전자기사 (2012-05-20)
총 100문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.액체 유전체를 포함한 콘덴서 용량이 C[f]인 것에 V [V]의 전압을 가했을 경우에 흐르는 누설전는 몇 [A]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
2.전기쌍극자에 의한 등전위면을 극좌표로 나타내면?
- ①r2=ksinθ
- ②r2√ksinθ
- ③r2=kcosθ
- ④r2=√kcosθ
3.그림과 같이 평행판 콘덴서에 교류전원을 접속할 때 전류의 연속성에 대해서 성립하는 식은? (단, E : 전계, D : 전속밀도, ρ : 체적전하밀도, i : 전도전류밀도, B : 자속밀도, t : 시간이다.)
- ①▽∙D=ρ
- ②
- ③
- ④▽∙B =0
4.면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 자계의 세기[V/m]는?
- ①
- ②
- ③
- ④
5.그림과 같이 한 변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 [A/m]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
6.그림과 같이 면적 S[m2]인 평행판 콘덴서의 극판 간에 판과 평행으로 두께 d1[m], d2[m], 유전율 ε1[F/m], ε2[F/m]의 유전체를 삽입하면 정전용량[F]은?
- ①
- ②
- ③
- ④
7.무한이 넓은 두 장의 도체판을 d[m]의 간격으로 평행하게 놓은 후, 두 판 사이에 V[V]의 전압을 가한 경우 도체판의 단위 면적당 작용하는 힘은 몇 [N/m2 ]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
8.일반적으로 자구를 가지는 자성체는?
- ①상자성체
- ②강자성체
- ③역자성체
- ④비자성체
9.그림에서 ℓ=100[cm], S=10[m2], μs=100, N=1000회인 회로에 전류 I=10[A]를 흘렸을 때 저축되는 에너지는 몇 [J]인가?
- ①2π×10-1
- ②2π×10-2
- ③2π×10-3
- ④2π
10.패러데이의 법칙에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
- ①전자유도에 의하여 회로에 발생되는 기전력은 자속 쇄교수의 시간에 대한 증가율에 반비례한다.
- ②전자유도에 의하여 회로에 발생되는 기전력은 자속의 변화를 방해하는 방향으로 기전력이 유도된다.
- ③정전유도에 의하여 회로에 발생하는 기자력은 자속의 변화방향으로 유도된다.
- ④전자유도에 의하여 회로에 발생하는 기전력은 자속 쇄교수의 시간 변화율에 비례한다.
11.정전에너지, 전속밀도 및 유전상수 εr의 관계에 대한 설명 옳지 않은 것은?
- ①동일 전속밀도에서는 εr이 클수록 정전에너지는 작아진다.
- ②동일 정전에너지에서는 εr이 클수록 전속밀도가 커진다.
- ③전속은 매질에 축적되는 에너지가 최대가 되도록 분포된다.
- ④굴절각이 큰 유전체는 εr이 크다.
12.평균길이 1[m], 권수 1000회의 솔레노이드 코일에 비투자율 1000의 철심을 넣고 자속밀도 1[Wb/m2]을 얻기 위해 코일에 흘려야 할 전류는 몇 [A]인가?
- ①10/4π
- ②100/8π
- ③1π/100
- ④4π/10
13.환상철심에 권수 3000회의 A코일과 권수 200회인 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 360[mH]일 때 A, B en 코일의 상호 인덕턴스[mH]는? (단, 결합계수는 1이다.)
- ①16[mH]
- ②24[mH]
- ③36[mH]
- ④72[mH]
14.대전된 도체의 특징이 아닌 것은?
- ①도체에 인가된 전하는 도체 표면에만 분포한다.
- ②가우스 법칙에 의해 내부에는 전하가 존재한다.
- ③전계는 도체 표면에 수직인 방향으로 진행된다.
- ④도체표면에서의 전하밀도는 곡률이 클수록 높다.
15.맥스웰의 전자방정식에 대한 의미를 설명한 것으로 잘못된 것은?
- ①자계의 회전은 전류밀도와 같다.
