전자기사 · 2012

전자기사 (2012-03-04)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.최대 전계 Em=6[V/m]인 평면전자파가 수중을 전파할 때 자계의 최대치는 약 몇 [AT/m]인가? (단, 물의 비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1이다.)

    1. ①0.071[AT/m]
    2. ②0.142[AT/m]
    3. ③0.284[AT/m]
    4. ④0.426[AT/m]

  2. 2.자유공간에서 점 P(5, -2, 4)가 도체면상에 있으며, 이 점에서의 전계 E=6ax - 2ay +3az[V/m]이다. 점 P에서의 면전하밀도 ρs[C/m2 ]은?

    1. ①-2εo[C/m2]
    2. ②3εo[C/m2]
    3. ③6εo[C/m2]
    4. ④7εo[C/m2]

  3. 3.내압 1000[V] 정전용량 1[μF], 내압 750[V] 정전용량 2[μF], 내압 500[V] 정전용량 5[μF]인 콘덴서 3개를 직렬로 접속하고 인가 전압을 서서히 높이면 최초로 파괴되는 콘덴서는?

    1. ①1[μF]
    2. ②2[μF]
    3. ③5[μF]
    4. ④동시에 파괴된다.

  4. 4.공극(air gap)이 있는 환상 솔레노이드에 권수는 1000회, 철심의 길이 I은 10[cm], 공극의 길이 ℓg 는 2[mm], 단면적은 3[cm2], 철심의 비투자율은 800, 전류는 10[A]라 했을 때, 이 솔레노이드의 자속은 약 몇 [Wb]인가? (단, 누설자속은 없다고 한다.)

    1. ①3×10-2[Wb]
    2. ②1.89×10-3[Wb]
    3. ③1.77×10-3[Wb]
    4. ④2.89×10-3[Wb]

  5. 5.등자위면의 설명으로 잘못된 것은?

    1. ①등자위면은 자력선과 직교한다.
    2. ②자계 중에서 같은 자위의 점으로 이루어진 면이다.
    3. ③자계 중에 있는 물체의 표면은 항상 등자위면이다.
    4. ④서로 다른 등자위면은 교차하지 않는다.

  6. 6.반지름  [m]의 원형판 전기 2중층의 중심축상 x[m]의 거리에 있는 점 P(+전하측)의 전위는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  7. 7.변위전류에 의하여 전자파가 발생되었을 때, 전자파의 위상은?

    1. ①변위전류보다 90° 늦다.
    2. ②변위전류보다 90° 빠르다.
    3. ③변위전류보다 30° 빠르다.
    4. ④변위전류보다 30° 늦다.

  8. 8.미분방정식의 형태로 나타낸 맥스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.그림과 같이 반지름 a[m]인 원형단면을 가지고 중심간격이 d[m]인 평행왕복도선의 단위길이당 자기인덕턴스[H/m]는? (단, 도체는 공기 중에 있고 d >> a로 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.동일한 금속 도선의 두 점간에 온도차를 주고 고온쪽에서 저온쪽으로 전류를 흘리면, 줄열 이외에 도선속에서 열이 발생하거나 흡수가 일어나는 현상을 지칭하는 것은?

    1. ①지벡효과
    2. ②톰슨효과
    3. ③펠티에효과
    4. ④볼타효과

  11. 11.매질이 완전 유전체인 경우의 전자 파동 방정식을 표시하는 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  12. 12.환상 철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 N회의 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100[mH]이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20[mH], 결합계수가 1일 때, B코일의 권수 N은?

    1. ①100회
    2. ②200회
    3. ③300회
    4. ④400회

  13. 13.비유전율 εr=6, 비투자율 μr=1, 도전율 σ=0인 유전체 내에서의 전자파의 전파속도는 약 [m/s]인가?

    1. ①1.22×108[m/s]
    2. ②1.22×107[m/s]
    3. ③1.22×106[m/s]
    4. ④1.22×105[m/s]

  14. 14.표면 부근에 집중해서 전류가 흐르는 현상을 표피효과라 하는데 표피효과에 대한 설명으로 잘못된 것은?

    1. ①도체에 교류가 흐르면 표면에서부터 중심으로 들어갈수록 전류밀도가 작아진다.
    2. ②표피효과는 고주파일수록 심하다.
    3. ③표피효과는 도체의 전도도가 클수록 심하다.
    4. ④표피효과는 도체의 투자율이 작을수록 심하다.

