전자기사 · 2020

전자기사 (2020-06-06)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.자기유도계수 L의 계산 방법이 아닌 것은? (단, N:권수, ø: 자속(Wb), I:전류(A), A:벡터 퍼텐셜(Wb/m), i:전류밀도(A/m2), B:자속밀도(Wb/m2), H:자계의 세기(AT/m)이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.20℃에서 저항의 온도계수가 0.002인 니크롬선의 저항이 100Ω이다. 온도가 60℃로 상승하면 저항은 몇 Ω이 되겠는가?

    1. ①108
    2. ②112
    3. ③115
    4. ④120

  3. 3.면적이 S(m2)이고 극간의 거리가 d(m)인 평행판 콘덴서에 비유전율이 εr인 유전체를 채울 때 정전용량(F)은? (단, ε0)은 진공의 유전율이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.유전율이 ε1, ε2(F/m)인 유전체 경계면에 단위 면적당 작용하는 힘의 크기는 몇 N/m2인가? (단, 전계가 경계면에 수직인 경우이며, 두 유전체에서의 전속밀도는 D1=D2=D(C/m2)이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  5. 5.그림과 같이 내부 도체구 A에 +Q(C), 외부 도체구 B에 -Q(C)를 부여한 동심 도체구 사이의 정전용량 C(F)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  6. 6.반지름 r(m)인 무한장 원통형 도체에 전류가 균일하게 흐를 때 도체 내부에서 자계의 세기(AT/m)는?

    1. ①원통 중심축으로부터 거리에 비례한다.
    2. ②원통 중심축으로부터 거리에 반비례한다.
    3. ③원통 중심축으로부터 거리의 제곱에 비례한다.
    4. ④원통 중심축으로부터 거리의 제곱에 반비례한다.

  7. 7.자기 인턱턴스와 상호 인턱던스와의 관계에서 결합계수 k의 범위는?

    1. ①0≤k≤1/2
    2. ②0≤k≤1
    3. ③1≤k≤2
    4. ④01k≤10

  8. 8.전계 및 자계의 세기가 각각 E(V/m), H(AT/m)일 때, 포인팅 벡터 P(W/m2)의 표현으로 옳은 것은?

    1. ①P=1/2E×H
    2. ②P=E rot H
    3. ③P=E×H
    4. ④P=H rot E

  9. 9.자기회로에서 자기저항의 크기에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①자기회로의 길이에 비례
    2. ②자기회로의 단면적에 비례
    3. ③자성체의 비투자율에 비례
    4. ④자성체의 비투자율의 제곱에 비례

  10. 10.전위함수 V=x2+y2(V)일 때 점(3,4)(m)에서의 등전위선의 반지름은 몇 m이며, 전기력선 방정식은 어떻게 되는가?

    1. ①등전위선의 반지름:3, 전기력선 방정식:y=(3/4)x
    2. ②등전위선의 반지름:4, 전기력선 방정식:y=(4/3)x
    3. ③등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(4/3)y
    4. ④등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(3/4)y

  11. 11.자속밀도 B(Wb/m2)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)

    1. ①e=Blv, 전류방향 : c→d
    2. ②e=Blv, 전류방향 : d→c
    3. ③e=Blv2, 전류방향 : c→d
    4. ④e=Blv2, 전류방향 : d→c

  12. 12.비유전율 εr이 4인 유전체의 분극률은 진공의 유전율 ε0의 몇 배인가?

    1. ①1
    2. ②3
    3. ③9
    4. ④12

  13. 13.정전계 해석에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①포아송 방정식은 가우스 정리의 미분형으로 구할 수 있다.
    2. ②도체 표면에서의 전계의 세기는 표면에 대해 법선 방향을 갖는다.
    3. ③라플라스 방정식은 전극이나 도체의 형태에 관계없이 체적전하밀도가 0인 모든 점에서 ∇2V=0을 만족한다.
    4. ④라플라스 방정식은 비선형 방정식이다.

  14. 14.진공 중 3m 간격으로 두 개의 평행한 무한 평판 도체에 각각 +4C/m2, -4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V인가?