- ②전계의 회전은 자속밀도의 시간적 감소율과 같다.
- ③단위체적당 발산 전속수는 단위체적당 공간전하 밀도와 같다.
- ④자계는 발산하며, 자극은 단독으로 존재한다.
16.유전체에서 변위 전류를 발생하는 것은?
- ①분극전하밀도의 공간적 변화
- ②분극전하밀도의 시간적 변화
- ③전속밀도의 공간적 변화
- ④전속밀도의 시간적 변화
17.두 개의 길고 직선인 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에느 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위길이당 힘은? (단, aX, aZ는 단위 벡터이다.)
- ①10-2(-aX)[N/m]
- ②10-4(-aX)[N/m]
- ③10-2(-aZ)[N/m]
- ④10-4(-aZ)[N/m]
18.그림과 같이 비투자율이 μs1, μs2인 각각 다른 자성체를 접하여 놓고 θ1을 입사각이라 하고, θ2를 굴절각이라 한다. 경계면에 자하가 없는 경우 미소 폐곡면을 취하여 이 곳에 출입하는 자속수를 구하면?
- ①
- ②
- ③
- ④
19.전자파의 전파속도[m/s]에 대한 설명 중 옳은 것은?
- ①유전율에 비례한다.
- ②유전율에 반비례한다.
- ③유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 비례한다.
- ④유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 반비례한다.
20.강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
- ①J는 B와 같다.
- ②J는 B보다 약간 작다.
- ③J는 B보다 약간 크다.
- ④J는 B보다 대단히 크다.
21.시정수 T인 TL 직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을 때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 [%]인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
- ①63[%]
- ②86[%]
- ③95[%]
- ④98[%]
22.다음 설명 중 옳은 것은?
- ①루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
- ②루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
- ③루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
- ④루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
23.직렬회로에서 L=21[,H], R=3[Ω]일 때 시정수는 몇 [sec]인가?
- ①700
- ②7000
- ③7×10-2
- ④7×10-3
24.다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC 값은? (단, R=10[Ω], ωL=10[Ω]이다.)
- ①12[Ω]
- ②12.5[Ω]
- ③20[Ω]
- ④25[Ω]
25.그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이다. v1=20t이고 v2=0일 때 i1=5t 및 i2=2t이다. v1=20t+40이고 v2=40t+10일 때 i1을 구하면?
- ①i1=-2t[A]
- ②i1=t+9[A]
- ③i1=-4-1[A]
- ④i1=-5t+10[A]
26.다음 정현파의 순시치 식을 phasor로 나타낸 것으로 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
27.대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?
- ①√BC
- ②
- ③
- ④√AD
28.R-L 직렬회로의 임피던스가 11.18[Ω]이고, L=10[mH]이다. 정현파 전압을 인가해서 전압이 전류보다 63.4°만큼 위상이 빠르게 될 때의 R[Ω]과 ω[rad/sec]는 약 얼마인가? (단, tan 63.4°≒2)
- ①R=5, ω=1000
- ②R=50, ω=1000
- ③R=50, ω=100
- ④R=5, ω=100
29.단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
- ①유효전력
- ②무효전력
- ③평균전력
- ④피상전력
30.이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?
- ①코일에 관계되는 손실이 0이다.
- ②두 코일간의 결합계수가 1이다.
- ③동손, 철손이 약간 있어야 한다.
- ④각 코일의 인덕턴스가 ∞이다.
31.의 라플라스 역 변환은?
- ①-1+et
- ②-1-e-t
- ③1-et
- ④1-e-t
32.R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]을 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC는?
- ①
- ②
- ③
- ④
33.Y 결선한 이상적인 3상 평형전원에 관한 것으로 옳은 것은?
- ①선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
- ②선간 전압의 크기 = 상전압의 크기×√3
- ③선간 전압의 크기 = 상전류의 크기×√3
- ④상전압의 크기 = 선간 전압의 크기×√3
34.R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
35.다음 그림에 표시한 여파기는?
- ①고역 여파기
- ②대역 여파기
- ③대역 소거 여파기
- ④저역 여파기
36.전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
- ①과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
- ②시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
- ③시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
- ④시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속된다.
