문항 목록
1영구자석 재료로 적당한 것은?
2B-H 곡선을 자세히 관찰하면 매끈한 곡선이 아니라 B가 계단적으로 증가 또는 감소함을 알 수 있다. 이러한 현상을 무엇이라 하는가?
3공기 중에 놓여진 반지름 6cm의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 C인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 5×106V/m이다.)
4유전율이 각각 Є1, Є2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전율이 Є1인 유전체에서 유전율이 Є2인 유전체로 전계 E1이 입사각 θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?
5자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등 자화되는 자성체와 관계가 있는 것은?
6정전용량이 C0(F)인 평행판 공기콘덴서에 그림과 같이 단면적이 1/3되는 공간에 비유전율이 4인 유전체를 채웠을 때 정전용량(F)은?
7전하 +Q와 전류 +I가 무한히 긴 직선상의 도체에 각각 주어졌고 이들 도체는 진공 속에서 각각 도전율이 무한대인 물질로 된 무한도체 평면과 평행하게 놓여 있다. 이 경우 영상법에 의한 영상 전하와 영상 전류는? (단, 전류는 직류이다.)
8무손실 매질에서 고유임피던스 η=60π, 비투자율 μT=1, 자계 H=-0.1cos(ωt-z)ax+0.5sin(ωt-z)ay AT/m일 때 각속도(rad/s)는?
9표피효과와 관계있는 식은?
10진공 중에서 전계 의 평면전자파가 있다. 이때 자계의 실효치는 약 몇 AT/m 인가?
11공기중에 두 개의 무한장 직선 도체를 그림과 같이 간격 d(m)로 평행하게 놓고, 각 직선 도체에 전류 I1(A), I2(A)를 같은 방향으로 흘릴 경우, 두 직선도체 사이에 작용하는 힘(N/m)은?
12정전용량 20μF인 공기 평행판 축전기에 0.01C의 전하량을 충전했을 때, 두 평행판 사이에 비유전율 10인 유전체를 채우면 유전체 표면에 발생하는 분극 전하량(C)의 크기는?
13그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 kcal의 열이 발생하는가? (단, Br=2Wb/m2, HL=500AT/m, B=μH에서 μ는 일정하지 않음)
14자유공간에서 x방향으로 진행하는 평면 전자파에서 암페어 주회적분의 법칙을 나타내는 맥스웰 전자방정식의 y성분은?
15공기 중에 한 변이 40cm인 정사각형 평행평판 콘덴서가 있다. 극판의 간격을 4mm로 하고 극판간에 100V의 전위차를 주면 축적되는 전하량은 약 몇 C인가?
16전자파의 기본 성질이 아닌 것은?
17단면적 4cm2의 철심에 6×10-4 Wb의 자속을 통하게 하려면 2800AT/m의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은 약 얼마인가?
18단위 길이당 정전용량 및 인덕턴스가 각각 0.2μF/m, 0.5mH/m인 전송선의 특성 임피던스는 몇 Ω인가?
19환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA(H)라면 두 코일간의 상호인덕턴스는 몇 H/m 인가? (단, A코일과 B코일 간의 누설자속은 없는 것으로 한다.)
20다음의 전위함수에서 라플라스 방정식을 만족하지 않는 것은?
21다음 설명이 의미하는 것은?
22다음과 같은 결합 공진회로에서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는?
23구동점 임피던스에서 영점(zero)은?
24v(t)=sinω0t를 Fourier 변환한 V(ω)을 구하면?
25R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2의 관계를 올바르게 나타낸 것은?
26다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?
27기함수 및 반파대칭인 비정현파에 포함된 고조파가 어느 파에 속하는가?
28어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01초 사이에 일정하게 60A에서 20A로 변할 때 20V의 기전력이 발생하면 자기 인덕턴스는 몇 mH인가?
29그림과 같은 회로에서 스위치를 닫았을 때 과도분을 포함하지 않기 위한 R은 몇 Ω인가?
30회로에서 a, b단자에 흐르는 전류는 몇 A인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
31R-L-C 직렬회로가 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
32ω=200rad/s에서 동작하는 두 개의 회로소자로 구성된 직렬회로에서 전류가 전압보다 45° 앞설 때, 이 소자 중 하나가 5Ω 저항일 경우 나머지 소자와 그 값은?
33다음 전달 함수에 관한 설명 중 옳은 것은?
