전자기사 · 2013

전자기사 (2013-09-28)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.원형코일이 평등자계 내에 지름을 축으로 하여 회전하고 있을 때 코일에 유기되는 기전력의 주파수는?

    1. ①회전속도와 코일의 권수에 의해 결정된다.
    2. ②자계와 지름 축 및 사이 각에 의해 변화된다.
    3. ③회전수에 의해서만 결정된다.
    4. ④회전방향과 회전속도에 의해 결정된다.

  3. 3.도전율 σ, 유전율 ε인 매질에 교류전압을 가할 때 전도전류와 변위전류의 크기가 같아지는 주파수(f)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.분극세기 P, 전계 E, 전속밀도 D의 관계는? (단, ε0는 진공중 유전율이고, εr은 유전체의 비유전율이다.

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  5. 5.N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 두 배로 늘이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

    1. ①단면적을 1/4한다.
    2. ②길이를 2배로 한다.
    3. ③비투자율을 1/2로 한다.
    4. ④전류의 세기를 4배로 한다.

  6. 6.비오-사바르의 법칙에서 자게의 세기 H와 거리 r의 관계를 옳게 표현한 것은?

    1. ①r에 반비례
    2. ②r에 비례
    3. ③r2에 반비례
    4. ④r2에 비례

  7. 7.전계 E[V/m], 전속밀도 D[C/m2 ], 유전율 ε[F/m]인 유전체 내에 저장되는 에너지 밀도는 몇 [J/m3]인가?

    1. ①ED
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.비유전률 5, 비투자율 1인 유전체내에서의 전자파의 전파속도는 몇 m/s 인가?

    1. ①1.13×107
    2. ②1.34×107
    3. ③1.13×108
    4. ④1.34×108

  9. 9.유기기전력에 대한 설명이 옳지 않은 것은?

    1. ①시간에 따라 변하는 자기장 내에 놓인 폐회로에는 기전력이 유기되어 유도전류가 흐른다.
    2. ②유도기전력의 방향은 자속의 변화를 억제하는 방향으로 생겨서, 변화되기 전 상태를 유지하려는 성질을 갖는다.
    3. ③유도기전력의 크기는 쇄교자속의 시간적 변화량과 같다. 즉, 자속이 급격히 변화하면 이에 대한 반작용도 커져서 유기기전력도 커진다.
    4. ④전자유도 현상에 의한 쇄교자속의 변화로 발생된 유도 전류방향은 자속의 변화를 돕는 방향으로 일어난다.

  10. 10.비유전율, 3, 비투자율 3인 매질에서 전자기파의 진행속도는 진공에서의 속도의 몇 배인가?

    1. ①1/9배
    2. ②1/3배
    3. ③3배
    4. ④9배

  11. 11.자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?

    1. ①자기회로의 단면적에 비례
    2. ②자기회로의 길이에 비례
    3. ③자성체의 비투자율에 비례
    4. ④자성체의 비투자율의 제곱에 비례

  12. 12.자유공간에서 전파 E(z,t)=103sin(ωt-βz)ay[V/m]일 때 자파 H(z,t)[A/m]는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.자성체에 외부의 자계 H0를 가하였을 때 자화의 세기 J 와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.전류 I[A]가 흐르는 반지름 a[m]인 원형코일의 중심선상의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가? (단, 중심축사의 거리는 x[m]라 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  15. 15.옴의 법칙을 미분형태로 표시하면? (단, i는 전류밀도이고, ρ는 저항률, E는 전계이다.)

    1. ①
    2. ②i=ρE
    3. ③i=divE
    4. ④i=▽∙E

  16. 16.공간 내 한 점의 자속밀도 B가 변화할 때 전자유도에 의하여 유기되는 전계 E에 관련된으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 17.평행판 공기콘덴서의 두 전극판을 전위차계에 접속했다. 콘덴서를 저전압으로 전지에 의해 전하니 전위차계가 작은 흔들림 θ를 나타내었다. 충전 후 전지를 분리하고 비유전율 εs=3인 전체를 콘덴서에 채우면 전위차계의 지시 θ‘는 어떻게 되는가?

