전자기사 · 2017

전자기사 (2017-09-23)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.영구자석 재료로 적당한 것은?

    1. ①잔류자속밀도(Br)는 크고 보자력(Hc)은 작아야 한다.
    2. ②잔류자속밀도(Br)는 작고 보자력(Hc)은 커야 한다.
    3. ③잔류자속밀도(Br)와 보자력(Hc)은 모두 작아야 한다.
    4. ④잔류자속밀도(Br)와 보자력(Hc)은 모두 커야 한다.

  2. 2.B-H 곡선을 자세히 관찰하면 매끈한 곡선이 아니라 B가 계단적으로 증가 또는 감소함을 알 수 있다. 이러한 현상을 무엇이라 하는가?

    1. ①퀴리점(Curie point)
    2. ②자왜현상(Magneto-striction effect)
    3. ③바크하우젠 효과(Barkhausen effect)
    4. ④자기여자 효과(Magnetic after effect)

  3. 3.공기 중에 놓여진 반지름 6cm의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 C인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 5×106V/m이다.)

    1. ①1×10-5
    2. ②1×10-6
    3. ③2×10-5
    4. ④2×10-6

  4. 4.유전율이 각각 Є1, Є2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전율이 Є1인 유전체에서 유전율이 Є2인 유전체로 전계 E1이 입사각 θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?

    1. ①E1=E2
    2. ②E1=Є1Є2E2
    3. ③
    4. ④

  5. 5.자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등 자화되는 자성체와 관계가 있는 것은?

    1. ①투자율에 비례한다.
    2. ②자계에 반비례한다.
    3. ③감자율에 반비례한다.
    4. ④자화의 세기에 비례한다.

  6. 6.정전용량이 C0(F)인 평행판 공기콘덴서에 그림과 같이 단면적이 1/3되는 공간에 비유전율이 4인 유전체를 채웠을 때 정전용량(F)은?

    1. ①C0
    2. ②2C0
    3. ③3C0
    4. ④4C0

  7. 7.전하 +Q와 전류 +I가 무한히 긴 직선상의 도체에 각각 주어졌고 이들 도체는 진공 속에서 각각 도전율이 무한대인 물질로 된 무한도체 평면과 평행하게 놓여 있다. 이 경우 영상법에 의한 영상 전하와 영상 전류는? (단, 전류는 직류이다.)

    1. ①+Q, +I
    2. ②-Q, -I
    3. ③+Q, -I
    4. ④-Q, +I

  8. 8.무손실 매질에서 고유임피던스 η=60π, 비투자율 μT=1, 자계 H=-0.1cos(ωt-z)ax+0.5sin(ωt-z)ay AT/m일 때 각속도(rad/s)는?

    1. ①0.5×108
    2. ②1.5×108
    3. ③3×108
    4. ④6×108

  9. 9.표피효과와 관계있는 식은?

    1. ①∇×B=0
    2. ②∇×D=ρ
    3. ③
    4. ④

  10. 10.진공 중에서 전계 의 평면전자파가 있다. 이때 자계의 실효치는 약 몇 AT/m 인가?

    1. ①2.65 Ee×10-1
    2. ②2.65 Ee×10-2
    3. ③2.65 Ee×10-3
    4. ④2.65 Ee×10-4

  11. 11.공기중에 두 개의 무한장 직선 도체를 그림과 같이 간격 d(m)로 평행하게 놓고, 각 직선 도체에 전류 I1(A), I2(A)를 같은 방향으로 흘릴 경우, 두 직선도체 사이에 작용하는 힘(N/m)은?

    1. ①, 흡입력
    2. ②, 반발력
    3. ③, 흡입력
    4. ④, 반발력

  12. 12.정전용량 20μF인 공기 평행판 축전기에 0.01C의 전하량을 충전했을 때, 두 평행판 사이에 비유전율 10인 유전체를 채우면 유전체 표면에 발생하는 분극 전하량(C)의 크기는?