  15. 15.자유공간 중에서 x=-2, y=4[m]를 통과하고 z축과 평행인 무한장 직선도체에 +z축 방향으로 직류전류 I[A]가 흐를 때 점(2, 4, 0)[m]에서의 자계 H[A/m]는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  16. 16.비유전률 εs =2.2, 고유저항 ρ=1011[Ω∙m]인 유전체를 넣은 콘덴서의 용량이 200[μF]이었다. 여기에 500[kV] 전압을 가하였을 때, 누설전류는 약 몇 [A]인가?

    1. ①4.2[A]
    2. ②5.1[A]
    3. ③51.3[A]
    4. ④61.0[A]

  17. 17.평등자계와 직각방향으로 일정한 속도로 발사된 전자의 원운동에 관한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①플레밍의 오른손법칙에 의한 로렌쯔의 힘과 원심력의 평형 원운동이다.
    2. ②원의 반지름은 전자의 발사속도와 전계의 세기의 곱에 반비례한다.
    3. ③전자의 원운동 주기는 전자의 발사 속도와 관계되지 않는다.
    4. ④전자의 원운동 주파수는 전자의 질량에 비례한다.

  18. 18.그림과 같은 회로에서 스위치를 최초 A에 연결하여 일정전류 I0[A]를 흘린 다음, 스위치를 급히 B로 전환할 때 저항 R[Ω]에는 1[s]간에 얼마만한 열량[cal]이 발생하는가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  19. 19.30[V/m]의 전계내의 80[V] 되는 점에서 1[C]의 전하를 전계 방향으로 80[cm] 이동한 경우, 그 점의 전위[V]는?

    1. ①9[V]
    2. ②24[V]
    3. ③30[V]
    4. ④56[V]

  20. 20.강자성체의 세 가지 특성에 포함되지 않는 것은?

    1. ①와전류 특성
    2. ②히스테리시스 특성
    3. ③고투자율 특성
    4. ④포화 특성

  21. 21.저항 3[Ω], 유도 리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[Hz]의 정현파 전압 180[V]를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?

    1. ①26[A]
    2. ②36[A]
    3. ③45[A]
    4. ④60[A]

  22. 22.다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?

    1. ①3, 0
    2. ②-3, 0
    3. ③1, -3
    4. ④-1, -3

  23. 23.그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 A 값은? (단, A는 개방 역방향 전압 이득임)

    1. ①Z1
    2. ②1
    3. ③1/Z2
    4. ④

  24. 24.그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab=12[kΩ]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?

    1. ①3
    2. ②4
    3. ③5
    4. ④6

  25. 25.라플라스 변환식 의 역 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  26. 26.다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  27. 27.페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때, 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?

    1. ①12.9+j 48.3
    2. ②-12+j 43.3
    3. ③25+j 43.3
    4. ④2.8+j 2.8

  28. 28.다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  29. 29.일 때, e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?

    1. ①√2900
    2. ②√3400
    3. ③√3900
    4. ④√4400

  30. 30.무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, C, G 는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.1[neper]는 약 몇 [dB]인가?

    1. ①3.146
    2. ②8.686
    3. ③7.076
    4. ④6.326

  32. 32.RLC 직렬회로에 t=0인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  33. 33.공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전압과 전류가 동상이 될 때이다.
    2. ②역률이 1이 되는 상태이다.
    3. ③공진이 되었을 때 최대전력이 전달된다.
    4. ④직렬공진회로에서는 전압이 최대가 된다.

  34. 34.다음 회로망의 합성 저항은?

    1. ①6[Ω]
    2. ②12[Ω]
    3. ③30[Ω]
    4. ④50[Ω]

  35. 35.RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-1배가 되는 시간은 몇 [s]인가?

    1. ①1/RC
    2. ②RC
    3. ③C/R
    4. ④R

  36. 36.다음 그림과 같은 구형파의 라플라스 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  38. 38.원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?

    1. ①원점을 지나는 직선이 된다.
    2. ②원점을 지나는 원이 된다.
    3. ③원점을 지나지 않는 직선이 된다.
    4. ④원점을 지나지 않는 원이 된다.

  39. 39.다음 회로에서 2[Ω] 저항에 흐르는 전류 I는?

    1. ①3[A]
    2. ②4[A]
    3. ③5[A]
    4. ④7[A]

  40. 40.그림에 표시한 여파기는 다음 중 어디에 속하는가?