    1. ①θ′=9θ
    2. ②θ′=θ/3
    3. ③θ′=θ
    4. ④θ′=3θ

  18. 18.각각 ±Q[C]으로 대전된 두 도체간의 전위차를 전위계수로 표시한 것으로 알맞은 것은?

    1. ①(P11+P12-P22)Q
    2. ②(P11-P12+P22)Q
    3. ③(P11-2P12+P22)Q
    4. ④(P11+2P12-P22)Q

  19. 19.2동심 구도체의 안반지름 a[m]와 바깥반지름 b[m]간의 도전율 σ[℧/m]인 저항으로 채워져 있을 때 두 구도체간의 저항은 몇 [Ω]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속은?

    1. ①8×10-3[Wb]
    2. ②8×10-4[Wb]
    3. ③4×10-3[Wb]
    4. ④4×10-4[Wb]

  21. 21.S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

    1. ①발진하지 않는다.
    2. ②점점 더 크게 발진한다.
    3. ③지속 발진한다.
    4. ④감쇠 진동한다.

  22. 22.단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③u(t)
    4. ④1-u(t)

  23. 23.2개의 4단자망을 직렬로 접속했을 때 성립하는 식은?

    1. ①Z = Z1 +Z2
    2. ②Z = Z1 Z2
    3. ③Y = Y1 +Y2
    4. ④Z = Y1 +Y2

  24. 24.RLC 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?

    1. ①유도성 회로가 된다.
    2. ②용량성 회로가 된다.
    3. ③저항성 회로가 된다.
    4. ④탱크 회로가 된다.

  25. 25.다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?

    1. ①T/2
    2. ②1/2
    3. ③1/√2
    4. ④T/√2

  26. 26.구동점 임피던스(driving-point impedance) 함수에 있어서 극(pole)은?

    1. ①아무런 상태도 아니다.
    2. ②개방회로 상태를 의미한다.
    3. ③단락회로 상태를 의미한다.
    4. ④전류가 많이 흐르는 상태를 의미한다.

  27. 27.다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC의 값은? (단, R=10[Ω], ωL=5[Ω]이다.)

    1. ①12[Ω]
    2. ②12.5[Ω]
    3. ③20[Ω]
    4. ④25[Ω]

  28. 28.저항 1[Ω]과 리액턴스 2[Ω]을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?

    1. ①0.2
    2. ②0.5
    3. ③0.9
    4. ④1.5

  29. 29.인덕턴스 L1, L2가 각각 4[mH], 9[mH]인 두 코일간의 상호인덕턴스 M이 4[mH]라고 하면 결합계수 k는 약 얼마인가?

    1. ①0.67
    2. ②1.44
    3. ③1.52
    4. ④2.47

  30. 30.R-L 직렬회로에서 t=0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R=50[Ω], L=10[H]이다.)

    1. ①2(1-e5t)[A]
    2. ②2(1-e-5t)[A]
    3. ③
    4. ④

  31. 31.te-t의 laplace 변환을 하면?

    1. ①1/(S+1)
    2. ②2/(S+1)
    3. ③2/(S+1)2
    4. ④1/(S+1)2

  32. 32.다음 그림의 변압기에서 R1에서 본 등가 저항을 구하면? (단, 이상 변압기로 가정)

    1. ①25R2
    2. ②√5R2
    3. ③R2/25
    4. ④R2/√5

  33. 33.cos(ωt+θ)의 Laplace 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  34. 34.다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A]인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])

    1. ①3.52
    2. ②4.63
    3. ③7.24
    4. ④8.95

  35. 35.그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C 값은 몇 [μF]인가? (단, R=1[kΩ], L=200[mH]이다.)

    1. ①0.1[μF]
    2. ②0.2[μF]
    3. ③1[μF]
    4. ④2[μF]

  36. 36.내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?

    1. ①r=2R
    2. ②R=r
    3. ③R=r2
    4. ④R=r3

  37. 37.다음과 같은 병렬공진 주파수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  38. 38.다음 4단자 회로망에서의 y-Parameter Y11, Y21은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.도선의 반지름이 4배로 늘어나면 그 저항은 어떻게 되는가?