    1. ①1.5×1011
    2. ②1.5×1012
    3. ③1.36×1011
    4. ④1.36×1012

  15. 15.10mm의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간 동안 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?

    1. ①7.85×1016
    2. ②20.45×1015
    3. ③31.21×1019
    4. ④50×1019

  16. 16.공기 중에 있는 무한히 긴 직선 도선에 10A의 전류가 흐르고 있을 때 도선으로부터 2m 떨어진 점에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2인가?

    1. ①10-5
    2. ②0.5×-6
    3. ③10-6
    4. ④2×-6

  17. 17.평등자계 내에 전자가 수직으로 입사하였을 때 전자의 운동에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①원심력은 전자속도에 반비례한다.
    2. ②구심력은 자계의 세기에 반비례한다.
    3. ③원운동을 하고, 반지름은 자계의 세기에 비례한다.
    4. ④원운동을 하고, 반지름은 전자의 회전속도에 비례한다.

  18. 18.면적이 매우 넓은 두 개의 도체 판을 d(m) 간격으로 수평하게 평행 배치하고, 이 평행 도체 판 사이에 놓인 전자가 정지하고 있기 위해서 그 도체 판 사이에 가하여야 할 전위차(V)는? (단, g는 중력 가속도이고, m은 전자의 질량이고, e는 전자의 전하량이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  19. 19.반자성체의 비투자율(μr) 값의 범위는?

    1. ①μr=1
    2. ②μr＜1
    3. ③μr＞1
    4. ④μr=0

  20. 20.그림에서 N=1000회, l=100cm, S=10cm2인 환상 철심의 자기 회로에 전류 I=10A를 흘렸을 때 축적되는 자계 에너지는 몇 J인가? (단, 비투자율 μr=100이다.)

    1. ①2π×10-3
    2. ②2π×10-2
    3. ③2π×10-1
    4. ④2π

  21. 21.다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?

    1. ①인덕턴스와 서셉턴스
    2. ②전압과 전류
    3. ③단락과 개방
    4. ④전압원과 전류원

  22. 22.1H인 인턱터에 그림과 같은 전류가 흐를 때 전압 파형으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  23. 23.다음 회로를 루프해석법으로 풀기 위해 형태의 방정식으로 정리하였을 때 행렬 A는? (단, V1=10V, V2=4V 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  24. 24.함수 x(t)=2e-2(t-3)·u(t-3)의 라플라스 변환식 X(s)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①출력 전압이 최대값의 1/√2 이 되는 주파수이다.
    2. ②전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.
    3. ③전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.
    4. ④출력 전류가 최대값이 1/√2이 되는 주파수이다.

  26. 26.시정수가 τ인 RL 직렬회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 흐르는 전류는 최종치의 몇 %인가?

    1. ①63.2
    2. ②86.5
    3. ③95.0
    4. ④98.2

  27. 27.다음 그림에서 단자 a-b에 나타나는 전압(Vab)는 약 몇 V인가?

    1. ①4.5
    2. ②6.7
    3. ③7.0
    4. ④7.8

  28. 28.단위 계단함수 u(t-a)의 파형으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  29. 29.다음 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원(Vth=Vab)은 몇 V인가?

    1. ①0.5
    2. ②1
    3. ③1.5
    4. ④2

  30. 30.다음의 회로망 방정식에 대하여 s평면에 존재하는 극점은?

    1. ①3, 0
    2. ②-3, 0
    3. ③1, -3
    4. ④-1, -3

  31. 31.RL 직렬회로에서 L=40mH, R=10Ω일 때, 회로의 시정수는 몇 s인가?

    1. ①4
    2. ②0.4
    3. ③0.04
    4. ④0.004

  32. 32.π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?

    1. ①Y21=Ya
    2. ②Y11=Ya+Yb
    3. ③Y12=-Ya
    4. ④Y22=Ya+Yc

  33. 33.일 때 유효 전력은?

    1. ①1000√3
    2. ②2000√3
    3. ③2000/√3
    4. ④1000/√3

  34. 34.저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?