34회로망 함수의 극점과 영점이 그림과 같을 때 f(t)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
35공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)
36무손실 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, G, C는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)
37다음과 같은 Z파라미터로 표시되는 4단자망의 1-1´ 단자 간에 4A, 2-2´ 단자 간에 1A의 정전류원을 연결하였을 때, 1-1´ 단자 간의 전압(E1)과 2-2´ 단자 간의 전압 (E2)을 각각 옳게 구한 것은? (단, Z파라미터 단위는 Ω이다.)
38다음 결합 회로의 합성 인덕턴스는?
39다음 회로에서 차단주파수(fc)는 얼마인가?
40f(t)=2sint+3cost로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?
41그림의 회로에서 Vout은? (단, A=RC/2r′e, v2=0V이다.)
42TTL과 C-MOS의 입출력 조건이 아래의 표와 같다고 할 때, TTL과 C-MOS 소자를 접속하는 방법으로 틀린 것은?
43다음 중 멀티바이브레이터에 대한 설명으로 틀린것은?
448진수 (326)8을 10진수로 변환한 것은?
45그림과 같은 귀환회로에서 입력임피던스(Rif)의 값을 나타낸 식으로 옳은 것은?
46수정발진기에 관한 설명 중 틀린 것은?
47다음과 같은 부귀환 증폭기의 출력 임피던스는 귀환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
48다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?
49다음 중 불 대수의 관한 법칙 중 틀린 것은?
50전송하고자 하는 비트열이 3-bit인 짝수 패리티 발생기는?
51다음의 회로에서 A, B가 입력이고 C, D가 출력일 때 이 회로의 명칭은?
52이상적인 연산증폭기의 특징에 관한 설명으로 틀린 것은?
53100W용 실리콘 트랜지스터(25℃에서 정격)에서 사용온도가 25℃를 초과할 때 열저항이 0.5W/℃이다. 트랜지스터의 온도가 100℃일 때의 최대허용 소모전력(PD)은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
54N-채널 JFET에서 드레인-소스 전압의 변화에 대해서 전류가 일정한 영역에서 드레인 전류가 증가하는 경우는?
55다음 그림과 같은 연산증폭기 회로의 출력전압(Vo)는?
56다음 부귀환 연산증폭기 회로에서 귀환율(β)는?
57기본적인 트랜지스터에서 스위치로서의 동작을 옳게 설명한 것은?
58저역 능동 필터 회로의 감쇠계수(DF, damping factor)에 영향을 주는 것은?
59비동기식 8진 업-카운터 회로에서 초기상태가 CBA=000이다. 입력에 클럭 펄스가 14개 인가된 후의 CBA의 상태는 어떻게 되는가? (단, C는 MSB이고, 모든 플립플롭의 J=K=1이다.)
6012V 직류전압원에 저항(R)과 2개의 LED가 직렬로 연결된 회로에서 각 LED에 흐르는 전류가 100mA이상 되도록 하는 저항값은? (단, LED의 전압강하는 2.2V로 하시오.)
61에너지 분포함수가 “0”이라는 것은 무엇을 의미하는가?
62양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포함수는?
63초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
64트랜지스터의 출력 특성에는 바이어스(bias) 구성에 의한 4가지 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역으로 옳은 것은?
65이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?
66MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체소자는?
67금속과 반도체의 정류성 접촉을 이용한 반도체는?
68접합 트랜지스터의 증폭작용은 베이스 영역에서의 어떤 전하들의 확산에 의한 것인가?
69다음 중 일함수에 관한 설명으로 틀린 것은?
70pn 접합 다이오드의 역포화 전류를 감소시키기 위한 방법으로 틀린 것은?
71주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?
72다음 중 SCR에 관한 설명으로 틀린 것은?
73실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)
74반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?
75전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?
76베이스 증폭 접합형 트랜지스터의 전류 증폭율(α)은 0.95이고, 차단 주파수(fα)는 5MHz이다. 이미터 접지로 사용할 때 차단 주파수(fβ)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
77N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?
78반도체 재료의 제조시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?
79전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
80어떤 금속의 표면전위장벽(EB)가 13.47eV이고, 페르미 에너지(Ef)가 8.95eV일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?
81다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명이 가장 옳은 것은?
82Associative 메모리와 가장 관련이 없는 것은?
83채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
84객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 적합하도록 설계된 언어는?
8510진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
862진수 (1110.0111)2을 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
87중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?
88프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
89컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
90CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터는?
91파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
92콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
93기억번지와 1대 1로 부여되는 번지를 무슨 번지라고 하는가?
94다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사용하는 단위는?
95다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
96스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
97다음 논리 연산자 중 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 쓰는 연산자는?
98다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서용으로 많이 사용되는 코드는?
99주소 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
100C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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