    1. ①0.009
    2. ②0.01
    3. ③0.09
    4. ④0.1

  13. 13.그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 kcal의 열이 발생하는가? (단, Br=2Wb/m2, HL=500AT/m, B=μH에서 μ는 일정하지 않음)

    1. ①11.7
    2. ②47.6
    3. ③70.2
    4. ④200

  14. 14.자유공간에서 x방향으로 진행하는 평면 전자파에서 암페어 주회적분의 법칙을 나타내는 맥스웰 전자방정식의 y성분은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  15. 15.공기 중에 한 변이 40cm인 정사각형 평행평판 콘덴서가 있다. 극판의 간격을 4mm로 하고 극판간에 100V의 전위차를 주면 축적되는 전하량은 약 몇 C인가?

    1. ①3.54×10-8
    2. ②3.54×10-9
    3. ③6.56×10-9
    4. ④6.56×10-8

  16. 16.전자파의 기본 성질이 아닌 것은?

    1. ①횡파이다.
    2. ②반사, 굴절 현상이 나타난다.
    3. ③완전도체 표면에서는 전부 흡수한다.
    4. ④전계의 방향과 자계의 방향은 서로 수직이다.

  17. 17.단면적 4cm2의 철심에 6×10-4 Wb의 자속을 통하게 하려면 2800AT/m의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은 약 얼마인가?

    1. ①43
    2. ②75
    3. ③324
    4. ④426

  18. 18.단위 길이당 정전용량 및 인덕턴스가 각각 0.2μF/m, 0.5mH/m인 전송선의 특성 임피던스는 몇 Ω인가?

    1. ①50
    2. ②75
    3. ③125
    4. ④250

  19. 19.환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA(H)라면 두 코일간의 상호인덕턴스는 몇 H/m 인가? (단, A코일과 B코일 간의 누설자속은 없는 것으로 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.다음의 전위함수에서 라플라스 방정식을 만족하지 않는 것은?

    1. ①
    2. ②V=rcosθ+ø
    3. ③V=ρcosθ+z
    4. ④V=x2-y2+z2

  21. 21.다음 설명이 의미하는 것은?

    1. ①역회로
    2. ②정저항 회로
    3. ③L-C회로
    4. ④카워형 회로

  22. 22.다음과 같은 결합 공진회로에서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는?

    1. ①밀결합될 때
    2. ②소결합될 때
    3. ③임계결합될 때
    4. ④같은 방향으로 결합될 때

  23. 23.구동점 임피던스에서 영점(zero)은?

    1. ①전압이 가장 큰 상태이다.
    2. ②회로를 개방한 상태이다.
    3. ③회로를 단락한 상태이다.
    4. ④전류가 흐르지 않는 상태이다.

  24. 24.v(t)=sinω0t를 Fourier 변환한 V(ω)을 구하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2의 관계를 올바르게 나타낸 것은?

    1. ①θ ＜ θ1 ＜ θ2
    2. ②θ2 ＜ θ1 ＜ θ
    3. ③θ2 ＜ θ ＜ θ1
    4. ④θ1 ＜ θ ＜ θ2

  26. 26.다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

    1. ①Z1Z2=R
    2. ②Z1Z2=R2
    3. ③
    4. ④

  27. 27.기함수 및 반파대칭인 비정현파에 포함된 고조파가 어느 파에 속하는가?

    1. ①제2고조파
    2. ②제4고조파
    3. ③제5고조파
    4. ④제6고조파

  28. 28.어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01초 사이에 일정하게 60A에서 20A로 변할 때 20V의 기전력이 발생하면 자기 인덕턴스는 몇 mH인가?

    1. ①5
    2. ②10
    3. ③20
    4. ④200

  29. 29.그림과 같은 회로에서 스위치를 닫았을 때 과도분을 포함하지 않기 위한 R은 몇 Ω인가?

    1. ①100
    2. ②200
    3. ③300
    4. ④1000

  30. 30.회로에서 a, b단자에 흐르는 전류는 몇 A인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①0.5
    2. ②5
    3. ③0.1
    4. ④1

  31. 31.R-L-C 직렬회로가 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?