    1. ①고역통과 여파기
    2. ②대역통과 여파기
    3. ③대역소거 여파기
    4. ④저역통과 여파기

  41. 41.다음 중 불 공식으로 옳지 않은 것은?

    1. ①X+XZ=(X+Y)(X+Z)
    2. ②X((X+Y)=X
    3. ③
    4. ④

  42. 42.어떤 2단 증폭기에서 각 증폭기의 하한 임계 주파수가 500[Hz]이고 상한 임계 주파수가 80[kHz]일 때 2단 증폭기의 전체 대역폭 B는 약 몇 [kHz]인가?

    1. ①30[kHz]
    2. ②40[kHz]
    3. ③50[kHz]
    4. ④60[kHz]

  43. 43.병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?

    1. ①전압
    2. ②전류
    3. ③전력
    4. ④임피던스

  44. 44.부궤환시 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전압 직렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
    2. ②전류 직렬 궤환시 입력임피던스는 증가한다.
    3. ③전압 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
    4. ④전류 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.

  45. 45.두 개의 입력이 일치하면 출력이 High가 되는 회로는?

    1. ①AND
    2. ②NAND
    3. ③EX-OR
    4. ④EX-NOR

  46. 46.전압이득이 60[dB], 왜율 10[%]인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1[%]로 개선하기 위해서는 부궤환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?

    1. ①0.9
    2. ②0.22
    3. ③0.12
    4. ④0.099

  47. 47.맥동 전압주파수가 전원주파수의 3배가 되는 정류방식은?

    1. ①단상 전파정류
    2. ②단상 브리지정류
    3. ③3상 반파정류
    4. ④3상 전파정류

  48. 48.그림과 같은 AM변조 회로는 어떠한 변조 방법인가?

    1. ①이미터 변조
    2. ②베이스 변조
    3. ③컬렉터 변조
    4. ④이미터-베이스 변조

  49. 49.증폭기의 입력전압이 0.028[V]일 때, 출력전압이 28[V]이다. 이 증폭기에서 궤환율 β=0.012로 부궤환시켰을 때의 출력전압은 약 몇 [V]인가?

    1. ①2.15[V]
    2. ②3.23[V]
    3. ③4.75[V]
    4. ④5.34[V]

  50. 50.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①Schmitt 트리거 회로
    2. ②톱니파발생회로
    3. ③Monostable 회로
    4. ④Astable 회로

  51. 51.미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?

    1. ①출력은 입력의 변화율에 반비례한다.
    2. ②출력은 입력의 변화율에 비례한다.
    3. ③출력은 입력의 변화율에 무관하다.
    4. ④출력은 입력의 변화율의 제곱에 비례한다.

  52. 52.0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는가?

    1. ①주파수 일그러짐
    2. ②진폭 일그러짐
    3. ③교차 일그러짐
    4. ④위상 일그러짐

  53. 53.RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?

    1. ①고역특성이 주로 좋지 않다.
    2. ②중역특성이 주로 좋지 않다.
    3. ③저역특성이 주로 좋지 않다.
    4. ④고역과 저역특성이 모두 좋지 않다.

  54. 54.지연시간이 80[ns]인 플립플롭을 사용한 5단의 리플 카운터의 최고 동작주파수는 몇 [MHz]인가?

    1. ①1.25
    2. ②2.5
    3. ③5
    4. ④10

  55. 55.다음 부궤환 연산증폭기 회로에서 궤환율 β는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  56. 56.다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?

    1. ①A급 증폭기
    2. ②B급 증폭기
    3. ③C급 증폭기
    4. ④AB급 증폭기

  57. 57.그림과 같은 게이트의 기능은?

    1. ①PMOS NOT
    2. ②PMOS NAND
    3. ③CMOS NOT
    4. ④CMOS NAND

  58. 58.그림의 연산증폭기에서 입력 Vi=-V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기는 이상적인 것이라 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  59. 59.다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

    1. ①감소한다.
    2. ②증가한다.
    3. ③1/hoe이 된다.
    4. ④변함이 없다.

  60. 60.이상적인 RC 결합증폭회로에서 주파수 대역폭을 4배로 증가하려면 전압증폭 이득은 약 몇 [dB] 감소시켜야 하는가?

    1. ①3[dB]
    2. ②6[dB]
    3. ③12[dB]
    4. ④24[dB]

  61. 61.펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
    2. ②펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
    3. ③컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
    4. ④펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.