    1. ①4배 늘어난다.
    2. ②1/4로 줄어든다.
    3. ③1/16로 줄어든다.
    4. ④2배 늘어난다.

  40. 40.RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr은 공진 각 주파수이다.)

    1. ①ωrC/R
    2. ②ωrL/R
    3. ③ωr/R
    4. ④ωrR/L

  41. 41.다음 중 정현파 발진기가 아닌 것은?

    1. ①LC 하틀리 발진기
    2. ②LC 동조형 반결합 발진기
    3. ③이상형발진기
    4. ④블로킹발진기

  42. 42.A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①충실도가 좋다.
    2. ②효율은 50% 이하이다.
    3. ③차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.
    4. ④평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.

  43. 43.입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?

    1. ①부트스트랩 회로
    2. ②cascade 증폭기 회로
    3. ③트랜지스터 chopper 회로
    4. ④베이스 접지형 증폭기 회로

  44. 44.수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①동조점의 불안정 : Q가 작은 수정공진자 사용
    2. ②주위온도의 변화 : 항온조 사용
    3. ③부하의 변동 : 완충 증폭기 사용
    4. ④전원전압의 변동 : 정전압회로 사용

  45. 45.트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?

    1. ①베이스 주행시간에 비례한다.
    2. ②베이스 폭의 자승에 비례한다.
    3. ③정공의 확산계수에 반비례한다.
    4. ④베이스 폭의 자승에 반비례하고 정공의 확산계수에 비례한다.

  46. 46.다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo의 관계는?

    1. ①Vo = V1 - V2
    2. ②Vo = V2 - V1
    3. ③Vo =1/2(V2 - V1)
    4. ④Vo = 1/2(V2 + V1)

  47. 47.FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
    2. ②변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
    3. ③변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
    4. ④신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.

  48. 48.연산증폭기에서 차동출력을 0[V]가 되도록 하기 위하여 입력단자 사이에 걸어주는 것은?

    1. ①입력 오프셋 전류
    2. ②입력 바이어스 전류
    3. ③출력 오프셋 전압
    4. ④입력 오프셋 전압

  49. 49.다음 회로에서 궤환율 β는 약 얼마인가?

    1. ①0.01
    2. ②0.09
    3. ③0.25
    4. ④0.52

  50. 50.이미터 접지 트랜지스터 증폭기에서 β=9, 베이스 전류가 0.9[mA], 컬렉터 누설전류가 0.1[mA]이면 컬렉터 전류는 몇 [mA]인가?

    1. ①6.2[mA]
    2. ②7.5[mA]
    3. ③9.1[mA]
    4. ④10.5[mA]

  51. 51.펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?

    1. ①3×10-4
    2. ②6×10-4
    3. ③9×10-4
    4. ④12×10-4

  52. 52.전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①C급의 효율은 70~90[%] 정도이다.
    2. ②전력효율은 η=(교류출력/교류입력)×100[%]이다.
    3. ③최대 컬렉터손실이란 트랜지스터의 내부에서 전력 에너지로 소비되는 최대전력을 말한다.
    4. ④A급의 효율이 가장 낮아 전력증폭기에는 사용 못하고 단지 반송파 증폭이나 체배용으로 사용한다.

  53. 53.다음 회로에서 리플 함유윻을 작게 하는 방법으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①L을 크게 한다.
    2. ②C를 크게 한다.
    3. ③RL을 적게 한다.
    4. ④교류입력 전원의 주파수를 높게 한다.

  54. 54.다음 중 연산증폭기를 이용한 시미트(Schmitt) 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?

    1. ①톱니파를 만들기 위하여
    2. ②정전기를 방지하기 위하여
    3. ③입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
    4. ④입력전압 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여

  55. 55.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①저역통과 필터
    2. ②고역통과 필터
    3. ③DC-AC 변환기
    4. ④시미트 트리거

  56. 56.다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)

    1. ①0.6[A]
    2. ②0.7[A]
    3. ③0.8[A]
    4. ④1.2[A]

  57. 57.적분 회로로 사용 가능한 회로는?