37.다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수는?
- ①
- ②
- ③
- ④
38.자계 코일에 권수 N=2000회, 저항 R=6[Ω]에서 전류 I=10[A]가 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2[Wb]이다. 이 회로의 시정수는 몇 [sec]인가?
- ①1
- ②2
- ③10
- ④12
39.다음 회로의 합성 커패시턴스는?
- ①4[μF]
- ②0.8[μF]
- ③0.5[μF]
- ④5[μF]
40.다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?
- ①
- ②
- ③
- ④
41.다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?
- ①20[Ω]
- ②40[Ω]
- ③125[Ω]
- ④200[Ω]
42.부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
- ①이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
- ②이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
- ③이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
- ④이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.
43.어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 86[dB]이고 차신호에 대한 전압이득(Ad)이 100000이라고 할 때, 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득(Ac)은 얼마인가?
- ①5
- ②10
- ③50
- ④100
44.mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
- ①4개
- ②6개
- ③12개
- ④24개
45.다음 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?
- ①RTL(Resistor-Transistor-Logic) 게이트
- ②TTL(Transistor-Transistor-Logic) 게이트
- ③DTL(Diode-Transistor-Logic) 게이트
- ④DL(Diode-Logic) 게이트
46.다음 연산증폭회로에서 출력 e0의 식은? (단, R1=R2, R3=R4이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
47.부성저항 특성을 이용하여 발진회로에 응용 가능한 소자는?
- ①CdS
- ②서미스터
- ③터널 다이오드
- ④제너 다이오드
48.다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
- ①τ/B
- ②E/B
- ③τ/T
- ④E/T
49.다음 차동증폭기 회로의 출력 Vo로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
50.수정 발진기의 주파수 안정도가 양호한 이유 중 옳지 않은 것은?
- ①수정면의 Q가 매우 높다.
- ②수정 진동자는 기계적으로 안정하다.
- ③수정부분이 발진조건을 만족시키는 유도성 주파수 범위가 매우 좁다.
- ④부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다.
51.다음 그림과 같은 연산회로의 출력전압 Vo는?
- ①
- ②
- ③
- ④
52.다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 150이다.)
- ①2.2[V]
- ②3.6[V]
- ③5.6[V]
- ④6.5[V]
53.다음 중 수정 발진회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
- ①발진주파수의 가변이 용이하다.
- ②발진주파수의 안정도가 매우 높다.
- ③초단파 이상의 주파수 발진이 곤란하다.
- ④기계적으로나 물리적으로 매우 안정하다.
54.다음 회로에서 콘덴서 C의 역할은?
- ①중화용
- ②기생진동방지용
- ③Peaking용
- ④저주파특성 개선용
55.다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가? (단, hie=1[kΩ], hfe=100이다.)
- ①Ri=4[Ω], Ro=1[kΩ]
- ②Ri=30[Ω], Ro=102[kΩ]
- ③Ri=102[kΩ], Ro=30[Ω]
- ④Ri=1[kΩ], Ro=4[Ω]
56.다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα와 fβ의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
- ①fβ=βofα
- ②fβ=(1+αo)fα
- ③
- ④fβ=fα(1-βo)
57.JK 플립플롭의 입력을 1로 하면 무엇이 되는가?
- ①RS 플립플롭
- ②D 플립플롭
- ③T 플립플롭
- ④RS 마스터 슬리브 플립플롭
58.증폭기의 궤환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①부궤환을 걸어주면 전압이득은 감소하지만 대역폭이 증가하고 신호왜곡이 감소한다.
- ②궤환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압궤환이라 한다.
- ③출력전압 또는 전류에 비례하는 궤환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬궤환이라 한다.
- ④직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라 한다.
59.다음 중 연산증폭기를 이용한 시미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
- ①톱니파를 만들기 위해
- ②정전기를 방지하기 위해
- ③입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
- ④입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여
60.IDSS=25[mA], VGS(off)=15[V]인 p 채널 JFET가 자기 바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω]인가? (단, VGS=5[V]이다.)