    1. ①0.2
    2. ②0.45
    3. ③0.9
    4. ④1.5

  35. 35.공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?

    1. ①전압과 전류가 45° 될 때이다.
    2. ②역률이 0.5가 되는 상태이다.
    3. ③공진이 되었을 때 최대전력의 0.5배가 전달된다.
    4. ④직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.

  36. 36.다음 회로에서 합성 인덕턴스는 몇 H인가? (단, L1=6H, L2=3H, M=3H 이다.)

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④6

  37. 37.임피던스 인 2단자 회로에 직류 전류 20A를 인가할 때 단자 전압은 몇 V인가? (단, R=10Ω, L=20mH)

    1. ①20
    2. ②40
    3. ③200
    4. ④400

  38. 38.회로에서 4단자 정수 A, B, C, D 는?

    1. ①A=n, B=0, C=0, D=1/n
    2. ②A=0, B=1/n, C=0, D=n
    3. ③A=1/n, B=0, C=n, D=0
    4. ④A=n, B=n, C=1/n, D=0

  39. 39.라플라스 변환에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①f(t-a)을 라플라스 변환하면 e-asF(s)가 된다.
    2. ②f(t)e-at을 라플라스 변환하면 F(s-a)가 된다.
    3. ③t2을 라플라스 변환하면 2/s3가 된다.
    4. ④u(t)을 라플라스 변환하면 1/s 이 된다.

  40. 40.분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1Ω, 분류기의 저항이 0.01Ω이면 그 배율은?

    1. ①4
    2. ②10
    3. ③11
    4. ④14

  41. 41.다음의 진리표를 갖는 조합회로의 구성은? (단, A, B, C는 입력이고, D는 출력이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  42. 42.어떤 연산 증폭기의 SR(slew rate)이 0.5V/μs이라면, 정현파 출력의 peak 전압이 5V인 경우 대신호 동작 시 일그러짐이 발생되지 않는 최대 주파수는 약 몇 kHz인가?

    1. ①2
    2. ②7.96
    3. ③15.92
    4. ④31.84

  43. 43.어떤 RC 미분회로에 진폭이 5V이고 펄스폭이 100μs, 주기가 200μs인 펄스파 전압을 가했을 때, 펄스폭에서 시정수의 5배 시간에 순간적으로 R 양단에 측정되는 전압은 약 몇 V인가? (단, 시정수는 10μs보다 작다.)

    1. ①0.0632
    2. ②0.034
    3. ③0.632
    4. ④0.34

  44. 44.연산증폭기회로에서 부귀환의 장점으로 틀린 것은?

    1. ①개선된 비선형성
    2. ②넓은 대역폭
    3. ③안정된 제어 이득
    4. ④입·출력 임피던스 제어

  45. 45.다음 정류회로에서 리플 전압은 콘덴서와 부하저항과 어떤 관계를 가지는가?

    1. ①부하저항과 무관하고, 콘덴서 용량에 비례한다.
    2. ②부하저항과 무관하고, 콘덴서 용량에 반비례한다.
    3. ③부하저항과 콘덴서 용량에 반비례한다.
    4. ④부하저항과 콘덴서 용량에 비례한다.

  46. 46.다음 중 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유로 적합한 것은?

    1. ①부성저항이 생기기 때문에
    2. ②결합 커패시턴스의 영향 때문에
    3. ③하이브리드 정수의 변화 때문에
    4. ④도선 등의 표유 용량 때문에

  47. 47.수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유가 아닌 것은?

    1. ①수정면의 Q가 매우 높다.
    2. ②수정 진동자는 기계적으로 안정하다.
    3. ③유도성 주파수 범위가 매우 좁다.
    4. ④부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다.

  48. 48.다음 연산증폭기회로에서 페루프이득(lAVl)이 110 이 되기 위해 Rf는?

    1. ①22Ω
    2. ②242Ω
    3. ③22kΩ
    4. ④242kΩ

  49. 49.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①슈미트(Schmitt) 트리거 회로
    2. ②톱니파 발생 회로
    3. ③단안정 멀티바이브레이터 회로
    4. ④비안정 멀티바이브레이터 회로

  50. 50.다음 555타이머 회로의 출력 발진 주파수는 약 몇 kHz인가?

