미터＞컬렉터＞베이스
    2. ②컬렉터＞베이스＞이미터
    3. ③컬렉터＞이미터＞베이스
    4. ④이미터＞베이스＞컬렉터

  62. 62.다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?

    1. ①다결정의 Ge 성장
    2. ②다결정의 Si 성장
    3. ③기판에 매우 얇은 단결정의 성장
    4. ④기판에 매우 얇은 다결정의 성장

  63. 63.반도체에서 아인슈타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?

    1. ①유효 질량
    2. ②캐리어 농도
    3. ③이동도
    4. ④내부 전압

  64. 64.양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?

    1. ①Sommerfeld 분포 함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포 함수
    3. ③Bose-Einstein 분포 함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포 함수

  65. 65.평형상태의 트랜지스터에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①세 단자가 접속되지 않은 상태이다.
    2. ②페르미 준위는 이미터 쪽이 제일 높다.
    3. ③다수캐리어는 확산운동을 한다.
    4. ④소수캐리어는 표동운동을 한다.

  66. 66.반도체 IC의 절연 방법(isolation) 중 pn접합에 의한 절연과 비교하여 산화막 절연의 특징이 아닌 것은?

    1. ①pn 접합에 의한 절연과 같은 역바이어스가 필요 없다.
    2. ②기생 용량을 감소시킬 수 있다.
    3. ③거의 완벽한 절연이다.
    4. ④제조공정이 간단하다.

  67. 67.실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①불순물은 3개의 가전자만을 갖는다.
    2. ②억셉터(acdeptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
    3. ③정공은 소수 캐리어이다.
    4. ④진성 반도체이다.

  68. 68.접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.
    2. ②hFE는 베이스 폭에 비례한다.
    3. ③hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.
    4. ④hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.

  69. 69.물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

    1. ①열을 가한다.
    2. ②빛을 가한다.
    3. ③전계를 가한다.
    4. ④압축을 한다.

  70. 70.외부에서 인가된 전압에 의하여 캐리어가 이동하는 것은?

    1. ①드리프트(Drift) 전류
    2. ②확산(Diffusion) 전류
    3. ③이동도
    4. ④캐리어 밀도

  71. 71.금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?

    1. ①전계방출
    2. ②광전자방출
    3. ③열전자방출
    4. ④2차 전자방출

  72. 72.전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.602×10-19[C]이다.)

    1. ①1.75×1017[m/s2]
    2. ②1.95×1016[m/s2]
    3. ③2.05×1016[m/s2]
    4. ④2.35×1014[m/s2]

  73. 73.어떤 송신기가 10MHz의 전파를 1kW의 출력으로 방사한다면 매 초당 몇 개의 광자(photon)가 방출되는가? (단, 플랑크 상수는 6.624×10-34[J·sec]이다.)

    1. ①1.5×1031[개]
    2. ②1.5×1029[개]
    3. ③9.42×1031[개]
    4. ④9.42×1029[개]

  74. 74.n채널 MOSFET의 단면구조로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  75. 75.터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링(Tunneling)은 언제 발생하는가?

    1. ①역방향에서만 발생
    2. ②정전압이 높을 때만 발생
    3. ③바이어스가 영(zero) 일 때 발생
    4. ④아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생

  76. 76.진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?

    1. ①온도에 따라 변화하지 않는다.
    2. ②온도가 감소하면 전도대로 향한다.
    3. ③온도가 감소하면 충만대로 향한다.
    4. ④온도가 감소하면 가전대로 향한다.

  77. 77.pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때, 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage 보다는 낮은 범위이다.)

    1. ①이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
    2. ②공핍층이 더 넓어진다.
    3. ③공핍층이 좁아진다.
    4. ④공핍층이 없어진다.

  78. 78.2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?

    1. ①Thomson 효과
    2. ②Hall 효과
    3. ③Seebeck 효과
    4. ④Peltier 효과

  79. 79.반도체 재료의 제조 시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?

    1. ①불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.
    2. ②다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문이다.
    3. ③진송 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.
    4. ④캐리어의 이동도를 결정하기 때문이다.

  80. 80.브래그(Bragg)의 반사조건으로 옳은 것은? (단, d : 주기구조의 폭, λ : 빛의 파장, n : 정수, θ : 결정면의 광선사의 각도이다.)

