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전자기사 · 2015

전자기사

100문항
2015. 03. 08시행일

문항 목록

1평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
2유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
3진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
4Ωㆍsec 와 같은 단위는?
5진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
6내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
7균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
860[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
9무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
100.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
11반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
12투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)
13자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
14공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
15자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
16회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
17Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
18전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
19와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
20무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
21이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
22리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
23회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
24다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
25f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
26한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
27h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
28R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
29고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
30시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
312개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
32일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
33그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
34다음 회로망의 합성 저항은?
35두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
36기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
37회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
38RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
39그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
40100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
41다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
42전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
43R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
44QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
45짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
46이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
47정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
48트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
49압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
50위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
51부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
52다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
532진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
54B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
55교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
56다음 회로는 어떤 회로인가?
57J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
58연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
59FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
60다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
61페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
62순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
63어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
64트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
65트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
66정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
67금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
68터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
69페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
70직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
71PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
72반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
73MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
74피에조 저항(piezo resistance)은?
75도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
76컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
77실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
78초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
79광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
80반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
81C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
82주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
83명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
842진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
85다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
86원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
8710진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
88컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
89그림과 같은 회로의 명칭은?
90프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
91서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
92논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
9316비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
94콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
95소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
96메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
97컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
98전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
9910110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
100CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?

총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요

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