전자기사 · 2015

전자기사 (2015-05-31)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.그림과 같은 단극 유도장치에서 자속밀도 B(T)로 균일하게 반지름 a(m)인 원통형 영구자석 중심축 주위를 각속도 ω(rad/s)로 회전하고 있다. 이 때 브러시(접촉자)에서 인출되어 저항 R(Ω)에 흐르는 전류는 몇 [A]인가?

    1. ①aBω/R
    2. ②a2Bω/R
    3. ③aBω/2R
    4. ④a2Bω/2R

  2. 2.다음 ( )안의 ㉠과 ㉡에 들어갈 알맞은 내용은?

    1. ①㉠ 비례, ㉡ 비례
    2. ②㉠ 반비례, ㉡ 반비례
    3. ③㉠ 비례, ㉡ 반비례
    4. ④㉠ 반비례, ㉡ 비례

  3. 3.평면도체 표면에서 d(m)의 거리에 점전하 Q(C)가 있을 때 이 전하를 무한원까지 운반하는데 필요한 일은 몇 [J]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.다음 중 틀린 것은?

    1. ①도체의 전류밀도 J는 가해진 전기장 E에 비례하여 온도변화와 무관하게 항상 일정하다.
    2. ②도전율의 변화는 원자구조, 불순도 및 온도에 의하여 설명이 가능하다.
    3. ③전기저항은 도체의 재질, 형상, 온도에 따라 결정되는 상수이다.
    4. ④고유저항의 단위는 Ωㆍm이다.

  5. 5.두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m2), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m3)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  6. 6.유전율 ε, 전계의 세기 E인 유전체의 단위 체적에 축적되는 에너지는?

    1. ①E/2Є
    2. ②ЄE/2
    3. ③ЄE2/2
    4. ④Є2E2/2

  7. 7.내경의 반지름이 1mm, 외경의 반지름이 3mm인 동축 케이블의 단위 길이당 인덕턴스는 약 몇 [μH/m]인가? (단, 이 때 μr=1이며, 내부 인덕턴스는 무시한다.)

    1. ①0.12
    2. ②0.22
    3. ③0.32
    4. ④0.42

  8. 8.자기쌍극자에 의한 자위 U(A)에 해당되는 것은? (단, 자기쌍극자의 자기모멘트는 M(Wbㆍm), 쌍극자의 중심으로부터의 거리는 r(m), 쌍극자의 정방향과의 각도는 θ라 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.수직 편파는?

    1. ①전계가 대지에 대해서 수직면에 있는 전자파
    2. ②전계가 대지에 대해서 수평면에 있는 전자파
    3. ③자계가 대지에 대해서 수직면에 있는 전자파
    4. ④자계가 대지에 대해서 수평면에 있는 전자파

  10. 10.영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①한번 자화된 다음에는 자기를 영구적으로 보존하는 자석이다.
    2. ②보자력이 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.
    3. ③잔류 자속밀도가 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.
    4. ④자석재료로 폐회로를 만들면 강한 영구자석이 된다.

  11. 11.자극의 세기가 8×10-6[Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm]인가?

    1. ①3.02×10-5
    2. ②3.02×10-4
    3. ③1.44×10-5
    4. ④1.44×10-4

  12. 12.원점에서 점(-2, 1, 2)로 향하는 단위벡터를 a1이라 할 때 y=0인 평면에 평행이고 a1에 수직인 단위벡터 a2는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.비유전율이 10인 유전체를 5[V/m]인 전계 내에 놓으면 유전체의 표면전하밀도는 몇 [C/m2]인가? (단, 유전체의 표면과 전계는 직각이다.)

    1. ①35ε0
    2. ②45ε0
    3. ③55ε0
    4. ④65ε0

  14. 14.내구의 반지름이 a(m), 외구의 내반지름이 b(m)인 동심 구형 콘덴서의 내구의 반지름과 외구의 내반지름을 각각 2a(m), 2b(m)로 증가시키면 이 동심구형 콘덴서의 정전용량은 몇 배로 되는가?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④4

  15. 15.반경 r1, r2인 동심구가 있다. 반경 r1, r2인 구 껍질에 각각 +Q1, +Q2의 전하가 분포되어 있는 경우 r1≤r ≤r2에서의 전위는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  16. 16.평면 전자파에서 전계의 세기가 인 공기 중에서의 자계의 세기는 몇 [μA/m]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 17.그림과 같은 동축원통의 왕복 전류회로가 있다. 도체 단면에 고르게 퍼진 일정 크기의 전류가 내부 도체로 흘러 들어가고 외부 도체로 흘러나올 때 전류에 의하여 생기는 자계에 대하여 틀린 것은?

