문항 목록
1그림과 같은 단극 유도장치에서 자속밀도 B(T)로 균일하게 반지름 a(m)인 원통형 영구자석 중심축 주위를 각속도 ω(rad/s)로 회전하고 있다. 이 때 브러시(접촉자)에서 인출되어 저항 R(Ω)에 흐르는 전류는 몇 [A]인가?
2다음 ( )안의 ㉠과 ㉡에 들어갈 알맞은 내용은?
3평면도체 표면에서 d(m)의 거리에 점전하 Q(C)가 있을 때 이 전하를 무한원까지 운반하는데 필요한 일은 몇 [J]인가?
4다음 중 틀린 것은?
5두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m2), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m3)는?
6유전율 ε, 전계의 세기 E인 유전체의 단위 체적에 축적되는 에너지는?
7내경의 반지름이 1mm, 외경의 반지름이 3mm인 동축 케이블의 단위 길이당 인덕턴스는 약 몇 [μH/m]인가? (단, 이 때 μr=1이며, 내부 인덕턴스는 무시한다.)
8자기쌍극자에 의한 자위 U(A)에 해당되는 것은? (단, 자기쌍극자의 자기모멘트는 M(Wbㆍm), 쌍극자의 중심으로부터의 거리는 r(m), 쌍극자의 정방향과의 각도는 θ라 한다.)
9수직 편파는?
10영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은?
11자극의 세기가 8×10-6[Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm]인가?
12원점에서 점(-2, 1, 2)로 향하는 단위벡터를 a1이라 할 때 y=0인 평면에 평행이고 a1에 수직인 단위벡터 a2는?
13비유전율이 10인 유전체를 5[V/m]인 전계 내에 놓으면 유전체의 표면전하밀도는 몇 [C/m2]인가? (단, 유전체의 표면과 전계는 직각이다.)
14내구의 반지름이 a(m), 외구의 내반지름이 b(m)인 동심 구형 콘덴서의 내구의 반지름과 외구의 내반지름을 각각 2a(m), 2b(m)로 증가시키면 이 동심구형 콘덴서의 정전용량은 몇 배로 되는가?
15반경 r1, r2인 동심구가 있다. 반경 r1, r2인 구 껍질에 각각 +Q1, +Q2의 전하가 분포되어 있는 경우 r1≤r ≤r2에서의 전위는?
16평면 전자파에서 전계의 세기가 인 공기 중에서의 자계의 세기는 몇 [μA/m]인가?
17그림과 같은 동축원통의 왕복 전류회로가 있다. 도체 단면에 고르게 퍼진 일정 크기의 전류가 내부 도체로 흘러 들어가고 외부 도체로 흘러나올 때 전류에 의하여 생기는 자계에 대하여 틀린 것은?
18다음 중 식이 틀린 것은?
19길이 ℓ(m), 단면적의 반지름 a(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우, 원통 양단에서의 전자극의 세기 m(Wb)은?
20반경 인 구도체에 -Q의 전하를 주고 구도체의 중심 O에서 10a 되는 점 P에 10Q의 점전하를 놓았을 때, 직선 OP 위의 점 중에서 전위가 0이 되는 지점과 구도체의 중심 O와의 거리는?
21다음 회로에서 전류 I1(실효값)은? (단, n1 : n2 = 1 : 10 이다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
22L=10(mH)인 인덕턴스에 i(t)=10e-5t(A)인 전류가 흐르는 경우, t=0에서 인덕턴스 L의 단자전압은?
23그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 ωL의 값은?
24500(mH)인 코일에 흐르는 전류를 30[A/s]의 비율로 증가시킬 때, 코일 양단에 나타나는 전압의 크기는? (단, 전압의 크기는 절대값이다.)
25다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 데브난 등가저항의 크기는?
26회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때, 바로 직후의 전류 iL(0+)와 전압 vC(0+)으로 적절한 것은? (단, t< 0에서 VC = 3V이다.)
27C(s)=G(s)R(s)에서 입력 함수로 단위 임펄스 δ(t)를 가할 때 출력 C(s)는? (단, G(s)는 전달함수, R(s)는 입력이다.)
28회로에 전압과 전류가 각각 V(t)=Asinωt, I(t)=Bsin(ωt+θ)일 때, 소비되는 평균전력은?
29정현 대칭에서 성립하는 함수식은?
30회로에서 결합계수가 K일 때 상호인덕턴스 M은?
31내부 임피던스 Zg=0.2+j2Ω인 발전기에 임피던스 Z1=2.0+j3Ω인 선로를 연결하여 부하에 전력을 공급할 때 부하에 최대 전력이 전송되기 위한 부파 임피던스는?
32그림과 같은 파형의 평균값은? (단, y=10 e-200t 이다.)
33선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는?
34차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?
35그림과 같은 R-C 회로에서 변환 임피던스(transform impedance) Z(s)를 구하면?
36다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?
37임피던스 Z(S)가 인 2단자 회로에 직류 전류 20[A]를 인가할 때 단자 전압은?
384단자 ABCD 파라미터의 표현이 틀린 것은?
39π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?
40RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였을 때 인덕터의 양단 전압에 나타나는 현상은?
41부성저항 특성을 가지고 있어 발진회로에 응용 가능한 소자는?