    1. ①고역통과 RC 회로
    2. ②대역통과 RC 회로
    3. ③대역소거 RC 회로
    4. ④저역통과 RC 회로

  58. 58.전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?

    1. ①증가한다.
    2. ②감소한다.
    3. ③변화가 없다.
    4. ④입력신호의 크기에 따라 증가 또는 감소한다.

  59. 59.어떤 연산증폭기의 개루프 전압이득은 100000이고, 동상이득은 0.2일 때 동상신호제거비(CMRR)은 약 몇 [dB]인가?

    1. ①57[dB]
    2. ②60[dB]
    3. ③114[dB]
    4. ④120[dB]

  60. 60.다음 연산증폭기 회로에서 출력임피던스는 약 몇 [Ω]인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50[Ω]이다.)

    1. ①0.1[Ω]
    2. ②0.5[Ω]
    3. ③1.0[Ω]
    4. ④5.0[Ω]

  61. 61.서미스터(Thermistor)는 저항이 무엇에 대하여 비직선적으로 변하는 소자인가?

    1. ①전류
    2. ②전압
    3. ③온도
    4. ④주파수

  62. 62.균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
    2. ②전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
    3. ③전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2mv2[J]이다.
    4. ④전위차 V에 의한 가속전자의 운동에너지는 eV[J]이다.

  63. 63.금속의 일함수란?

    1. ①표면 전위 장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
    2. ②금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
    3. ③전자의 구송 에너지와 같다.
    4. ④최소 한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.

  64. 64.진성 반도체에서 전자나 전공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4[eV], 가전자대의 준위가 0.8[eV]라 하면 Fermi 준위는 몇 [eV]인가?

    1. ①0.32[eV]
    2. ②0.6[eV]
    3. ③1.2[eV]
    4. ④1.44[eV]

  65. 65.정격 100[V], 50[W] 백열전구의 필라멘트를 0.1[sec] 사이에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C])

    1. ①3.125×1017 [개/초]
    2. ②6.24×1016 [개/초]
    3. ③62.4×1017 [개/초]
    4. ④3.125×1016 [개/초]

  66. 66.접합형 다이오드의 공핍층을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

    1. ①이온이 존재한다.
    2. ②다수 반송자가 많은 층이다.
    3. ③전자도 정공도 없는 층이다.
    4. ④전자와 정공의 확산에 의해 생긴다.

  67. 67.실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

    1. ①P(인)
    2. ②As(비소)
    3. ③B(붕소)
    4. ④Sb(안티몬)

  68. 68.저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

    1. ①2차 분포함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포함수
    3. ③Bose-Einstein 분포함수
    4. ④Maxwell-Blotzmann 분포함수

  69. 69.평행판 A, B 사이의 거리가 1[cm]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?

    1. ①3.37×10-7
    2. ②1.69×10-7
    3. ③1.69×10-9
    4. ④3.37×10-9

  70. 70.궤도전자의 파동함수로서 전자의 에너지를 결정하는 것은?

    1. ①주양자수
    2. ②방위양자수
    3. ③자기양자수
    4. ④스핀양자수

  71. 71.파울리(pauli)의 배타 원리에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①전자는 낮은 준위의 양자상태에서 높은 준위의 양자상태로 되려는 성질이 있다.
    2. ②동일한 양자 상태에 다수의 전자기 있기를 원한다.
    3. ③동일한 양자 상태에 1개의 전자가 있기를 원한다.
    4. ④전자의 스핀(spin)은 평형을 이루도록 상호 작용을 한다.

  72. 72.다음 에너지 대역에 대한 설명 중 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①전도대와 가전자대 사이 영역을 금지대라 한다.
    2. ②원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다.
    3. ③가전자로 채워져 있는 허용 에너지대를 가전자대라 한다.
    4. ④금지 대역폭(energy band gap)의 크기에 따라 도체, 반도체, 절연체로 구분한다.

