문항 목록
1자기유도계수 L의 계산 방법이 아닌 것은? (단, N:권수, ø: 자속(Wb), I:전류(A), A:벡터 퍼텐셜(Wb/m), i:전류밀도(A/m2), B:자속밀도(Wb/m2), H:자계의 세기(AT/m)이다.)
220℃에서 저항의 온도계수가 0.002인 니크롬선의 저항이 100Ω이다. 온도가 60℃로 상승하면 저항은 몇 Ω이 되겠는가?
3면적이 S(m2)이고 극간의 거리가 d(m)인 평행판 콘덴서에 비유전율이 εr인 유전체를 채울 때 정전용량(F)은? (단, ε0)은 진공의 유전율이다.)
4유전율이 ε1, ε2(F/m)인 유전체 경계면에 단위 면적당 작용하는 힘의 크기는 몇 N/m2인가? (단, 전계가 경계면에 수직인 경우이며, 두 유전체에서의 전속밀도는 D1=D2=D(C/m2)이다.)
5그림과 같이 내부 도체구 A에 +Q(C), 외부 도체구 B에 -Q(C)를 부여한 동심 도체구 사이의 정전용량 C(F)는?
6반지름 r(m)인 무한장 원통형 도체에 전류가 균일하게 흐를 때 도체 내부에서 자계의 세기(AT/m)는?
7자기 인턱턴스와 상호 인턱던스와의 관계에서 결합계수 k의 범위는?
8전계 및 자계의 세기가 각각 E(V/m), H(AT/m)일 때, 포인팅 벡터 P(W/m2)의 표현으로 옳은 것은?
9자기회로에서 자기저항의 크기에 대한 설명으로 옳은 것은?
10전위함수 V=x2+y2(V)일 때 점(3,4)(m)에서의 등전위선의 반지름은 몇 m이며, 전기력선 방정식은 어떻게 되는가?
11자속밀도 B(Wb/m2)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)
12비유전율 εr이 4인 유전체의 분극률은 진공의 유전율 ε0의 몇 배인가?
13정전계 해석에 관한 설명으로 틀린 것은?
14진공 중 3m 간격으로 두 개의 평행한 무한 평판 도체에 각각 +4C/m2, -4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V인가?
1510mm의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간 동안 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?
16공기 중에 있는 무한히 긴 직선 도선에 10A의 전류가 흐르고 있을 때 도선으로부터 2m 떨어진 점에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2인가?
17평등자계 내에 전자가 수직으로 입사하였을 때 전자의 운동에 대한 설명으로 옳은 것은?
18면적이 매우 넓은 두 개의 도체 판을 d(m) 간격으로 수평하게 평행 배치하고, 이 평행 도체 판 사이에 놓인 전자가 정지하고 있기 위해서 그 도체 판 사이에 가하여야 할 전위차(V)는? (단, g는 중력 가속도이고, m은 전자의 질량이고, e는 전자의 전하량이다.)
19반자성체의 비투자율(μr) 값의 범위는?
20그림에서 N=1000회, l=100cm, S=10cm2인 환상 철심의 자기 회로에 전류 I=10A를 흘렸을 때 축적되는 자계 에너지는 몇 J인가? (단, 비투자율 μr=100이다.)
21다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?
221H인 인턱터에 그림과 같은 전류가 흐를 때 전압 파형으로 옳은 것은?
23다음 회로를 루프해석법으로 풀기 위해 형태의 방정식으로 정리하였을 때 행렬 A는? (단, V1=10V, V2=4V 이다.)
24함수 x(t)=2e-2(t-3)·u(t-3)의 라플라스 변환식 X(s)는?
25차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?
26시정수가 τ인 RL 직렬회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 흐르는 전류는 최종치의 몇 %인가?
27다음 그림에서 단자 a-b에 나타나는 전압(Vab)는 약 몇 V인가?
28단위 계단함수 u(t-a)의 파형으로 옳은 것은?
29다음 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원(Vth=Vab)은 몇 V인가?
30다음의 회로망 방정식에 대하여 s평면에 존재하는 극점은?
31RL 직렬회로에서 L=40mH, R=10Ω일 때, 회로의 시정수는 몇 s인가?
32π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?
33일 때 유효 전력은?
34저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?
35공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?
36다음 회로에서 합성 인덕턴스는 몇 H인가? (단, L1=6H, L2=3H, M=3H 이다.)