    1. ①공진 회로
    2. ②용량성 회로
    3. ③저항성 회로
    4. ④유도성 회로

  32. 32.ω=200rad/s에서 동작하는 두 개의 회로소자로 구성된 직렬회로에서 전류가 전압보다 45° 앞설 때, 이 소자 중 하나가 5Ω 저항일 경우 나머지 소자와 그 값은?

    1. ①L, 0.1H
    2. ②L, 0.01H
    3. ③C, 0.001F
    4. ④C, 0.0001F

  33. 33.다음 전달 함수에 관한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①부동작 시간 요소의 전달 함수는 이다.
    2. ②비례 요소의 전달 함수는 이다.
    3. ③미분 요소의 전달 함수는 K이다.
    4. ④2차 지연 요소의 전달 함수는 이다.

  34. 34.회로망 함수의 극점과 영점이 그림과 같을 때 f(t)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①f(t)=-α0t cos ωt
    2. ②f(t)=-α0t sin ωt
    3. ③f(t)=tsin ωt
    4. ④f(t)=α0t cos ωt

  35. 35.공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)

    1. ①125√3
    2. ②500
    3. ③500√3
    4. ④1000

  36. 36.무손실 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, G, C는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.다음과 같은 Z파라미터로 표시되는 4단자망의 1-1´ 단자 간에 4A, 2-2´ 단자 간에 1A의 정전류원을 연결하였을 때, 1-1´ 단자 간의 전압(E1)과 2-2´ 단자 간의 전압 (E2)을 각각 옳게 구한 것은? (단, Z파라미터 단위는 Ω이다.)

    1. ①E1＝18V, E2＝12V
    2. ②E1＝36V, E2＝24V
    3. ③E1＝42V, E2＝-24V
    4. ④E1＝48V, E2＝12V

  38. 38.다음 결합 회로의 합성 인덕턴스는?

    1. ①Leg＝L1+L2+M
    2. ②Leg＝L1+L2+2M
    3. ③Leg＝L1+L2-M
    4. ④Leg＝L1+L2-2M

  39. 39.다음 회로에서 차단주파수(fc)는 얼마인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  40. 40.f(t)=2sint+3cost로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  41. 41.그림의 회로에서 Vout은? (단, A=RC/2r′e, v2=0V이다.)

    1. ①v1
    2. ②Av1
    3. ③v2
    4. ④Av2

  42. 42.TTL과 C-MOS의 입출력 조건이 아래의 표와 같다고 할 때, TTL과 C-MOS 소자를 접속하는 방법으로 틀린 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  43. 43.다음 중 멀티바이브레이터에 대한 설명으로 틀린것은?

    1. ①회로의 시정수로 출력파형의 주기가 결정된다.
    2. ②쌍안정 멀티바이브레이터의 구성은 직류성분으로 결합되어 있다.
    3. ③출력에 고차의 고조파를 포함한다.
    4. ④모든 멀티바이브레이터의 구성은 교류성분으로 결합되어 있다.

  44. 44.8진수 (326)8을 10진수로 변환한 것은?

    1. ①124
    2. ②148
    3. ③168
    4. ④214

  45. 45.그림과 같은 귀환회로에서 입력임피던스(Rif)의 값을 나타낸 식으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  46. 46.수정발진기에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①압전 효과를 이용하여 기계적인 진동으로 기전력을 얻는다.
    2. ②RC 공진회로에 비해 주파수 안정도가 매우 높다.
    3. ③수정편의 절단(cut)하는 방법에 따라 전기적 온도 특성이 다르다.
    4. ④수정편이 같은 두께일 때 X컷(X cut)보다 Y컷(Y cut)의 발진주파수가 높다.

  47. 47.다음과 같은 부귀환 증폭기의 출력 임피던스는 귀환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

    1. ①출력 임피던스가 감소한다.
    2. ②출력 임피던스가 증가한다.
    3. ③hie배가 된다.
    4. ④변화가 없다.

  48. 48.다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?