    1. ①외부 공간 (r＞c)의 자계는 영(0)이다.
    2. ②내부 도체 내(r＜a)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 비례한다.
    3. ③외부 도체 내(b＜r＜c)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 관계없이 일정하다.
    4. ④두 도체사이(내부공간)(a＜r＜b)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 반비례한다.

  18. 18.다음 중 식이 틀린 것은?

    1. ①발산의 정리 :
    2. ②Poisson의 방정식 :
    3. ③Gauss의 정리 : divD=ρ
    4. ④Laplace의 방정식 : ▽2V=0

  19. 19.길이 ℓ(m), 단면적의 반지름 a(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우, 원통 양단에서의 전자극의 세기 m(Wb)은?

    1. ①J
    2. ②1πJ
    3. ③πa2J
    4. ④J/πa2

  20. 20.반경  인 구도체에 -Q의 전하를 주고 구도체의 중심 O에서 10a 되는 점 P에 10Q의 점전하를 놓았을 때, 직선 OP 위의 점 중에서 전위가 0이 되는 지점과 구도체의 중심 O와의 거리는?

    1. ①a/5
    2. ②a/2
    3. ③a
    4. ④2a

  21. 21.다음 회로에서 전류 I1(실효값)은? (단, n1 : n2 = 1 : 10 이다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①500mA
    2. ②250mA
    3. ③125mA
    4. ④50mA

  22. 22.L=10(mH)인 인덕턴스에 i(t)=10e-5t(A)인 전류가 흐르는 경우, t=0에서 인덕턴스 L의 단자전압은?

    1. ①0.05V
    2. ②0.5V
    3. ③-0.05V
    4. ④-0.5V

  23. 23.그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 ωL의 값은?

    1. ①12/13Ω
    2. ②1Ω
    3. ③14/13Ω
    4. ④15/13Ω

  24. 24.500(mH)인 코일에 흐르는 전류를 30[A/s]의 비율로 증가시킬 때, 코일 양단에 나타나는 전압의 크기는? (단, 전압의 크기는 절대값이다.)

    1. ①0.15V
    2. ②1.5V
    3. ③15V
    4. ④150V

  25. 25.다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 데브난 등가저항의 크기는?

    1. ①3Ω
    2. ②5Ω
    3. ③8Ω
    4. ④12Ω

  26. 26.회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때, 바로 직후의 전류 iL(0+)와 전압 vC(0+)으로 적절한 것은? (단, t< 0에서 VC = 3V이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  27. 27.C(s)=G(s)R(s)에서 입력 함수로 단위 임펄스 δ(t)를 가할 때 출력 C(s)는? (단, G(s)는 전달함수, R(s)는 입력이다.)

    1. ①G(s)
    2. ②G(s)/s
    3. ③sG(s)
    4. ④1

  28. 28.회로에 전압과 전류가 각각 V(t)=Asinωt, I(t)=Bsin(ωt+θ)일 때, 소비되는 평균전력은?

    1. ①ABsinθ/2
    2. ②ABcosθ/√2
    3. ③ABsinθ/√2
    4. ④ABcosθ/2

  29. 29.정현 대칭에서 성립하는 함수식은?

    1. ①f(t) = 1/f(t)
    2. ②f(t) = -f(t)
    3. ③f(t) = f(-t)
    4. ④f(t) = -f(-t)

  30. 30.회로에서 결합계수가 K일 때 상호인덕턴스 M은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.내부 임피던스 Zg=0.2+j2Ω인 발전기에 임피던스 Z1=2.0+j3Ω인 선로를 연결하여 부하에 전력을 공급할 때 부하에 최대 전력이 전송되기 위한 부파 임피던스는?

    1. ①1.8+jΩ
    2. ②1.8-jΩ
    3. ③2.2+j5Ω
    4. ④2.2-j5Ω

  32. 32.그림과 같은 파형의 평균값은? (단, y=10 e-200t 이다.)

    1. ①1
    2. ②5
    3. ③5/√2
    4. ④√5

  33. 33.선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  34. 34.차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①출력 전압이 최대값의 1/√2이 되는 주파수이다.
    2. ②전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.
    3. ③전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.
    4. ④출력 전류가 최대값의 1/√2이 되는 주파수이다.

