문항 목록
1그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는?
2원형코일이 평등자계 내에 지름을 축으로 하여 회전하고 있을 때 코일에 유기되는 기전력의 주파수는?
3도전율 σ, 유전율 ε인 매질에 교류전압을 가할 때 전도전류와 변위전류의 크기가 같아지는 주파수(f)는?
4분극세기 P, 전계 E, 전속밀도 D의 관계는? (단, ε0는 진공중 유전율이고, εr은 유전체의 비유전율이다.
5N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 두 배로 늘이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?
6비오-사바르의 법칙에서 자게의 세기 H와 거리 r의 관계를 옳게 표현한 것은?
7전계 E[V/m], 전속밀도 D[C/m2 ], 유전율 ε[F/m]인 유전체 내에 저장되는 에너지 밀도는 몇 [J/m3]인가?
8비유전률 5, 비투자율 1인 유전체내에서의 전자파의 전파속도는 몇 m/s 인가?
9유기기전력에 대한 설명이 옳지 않은 것은?
10비유전율, 3, 비투자율 3인 매질에서 전자기파의 진행속도는 진공에서의 속도의 몇 배인가?
11자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
12자유공간에서 전파 E(z,t)=103sin(ωt-βz)ay[V/m]일 때 자파 H(z,t)[A/m]는?
13자성체에 외부의 자계 H0를 가하였을 때 자화의 세기 J 와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.)
14전류 I[A]가 흐르는 반지름 a[m]인 원형코일의 중심선상의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가? (단, 중심축사의 거리는 x[m]라 한다.)
15옴의 법칙을 미분형태로 표시하면? (단, i는 전류밀도이고, ρ는 저항률, E는 전계이다.)
16공간 내 한 점의 자속밀도 B가 변화할 때 전자유도에 의하여 유기되는 전계 E에 관련된으로 옳은 것은?
17평행판 공기콘덴서의 두 전극판을 전위차계에 접속했다. 콘덴서를 저전압으로 전지에 의해 전하니 전위차계가 작은 흔들림 θ를 나타내었다. 충전 후 전지를 분리하고 비유전율 εs=3인 전체를 콘덴서에 채우면 전위차계의 지시 θ‘는 어떻게 되는가?
18각각 ±Q[C]으로 대전된 두 도체간의 전위차를 전위계수로 표시한 것으로 알맞은 것은?
192동심 구도체의 안반지름 a[m]와 바깥반지름 b[m]간의 도전율 σ[℧/m]인 저항으로 채워져 있을 때 두 구도체간의 저항은 몇 [Ω]인가?
20철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속은?
21S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
22단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?
232개의 4단자망을 직렬로 접속했을 때 성립하는 식은?
24RLC 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
25다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?
26구동점 임피던스(driving-point impedance) 함수에 있어서 극(pole)은?
27다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC의 값은? (단, R=10[Ω], ωL=5[Ω]이다.)
28저항 1[Ω]과 리액턴스 2[Ω]을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?
29인덕턴스 L1, L2가 각각 4[mH], 9[mH]인 두 코일간의 상호인덕턴스 M이 4[mH]라고 하면 결합계수 k는 약 얼마인가?
30R-L 직렬회로에서 t=0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R=50[Ω], L=10[H]이다.)
31te-t의 laplace 변환을 하면?
32다음 그림의 변압기에서 R1에서 본 등가 저항을 구하면? (단, 이상 변압기로 가정)
33cos(ωt+θ)의 Laplace 변환은?
34다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A]인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])
35그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C 값은 몇 [μF]인가? (단, R=1[kΩ], L=200[mH]이다.)
36내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?
37다음과 같은 병렬공진 주파수는?
38다음 4단자 회로망에서의 y-Parameter Y11, Y21은?
39도선의 반지름이 4배로 늘어나면 그 저항은 어떻게 되는가?
40RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr은 공진 각 주파수이다.)
41다음 중 정현파 발진기가 아닌 것은?
