문항 목록
1최대 전계 Em=6[V/m]인 평면전자파가 수중을 전파할 때 자계의 최대치는 약 몇 [AT/m]인가? (단, 물의 비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1이다.)
2자유공간에서 점 P(5, -2, 4)가 도체면상에 있으며, 이 점에서의 전계 E=6ax - 2ay +3az[V/m]이다. 점 P에서의 면전하밀도 ρs[C/m2 ]은?
3내압 1000[V] 정전용량 1[μF], 내압 750[V] 정전용량 2[μF], 내압 500[V] 정전용량 5[μF]인 콘덴서 3개를 직렬로 접속하고 인가 전압을 서서히 높이면 최초로 파괴되는 콘덴서는?
4공극(air gap)이 있는 환상 솔레노이드에 권수는 1000회, 철심의 길이 I은 10[cm], 공극의 길이 ℓg 는 2[mm], 단면적은 3[cm2], 철심의 비투자율은 800, 전류는 10[A]라 했을 때, 이 솔레노이드의 자속은 약 몇 [Wb]인가? (단, 누설자속은 없다고 한다.)
5등자위면의 설명으로 잘못된 것은?
6반지름 [m]의 원형판 전기 2중층의 중심축상 x[m]의 거리에 있는 점 P(+전하측)의 전위는?
7변위전류에 의하여 전자파가 발생되었을 때, 전자파의 위상은?
8미분방정식의 형태로 나타낸 맥스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?
9그림과 같이 반지름 a[m]인 원형단면을 가지고 중심간격이 d[m]인 평행왕복도선의 단위길이당 자기인덕턴스[H/m]는? (단, 도체는 공기 중에 있고 d >> a로 한다.)
10동일한 금속 도선의 두 점간에 온도차를 주고 고온쪽에서 저온쪽으로 전류를 흘리면, 줄열 이외에 도선속에서 열이 발생하거나 흡수가 일어나는 현상을 지칭하는 것은?
11매질이 완전 유전체인 경우의 전자 파동 방정식을 표시하는 것은?
12환상 철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 N회의 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100[mH]이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20[mH], 결합계수가 1일 때, B코일의 권수 N은?
13비유전율 εr=6, 비투자율 μr=1, 도전율 σ=0인 유전체 내에서의 전자파의 전파속도는 약 [m/s]인가?
14표면 부근에 집중해서 전류가 흐르는 현상을 표피효과라 하는데 표피효과에 대한 설명으로 잘못된 것은?
15자유공간 중에서 x=-2, y=4[m]를 통과하고 z축과 평행인 무한장 직선도체에 +z축 방향으로 직류전류 I[A]가 흐를 때 점(2, 4, 0)[m]에서의 자계 H[A/m]는?
16비유전률 εs =2.2, 고유저항 ρ=1011[Ω∙m]인 유전체를 넣은 콘덴서의 용량이 200[μF]이었다. 여기에 500[kV] 전압을 가하였을 때, 누설전류는 약 몇 [A]인가?
17평등자계와 직각방향으로 일정한 속도로 발사된 전자의 원운동에 관한 설명 중 옳은 것은?
18그림과 같은 회로에서 스위치를 최초 A에 연결하여 일정전류 I0[A]를 흘린 다음, 스위치를 급히 B로 전환할 때 저항 R[Ω]에는 1[s]간에 얼마만한 열량[cal]이 발생하는가?
1930[V/m]의 전계내의 80[V] 되는 점에서 1[C]의 전하를 전계 방향으로 80[cm] 이동한 경우, 그 점의 전위[V]는?
20강자성체의 세 가지 특성에 포함되지 않는 것은?
21저항 3[Ω], 유도 리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[Hz]의 정현파 전압 180[V]를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?
22다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?
23그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 A 값은? (단, A는 개방 역방향 전압 이득임)
24그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab=12[kΩ]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?
25라플라스 변환식 의 역 변환은?
26다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?
27페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때, 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?
28다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?