    1. ①3.8
    2. ②5.64
    3. ③8.24
    4. ④10.68

  51. 51.이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기 회로에서 이미터 바이패스 콘덴서가 제거되면 어떤 현상이 생기는가?

    1. ①발진이 일어난다.
    2. ②이득이 감소한다.
    3. ③충실도가 감소된다.
    4. ④잡음이 증가한다.

  52. 52.공간전하용량 변화에 따라 가변용량콘덴서로 사용되는 다이오드는?

    1. ①꽝 다이오드
    2. ②제너 다이오드
    3. ③건 다이오드
    4. ④바랙터 다이오드

  53. 53.다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 다음 어는 것에 따라 커지는가?

    1. ①반송파 변조도가 증가함에 따라
    2. ②반송파 주파수가 증가함에 따라
    3. ③반송파 전압의 진폭이 증가함에 따라
    4. ④변조한 저주파 주파수가 증가함에 따라

  54. 54.다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①능동 저역통과 필터이다.
    2. ②임계주파수는 RC에 의하여 결정된다.
    3. ③1차 필터로 -20dB/decade 의 롤-오프율을 갖는다.
    4. ④임계주파수 이상의 주파수를 통과시킨다.

  55. 55.다음 중 차동 증폭기에서 동상신호제거비(CMPR)를 크게 하기 위한 방법으로 옳은 것은?（단, Ad는 차동신호 전압이득이고 Ac는 동상신호 전압이득이다.)

    1. ①Ad와 Ac는 값을 같게 한다.
    2. ②Ad는 크게 하고, Ac는 작게 한다.
    3. ③Ad는 작게 하고, Ac는 크게 한다.
    4. ④Ad는 1로 하고, Ac는 크게 한다.

  56. 56.다이오드의 순방향 바이어스가 이루어 질때에 잔류흐름에 대한 설명으로 적절한 것은?

    1. ①전류는 정공전류뿐이다.
    2. ②전류는 전자전류뿐이다.
    3. ③전류는 소수 반송자에 의해서만 만들어진다.
    4. ④전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다.

  57. 57.다음 T 플립플롭의 특성표에서 출력 Q(t+1)은?

    1. ①ⓐ → 0, ⓑ → 0, ⓒ → 1, ⓓ → 1
    2. ②ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 0, ⓓ → 1
    3. ③ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 1, ⓓ → 0
    4. ④ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 1, ⓓ → 1

  58. 58.RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 dB로 감소시켜야 하는가?

    1. ①0.25
    2. ②4
    3. ③6
    4. ④12

  59. 59.MOSFET의 포화영역 동작모드와 유사한 BJT의 동작모드는?

    1. ①활성영역
    2. ②차단영역
    3. ③역할성영역
    4. ④포화영역

  60. 60.연산증폭기의 개루프(open loop)이득과 부궤환시 폐루프(close loop)이득의 관계로 옳은 것은?

    1. ①개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 작다.
    2. ②개루프 이득은 항상 폐루프 이득과 같다.
    3. ③개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 크다.
    4. ④개루프 이득은 항상 0 이다.

  61. 61.절대온도 0K에서 진성 반도체는 어는 것과 같은가?

    1. ①반도체
    2. ②도체
    3. ③자성체
    4. ④절연체

  62. 62.BJT의 평형상태에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①세 단자가 접속되어 있는 상태이다.
    2. ②페르미 준위는 모든 곳에서 균일하다.
    3. ③트랜지스터가 열평형상태인 경우이다.
    4. ④다수 캐리어의 화산 운동과 소수 캐리어의 드리프트 운동이 균형을 유지한 상태이다.

  63. 63.낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?

    1. ①서미스터
    2. ②제너 다이오드
    3. ③쇼트키 다이오드
    4. ④바리스터

  64. 64.집적회로 내에서 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?