  35. 35.그림과 같은 R-C 회로에서 변환 임피던스(transform impedance) Z(s)를 구하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  36. 36.다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?

    1. ①m/s3
    2. ②m/s2
    3. ③m/s
    4. ④1/sm

  37. 37.임피던스 Z(S)가 인 2단자 회로에 직류 전류 20[A]를 인가할 때 단자 전압은?

    1. ①20V
    2. ②40V
    3. ③200V
    4. ④400V

  38. 38.4단자 ABCD 파라미터의 표현이 틀린 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?

    1. ①Y11 = Ya + Yb
    2. ②Y22 = Ya + Yc
    3. ③Y12 = -Ya
    4. ④Y21 = Ya

  40. 40.RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였을 때 인덕터의 양단 전압에 나타나는 현상은?

    1. ①신호원의 전압과 위상이 동일한 형태로 나타난다.
    2. ②인덕터 전류와 위상이 동일한 형태로 나타난다.
    3. ③저항양단 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
    4. ④신호원 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.

  41. 41.부성저항 특성을 가지고 있어 발진회로에 응용 가능한 소자는?

    1. ①CdS
    2. ②서미스터
    3. ③제너 다이오드
    4. ④터널 다이오드

  42. 42.귀환 발진기의 발진 조건을 나타내는 식은? (단, A는 증폭도, β는 귀환율이다.)

    1. ①βA=1
    2. ②βA=0
    3. ③βA=100
    4. ④βA=∞

  43. 43.발진회로 구성시 유의사항으로 틀린 것은?

    1. ①발진소자는 온도편차가 적은 것으로 선정한다.
    2. ②발진회로내의 연결선은 가능한 한 짧아야 좋다.
    3. ③발진주파수는 외부로 많이 방사 되도록 한다.
    4. ④발진회로 주변은 그라운드(Ground)로 차폐한다.

  44. 44.수정발진기의 특징으로 가장 적합한 것은?

    1. ①가변성
    2. ②안정성
    3. ③경제성
    4. ④높은 발진 주파수

  45. 45.연산회로에서 입력전압이 각각 V1=5[V], V2=10[V]이고, 저항 R1=R2=Rf=10[kΩ]일 때 출력 전압은?

    1. ①-5[V]
    2. ②-15[V]
    3. ③10[V]
    4. ④20[V]

  46. 46.MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?

    1. ①입력과 출력 사이
    2. ②게이트와 소스 사이
    3. ③게이트와 드레인 사이
    4. ④드레인과 소스 사이

  47. 47.2단 연산증폭기의 종합이득(Vo/Vs)은?

    1. ①26[dB]
    2. ②40[dB]
    3. ③46[dB]
    4. ④52[dB]

  48. 48.베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①고주파수 특성이 양호하다.
    2. ②입출력 위상은 동위상이다.
    3. ③입력저항은 수십[Ω] 정도로 작다.
    4. ④전류이득이 수십 ~ 수백으로 크다.

  49. 49.1[kHz]의 신호파로 100[MHz]의 반송파를 주파수 변조하였을 때 최대 주파수편이가 ±49[kHz]이면 점유 주파수 대역폭은?

    1. ①200[kHz]
    2. ②100[kHz]
    3. ③50[kHz]
    4. ④1[kHz]

  50. 50.회로(a)와 회로(b)가 등가가 되기 위한 밀러 커패시턴스의 용량은 약 얼마인가? (단, Av=100, C=1[μF])

    1. ①C1 = 100[μF], C2 = 10[μF]
    2. ②C1 = 100[μF], C2 = 1[μF]
    3. ③C1 = 1[μF], C2 = 100[μF]
    4. ④C1 = 10[μF], C2 = 100[μF]

  51. 51.교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?

    1. ①클리퍼
    2. ②클램퍼
    3. ③리미터
    4. ④필터

  52. 52.fT가 10[MHz]인 트랜지스터가 중간영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?

    1. ①50[kHz]
    2. ②193[kHz]
    3. ③385[kHz]
    4. ④500[kHz]

  53. 53.정현파 신호를 변조도 50[%]로 진폭 변조하고 반송파 전력이 1[mW]라고 할 때 상측대파와 하측대파 전력의 합은?

