문항 목록
1액체 유전체를 포함한 콘덴서 용량이 C[f]인 것에 V [V]의 전압을 가했을 경우에 흐르는 누설전는 몇 [A]인가?
2전기쌍극자에 의한 등전위면을 극좌표로 나타내면?
3그림과 같이 평행판 콘덴서에 교류전원을 접속할 때 전류의 연속성에 대해서 성립하는 식은? (단, E : 전계, D : 전속밀도, ρ : 체적전하밀도, i : 전도전류밀도, B : 자속밀도, t : 시간이다.)
4면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 자계의 세기[V/m]는?
5그림과 같이 한 변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 [A/m]인가?
6그림과 같이 면적 S[m2]인 평행판 콘덴서의 극판 간에 판과 평행으로 두께 d1[m], d2[m], 유전율 ε1[F/m], ε2[F/m]의 유전체를 삽입하면 정전용량[F]은?
7무한이 넓은 두 장의 도체판을 d[m]의 간격으로 평행하게 놓은 후, 두 판 사이에 V[V]의 전압을 가한 경우 도체판의 단위 면적당 작용하는 힘은 몇 [N/m2 ]인가?
8일반적으로 자구를 가지는 자성체는?
9그림에서 ℓ=100[cm], S=10[m2], μs=100, N=1000회인 회로에 전류 I=10[A]를 흘렸을 때 저축되는 에너지는 몇 [J]인가?
10패러데이의 법칙에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
11정전에너지, 전속밀도 및 유전상수 εr의 관계에 대한 설명 옳지 않은 것은?
12평균길이 1[m], 권수 1000회의 솔레노이드 코일에 비투자율 1000의 철심을 넣고 자속밀도 1[Wb/m2]을 얻기 위해 코일에 흘려야 할 전류는 몇 [A]인가?
13환상철심에 권수 3000회의 A코일과 권수 200회인 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 360[mH]일 때 A, B en 코일의 상호 인덕턴스[mH]는? (단, 결합계수는 1이다.)
14대전된 도체의 특징이 아닌 것은?
15맥스웰의 전자방정식에 대한 의미를 설명한 것으로 잘못된 것은?
16유전체에서 변위 전류를 발생하는 것은?
17두 개의 길고 직선인 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에느 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위길이당 힘은? (단, aX, aZ는 단위 벡터이다.)
18그림과 같이 비투자율이 μs1, μs2인 각각 다른 자성체를 접하여 놓고 θ1을 입사각이라 하고, θ2를 굴절각이라 한다. 경계면에 자하가 없는 경우 미소 폐곡면을 취하여 이 곳에 출입하는 자속수를 구하면?
19전자파의 전파속도[m/s]에 대한 설명 중 옳은 것은?
20강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
21시정수 T인 TL 직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을 때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 [%]인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
22다음 설명 중 옳은 것은?
23직렬회로에서 L=21[,H], R=3[Ω]일 때 시정수는 몇 [sec]인가?
24다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC 값은? (단, R=10[Ω], ωL=10[Ω]이다.)
25그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이다. v1=20t이고 v2=0일 때 i1=5t 및 i2=2t이다. v1=20t+40이고 v2=40t+10일 때 i1을 구하면?
26다음 정현파의 순시치 식을 phasor로 나타낸 것으로 옳은 것은?
27대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?
28R-L 직렬회로의 임피던스가 11.18[Ω]이고, L=10[mH]이다. 정현파 전압을 인가해서 전압이 전류보다 63.4°만큼 위상이 빠르게 될 때의 R[Ω]과 ω[rad/sec]는 약 얼마인가? (단, tan 63.4°≒2)
29단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
30이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?
31의 라플라스 역 변환은?
32R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]을 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC는?
33Y 결선한 이상적인 3상 평형전원에 관한 것으로 옳은 것은?
34R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
35다음 그림에 표시한 여파기는?
36전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
37다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수는?