    1. ①이온주입공정
    2. ②금속배선공정
    3. ③산화공정
    4. ④광사진식각공정

  65. 65.다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①반도체 내에서 전하를 운반하는 역할을 하고 있는 전자의 밀도가 hole의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
    2. ②hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
    3. ③Ge이나 Si에 5가의 불순물(비소, 인, 안티몬)을 미량 첨가해서 만든다.
    4. ④약간의 에너지로 반도체 내에서 자유로이 운동하는 전도 전자를 가진다.

  66. 66.BJT가 증폭기로서 사용될 때 동작 상태는 어느 영역에서 일어나는가?

    1. ①포화영역
    2. ②활성영역
    3. ③차단영역
    4. ④역할성영역

  67. 67.BJT에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, 그림참조m1)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  68. 68.상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?

    1. ①0.1
    2. ②0.02
    3. ③0.9
    4. ④0.98

  69. 69.두 전극판의 간격에 10cm이고, 전극간의 전위차가 100V일 때 전자의 가속도는? (단, 전자의 전하량과 질량은 각각 1.6×10-19C, 9.11×10-31kg)

    1. ①1.76×1011m/s2
    2. ②1.76×1014m/s2
    3. ③0.176×1020cm/s2
    4. ④1.76×1017cm/s2

  70. 70.페르미(Fermi) 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①모든 온도에서 전자에 의해 점유될 확률이 1/2인 에너지 준위이다.
    2. ②허용 에너지 준위를 평균한 값이다.
    3. ③절대온도 0K에서 전자에 의해서 점유된 최고 에너지 준위이다.
    4. ④반도체에서 페르미 준위는 전도대, 금지대, 가전자대 등 어느 곳에도 있을 수 있다.

  71. 71.서로 다른 금속도선의 양끝을 연결하여 폐회로를 구성한 후, 온도를 가하면 양단의 온도차에 의해 두 접점 사이에 열기전력이 발생되는 효과는?

    1. ①Peltier 효과
    2. ②Thomson 효과
    3. ③Edison 효과
    4. ④Seebeck 효과

  72. 72.어떤 도선의 1A의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적이 1s 동안에 1C의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 개수는?

    1. ①6.25×1018
    2. ②12.5×1018
    3. ③62.5×1018
    4. ④18.75×1018

  73. 73.반도체의 가전자대에서 에너지 Level(E)이 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때 정공에 의해서 채워질 확률은?

    1. ①f(E)-1
    2. ②
    3. ③1-f(E)
    4. ④

  74. 74.펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①입력측 개방으로 인한 역포화전류 현상이다.
    2. ②이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
    3. ③역바이어스 전압의 증가시 발생하는 현상이다.
    4. ④펀치스로우 전압의 크기는 베이스내의 불순물 농도에 비례한다.

  75. 75.실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
    2. ②일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
    3. ③SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
    4. ④무점검 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.

  76. 76.저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

    1. ①2차 분포함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포함수
    3. ③Bose-Einstein 분포함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포함수

  77. 77.광전 효과에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①방출되는 광전자의 개수는 빛의 파장에 반비례한다.
    2. ②빛을 쪼이는 즉시 광전자가 방출된다.
    3. ③방출하는 광전자의 최대 운동에너지는 빛의 세기에 무관하다.
    4. ④입사광의 진동수가 한계 진동수보다 더 크지 않으면 방출은 일어나지 않는다.

  78. 78.금속과 P형반도체를 접촉한 경우 옴(Ohm)접촉이 발생하는 조건은?

    1. ①금속의 일함수＜ 반도체의 일함수
    2. ②금속의 일함수 ＞반도체의 일함수
    3. ③(2×금속의 일함수) = 반도체의 일함수
    4. ④금속의 일함수＜ (2×반도체의 일함수)

  79. 79.Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①최고허용온도가 높다.
    2. ②차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
    3. ③역방향전류와 잡음지수가 크가.
    4. ④고주파 고출력 특성이 좋다.

  80. 80.자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라 하는가?

    1. ①열적 평형
    2. ②확산(diffusion)
    3. ③수명시간(life time)
    4. ④재결합(recombination)

  81. 81.다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?