  73. 73.금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?

    1. ①광에너지
    2. ②운동에너지
    3. ③페르미준위
    4. ④일함수

  74. 74.반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산 계수(D) 사이의 관계로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  75. 75.FET에서 차단주파수 fT를 높이는 방법으로 옳지 않은 것은?

    1. ①gm을 크게 한다.
    2. ②n 채널을 사용한다.
    3. ③채널 길이를 길게 한다.
    4. ④정전용량을 적게 한다.

  76. 76.물이 담긴 컵 안에 잉크 방울을 떨어뜨렸을 때 잉크가 주변으로 번져나가는 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 입자들이 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하여 균일하게 분포하려는 성향에 기인하는 것인데 이런 입자의 움직임을 무엇이라 하는가?

    1. ①확산
    2. ②드리프트
    3. ③이동성
    4. ④이온 결합성

  77. 77.다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

    1. ①Einstein의 관계식
    2. ②Schröinger 방정식
    3. ③Maxwell-Boltzmann 방정식
    4. ④1차원의 Poisson 방정식

  78. 78.선형적인 증폭을 위하여 트랜지스터의 동작점은?

    1. ①포화영역 부근에 세워져야 한다.
    2. ②차단영역 부근에 세워져야 한다.
    3. ③활성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.
    4. ④차단영역과 포화영역 중간 지점에 세워져야 한다.

  79. 79.전계의 세기 E=105 [V/m]의 평등 자계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1.602×10-14[m/s2]
    2. ②1600[m/s2]
    3. ③5.93×105[m/s2]
    4. ④1.75×1016[m/s2]

  80. 80.진성반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는 어떻게 되는가?

    1. ①가전자대 쪽으로 접근한다.
    2. ②도너 준위에 접근한다.
    3. ③전도대 쪽으로 접근한다.
    4. ④금지대 중앙에 위치한다.

  81. 81.순서도의 사용에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①프로그램 코딩의 직접적인 자료가 된다.
    2. ②프로그램의 내용과 일처리 순서를 파악하기 쉽다.
    3. ③프로그램 언어마다 다르게 표현되므로 공통적으로 사용할 수 없다.
    4. ④오류 발생시 그 원인을 찾아 수정하기 쉽다.

  82. 82.4단계 파이프라인에서 클록주기가 1[μs]일 때 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?

    1. ①7[μs]
    2. ②13[μs]
    3. ③18[μs]
    4. ④25[μs]

  83. 83.서브루틴을 호출하는 "CALL" 명령어가 실행되는 동안에 수행되는 동작이 아닌 것은?

    1. ①스택포인터 내용을 감소시킨다.
    2. ②복귀할 주소를 스택에 저장한다.
    3. ③호출할 주소를 PC에 적재한다.
    4. ④호출할 주소를 스택으로부터 인출한다.

  84. 84.연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있다.
    2. ②기억 레지스터, 명령 레지스터, 명령 해독기, 명령 계수기 등으로 구성되어 있다.
    3. ③프로그램과 데이터를 보관하고 있다가 필요할 때 꺼내어 사용하는 기능이다.
    4. ④처리 대상이 되는 데이터와 처리 과정에 있는 데이터 또는 최종 결과를 저장한다.

  85. 85.다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?

    1. ①즉치(immediate) 주소지정
    2. ②오퍼랜드 주소지정
    3. ③레지스터 주소지정
    4. ④인덱스 주소지정

  86. 86.마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③EX-OR
    4. ④NOR

  87. 87.마이크로프로세서 내부에 존재하지 않는 장치는?

    1. ①제어장치(control unit)
    2. ②산술논리장치(arithmetic logic unit)
    3. ③레지스터(register)
    4. ④기억장치 직접 접근 제어기(direct memory access controller)

  88. 88.DMA에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①데이터의 입출력 전송이 직접 메모리 장치와 주변 장치사이에서 이루어지는 인터페이스이다.
    2. ②기억장치와 외부장치와의 교환을 직접 행할 수 있도록 제어하는 회로이다.
    3. ③DMA는 정보 전송시 중앙처리장치의 레지스터를 경유하여 작동된다.
    4. ④DMA 동작은 DMA 인터페이스를 위한 장치 주소와 명령 코드를 포함한 입출력 명령으로 구성된 프로그램에 의해 이루어진다.