    1. ①중화용
    2. ②기생 진동 방지용
    3. ③상호 변조 방지용
    4. ④저주파 특성 개선용

  49. 49.다음 중 불 대수의 관한 법칙 중 틀린 것은?

    1. ①X+YZ=(X+Y)(X+Z)
    2. ②X(X+1)=X
    3. ③
    4. ④

  50. 50.전송하고자 하는 비트열이 3-bit인 짝수 패리티 발생기는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  51. 51.다음의 회로에서 A, B가 입력이고 C, D가 출력일 때 이 회로의 명칭은?

    1. ①NOR로 구성된 D 플립플롭
    2. ②NOR로 구성된 RS 플립플롭
    3. ③NAND로 구성된 D 플립플롭
    4. ④NAND로 구성된 RS 플립플롭

  52. 52.이상적인 연산증폭기의 특징에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①입력 오프셋전압은 0이다.
    2. ②오픈 루프 전압이득이 무한대이다.
    3. ③동상 신호 제거비(CMRR)가 0이다.
    4. ④입력 바이어스 전류가 0이다.

  53. 53.100W용 실리콘 트랜지스터(25℃에서 정격)에서 사용온도가 25℃를 초과할 때 열저항이 0.5W/℃이다. 트랜지스터의 온도가 100℃일 때의 최대허용 소모전력(PD)은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①75W
    2. ②73.5W
    3. ③70W
    4. ④62.5W

  54. 54.N-채널 JFET에서 드레인-소스 전압의 변화에 대해서 전류가 일정한 영역에서 드레인 전류가 증가하는 경우는?

    1. ①게이트-소스 바이어스 전압이 감소할 때
    2. ②게이트-소스 바이어스 전압이 증가할 때
    3. ③게이트-드레인 바이어스 전압이 감소할 때
    4. ④게이트-드레인 바이어스 전압이 증가할 때

  55. 55.다음 그림과 같은 연산증폭기 회로의 출력전압(Vo)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  56. 56.다음 부귀환 연산증폭기 회로에서 귀환율(β)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  57. 57.기본적인 트랜지스터에서 스위치로서의 동작을 옳게 설명한 것은?

    1. ①차단과 포화로 동작된다.
    2. ②전압이득은 입력전압과 출력전압의 비이다.
    3. ③Rc와 r´e는 전압이득을 결정한다.
    4. ④작은 신호를 큰 신호로 만드는 동작이다.

  58. 58.저역 능동 필터 회로의 감쇠계수(DF, damping factor)에 영향을 주는 것은?

    1. ①연산증폭기 이득
    2. ②부귀환 효과
    3. ③정귀환 효과
    4. ④필터의 대역폭

  59. 59.비동기식 8진 업-카운터 회로에서 초기상태가 CBA=000이다. 입력에 클럭 펄스가 14개 인가된 후의 CBA의 상태는 어떻게 되는가? (단, C는 MSB이고, 모든 플립플롭의 J=K=1이다.)

    1. ①CBA=111
    2. ②CBA=100
    3. ③CBA=101
    4. ④CBA=110

  60. 60.12V 직류전압원에 저항(R)과 2개의 LED가 직렬로 연결된 회로에서 각 LED에 흐르는 전류가 100mA이상 되도록 하는 저항값은? (단, LED의 전압강하는 2.2V로 하시오.)

    1. ①76Ω
    2. ②86Ω
    3. ③100Ω
    4. ④120Ω

  61. 61.에너지 분포함수가 “0”이라는 것은 무엇을 의미하는가?

    1. ①입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 1이다.
    2. ②에너지 상태가 비어 있다.
    3. ③입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.5이다.
    4. ④입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.3이다.

  62. 62.양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포함수는?

    1. ①Sommerfeld 분포 함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포 함수
    3. ③Bose-Einstein 분포 함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포 함수

  63. 63.초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
    2. ②저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
    3. ③저온에서 격자진동이 저하하여 결국 저항이 0으로 된다.
    4. ④전자의 이동도 μ가 전계 강도 E의 평방근에 비례한다.

