전자기사 · 2015

전자기사 (2015-03-08)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?

    1. ①0.6
    2. ②0.8
    3. ③1.5
    4. ④2.5

  2. 2.유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  3. 3.진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?

    1. ①0.2N, 반발력
    2. ②0.2N, 흡인력
    3. ③0.4N, 반발력
    4. ④0.4N, 흡인력

  4. 4.Ωㆍsec 와 같은 단위는?

    1. ①F
    2. ②F/m
    3. ③H
    4. ④H/m

  5. 5.진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?

    1. ①4πε0α
    2. ②2πε0α
    3. ③aε0α
    4. ④a

  6. 6.내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  7. 7.균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)

    1. ①195회
    2. ②220회
    3. ③395회
    4. ④440회

  9. 9.무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)

    1. ①2ax-ay+3az
    2. ②3ax-ay+az
    3. ③ax+ay-2az
    4. ④5ax+ay-3az

  11. 11.반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)

    1. ①6.24×1017
    2. ②6.24×1019
    3. ③1.28×1021
    4. ④1.28×1023

  12. 12.투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)

    1. ①χ＞0인 경우 역자성체
    2. ②χ＜0인 경우 상자성체
    3. ③μs＞1인 경우 비자성체
    4. ④μs＜1인 경우 역자성체

  13. 13.자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?

    1. ①E=rotA
    2. ②rotE=A
    3. ③
    4. ④

  14. 14.공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?

    1. ①6.63×10-6sin2ω(x-vt)
    2. ②6.63×10-6cos2ω(x-vt)
    3. ③6.63×10-4sinω(x-vt)
    4. ④6.63×10-4cosω(x-vt)

  15. 15.자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?

    1. ①3ax+5ay
    2. ②3ay+5az
    3. ③5ax+3az
    4. ④5ay+3az

  16. 16.회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 17.Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?

    1. ①50π×104
    2. ②50×103
    3. ③25×103
    4. ④5π×104

  18. 18.전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
    2. ②전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
    3. ③전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
    4. ④전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.

  19. 19.와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?

    1. ①단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
    2. ②와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
    3. ③와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
    4. ④와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.

  20. 20.무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?

    1. ①20
    2. ②60
    3. ③180
    4. ④540

  21. 21.이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?

    1. ①와류 손실은 약간 있다.
    2. ②동손, 철손은 약간 있다.
    3. ③두 코일간의 결합계수가 1이다.
    4. ④각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.

  22. 22.리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  23. 23.회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?

    1. ①4.1[Ω]
    2. ②5.2[Ω]
    3. ③6.3[Ω]
    4. ④7.4[Ω]

  24. 24.다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②ωM=ωL2
    3. ③
    4. ④

  25. 25.f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?

    1. ①1/(S2+2)
    2. ②1/(S2+4)
    3. ③1/((S+2)2)
    4. ④1/((S+4)2)

  26. 26.한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?

    1. ①2
    2. ②1.5
    3. ③1
    4. ④0.5

  27. 27.h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?

    1. ①h11
    2. ②h21
    3. ③h12
    4. ④h22

  28. 28.R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?

    1. ①10[A]
    2. ②20[A]
    3. ③30[A]
    4. ④40[A]

  29. 29.고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?

    1. ①m2/n
    2. ②m/n
    3. ③n/m
    4. ④n/m2

  30. 30.시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?

    1. ①중첩의 원리
    2. ②치환정리
    3. ③Thevenin의 정리
    4. ④Norton의 정리

  32. 32.일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①√4400
    2. ②√3900
    3. ③√3100
    4. ④√2900

  33. 33.그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?

    1. ①sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
    2. ②sin항, cos항 모두 있다.
    3. ③cos항은 없다.
    4. ④sin항은 없다.

  34. 34.다음 회로망의 합성 저항은?

    1. ①6[Ω]
    2. ②12[Ω]
    3. ③30[Ω]
    4. ④50[Ω]

  35. 35.두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?

    1. ①KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
    2. ②테브난 정리 → 노튼 정리
    3. ③전압원 → 전류원
    4. ④폐로전류 → 절점전류

  36. 36.기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?

    1. ①0.5
    2. ②0.42
    3. ③0.31
    4. ④0.22

  37. 37.회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?

    1. ①140[W]
    2. ②320[W]
    3. ③480[W]
    4. ④500[W]

  38. 38.RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?