  89. 89.부프로그램(Subprogram)에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①큰 프로그램을 모듈 프로그램으로 나누어 계층 구조를 갖도록 구성한다.
    2. ②주프로그램 설계시 부프로그램의 자세한 설계는 필요하지 않다.
    3. ③부프로그램은 주프로그램에 상관없이 처리될 수 있다.
    4. ④하나의 부프로그램은 여러 개의 부프로그램을 포함할 수 있다.

  90. 90.CPU가 프로그램을 수행하는 동안 결과를 캐시기억장치에 쓸 경우 주기억장치와 캐시기억장치의 데이터가 서로 일치하지 않은 경우가 발생할 수 있는 방식은?

    1. ①나중 쓰기(write-back) 방식
    2. ②즉시 쓰기(write-through) 방식
    3. ③최소 최근 사용(LRU) 방식
    4. ④최소 사용 빈도(LFU) 방식

  91. 91.2진수 (111110.1000)2를 10진수와 16진수로 나타낸 것 중 옳은 것은?

    1. ①(62.5)10, (3E.8)16
    2. ②(60.5)10, (3E.4)16
    3. ③(62.5)10, (3E.4)16
    4. ④(60.5)10, (3E.8)16

  92. 92.[그림]에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①클록신호가 0에서 1로 바뀔 때만 변화가 일어난다.
    2. ②래치를 보완한 회로이다.
    3. ③SR 래치이다.
    4. ④RS 플립플롭이다.

  93. 93.2진 카운터에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①입력 펄스에 따라 레지스터의 상태가 미리 정해진 순서대로 변경된다.
    2. ②입력 펄스의 시간 간격은 일정해야 한다.
    3. ③카운터는 동기적 혹은 비동기적으로 동작한다.
    4. ④비동기 카운터를 리플(ripple) 카운터라고 한다.

  94. 94.컴퓨터의 CPU가 앞으로 수행될 명령어를 기억 장치에서 미리 인출하여 Cpu 내부의 대기열에 넣어 놓음으로써 수행속도를 향상시키는 기법을 무엇이라고 하는가?

    1. ①Spooling
    2. ②Instruction prefetch
    3. ③Paging
    4. ④Synchronization

  95. 95.하나의 프로세서를 여러 개의 서브프로세서로 나누어 각 서브프로세서가 동시에 서로 다른 데이터를 취급하도록 하는 개념과 거리가 먼 것은?

    1. ①멀티프로세싱
    2. ②멀티프로그래밍
    3. ③파이프라인닝
    4. ④어레이 프로세싱

  96. 96.다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸것인가?

    1. ①STA 명령
    2. ②AND 명령
    3. ③LDA 명령
    4. ④JMP 명령

  97. 97.C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
    2. ②상수를 정의하는 데에도 사용한다.
    3. ③프로그램에서 "#" 표시를 사용한다.
    4. ④유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.

  98. 98.전파 지연 시간이 가장 적은 IC는?

    1. ①TTL
    2. ②ECL
    3. ③CMOS
    4. ④Schottky TTL

  99. 99.컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①스택 메모리의 번지 레지스터로서 스택 포인터가 있으며 LIFO로 동작한다.
    2. ②메모리에 항목을 저장하는 것을 PUSH라 하고 빼내는 동작을 POP이라고 한다.
    3. ③PUSH, POP 동작시 SP를 증가시키거나 감소시키는 문제는 스택의 구성에 따라 달라질 수 있다.
    4. ④PUSH, POP 명령에서 스택과 오퍼랜드 사이의 정보 전달을 위해서는 번지 필드가 필요 없다.

  100. 100.다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(accumulator)에서 이루어지는 형식은?

    1. ①스택 구조 형식
    2. ②1번지 명령 형식
    3. ③2번지 명령 형식
    4. ④3번지 명령 형식