    1. ①1/2[mW]
    2. ②1/4[mW]
    3. ③1/8[mW]
    4. ④1/16[mW]

  54. 54.저주파 증폭기에서 입력이 100[mV], 전압 이득이 60[dB]일 때 출력 전압의 왜율은? (단, 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 1.73[V], 1[V]이다.)

    1. ①1[%]
    2. ②2[%]
    3. ③5[%]
    4. ④7[%]

  55. 55.연산 증폭기의 출력전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?

    1. ①Vo = Vs
    2. ②Vo = AㆍVs
    3. ③Vo = 0
    4. ④Vo = 1

  56. 56.A급 증폭회로의 동작점을 구하는 방법은?

    1. ①직류 부하선을 평행 이동하여 교류 부하선과 만난점이 1/2일 때
    2. ②직류 부하선을 평행 이동하여 교류 부하선과 만난점이 1/4일 때
    3. ③교류 부하선을 평행 이동하여 직류 부하선과 만난점이 1/2일 때
    4. ④교류 부하선을 평행 이동하여 직류 부하선과 만난점이 1/4일 때

  57. 57.다음 회로와 같은 게이트의 기능은?

    1. ①PMOS NOT
    2. ②PMOS NAND
    3. ③CMOS NOT
    4. ④CMOS NAND

  58. 58.발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①항온조 시설을 한다.
    2. ②정전압 회로를 설치한다.
    3. ③주파수 체배기를 사용한다.
    4. ④온도 보상용 부품을 사용한다.

  59. 59.미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?

    1. ①출력은 입력의 변화율에 비례한다.
    2. ②출력은 입력의 변화율에 무관하다.
    3. ③출력은 입력의 변화율에 반비례한다.
    4. ④출력은 입력의 변화율의 제곱에 반비례한다.

  60. 60.단상전파정류회로의 맥동 전압주파수가 전원주파수의 3배가 되는 정류방식은?

    1. ①3상 반파정류
    2. ②단상 브리지정류
    3. ③단상 전파정류
    4. ④3상 전파정류

  61. 61.다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?

    1. ①다결정의 Ge 성장
    2. ②다결정의 Si 성장
    3. ③기판에 매우 얇은 단결정의 성장
    4. ④기판에 매우 얇은 다결정의 성장

  62. 62.전자의 운동방향과 균일한 자계(B)가 서로 수직한 경우 전자의 운동 방경 r은? (단, 전자의 전하 e, 속도 v, 질량 m이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  63. 63.접합 트랜지스터를 실제로 응용하기 위한 요구조건이 아닌 것은?

    1. ①컬렉터 영역에 역바이어스 인가시 절연파괴 전압을 높이기 위해 캐리어 밀도를 낮게 하여 고유저항을 높여야 한다.
    2. ②이미터로부터 이동한 캐리어가 쉽게 컬렉터로 끌리도록 베이스 영역의 캐리어 밀도가 컬렉터 영역보다 높아야 한다.
    3. ③높은 주입 효율을 주기 위하여 이미터 영역의 캐리어 밀도는 베이스 영역보다 높아야 한다.
    4. ④정상적인 동작 상태에서 이미터-베이스 접합은 역바이어스, 베이스-콜렉터 접합은 정바이어스 되어야 한다.

  64. 64.반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①홀 효과가 크다.
    2. ②빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
    3. ③불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
    4. ④온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.

  65. 65.Na 금속의 한계 주파수가 4.35×1014[Hz]이다. 이 금속의 일함수는? (단, plank 상수는 6.625×10-34[Jㆍsec], 전자의 전하 e=1.602×10-19[C])

    1. ①약 1.8V
    2. ②약 2.5V
    3. ③약 3.6V
    4. ④약 5V

  66. 66.Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단 Ef는 페르미준위이다.)

    1. ①T=0[K]일 때 E>Ef 이면 f(E)=0 이다.
    2. ②T=0[K]일 때 Ef 이면 f(E)=1 이다.
    3. ③절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.
    4. ④T=0[K]일 때 Ef 보다 낮은 에너지준위는 전부 전자로 채워있으며, Ef 이상의 준위는 전부 비어있다.

  67. 67.페르미준위가 5[eV]일 때 전자의 속도는 얼마인가?

    1. ①5.93×105[m/s]
    2. ②1.33×106[m/s]
    3. ③5.93×106[m/s]
    4. ④1.33×107[m/s]

  68. 68.운동 에너지를 10-16[J] 갖고 있는 전자를 정지시키기 위해서는 몇 [V]의 전압을 공급해야 하는가?

