문항 목록
2PN접합에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
3다음 회로에서 각 MOSFET M1, M2, M3의 채널길이 비가 L1:L2:L3＝1:2:4이고 채널 폭의 비가 W1:W2:W3＝2:8:16일 때, 드레인 전류비 ID1:ID2:ID3는? (단, 모든 MOSFET은 채널길이변조효과와 몸체효과는 무시하고 문턱전압 Vtn＝1[V], VD＝5[V]이다.)
5다음 회로에 피크값이 20[V]인 펄스파 입력전압 Vin을 인가하였을 때, 출력전압 Vout 펄스파형의 최댓값과 최솟값의 합[V]은? (단, 다이오드는 이상적이다.)
6다음 논리 회로에서 출력 F의 논리식은?
7다음 차동증폭기회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 트랜지스터 Q1과 Q2는 동일하다.)
8다음 PNP BJT 증폭회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, BJT는 활성영역에서 동작하며, BJT의 직류전류이득(βDC)은 100이고, PN접합 다이오드의 순방향 전압은 0.7[V]로 가정한다.)
9다음 RLC 병렬공진회로의 전달함수 H(ω)=V(ω)/I(ω)는? (단, ω는 각주파수이다.)
10다음 연산증폭기 회로에서 Vout/IS[V/A]은? (단, R1＝4[kΩ], RS＝2[kΩ], Rf＝30[kΩ], RL＝6[kΩ]이고, 연산증폭기는 이상적이다.)
11다음 직렬 RC 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, ω는 교류 입력전압의 각주파수이다.)
13다음 정전압 회로의 제너다이오드에 흐르는 전류 IZ[mA]는? (단, 제너다이오드는 이상적이고 제너전압 VZ＝8[V]이다.)
14다음 상승에지 JK 플립플롭 회로에서 입력신호 CP, J, K가 인가되었을 때 출력 Q는? (단, 출력 Q는 1로 초기화되어 있고, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다.)
15바르크하우젠의 발진조건에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, L(jω0)는 루프이득, ω0는 발진주파수이다.)
16다음 CMOS 논리 게이트의 논리식으로 옳은 것은?
17다음 스피커와 증폭기의 정합을 위한 이상적인 임피던스 정합 변압기 회로에서 스피커에 최대 전력 전달을 위한 권선수비(n)가 0.2라면, 스피커 내부 저항 RL[Ω]은? (단, 증폭기 내부 저항 RS＝200[Ω]이다.)
18N 채널 MOSFET의 포화영역에서의 전류－전압 특성(I - V characteristics)은 일 때, 포화영역에서 N 채널 MOSFET의 소신호 등가회로의 전달컨덕턴스(transconductance) gm은? (단, kn은 전달컨덕턴스 파라미터, Vtn은 문턱전압이다.)
19다음 BJT 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, BJT는 활성영역에서 동작한다.)
20다음 회로에서 부하 저항 RL이 최대 전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때, RL에 전달되는 최대 전력[W]은?
총 17문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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