    1. ①2RC
    2. ②RC
    3. ③C/R
    4. ④1/RC

  39. 39.그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  40. 40.100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?

    1. ①-40π[Var]
    2. ②-60π[Var]
    3. ③-120π[Var]
    4. ④-240π[Var]

  41. 41.다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)

    1. ①3.4
    2. ②5.7
    3. ③6.2
    4. ④7.6

  42. 42.전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?

    1. ①반가산기 2개, AND 게이트 1개
    2. ②반가산기 2개, OR 게이트 2개
    3. ③반가산기 3개, OR 게이트 1개
    4. ④반가산기 2개, OR 게이트 1개

  43. 43.R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?

    1. ①R 값을 크게 한다.
    2. ②R 값을 작게 한다.
    3. ③C 값을 작게 한다.
    4. ④L 값을 크게 한다.

  44. 44.QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①FSK 변조방식의 일종이다.
    2. ②AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
    3. ③FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
    4. ④정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.

  45. 45.짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?

    1. ①A급
    2. ②B급
    3. ③C급
    4. ④D급

  46. 46.이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?

    1. ①V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
    2. ②V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
    3. ③V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
    4. ④V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)

  47. 47.정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?

    1. ①±40[mV]
    2. ②±50[mV]
    3. ③±60[mV]
    4. ④±70[mV]

  48. 48.트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?

    1. ①49
    2. ②50
    3. ③59
    4. ④120

  49. 49.압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?

    1. ①VCO
    2. ②빈브리지 발진기
    3. ③수정 발진기
    4. ④hartley 발진기

  50. 50.위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①펄스 발진기로 많이 사용된다.
    2. ②100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
    3. ③발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
    4. ④병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.

  51. 51.부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
    2. ②전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
    3. ③전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
    4. ④전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.

  52. 52.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①평형 변조회로
    2. ②전파 정류회로
    3. ③배전압 정류회로
    4. ④반파 정류회로

  53. 53.2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?

    1. ①FSK 방식
    2. ②PSK 방식
    3. ③ASK 방식
    4. ④QAM 방식

  54. 54.B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?

    1. ①트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
    2. ②우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
    3. ③차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
    4. ④컬렉터 효율이 높다.

  55. 55.교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?

    1. ①클램퍼
    2. ②제너제한
    3. ③리미터
    4. ④체배기

  56. 56.다음 회로는 어떤 회로인가?

    1. ①전류귀환 증폭회로
    2. ②전압귀환 증폭회로
    3. ③임피던스귀환 증폭회로
    4. ④어드미턴스귀환 증폭회로

  57. 57.J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?

    1. ①RS 플립플롭
    2. ②D 플립플롭
    3. ③T 플립플롭
    4. ④RS 마스터 슬레이브 플립플롭

  58. 58.연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①주파수 대역폭이 좁다.
    2. ②입력 임피던스가 낮다.
    3. ③동상신호제거비가 크다.
    4. ④온도변화에 따른 드리프트가 크다.

  59. 59.FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①불순물 농도에 비례한다.
    2. ②채널 폭의 자승에 비례한다.
    3. ③캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
    4. ④채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.

  60. 60.다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?

    1. ①1[kΩ]
    2. ②47[kΩ]
    3. ③100[kΩ]
    4. ④470[kΩ]

  61. 61.페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
    2. ②0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
    3. ③0[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
    4. ④진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.

  62. 62.순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

    1. ①접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
    2. ②접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
    3. ③접합부의 저항은 온도와 무관하다.
    4. ④접합부에는 전압이 생긴다.

  63. 63.어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?

    1. ①1270Å
    2. ②1564Å
    3. ③2040Å
    4. ④6615Å

  64. 64.트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  65. 65.트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?

    1. ①베이스폭을 좁게 한다.
    2. ②이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
    3. ③캐리어의 수명을 길게 한다.
    4. ④이미터 전류를 크게 한다.

  66. 66.정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?

    1. ①확산 전류
    2. ②드리프트 전류
    3. ③정공 전류
    4. ④베이스 전류와 같다.

  67. 67.금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?

    1. ①열전자방출
    2. ②광전자방출
    3. ③전계방출
    4. ④저항방출

  68. 68.터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?

    1. ①음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
    2. ②N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
    3. ③P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
    4. ④능동소자로서 발진기로 사용한다.

  69. 69.페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?

    1. ①고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
    2. ②대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
    3. ③분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
    4. ④도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.