29일 때, e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
30무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, C, G 는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)
311[neper]는 약 몇 [dB]인가?
32RLC 직렬회로에 t=0인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?
33공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
34다음 회로망의 합성 저항은?
35RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-1배가 되는 시간은 몇 [s]인가?
36다음 그림과 같은 구형파의 라플라스 변환은?
37그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
38원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
39다음 회로에서 2[Ω] 저항에 흐르는 전류 I는?
40그림에 표시한 여파기는 다음 중 어디에 속하는가?
41다음 중 불 공식으로 옳지 않은 것은?
42어떤 2단 증폭기에서 각 증폭기의 하한 임계 주파수가 500[Hz]이고 상한 임계 주파수가 80[kHz]일 때 2단 증폭기의 전체 대역폭 B는 약 몇 [kHz]인가?
43병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
44부궤환시 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
45두 개의 입력이 일치하면 출력이 High가 되는 회로는?
46전압이득이 60[dB], 왜율 10[%]인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1[%]로 개선하기 위해서는 부궤환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
47맥동 전압주파수가 전원주파수의 3배가 되는 정류방식은?
48그림과 같은 AM변조 회로는 어떠한 변조 방법인가?
49증폭기의 입력전압이 0.028[V]일 때, 출력전압이 28[V]이다. 이 증폭기에서 궤환율 β=0.012로 부궤환시켰을 때의 출력전압은 약 몇 [V]인가?
50다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
51미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?
520 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는가?
53RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
54지연시간이 80[ns]인 플립플롭을 사용한 5단의 리플 카운터의 최고 동작주파수는 몇 [MHz]인가?
55다음 부궤환 연산증폭기 회로에서 궤환율 β는?
56다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?
57그림과 같은 게이트의 기능은?
58그림의 연산증폭기에서 입력 Vi=-V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기는 이상적인 것이라 한다.)
59다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
60이상적인 RC 결합증폭회로에서 주파수 대역폭을 4배로 증가하려면 전압증폭 이득은 약 몇 [dB] 감소시켜야 하는가?
61펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
62FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?
63100[V] 전압으로 가속된 전자 속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?
64다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
65온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?
66다음 중 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
67페르미준위 Ef 에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포함수의 값은?
682500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.6×10-19[C]이다.)
69다음 중 열음극을 갖는 것은?
70진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?
71접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?
72Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)
731[eV]를 가장 잘 설명한 것은?
74다음 중 에필택셜(epitaxial) 성장이란?
75낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?
76pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?
77홀(Hall) 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?
78입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h는 프랑크 상수)
79베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때, 이미터 접지시 전류증폭률은?
80반도체에서 아이슈타인(Einstein)의 관계식은 확산계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
81(42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?
82다음 중 입력장치를 모두 나타낸 것은?
83다음 중 값이 다른 것은?
84중앙처리장치에 의한 입출력 방식이 아닌 것으로만 묶인 것은?
85다음 10진수 -426을 팩 십진수(pack decimal)로 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, 맨 오른쪽 4비트가 부호 비트이다.)
86C 언어의 특징을 잘못 설명한 것은?
87한 명령어의 수행이 끝나기 전에 다른 명령어의 수행을 시작하는 연산 방법을 무엇이라 하는가?
88필요 없는 비트나 문자를 삭제하기 위해 가장 필요한 연산은?
89디코더와 OR 게이트를 이용하여 전가산기를 구현하고자 한다. 다음 중 필요한 디코더의 크기는?
90디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?
91홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)
92마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
93RISC(Reduced Instruction Set Computer) 시스템과 관련이 없는 것은?
94다음 명령은 명령 형식 중 어디에 속하는가?
9516비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?
96한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?
97java 언어에서 지역 변수나 멤버 변수를 변경할 수 없음을 나타내는 상수로 지정하는 제한자(한정자)는?
98어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
99다중처리(multi-processor) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?
100일반적인 명령어 형식을 나타낸 것으로 옳은 것은?
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