  64. 64.트랜지스터의 출력 특성에는 바이어스(bias) 구성에 의한 4가지 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역으로 옳은 것은?

    1. ①포화(Saturation) 영역
    2. ②활성(Active) 영역
    3. ③차단(Cut-off) 영역
    4. ④역할성(Inverted Active) 영역

  65. 65.이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①이동도의 단위는 [m2/V·s]이다.
    2. ②도전율이 크면 이동도도 크다.
    3. ③온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
    4. ④이동도가 크면 높은 주파수에 적합하다.

  66. 66.MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체소자는?

    1. ①IGBT
    2. ②SCR
    3. ③TRIAC
    4. ④GTO

  67. 67.금속과 반도체의 정류성 접촉을 이용한 반도체는?

    1. ①Zener Diode
    2. ②Tunnel Diode
    3. ③Impact Diode
    4. ④Schottky Barrier Diode

  68. 68.접합 트랜지스터의 증폭작용은 베이스 영역에서의 어떤 전하들의 확산에 의한 것인가?

    1. ①소수 캐리어
    2. ②다수 캐리어
    3. ③도너(Donor) 이온
    4. ④억셉터(Acceptor) 이온

  69. 69.다음 중 일함수에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①일함수는 이탈 준위와 페르미 준위와의 차로 나타난다.
    2. ②일함수가 크면 적은 에너지로 많은 전자를 방출시킬 수 있다.
    3. ③일함수는 금속의 종류나 표면의 형태에 따라 다른 값을 갖는다.
    4. ④1개의 전자를 금속체로부터 공간으로 방출하는데 필요한 일의 양을 말한다.

  70. 70.pn 접합 다이오드의 역포화 전류를 감소시키기 위한 방법으로 틀린 것은?

    1. ①저항률을 낮게 한다.
    2. ②접합 면적을 적게 한다.
    3. ③다수 캐리어의 밀도를 높인다.
    4. ④소수 캐리어의 밀도를 높인다.

  71. 71.주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?

    1. ①2
    2. ②8
    3. ③18
    4. ④32

  72. 72.다음 중 SCR에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①전류제어형 소자이다.
    2. ②게이트 전극이 전도에 영향을 준다.
    3. ③터널 다이오드와 똑같은 특성의 부성저항 소자이다.
    4. ④다이라트론(thyratron)과 비슷한 특성을 가지고 있다.

  73. 73.실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)

    1. ①1
    2. ②0.5
    3. ③1.1×10-6
    4. ④4.4×10-10

  74. 74.반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①홀 효과가 크다.
    2. ②빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
    3. ③불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
    4. ④온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.

  75. 75.전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?

    1. ①9.109×10-31
    2. ②1.759×10-11
    3. ③1.602×1019
    4. ④6.547×1034

  76. 76.베이스 증폭 접합형 트랜지스터의 전류 증폭율(α)은 0.95이고, 차단 주파수(fα)는 5MHz이다. 이미터 접지로 사용할 때 차단 주파수(fβ)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①263kHz
    2. ②475kHz
    3. ③2.63MHz
    4. ④4.75MHz

  77. 77.N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?

    1. ①인(P)
    2. ②비소(As)
    3. ③안티몬(Sb)
    4. ④알루미늄(Al)

  78. 78.반도체 재료의 제조시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?

    1. ①불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    2. ②다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
    3. ③진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    4. ④캐리어의 이동도를 결정하기 때문

  79. 79.전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

    1. ①충만대(filled band)
    2. ②금지대(forbidden band)
    3. ③가전자대(valence band)
    4. ④전도대(conduction band)

  80. 80.어떤 금속의 표면전위장벽(EB)가 13.47eV이고, 페르미 에너지(Ef)가 8.95eV일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?

    1. ①4.52eV
    2. ②9.04eV
    3. ③11.21eV
    4. ④22.42eV

  81. 81.다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명이 가장 옳은 것은?

    1. ①명령어를 해석한다.
    2. ②UNIX 커널의 일부이다.
    3. ③문서처리 기능을 갖는다.
    4. ④디렉토리 관리 기능을 갖는다.