    1. ①2d·sinθ = nλ
    2. ②2d·tanθ = nλ
    3. ③2d·tanθ = λ/n
    4. ④2d·sinθ = λ/n

  81. 81.2의 보수표현이 1의 보수표현보다 널리 사용되는 주된 이유는?

    1. ①음수의 표현이 가능하다.
    2. ②숫자 0의 표현방식이 두 가지이다.
    3. ③연산 시 캐리어 발생여부를 무시해도 된다.
    4. ④10진수로의 변환이 더욱 용이하다.

  82. 82.연산장치의 누산기(accumulator)에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①연산에 이용될 데이터를 읽어들여 일시적 저장 후 필요한 순간에 가산기에 데이터를 제공한다.
    2. ②산술연산의 결과를 일시적으로 기억하는 레지스터이다.
    3. ③데이터 레지스터의 데이터를 연산하여 그 결과를 저장시킨다.
    4. ④연산한 결과의 상태를 기록하여 저장하는 일을 한다.

  83. 83.다음 중 NOR 게이트와 등가 게이트는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  84. 84.CPU의 기본 구조가 아닌 것은?

    1. ①ALU(Arithmetic Logic Unit)
    2. ②레지스터 세트
    3. ③RAM(Random Access Memory)
    4. ④제어 유니트

  85. 85.C언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은? (단, math.h가 정의되었다고 가정한다.)

    1. ①-3
    2. ②-4
    3. ③3
    4. ④4

  86. 86.우측 회전(right rotate)을 수행하는 순환 시프트 레지스트에 데이터 (11011001)2가 저장되어 있을 때, 제어 신호가 연속해서 3번 들어온 결과 값은?

    1. ①(00111011)2
    2. ②(00011011)2
    3. ③(11111011)2
    4. ④(11001110)2

  87. 87.플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때 최소 몇 단위 플립플롭이 필요한가?

    1. ①3단
    2. ②4단
    3. ③5단
    4. ④6단

  88. 88.인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어를 의하여 판별하는 방법은?

    1. ①스택
    2. ②벡터 인터럽트
    3. ③폴링
    4. ④핸드쉐이킹

  89. 89.버스 클록(bus clock)이 2.5 GHz 이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭은?

    1. ①25 Gbytes/sec
    2. ②20 Gbytes/sec
    3. ③2.5 Gbytes/sec
    4. ④8 Gbytes/sec

  90. 90.다음 소자 중 전원과 관련된 신호는 제외한 데이터와 주소 연결선의 수가 가장 많은 것은?

    1. ①1K × 4 bit DRAM
    2. ②8K × 4 bit SRAM
    3. ③4K × 1 bit DRAM
    4. ④64K × 8 bit SRAM

  91. 91.Two address machine에서 기억용량 216 이고 Word length가 40bit라면 이 명령어 형식(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?

    1. ①5
    2. ②6
    3. ③7
    4. ④8

  92. 92.다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?

    1. ①비동기식 2진 카운터
    2. ②동기식 10진 카운터
    3. ③링 카운터
    4. ④존슨 카운터

  93. 93.다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

    1. ①hamming code
    2. ②ring counter code
    3. ③gray code
    4. ④8421 code

  94. 94.다음은 C언어 프로그램의 일부이다. F의 값으로 옳은 것은?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④4

  95. 95.다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 바르게 나열한 것은?

    1. ①㉣→㉠→㉡→㉢→㉤
    2. ②㉣→㉠→㉡→㉤→㉢
    3. ③㉠→㉣→㉡→㉢→㉤
    4. ④㉠→㉡→㉤→㉢→㉣

  96. 96.순서도를 작성하는 일반적인 규칙 중 틀린 것은?

    1. ①국제 표준화 기구(ISO)의 표준 기호를 사용한다.
    2. ②제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.
    3. ③기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.
    4. ④문제가 복잡하고 어려울 때는 블록별로 나누어 단계적으로 그린다.

  97. 97.다음 볼대수식을 최소화 하면?

    1. ①BC
    2. ②A
    3. ③B
    4. ④1

  98. 98.MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
    2. ②맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
    3. ③2진수의 보수
    4. ④8진수의 보수

  99. 99.어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③XOR
    4. ④NOR

  100. 100.다음 회로의 논리식으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④