- ①320[Ω]
- ②450[Ω]
- ③630[Ω]
- ④870[Ω]
61.PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?
- ①공간 전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 넓어진다.
- ②PN 접합에 순방향 바이어스를 가하면 공핍층 근처에 소수캐리어 밀도가 감소한다.
- ③불순물의 농도를 증가시키면 공간 전하영역이 넓어진다.
- ④PN 접합부에 전계가 발생하고 이는 확산을 가속화시킨다.
62.순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
- ①소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
- ②금속 전도체와 같은 행동을 한다.
- ③많은 수의 정공을 갖고 있다.
- ④절연체와 같이 행동한다.
63.쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
- ①금속과 금속의 접촉
- ②금속과 반도체의 접촉
- ③기체와 반도체의 접촉
- ④반도체와 반도체의 접촉
64.α차단 주파수가 10[MHz]인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 [kHz]인가? (단, α=0.98이다.)
- ①100
- ②150
- ③204
- ④408
65.0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)
- ①2.69×1025[m-3]
- ②7.2×1025[m-3]
- ③5.45×1020[m-3]
- ④11.4×1022[m-3]
66.열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?
- ①일함수가 작을 것
- ②융점이 낮을 것
- ③방출 효율이 좋을 것
- ④진공 중에서 쉽게 증발되지 않을 것
67.서미스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①반도체의 일종이다.
- ②정(正)의 온도계수를 갖는다.
- ③온도에 따라 저항값이 변하는 소자다.
- ④바이어스 안정화 회로 등에 사용한다.
68.어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 정하량 Q=1.6×10-19[C]이다.)
- ①6.25×1016 [개]
- ②6.25×1018 [개]
- ③6.25×1020 [개]
- ④6.25×1022 [개]
69.트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게하는 이유는?
- ①순방향 특성을 개선하기 위하여
- ②고주파 특성을 개선하기 위하여
- ③역방향 내전압을 증가시키기 위하여
- ④구조를 간단히 하고 소형화시키기 위하여
70.전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule) 인가?
- ①9.109×10-31
- ②1.759×10-11
- ③1.602×10-19
- ④6.547×10-34
71.반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
- ①원 운동
- ②불규칙 운동
- ③포물선 운동
- ④타원 운동
72.반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①홀 효과가 크다.
- ②빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
- ③불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
- ④온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
73.균등자계 B내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
- ①원운동의 주기는 4배가 된다.
- ②원운동의 각속도는 2배가 된다.
- ③원운동의 반경은 변하지 않는다.
- ④원운동의 주기는 변하지 않는다.
74.다음 중 물질의 구성과 관계없는 요소는?
- ①광자
- ②중성자
- ③양자
- ④전자
75.반도체에서의 확산전류 밀도 J는? (단, n은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, D는 확산 정수, x는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
76.자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채운다. 이러한 과정을 무엇이라 하는가?
- ①열적 평형
- ②확산(diffusion)
- ③수명시간(life time)
- ④재결합(recombination)
77.터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
- ①역방향에서만 발생
- ②정전압이 높을 때만 발생
- ③바이어스가 영(zero)일 때 발생
- ④아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
78.쉬뢰딩거(Schröinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.
- ②전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.
- ③깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화 된다.
- ④깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파의 정재파이다.
79.파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
- ①Maxwell-Boltzmann 통계
- ②Bose-Einstein 통계
- ③Fermi-Dirac 통계
- ④Gausian 통계
80.페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
- ①불순물 반도체
- ②순수 반도체
- ③P형 반도체
- ④N형 반도체
81.다음은 Booth Algorithm을 나타내는 순서도이다. 빈칸(1)과 (2)에 알맞은 내용을 순서대로 나타낸 것은? (단, A: Accumulator, M: 피승수, Q: 승수, n: 계수)
- ①(1): A = A - M (2): A = A - M
- ②(1): A = A + M (2): A = A - M
- ③(1): A = A - M (2): A = A + M
- ④(1): A = A + M (2): A = A + M
82.컴퓨터 시스템에서 입출력 속도를 높이기 위해서 마이크로프로세서의 제어를 받지 않고 직접 메모리를 Access하는 방법은?