42A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
43입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?
44수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
45트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?
46다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo의 관계는?
47FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
48연산증폭기에서 차동출력을 0[V]가 되도록 하기 위하여 입력단자 사이에 걸어주는 것은?
49다음 회로에서 궤환율 β는 약 얼마인가?
50이미터 접지 트랜지스터 증폭기에서 β=9, 베이스 전류가 0.9[mA], 컬렉터 누설전류가 0.1[mA]이면 컬렉터 전류는 몇 [mA]인가?
51펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?
52전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?
53다음 회로에서 리플 함유윻을 작게 하는 방법으로 적합하지 않은 것은?
54다음 중 연산증폭기를 이용한 시미트(Schmitt) 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
55다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
56다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)
57적분 회로로 사용 가능한 회로는?
58전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?
59어떤 연산증폭기의 개루프 전압이득은 100000이고, 동상이득은 0.2일 때 동상신호제거비(CMRR)은 약 몇 [dB]인가?
60다음 연산증폭기 회로에서 출력임피던스는 약 몇 [Ω]인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50[Ω]이다.)
61서미스터(Thermistor)는 저항이 무엇에 대하여 비직선적으로 변하는 소자인가?
62균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
63금속의 일함수란?
64진성 반도체에서 전자나 전공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4[eV], 가전자대의 준위가 0.8[eV]라 하면 Fermi 준위는 몇 [eV]인가?
65정격 100[V], 50[W] 백열전구의 필라멘트를 0.1[sec] 사이에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C])
66접합형 다이오드의 공핍층을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
67실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
68저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
69평행판 A, B 사이의 거리가 1[cm]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?
70궤도전자의 파동함수로서 전자의 에너지를 결정하는 것은?
71파울리(pauli)의 배타 원리에 관한 설명으로 옳은 것은?
72다음 에너지 대역에 대한 설명 중 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
73금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
74반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산 계수(D) 사이의 관계로 옳은 것은?
75FET에서 차단주파수 fT를 높이는 방법으로 옳지 않은 것은?
76물이 담긴 컵 안에 잉크 방울을 떨어뜨렸을 때 잉크가 주변으로 번져나가는 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 입자들이 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하여 균일하게 분포하려는 성향에 기인하는 것인데 이런 입자의 움직임을 무엇이라 하는가?
77다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
78선형적인 증폭을 위하여 트랜지스터의 동작점은?
79전계의 세기 E=105 [V/m]의 평등 자계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
80진성반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는 어떻게 되는가?
81순서도의 사용에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
824단계 파이프라인에서 클록주기가 1[μs]일 때 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?
83서브루틴을 호출하는 "CALL" 명령어가 실행되는 동안에 수행되는 동작이 아닌 것은?
84연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?
85다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?
86마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
87마이크로프로세서 내부에 존재하지 않는 장치는?
88DMA에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
89부프로그램(Subprogram)에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
90CPU가 프로그램을 수행하는 동안 결과를 캐시기억장치에 쓸 경우 주기억장치와 캐시기억장치의 데이터가 서로 일치하지 않은 경우가 발생할 수 있는 방식은?
912진수 (111110.1000)2를 10진수와 16진수로 나타낸 것 중 옳은 것은?
92[그림]에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
932진 카운터에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
94컴퓨터의 CPU가 앞으로 수행될 명령어를 기억 장치에서 미리 인출하여 Cpu 내부의 대기열에 넣어 놓음으로써 수행속도를 향상시키는 기법을 무엇이라고 하는가?
95하나의 프로세서를 여러 개의 서브프로세서로 나누어 각 서브프로세서가 동시에 서로 다른 데이터를 취급하도록 하는 개념과 거리가 먼 것은?
96다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸것인가?
97C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명 중 틀린 것은?
98전파 지연 시간이 가장 적은 IC는?
99컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
100다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(accumulator)에서 이루어지는 형식은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
댓글0
로그인하면 댓글을 남길 수 있어요.
불러오는 중…