국가직 9급 · 2022

9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2022-04-02)

총 17문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 2.PN접합에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①PN접합 부근에서는 전하 캐리어가 고갈되어 공핍영역이 생긴다.
    2. ②PN접합을 사이에 두고 공핍영역 양쪽 전계의 전위차가 발생하는데 이를 전위장벽이라 한다.
    3. ③PN접합의 N영역 접합 부근은 음전하 층이 형성되고, P영역 접합 부근은 양전하 층이 형성된다.
    4. ④PN접합이 형성되는 순간 접합 근처의 N영역에 있던 자유전자는 접합을 넘어 P영역으로 확산되어 접합 근처의 정공과 재결합한다.

  2. 3.다음 회로에서 각 MOSFET M1, M2, M3의 채널길이 비가 L1:L2:L3＝1:2:4이고 채널 폭의 비가 W1:W2:W3＝2:8:16일 때, 드레인 전류비 ID1:ID2:ID3는? (단, 모든 MOSFET은 채널길이변조효과와 몸체효과는 무시하고 문턱전압 Vtn＝1[V], VD＝5[V]이다.)

    1. ①1 : 1 : 1
    2. ②1 : 2 : 2
    3. ③2 : 1 : 1
    4. ④2 : 2 : 1

  3. 5.다음 회로에 피크값이 20[V]인 펄스파 입력전압 Vin을 인가하였을 때, 출력전압 Vout 펄스파형의 최댓값과 최솟값의 합[V]은? (단, 다이오드는 이상적이다.)

    1. ①18
    2. ②-18
    3. ③22
    4. ④-22

  4. 6.다음 논리 회로에서 출력 F의 논리식은?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③
    4. ④A · B

  5. 7.다음 차동증폭기회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 트랜지스터 Q1과 Q2는 동일하다.)

    1. ①공통모드 입력 차동증폭기이다.
    2. ②이미터신호 Ve는 입력신호 Vin과 동위상이다.
    3. ③출력신호 Vout1은 입력신호 Vin과 동위상이다.
    4. ④출력신호 Vout2는 입력신호 Vin과 역위상이다.

  6. 8.다음 PNP BJT 증폭회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, BJT는 활성영역에서 동작하며, BJT의 직류전류이득(βDC)은 100이고, PN접합 다이오드의 순방향 전압은 0.7[V]로 가정한다.)

    1. ①VB＝5[V]이다.
    2. ②컬렉터 직류 전류 IC＝1[mA]이다.
    3. ③VC가 4[V] 되기 위해 필요한 RC는 2[kΩ]이다.
    4. ④베이스－컬렉터 접합에는 역방향 전압이 걸려 있다.

  7. 9.다음 RLC 병렬공진회로의 전달함수 H(ω)=V(ω)/I(ω)는? (단, ω는 각주파수이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 10.다음 연산증폭기 회로에서 Vout/IS[V/A]은? (단, R1＝4[kΩ], RS＝2[kΩ], Rf＝30[kΩ], RL＝6[kΩ]이고, 연산증폭기는 이상적이다.)

    1. ①－1,500
    2. ②－5,000
    3. ③－7,500
    4. ④－10,000

  9. 11.다음 직렬 RC 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, ω는 교류 입력전압의 각주파수이다.)

    1. ①저역통과 필터로 사용될 수 있다.
    2. ②전압이득 이다.
    3. ③교류 입력전압과 출력전압의 위상차는 이다.
    4. ④입력에 직류 전압 신호만 인가할 때 전압이득은 0이다.

  10. 13.다음 정전압 회로의 제너다이오드에 흐르는 전류 IZ[mA]는? (단, 제너다이오드는 이상적이고 제너전압 VZ＝8[V]이다.)

    1. ①40
    2. ②80
    3. ③170
    4. ④450

  11. 14.다음 상승에지 JK 플립플롭 회로에서 입력신호 CP, J, K가 인가되었을 때 출력 Q는? (단, 출력 Q는 1로 초기화되어 있고, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  12. 15.바르크하우젠의 발진조건에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, L(jω0)는 루프이득, ω0는 발진주파수이다.)

    1. ①L(jω0)=0을 만족하면서 발진한다.
    2. ②기본증폭기의 입력신호와 귀환신호의 크기는 같아야 한다.
    3. ③기본증폭기의 입력신호와 귀환신호는 동일한 위상을 가져야 한다.
    4. ④외부의 입력신호 없이도 출력이 지속적으로 발생되는 발진조건을 의미한다.

  13. 16.다음 CMOS 논리 게이트의 논리식으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 17.다음 스피커와 증폭기의 정합을 위한 이상적인 임피던스 정합 변압기 회로에서 스피커에 최대 전력 전달을 위한 권선수비(n)가 0.2라면, 스피커 내부 저항 RL[Ω]은? (단, 증폭기 내부 저항 RS＝200[Ω]이다.)

    1. ①8
    2. ②40
    3. ③1000
    4. ④5000

  15. 18.N 채널 MOSFET의 포화영역에서의 전류－전압 특성(I - V characteristics)은 일 때, 포화영역에서 N 채널 MOSFET의 소신호 등가회로의 전달컨덕턴스(transconductance) gm은? (단, kn은 전달컨덕턴스 파라미터, Vtn은 문턱전압이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③kn(VGS-Vtn)
    4. ④

  16. 19.다음 BJT 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, BJT는 활성영역에서 동작한다.)

    1. ①RC가 증가하면 중간주파수 대역의 전압이득이 증가한다.
    2. ②바이패스 커패시터는 중간주파수 대역의 전압이득을 증가시킨다.
    3. ③중간주파수 대역에서 커패시터의 영향을 무시할 때 출력전압 Vout은 입력전압 Vin과 180°의 위상차가 난다.
    4. ④결합 커패시터와 바이패스 커패시터에 의해서 고주파 대역 응답특성과 상측 차단주파수가 결정된다.

  17. 20.다음 회로에서 부하 저항 RL이 최대 전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때, RL에 전달되는 최대 전력[W]은?

    1. ①5.4
    2. ②6.5
    3. ③7.8
    4. ④12.3