- ①Input/Output Interface 방식
- ②Direct I/O Control 방식
- ③Indirect Microprocessor Control 방식
- ④DMA(Direct Memory Access) 방식
83.범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합 또는 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 기억하고 있는 것은?
- ①Problem State
- ②PSW(Program Status Word)
- ③Interrupt
- ④Program library
84.다음은 C 언어에 관한 설명이다. 옳지 않은 것은?
- ①C 언어의 기원은 ALGOL에서 찾을 수 있다.
- ②뛰어난 이식성을 가지고 있다.
- ③분할 컴파일이 가능하다.
- ④주로 상위 레벨 프로그래밍 위주의 고급 언어이며 하위 레벨의 비트조작 기능과는 관계가 없다.
85.기억장치에 기억된 자료의 내용 또는 그의 일부에 의해서 기억되어 있는 위치에 접근하여 자료를 읽어내는 장치는?
- ①Associative Memory
- ②Cache Memory
- ③Virtual Memory
- ④Extensive Memory
86.BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구하면? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)
- ①1000011
- ②0100101
- ③0011001
- ④0110010
87.10진수 25의 그레이 코드(Gray Code)는 얼마인가?
- ①11001
- ②11101
- ③10101
- ④10001
88.다음의 2진수 연산은 어떤 논리연산인가?
- ①AND
- ②OR
- ③EX-OR
- ④XNOR
89.기억장치로부터 인출된 명령어코드가 제어 유니트에 의해 해독되기 전에 일시적으로 저장되어 있는 레지스터는?
- ①프로그램 카운터(PC)
- ②명령어 레지스터(IR)
- ③누산기(AC)
- ④메모리 주소 레지스터(MAR)
90.수평 마이크로프로그램의 특징이 아닌 것은?
- ①하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.
- ②데이터 해독에 따른 시간지연이 발생하지 않는다.
- ③제어기억장치의 사용 용량이 작아진다.
- ④마이크로명령어의 길이가 증가한다.
91.가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
- ①10
- ②12
- ③14
- ④16
92.중앙처리장치 내의 부동소수점 연산만을 전문적으로 수행하는 장치는?
- ①coprocessor
- ②RAM
- ③ROM
- ④USB
93.다음 RAID 중 대형 레코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자시스템에 적합한 것은?
- ①RAID-1
- ②RAID-2
- ③RAID-3
- ④RAID-4
94.JAVA 같은 객체지향 언어의 개념에서 객체가 메시지를 받아 실행해야 할 구체적인 연산을 정의한 것은?
- ①클래스
- ②인스턴스
- ③메소드
- ④상속자
95.음수를 표현하는데 있어서 부호화된 2의 보수법이 1의 보수법에 대하여 갖는 장점은?
- ①양수 표현에 있어 유리하다.
- ②보수를 취하기가 쉽다.
- ③산술연산속도가 느리다.
- ④2의 보수에서는 올림수가 발생하면 무시한다.
96.서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?
- ①STACK
- ②QUEUE
- ③Linked List
- ④Tree 구조
97.인스트럭션 수행시간이 30[ns]이고, 인스트럭션 페치시간이 4[ns], 인스트럭션 준비시간이 2[ns]이라면 인스트럭션의 성능은 얼마인가?
- ①5
- ②0.5
- ③2
- ④0.2
98.다음 그림과 같은 주소 지정방식은?
- ①직접데이터 지정방식
- ②상대주소 지정방식
- ③간접주소 지정방식
- ④직접주소 지정방식
99.마이크로 사이클의 동기 가변식(synchronous variable)에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ①제어가 간단하다.
- ②모든 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간이 비슷할 때 유리하다.
- ③마이크로 오퍼레이션의 수행 시간 차이가 클 때 이용되는 방식이다.
- ④모든 마이크로 오퍼레이션 중 가장 긴 것을 마이크로 사이클 타임이라 한다.
100.다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?
- ①6
- ②5
- ③4
- ④2