  70. 70.직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])

    1. ①2.43[μm/s]
    2. ②4.66[μm/s]
    3. ③6.43[μm/s]
    4. ④8.66[μm/s]

  71. 71.PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?

    1. ①변함이 없다.
    2. ②좁아진다.
    3. ③넓어진다.
    4. ④넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.

  72. 72.반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
    2. ②게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
    3. ③P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
    4. ④온도를 증가시키면 저항은 증가한다.

  73. 73.MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
    2. ②n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
    3. ③p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
    4. ④n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.

  74. 74.피에조 저항(piezo resistance)은?

    1. ①압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
    2. ②자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
    3. ③온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
    4. ④광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.

  75. 75.도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
    2. ②반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
    3. ③도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
    4. ④반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.

  76. 76.컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

    1. ①얼리 현상
    2. ②항복 현상
    3. ③열폭주 현상
    4. ④펀치 스로우 현상

  77. 77.실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
    2. ②억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
    3. ③정공은 소수 캐리어이다.
    4. ④진성 반동체이다.

  78. 78.초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
    2. ②초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
    3. ③초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
    4. ④초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.

  79. 79.광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])

    1. ①2.3×10-13[m]
    2. ②2.3×10-11[m]
    3. ③1.2×10-13[m]
    4. ④1.2×10-11[m]

  80. 80.반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
    2. ②캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
    3. ③절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
    4. ④자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.

  81. 81.C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?

    1. ①constant
    2. ②array
    3. ③union
    4. ④pointer

  82. 82.주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

    1. ①3-주소지정 방식
    2. ②2-주소지정 방식
    3. ③1-주소지정 방식
    4. ④0-주소지정 방식

  83. 83.명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①3-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
    2. ②2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
    3. ③1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
    4. ④0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.

  84. 84.2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?

    1. ①(7.7)16
    2. ②(14.14)16
    3. ③(E.7)16
    4. ④(E.E)16

  85. 85.다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?

    1. ①㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
    2. ②㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
    3. ③㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
    4. ④㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣

  86. 86.원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?

    1. ①컴파일러 → 로더 → 링커
    2. ②링커 → 컴파일러 → 로더
    3. ③링커 → 로더 → 컴파일러
    4. ④컴파일러 → 링커 → 로더

  87. 87.10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?

    1. ①1001
    2. ②0100
    3. ③1100
    4. ④1011

  88. 88.컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?

    1. ①LOCK
    2. ②STOP
    3. ③IDSEL
    4. ④TRDY

  89. 89.그림과 같은 회로의 명칭은?

    1. ①반가산기
    2. ②전가산기
    3. ③전감산기
    4. ④parity checker

  90. 90.프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?

    1. ①상태 레지스터
    2. ②프로그램 레지스터
    3. ③스택 포인터
    4. ④인덱스 레지스터

  91. 91.서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?

    1. ①환형 큐(circular queue)
    2. ②다중 큐(multi queue)
    3. ③스택(stack)
    4. ④트리(tree)

  92. 92.논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?

    1. ①전파 지연신가의 최소화
    2. ②사용 게이트 수의 최소화
    3. ③게이트 종류의 다양화
    4. ④게이트 간 상호변수의 최소화

  93. 93.16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?

    1. ①-216 ~ 216
    2. ②-216-1 ~ 216+1
    3. ③-215 ~ 215
    4. ④-215 ~ 215-1

  94. 94.콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?

    1. ①dynamic micro-programming
    2. ②static micro-programming
    3. ③horizontal micro-programming
    4. ④vertical micro-programming

  95. 95.소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?

    1. ①벡터 방식에 의한 인터럽트
    2. ②슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
    3. ③데이지체인 방법에 의한 인터럽트
    4. ④폴링 방법에 의한 인터럽트

  96. 96.메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?

    1. ①DMA
    2. ②MIMO
    3. ③UART
    4. ④MIPS

  97. 97.컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?

    1. ①기계어(machine language)
    2. ②컴파일러 언어(compiler language)
    3. ③어셈블리 언어(assembly language)
    4. ④기호식 언어(symbolic language)

  98. 98.전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?

    1. ①MASK ROM
    2. ②PROM
    3. ③EEPROM
    4. ④EPROM

  99. 99.10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?

    1. ①00111
    2. ②00110
    3. ③11000
    4. ④11001

  100. 100.CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?

    1. ①Fetch 상태
    2. ②Indirect 상태
    3. ③Execute 상태
    4. ④Interrupt 상태