  82. 82.Associative 메모리와 가장 관련이 없는 것은?

    1. ①CAM(Content Addressable Memory)
    2. ②고속의 Access
    3. ③Key 레지스터
    4. ④MAR(Memory Address Register)

  83. 83.채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?

    1. ①counter channel
    2. ②selector channel
    3. ③multiplexer channel
    4. ④block multiplexer channel

  84. 84.객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 적합하도록 설계된 언어는?

    1. ①포트란(FORTRAN)
    2. ②C
    3. ③자바(java)
    4. ④SQL

  85. 85.10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

    1. ①FE.D
    2. ②FF.E
    3. ③9F.8
    4. ④FF.5

  86. 86.2진수 (1110.0111)2을 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

    1. ①(7.7)16
    2. ②(14.14)16
    3. ③(E.7)16
    4. ④(E.E)16

  87. 87.중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?

    1. ①기억기능 : 레지스터(register)
    2. ②연산기능 : 연산기(ALU)
    3. ③전달기능 : 누산기(accumulator)
    4. ④제어기능 : 조합회로와 기억소자

  88. 88.프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?

    1. ①레지스터 모드
    2. ②간접번지 모드
    3. ③상대번지 모드
    4. ④인덱스 어드레싱 모드

  89. 89.컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①스택 메모리의 번지 레지스터로서 스택 포인터가 있으며 LIFO로 동작한다.
    2. ②메모리에 항목을 저장하는 것을 PUSH라 하고 빼내는 동작을 POP이라고 한다.
    3. ③PUSH, POP 동작 시 SP를 증가시키거나 감소시키는 문제는 스택의 구성에 따라 달라질 수 있다.
    4. ④PUSH, POP 명령에서 스택과 오퍼랜드 사이의 정보 전달을 위해서는 번지 필드가 필요 없다.

  90. 90.CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터는?

    1. ①ACC
    2. ②SR
    3. ③IR
    4. ④SP

  91. 91.파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①프로세서가 이전 명령어를 마치기 전에 다음 명령어 수행을 시작하는 기법이다.
    2. ②CPU가 필요한 데이터를 찾을 때 읽기와 쓰기 동작을 향상시키는 기법이다.
    3. ③명령어 사이클들이 동 시간대에 중첩되어 처리되는 개념을 나타낸다.
    4. ④단계별 시간차를 거의 동일하게 하면 속도향상을 꾀할 수 있다.

  92. 92.콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?

    1. ①dynamic micro-programming
    2. ②static micro-programming
    3. ③horizontal micro-programming
    4. ④vertical micro-programming

  93. 93.기억번지와 1대 1로 부여되는 번지를 무슨 번지라고 하는가?

    1. ①상대번지
    2. ②절대번지
    3. ③직접번지
    4. ④간접번지

  94. 94.다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사용하는 단위는?

    1. ①LPM(Line Per Minute)
    2. ②CPM(Character Per Minute)
    3. ③CPS(Character Per Second)
    4. ④BPS(Bit Per Second)

  95. 95.다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?

    1. ①i= 4, b= 6
    2. ②i= 5, b= 10
    3. ③i= 6, b= 15
    4. ④i= 10, b= 55

  96. 96.스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?

    1. ①0-주소 형식
    2. ②1-주소 형식
    3. ③2-주소 형식
    4. ④3-주소 형식

  97. 97.다음 논리 연산자 중 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 쓰는 연산자는?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③EX-OR
    4. ④NOT

  98. 98.다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서용으로 많이 사용되는 코드는?

    1. ①EBCDIC 코드
    2. ②Excess-3 코드
    3. ③ASCII 코드
    4. ④Gray 코드

  99. 99.주소 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?

    1. ①direct addressing mode
    2. ②indirect addressing mode
    3. ③absolute addressing mode
    4. ④relative addressing mode

  100. 100.C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?

    1. ①auto
    2. ②default
    3. ③enum
    4. ④sum
전자기사 (2017-09-23) 문제지 인쇄 | 스터디CBT