  62. 62.FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?

    1. ①전력 소모가 적기 때문
    2. ②대량 생산에 적합하기 때문
    3. ③입력 임피던스가 매우 높기 때문
    4. ④오프 셋 전압이 매우 작기 때문

  63. 63.100[V] 전압으로 가속된 전자 속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?

    1. ①√2
    2. ②2
    3. ③5
    4. ④5√2

  64. 64.다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?

    1. ①게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
    2. ②전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
    3. ③소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
    4. ④다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.

  65. 65.온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?

    1. ①전도대 쪽으로 근접 접근
    2. ②가전자대 쪽으로 근접 접근
    3. ③충만대 쪽으로 근접 접근
    4. ④금지대 영역 중앙으로 근접 접근

  66. 66.다음 중 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?

    1. ①Thomson 효과
    2. ②Hall 효과
    3. ③Seebeck 효과
    4. ④Peltier 효과

  67. 67.페르미준위 Ef 에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포함수의 값은?

    1. ①0
    2. ②0.5
    3. ③0.25
    4. ④1

  68. 68.2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.6×10-19[C]이다.)

    1. ①2.97×107[m/s]
    2. ②2.97×108[m/s]
    3. ③0.94×106[m/s]
    4. ④0.94×107[m/s]

  69. 69.다음 중 열음극을 갖는 것은?

    1. ①계전기 방전관
    2. ②네온관
    3. ③정전압 방전관
    4. ④수은 정류관

  70. 70.진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?

    1. ①가전자대 쪽으로 접근한다.
    2. ②전도대 쪽으로 접근한다.
    3. ③금지대 중앙으로 접근한다.
    4. ④온도와는 무관하다.

  71. 71.접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
    2. ②불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
    3. ③베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
    4. ④베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 많이 넣는다.

  72. 72.Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)

    1. ①T=0[K]일 때 E＞Ef이면 f(E)=0이다.
    2. ②T=0[K]일 때 E＜Ef이면 f(E)=1이다.
    3. ③절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.
    4. ④T=0[K]에서는 Ef보다 낮은 에너지준위는 전부 전자로 채워있으며, Ef 이상의 준위는 전부 비어있다.

  73. 73.1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?

    1. ①1개의 전자가 1[J]의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.
    2. ②1개의 전자가 1[m]의 간격을 통과할 때 필요한 전압이다.
    3. ③1개의 전자가 1[V]의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지이다.
    4. ④1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.

  74. 74.다음 중 에필택셜(epitaxial) 성장이란?

    1. ①다결정의 Ge 성장
    2. ②다결정의 Si 성장
    3. ③기판에 매우 얇은 단결정의 성장
    4. ④기판에 매우 얇은 다결정의 성장

  75. 75.낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?

    1. ①바랙터(Varactor)
    2. ②바리스터(Varistor)
    3. ③세미스터(semistor)
    4. ④서미스터(thermistor)

  76. 76.pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①공간 전하에 의한 용량이다.
    2. ②다수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
    3. ③역바이어스에 의한 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
    4. ④순바이어스에 의하여 주입된 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.

  77. 77.홀(Hall) 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?

    1. ①캐리어의 종류만을 구할 수 있다.
    2. ②캐리어 농도와 도전율을 알 수 있다.
    3. ③캐리어 종류와 도전율을 구할 수 있다.
    4. ④캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다.

  78. 78.입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h는 프랑크 상수)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  79. 79.베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때, 이미터 접지시 전류증폭률은?

    1. ①20
    2. ②40
    3. ③49
    4. ④98

  80. 80.반도체에서 아이슈타인(Einstein)의 관계식은 확산계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?

    1. ①이동도
    2. ②유효 질량
    3. ③캐리어 농도
    4. ④내부 전압

  81. 81.(42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?

    1. ①20
    2. ②21
    3. ③84
    4. ④85

  82. 82.다음 중 입력장치를 모두 나타낸 것은?

    1. ①1, 2, 3, 4, 5, 6
    2. ②1, 2, 3, 4, 5
    3. ③1, 2, 3, 4
    4. ④1, 2, 3

  83. 83.다음 중 값이 다른 것은?

    1. ①(10101010)2
    2. ②(AA)16
    3. ③(252)8
    4. ④(171)10

  84. 84.중앙처리장치에 의한 입출력 방식이 아닌 것으로만 묶인 것은?