    1. ①1×102
    2. ②1.6×103
    3. ③6.25×104
    4. ④6.25×102

  69. 69.PN접합에서 접촉전위차에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①불순물 농도가 커지면 전위차는 작아진다.
    2. ②진성캐리어는 농도가 낮을수록 전위차는 높아진다.
    3. ③온도가 높아지면 전위차도 높아진다.
    4. ④전계작용에 의해 발생한다.

  70. 70.d=0.2[mm]인 Ge 시료에 10[mA]의 전류(I)를 통하고 이에 수직인 방향으로 B=0.1[Wb/m2]의 자장을 가할 경우 홀(Hall) 기전력은? (단, RH=2×10-4[m3/C])

    1. ①0.01[mV]
    2. ②0.1[mV]
    3. ③1[mV]
    4. ④10[mV]

  71. 71.Si 단결정 반도체에서 n형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

    1. ①인듐(In)
    2. ②비소(As)
    3. ③붕소(B)
    4. ④알루미늄(Al)

  72. 72.드리프트 트랜지스터(drift transistor)의 설명으로 틀린 것은?

    1. ①컬렉터 용량이 감소한다.
    2. ②이미터 효율이 적어진다.
    3. ③이미터 용량이 증가한다.
    4. ④컬렉터 항복 전압이 낮아진다.

  73. 73.드리프트 운동과 확산 운동의 관계를 나타낸 아인슈타인 관계식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  74. 74.가전자대의 전자밀도가 8.4×1028[개/m3]인 금속에 전류밀도가 2×106[A/m2]인 전류가 흐를 때 드리프트 속도는?

    1. ①1.488×104[m/s]
    2. ②6.25×104[m/s]
    3. ③1.488×10-4[m/s]
    4. ④6.25×10-4[m/s]

  75. 75.다이라트론(thyratron)의 그리드(grid) 작용은 방전이 일어난 후에는 제어기능이 상실되는데 그 원인으로 적당한 것은?

    1. ①그리드가 음극에 가깝기 때문
    2. ②그리드가 양극에 가깝기 때문
    3. ③방전시 발생하는 음이온 때문
    4. ④방전시 발생하는 양이온 때문

  76. 76.어떤 물질에 X선을 쬐었을 때 산란되는 X선 중에 입사 X선과 같은 파장인 것 이외에 긴 파장이 존재한다는 효과는?

    1. ①Hall 효과
    2. ②Compton 효과
    3. ③광전 효과
    4. ④에디슨 효과

  77. 77.전자의 이동도 μn=8×10-4[m2/Vㆍs]인 도체에 전계 E=10[V/m]를 인가하였을 경우 전류밀도는? (단, 전자의 밀도 n=8.5×1028[개/m3]이다.)

    1. ①2.3×104[A/m2]
    2. ②5.6×106[A/m2]
    3. ③1.1×108[A/m2]
    4. ④3.0×1010[A/m2]

  78. 78.열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?

    1. ①일함수가 작을 것
    2. ②융점이 낮을 것
    3. ③방출 효율이 좋은 것
    4. ④진공 중에서 쉽게 증발되지 않을 것

  79. 79.양자역학의 보어 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은?

    1. ①주양자수 n에 비례한다.
    2. ②주양자수 n2에 비례한다.
    3. ③주양자수 1/n에 비례한다.
    4. ④주양자수 1/n2에 비례한다.

  80. 80.접합트랜지스터의 베타 차단 주파수 fβ는? (단, β0는 저주파수에서의 β값)

    1. ①β가 0이 되는 주파수
    2. ②β가 β0의 0.7배 되는 주파수
    3. ③β가 β0의 10배 되는 주파수
    4. ④β가 ∞가 되는 주파수

  81. 81.확장형 DMA 제어기인 I/O 처리기를 구성하는 하드웨어가 아닌 것은?

    1. ①I/O 명령어를 실행할 수 있는 프로세서
    2. ②데이터블록을 임시 저장할 수 있는 용량의 지역 기억장치
    3. ③시스템 버스에 대한 인터페이스 및 버스마스터회로
    4. ④캐시컨트롤러

  82. 82.마이크로프로세서에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①중앙처리장치의 모든 구성요소들을 집적회로를 사용하여 제작한 것이다.
    2. ②마이크로프로세서는 CISC와 RISC 구조로 구분된다.
    3. ③대형이고 고가격이다.
    4. ④최초로 마이크로프로세서를 만든 회사는 Intel이다.