    1. ①회로비용을 절감할 수 있다.
    2. ②많은 논리기능을 부여할 수 없다.
    3. ③게이트들의 출력단자를 묶어서 사용한다.
    4. ④컴퓨터 내부에서 버스구조를 만드는데 이용된다.

  82. 82.캐시 설계에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①캐시 적중률을 극대화해야 한다.
    2. ②캐시 액세스 시간을 최소화해야 한다.
    3. ③주기억장치와 캐시 간의 데이터 일관성을 유지하고 그에 따른 오버헤드를 최대화해야 한다.
    4. ④캐시 실패에 따른 지연시간을 최소화해야 한다.

  83. 83.레지스터 값을 2n으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?

    1. ①논리적 MOVE
    2. ②산술적 Shift
    3. ③SUB
    4. ④ADD

  84. 84.서브루틴과 연관되어 사용되는 명령은?

    1. ①Shift 와 Rotate
    2. ②Call 과 Return
    3. ③Skip 와 Jump
    4. ④Inerement 와 Decrement

  85. 85.16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?

    1. ①AND 8개, OR 8개
    2. ②AND 8개, OR 16개
    3. ③AND 16개, OR 8개
    4. ④AND 16개, OR 16개

  86. 86.I/O 제어기의 주요기능에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①I/O 장치의 제어와 타이밍을 조정한다.
    2. ②CPU와의 통신을 담당한다.
    3. ③데이터 구성 기능을 수행한다.
    4. ④I/O 장치와의 통신을 담당한다.

  87. 87.가상 기억체계에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?

    1. ①10
    2. ②12
    3. ③14
    4. ④16

  88. 88.10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

    1. ①FE. D
    2. ②FF.E
    3. ③9F.8
    4. ④FF.5

  89. 89.순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  90. 90.다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?

    1. ①레지스터-메모리 instruction
    2. ②AC instruction
    3. ③스택 instruction
    4. ④메모리-메모리 instruction

  91. 91.2진수 0101을 2의 보수로 변환 후 다시 1의 보수로 변환하는 과정 전체를 5번 수행하면?

    1. ①0101
    2. ②1010
    3. ③0111
    4. ④0000

  92. 92.다음 프로그램의 출력은?

    1. ①i=2, j=5
    2. ②i=3, j=5
    3. ③i=3, j=10
    4. ④i=2, j=10

  93. 93.아래 C프로그램의 출력 결과는?

    1. ①0
    2. ②2
    3. ③25
    4. ④50

  94. 94.채널(channel)에 의한 입출력 방식에서 채널의 종류가 아닌 것은?

    1. ①counter channel
    2. ②selector channel
    3. ③multiplexer channel
    4. ④block multiplexer channel

  95. 95.다음 중 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①명령어를 해석한다.
    2. ②UNIX 커널의 일부이다.
    3. ③문서처리 기능을 갖는다.
    4. ④디렉토리 관리 기능을 갖는다.

  96. 96.다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  97. 97.다음 중 에러 검출률이 가장 높은 것은?

    1. ①페리티 비트
    2. ②해밍 코드
    3. ③그레이 코드
    4. ④CRC

  98. 98.연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있다.
    2. ②기억 레지스터, 명령 레지스터, 명령 해독기, 명령 계수기 등으로 구성되어 있다.
    3. ③프로그램과 데이터를 보관하고 있다가 필요할 때 꺼내어 사용하는 기능이다.
    4. ④처리 대상이 되는 데이터와 처리 과정에 있는 데이터 또는 최종 결과를 저장한다.

  99. 99.마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①구조화된 제어 구조를 제공한다.
    2. ②한 컴퓨터에서 다른 컴퓨터의 에뮬레이팅(emulating)이 가능하다.
    3. ③시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
    4. ④명령 세트를 변경할 수 없으므로 설계 사이클의 마지막으로 연기가 가능하다.

  100. 100.상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?

    1. ①명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 주소이다.
    2. ②명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 가리키는 포인터의 주소이다.
    3. ③명령어의 오퍼랜드(Operand)가 연산에 사용할 실제 데이터이다.
    4. ④프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다.