    1. ①프로그램에 의한 입출력, 인터럽트 처리에 의한 입출력
    2. ②DMA에 의한 입출력, 채널 제어기에 의한 입출력
    3. ③프로그램에 의한 입출력, 채널 제어기에 의한 입출력
    4. ④DMA에 의한 입출력, 인터럽트 처리에 의한 입출력

  85. 85.다음 10진수 -426을 팩 십진수(pack decimal)로 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, 맨 오른쪽 4비트가 부호 비트이다.)

    1. ①0100 0010 0110 1111
    2. ②0100 0010 0110 1101
    3. ③0100 0010 0110 0001
    4. ④0100 0010 0110 1100

  86. 86.C 언어의 특징을 잘못 설명한 것은?

    1. ①C언어 자체에는 입출력 기능을 제공하는 함수가 있다.
    2. ②C는 포인터의 주소를 계산할 수 있다.
    3. ③연산자가 풍부하지 못하다.
    4. ④데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.

  87. 87.한 명령어의 수행이 끝나기 전에 다른 명령어의 수행을 시작하는 연산 방법을 무엇이라 하는가?

    1. ①Vector processor 기법
    2. ②neural network computer 기법
    3. ③Pipeline 기법
    4. ④Data flow computer 기법

  88. 88.필요 없는 비트나 문자를 삭제하기 위해 가장 필요한 연산은?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③Complement
    4. ④MOVE

  89. 89.디코더와 OR 게이트를 이용하여 전가산기를 구현하고자 한다. 다음 중 필요한 디코더의 크기는?

    1. ①2× 4 디코더
    2. ②3× 8 디코더
    3. ③2× 16 디코더
    4. ④5× 32 디코더

  90. 90.디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?

    1. ①윈체스터 디스크
    2. ②이동 디스크
    3. ③콤팩트 디스크
    4. ④플로피 디스크

  91. 91.홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)

    1. ①(x⊙ y )⊙ z
    2. ②(x⊕ y )⊕ z
    3. ③(x⊕ y )⊙ z
    4. ④(x + y )ㆍz

  92. 92.마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①구조화된 제어 구조를 제공한다.
    2. ②한 컴퓨터에서 다른 컴퓨터의 에뮬레이팅(emulating)이 가능하다.
    3. ③시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
    4. ④명령 세트를 변경할 수 없으므로 설계 사이클의 마지막으로 연기가 가능하다.

  93. 93.RISC(Reduced Instruction Set Computer) 시스템과 관련이 없는 것은?

    1. ①하나의 명령어가 한 가지 이상의 명령어를 갖고 있다.
    2. ②대부분의 명령어가 하나의 머신 사이클 내에 수행된다.
    3. ③고정된 길이의 명령어를 제공한다.
    4. ④제어 방식은 하드와이어(hardwired)적이다.

  94. 94.다음 명령은 명령 형식 중 어디에 속하는가?

    1. ①3주소 명령
    2. ②2주소 명령
    3. ③1주소 명령
    4. ④0주소 명령

  95. 95.16비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?

    1. ①36
    2. ②72
    3. ③86
    4. ④512

  96. 96.한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?

    1. ①간접 주소지정방식
    2. ②직접 주소지정방식
    3. ③상대 주소지정방식
    4. ④인덱스 주소지정방식

  97. 97.java 언어에서 지역 변수나 멤버 변수를 변경할 수 없음을 나타내는 상수로 지정하는 제한자(한정자)는?

    1. ①public
    2. ②private
    3. ③protected
    4. ④final

  98. 98.어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

    1. ①Compiler
    2. ②Translator
    3. ③Assembler
    4. ④Language Decoder

  99. 99.다중처리(multi-processor) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①주기억장치를 여러 개의 CPU가 공유하여 동시에 사용할 수 있다.
    2. ②여러 개의 CPU 중에 한쪽의 CPU가 고장이 날 경우 다른 쪽의 CPU를 이용하여 업무처리를 계속할 수 있다.
    3. ③CPU를 두 개 이상 두고 동시에 여러 프로그램을 수행할 수 있다.
    4. ④두 개 이상의 CPU가 각자의 업무를 분담하여 처리할 수 없다.

  100. 100.일반적인 명령어 형식을 나타낸 것으로 옳은 것은?

    1. ①연산자(OP 코드)와 데이터
    2. ②연산자(OP 코드)와 오퍼랜드(Operand)
    3. ③오퍼랜드(Operand)와 데이터
    4. ④데이터와 주소부