38자계 코일에 권수 N=2000회, 저항 R=6[Ω]에서 전류 I=10[A]가 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2[Wb]이다. 이 회로의 시정수는 몇 [sec]인가?
39다음 회로의 합성 커패시턴스는?
40다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?
41다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?
42부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
43어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 86[dB]이고 차신호에 대한 전압이득(Ad)이 100000이라고 할 때, 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득(Ac)은 얼마인가?
44mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
45다음 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?
46다음 연산증폭회로에서 출력 e0의 식은? (단, R1=R2, R3=R4이다.)
47부성저항 특성을 이용하여 발진회로에 응용 가능한 소자는?
48다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
49다음 차동증폭기 회로의 출력 Vo로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
50수정 발진기의 주파수 안정도가 양호한 이유 중 옳지 않은 것은?
51다음 그림과 같은 연산회로의 출력전압 Vo는?
52다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 150이다.)
53다음 중 수정 발진회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
54다음 회로에서 콘덴서 C의 역할은?
55다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가? (단, hie=1[kΩ], hfe=100이다.)
56다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα와 fβ의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
57JK 플립플롭의 입력을 1로 하면 무엇이 되는가?
58증폭기의 궤환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
59다음 중 연산증폭기를 이용한 시미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
60IDSS=25[mA], VGS(off)=15[V]인 p 채널 JFET가 자기 바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω]인가? (단, VGS=5[V]이다.)
61PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?
62순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
63쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
64α차단 주파수가 10[MHz]인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 [kHz]인가? (단, α=0.98이다.)
650℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)
66열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?
67서미스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
68어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 정하량 Q=1.6×10-19[C]이다.)
69트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게하는 이유는?
70전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule) 인가?
71반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
72반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
73균등자계 B내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
74다음 중 물질의 구성과 관계없는 요소는?
75반도체에서의 확산전류 밀도 J는? (단, n은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, D는 확산 정수, x는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
76자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채운다. 이러한 과정을 무엇이라 하는가?
77터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
78쉬뢰딩거(Schröinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
79파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
80페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
81다음은 Booth Algorithm을 나타내는 순서도이다. 빈칸(1)과 (2)에 알맞은 내용을 순서대로 나타낸 것은? (단, A: Accumulator, M: 피승수, Q: 승수, n: 계수)
82컴퓨터 시스템에서 입출력 속도를 높이기 위해서 마이크로프로세서의 제어를 받지 않고 직접 메모리를 Access하는 방법은?
83범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합 또는 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 기억하고 있는 것은?
84다음은 C 언어에 관한 설명이다. 옳지 않은 것은?
85기억장치에 기억된 자료의 내용 또는 그의 일부에 의해서 기억되어 있는 위치에 접근하여 자료를 읽어내는 장치는?
86BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구하면? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)
8710진수 25의 그레이 코드(Gray Code)는 얼마인가?
88다음의 2진수 연산은 어떤 논리연산인가?
89기억장치로부터 인출된 명령어코드가 제어 유니트에 의해 해독되기 전에 일시적으로 저장되어 있는 레지스터는?
90수평 마이크로프로그램의 특징이 아닌 것은?
91가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
92중앙처리장치 내의 부동소수점 연산만을 전문적으로 수행하는 장치는?
93다음 RAID 중 대형 레코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자시스템에 적합한 것은?
94JAVA 같은 객체지향 언어의 개념에서 객체가 메시지를 받아 실행해야 할 구체적인 연산을 정의한 것은?
95음수를 표현하는데 있어서 부호화된 2의 보수법이 1의 보수법에 대하여 갖는 장점은?
96서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?
97인스트럭션 수행시간이 30[ns]이고, 인스트럭션 페치시간이 4[ns], 인스트럭션 준비시간이 2[ns]이라면 인스트럭션의 성능은 얼마인가?
98다음 그림과 같은 주소 지정방식은?
99마이크로 사이클의 동기 가변식(synchronous variable)에 대한 설명으로 옳은 것은?
100다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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