37임피던스 인 2단자 회로에 직류 전류 20A를 인가할 때 단자 전압은 몇 V인가? (단, R=10Ω, L=20mH)
38회로에서 4단자 정수 A, B, C, D 는?
39라플라스 변환에 관한 설명 중 틀린 것은?
40분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1Ω, 분류기의 저항이 0.01Ω이면 그 배율은?
41다음의 진리표를 갖는 조합회로의 구성은? (단, A, B, C는 입력이고, D는 출력이다.)
42어떤 연산 증폭기의 SR(slew rate)이 0.5V/μs이라면, 정현파 출력의 peak 전압이 5V인 경우 대신호 동작 시 일그러짐이 발생되지 않는 최대 주파수는 약 몇 kHz인가?
43어떤 RC 미분회로에 진폭이 5V이고 펄스폭이 100μs, 주기가 200μs인 펄스파 전압을 가했을 때, 펄스폭에서 시정수의 5배 시간에 순간적으로 R 양단에 측정되는 전압은 약 몇 V인가? (단, 시정수는 10μs보다 작다.)
44연산증폭기회로에서 부귀환의 장점으로 틀린 것은?
45다음 정류회로에서 리플 전압은 콘덴서와 부하저항과 어떤 관계를 가지는가?
46다음 중 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유로 적합한 것은?
47수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유가 아닌 것은?
48다음 연산증폭기회로에서 페루프이득(lAVl)이 110 이 되기 위해 Rf는?
49다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
50다음 555타이머 회로의 출력 발진 주파수는 약 몇 kHz인가?
51이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기 회로에서 이미터 바이패스 콘덴서가 제거되면 어떤 현상이 생기는가?
52공간전하용량 변화에 따라 가변용량콘덴서로 사용되는 다이오드는?
53다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 다음 어는 것에 따라 커지는가?
54다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
55다음 중 차동 증폭기에서 동상신호제거비(CMPR)를 크게 하기 위한 방법으로 옳은 것은?（단, Ad는 차동신호 전압이득이고 Ac는 동상신호 전압이득이다.)
56다이오드의 순방향 바이어스가 이루어 질때에 잔류흐름에 대한 설명으로 적절한 것은?
57다음 T 플립플롭의 특성표에서 출력 Q(t+1)은?
58RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 dB로 감소시켜야 하는가?
59MOSFET의 포화영역 동작모드와 유사한 BJT의 동작모드는?
60연산증폭기의 개루프(open loop)이득과 부궤환시 폐루프(close loop)이득의 관계로 옳은 것은?
61절대온도 0K에서 진성 반도체는 어는 것과 같은가?
62BJT의 평형상태에 대한 설명으로 틀린 것은?
63낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
64집적회로 내에서 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?
65다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
66BJT가 증폭기로서 사용될 때 동작 상태는 어느 영역에서 일어나는가?
67BJT에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, 그림참조m1)
68상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?
69두 전극판의 간격에 10cm이고, 전극간의 전위차가 100V일 때 전자의 가속도는? (단, 전자의 전하량과 질량은 각각 1.6×10-19C, 9.11×10-31kg)
70페르미(Fermi) 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
71서로 다른 금속도선의 양끝을 연결하여 폐회로를 구성한 후, 온도를 가하면 양단의 온도차에 의해 두 접점 사이에 열기전력이 발생되는 효과는?
72어떤 도선의 1A의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적이 1s 동안에 1C의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 개수는?
73반도체의 가전자대에서 에너지 Level(E)이 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때 정공에 의해서 채워질 확률은?
74펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 틀린 것은?
75실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
76저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
77광전 효과에 관한 설명으로 틀린 것은?
78금속과 P형반도체를 접촉한 경우 옴(Ohm)접촉이 발생하는 조건은?
79Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
80자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라 하는가?
81다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?
82캐시 설계에 대한 설명으로 틀린 것은?
83레지스터 값을 2n으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?
84서브루틴과 연관되어 사용되는 명령은?
8516×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
86I/O 제어기의 주요기능에 대한 설명으로 틀린 것은?
87가상 기억체계에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
8810진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
89순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?
90다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?
912진수 0101을 2의 보수로 변환 후 다시 1의 보수로 변환하는 과정 전체를 5번 수행하면?
92다음 프로그램의 출력은?
93아래 C프로그램의 출력 결과는?
94채널(channel)에 의한 입출력 방식에서 채널의 종류가 아닌 것은?
95다음 중 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명으로 옳은 것은?
96다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
97다음 중 에러 검출률이 가장 높은 것은?
98연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?
99마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 틀린 것은?
100상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?
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