42귀환 발진기의 발진 조건을 나타내는 식은? (단, A는 증폭도, β는 귀환율이다.)
43발진회로 구성시 유의사항으로 틀린 것은?
44수정발진기의 특징으로 가장 적합한 것은?
45연산회로에서 입력전압이 각각 V1=5[V], V2=10[V]이고, 저항 R1=R2=Rf=10[kΩ]일 때 출력 전압은?
46MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?
472단 연산증폭기의 종합이득(Vo/Vs)은?
48베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
491[kHz]의 신호파로 100[MHz]의 반송파를 주파수 변조하였을 때 최대 주파수편이가 ±49[kHz]이면 점유 주파수 대역폭은?
50회로(a)와 회로(b)가 등가가 되기 위한 밀러 커패시턴스의 용량은 약 얼마인가? (단, Av=100, C=1[μF])
51교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?
52fT가 10[MHz]인 트랜지스터가 중간영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?
53정현파 신호를 변조도 50[%]로 진폭 변조하고 반송파 전력이 1[mW]라고 할 때 상측대파와 하측대파 전력의 합은?
54저주파 증폭기에서 입력이 100[mV], 전압 이득이 60[dB]일 때 출력 전압의 왜율은? (단, 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 1.73[V], 1[V]이다.)
55연산 증폭기의 출력전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?
56A급 증폭회로의 동작점을 구하는 방법은?
57다음 회로와 같은 게이트의 기능은?
58발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?
59미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?
60단상전파정류회로의 맥동 전압주파수가 전원주파수의 3배가 되는 정류방식은?
61다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?
62전자의 운동방향과 균일한 자계(B)가 서로 수직한 경우 전자의 운동 방경 r은? (단, 전자의 전하 e, 속도 v, 질량 m이다.)
63접합 트랜지스터를 실제로 응용하기 위한 요구조건이 아닌 것은?
64반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?
65Na 금속의 한계 주파수가 4.35×1014[Hz]이다. 이 금속의 일함수는? (단, plank 상수는 6.625×10-34[Jㆍsec], 전자의 전하 e=1.602×10-19[C])
66Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단 Ef는 페르미준위이다.)
67페르미준위가 5[eV]일 때 전자의 속도는 얼마인가?
68운동 에너지를 10-16[J] 갖고 있는 전자를 정지시키기 위해서는 몇 [V]의 전압을 공급해야 하는가?
69PN접합에서 접촉전위차에 대한 설명으로 옳은 것은?
70d=0.2[mm]인 Ge 시료에 10[mA]의 전류(I)를 통하고 이에 수직인 방향으로 B=0.1[Wb/m2]의 자장을 가할 경우 홀(Hall) 기전력은? (단, RH=2×10-4[m3/C])
71Si 단결정 반도체에서 n형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
72드리프트 트랜지스터(drift transistor)의 설명으로 틀린 것은?
73드리프트 운동과 확산 운동의 관계를 나타낸 아인슈타인 관계식은?
74가전자대의 전자밀도가 8.4×1028[개/m3]인 금속에 전류밀도가 2×106[A/m2]인 전류가 흐를 때 드리프트 속도는?
75다이라트론(thyratron)의 그리드(grid) 작용은 방전이 일어난 후에는 제어기능이 상실되는데 그 원인으로 적당한 것은?
76어떤 물질에 X선을 쬐었을 때 산란되는 X선 중에 입사 X선과 같은 파장인 것 이외에 긴 파장이 존재한다는 효과는?
77전자의 이동도 μn=8×10-4[m2/Vㆍs]인 도체에 전계 E=10[V/m]를 인가하였을 경우 전류밀도는? (단, 전자의 밀도 n=8.5×1028[개/m3]이다.)
78열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?
79양자역학의 보어 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은?
80접합트랜지스터의 베타 차단 주파수 fβ는? (단, β0는 저주파수에서의 β값)
81확장형 DMA 제어기인 I/O 처리기를 구성하는 하드웨어가 아닌 것은?
82마이크로프로세서에 관한 설명으로 틀린 것은?
83오류검출 코드가 아닌 것은?
84그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?
85컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종 결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?
86채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
87어드레스가 10비트, 데이터가 8비트인 메모리가 있다. 어드레스의 최상위 두 비트를 1로 고정하였을 때 메모리의 어드레스 공간은?
8810진수 4와 10진수 13에 해당하는 그레이 코드(gray code)를 비트 단위(bitwise) OR 연산을 하면 결과는?
89순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?
90마이크로컴퓨터의 기본 동작에 필요한 프로그램은?
91휘발성(volatile)과 가장 밀접한 관계를 갖는 메모리는?
92파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명이 아닌 것은?
93원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
9424×8 ROM이 있다. 이 ROM의 주소 공간 비트수와 1워드당 비트수는 각각 얼마인가?
95많은 프로그램이 존재하는 멀티프로그래밍 환경에서 메모리 관리 장치의 기본적인 역할이 아닌 것은?
96그림과 같은 회로의 명칭은?
97레지스터 값을 2n으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?
98(76.4)8을 10진수 값으로 변환한 것은?
99CPU의 제어유니트 기능에 해당하지 않는 것은?
100기억된 데이터의 내용에 의해서 그 위치를 접근하는 방식은?
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