  83. 83.오류검출 코드가 아닌 것은?

    1. ①Biquinary
    2. ②Excess-3
    3. ③2out-of-5
    4. ④Hamming

  84. 84.그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?

    1. ①11000001
    2. ②00111110
    3. ③00111111
    4. ④10000011

  85. 85.컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종 결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?

    1. ①컴파일(Compile)
    2. ②프로그램(program)
    3. ③알고리즘(algorithm)
    4. ④프로그래머(Programmer)

  86. 86.채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?

    1. ①counter channel
    2. ②selector channel
    3. ③multiplexer channel
    4. ④block multiplexer channel

  87. 87.어드레스가 10비트, 데이터가 8비트인 메모리가 있다. 어드레스의 최상위 두 비트를 1로 고정하였을 때 메모리의 어드레스 공간은?

    1. ①000H ~ 0FFH
    2. ②100H ~ 1FFH
    3. ③200H ~ 2FFG
    4. ④300H ~ 3FFH

  88. 88.10진수 4와 10진수 13에 해당하는 그레이 코드(gray code)를 비트 단위(bitwise) OR 연산을 하면 결과는?

    1. ①0110
    2. ②1011
    3. ③0010
    4. ④1111

  89. 89.순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?

    1. ①서브 루틴 처리
    2. ②수조작 입력
    3. ③수작업
    4. ④판단

  90. 90.마이크로컴퓨터의 기본 동작에 필요한 프로그램은?

    1. ①바이오스
    2. ②인터프리터
    3. ③운영체제
    4. ④DOS

  91. 91.휘발성(volatile)과 가장 밀접한 관계를 갖는 메모리는?

    1. ①RAM
    2. ②ROM
    3. ③PROM
    4. ④EPROM

  92. 92.파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명이 아닌 것은?

    1. ①프로세서가 이전 명령어를 마치기 전에 다음 명령어 수행을 시작하는 기법이다.
    2. ②CPU가 필요한 데이터를 찾을 때 읽기와 쓰기 동작을 향상시키는 기법이다.
    3. ③명령어 사이클들이 동 시간대에 중첩되어 처리되는 개념을 나타낸다.
    4. ④단계별 시간차를 거의 동일하게 하면 속도향상을 꾀할 수 있다.

  93. 93.원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?

    1. ①컴파일러 → 링커 → 로더
    2. ②컴파일러 → 로더 → 링커
    3. ③링커 → 컴파일러 → 로더
    4. ④링커 → 로더 → 컴파일러

  94. 94.24×8 ROM이 있다. 이 ROM의 주소 공간 비트수와 1워드당 비트수는 각각 얼마인가?

    1. ①2개, 8개
    2. ②4개, 2개
    3. ③8개, 4개
    4. ④4개, 8개

  95. 95.많은 프로그램이 존재하는 멀티프로그래밍 환경에서 메모리 관리 장치의 기본적인 역할이 아닌 것은?

    1. ①논리적인 메모리 참조를 물리적인 메모리 참조로 변환하는 동적저장 장소 재배치 기능
    2. ②메모리 내의 각기 다른 사용자가 하나의 프로그램을 공동으로 사용하는 기능을 제공
    3. ③사용자간의 허락되지 않는 접근을 방지한다.
    4. ④사용자가 운영체제의 기능을 변경하도록 지원한다.

  96. 96.그림과 같은 회로의 명칭은?

    1. ①반감산기
    2. ②전감산기
    3. ③반가산기
    4. ④패리티 검사기

  97. 97.레지스터 값을 2n으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?

    1. ①논리적 MOVE
    2. ②산술적 Shift
    3. ③SUB
    4. ④ADD

  98. 98.(76.4)8을 10진수 값으로 변환한 것은?

    1. ①62.5
    2. ②54.6
    3. ③23.5
    4. ④118.25

  99. 99.CPU의 제어유니트 기능에 해당하지 않는 것은?

    1. ①각종 정보들의 전송통로 및 방향을 지정한다.
    2. ②명령어를 해독한다.
    3. ③정보를 일시 저장한다.
    4. ④제어신호를 발생한다.

  100. 100.기억된 데이터의 내용에 의해서 그 위치를 접근하는 방식은?

    1. ①Cache Memory
    2. ②Virtual Memory
    3. ③Associative Memory
    4. ④Multiple Module Memory