문항 목록
1반자성체에 속하는 물질은?
2z=0인 평면상에 중심이 원점에 있고 반경이 a[m]인 원형 도체에 그림과 같이 I[A]가 흐를 때 z=b인 점에서 자계의 세기는? (단, az는 단위 벡터이다.)
3패러데이관(Faraday tube)의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?
4단면적 4[cm2]의 철심에 6×10-4 [Wb]의 자속을 통하게 하려면 2800[AT/m]의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은?
5그림과 같이 n개의 동일한 콘덴서 C를 직렬 접속하여 최하단의 한 개와 병렬로 정전용량 Co의 정전전압계를 접속하였다. 이 정전전압계의 지시가 V일 때, 측정전압 Vo는?
6평형판 공기콘덴서의 양 극판에 +ρ[C/m2], -ρ[C/ρ]의 전하가 충전되어 있을 때, 이 두 전극 사이에 유전율 ε[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계의 세기는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 + ρP[C/m2], -ρP[C/m2]라 한다.)
7두 개의 길고 직선이 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에는 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위 길이당 힘은? (단, ax, az는 단위벡터이다.)
8두 평행판 축전기에 채워진 폴리에틸렌의 비유전율이 εr, 평행판간 거리 d=1.5[mm]일 때, 만일 평행판내의 전계의 세기가 10[kV/m]라면 평행판간 폴리에틸렌 표면에 나타난 분극전하 밀도는?
9무한평면도체 표면으로부터 r[m] 거리의 진공 중에 전자 e[C]가 있을 때, 이 전자의 위치 에너지는?
10저항 10[Ω], 저항의 온도계수 α1=5×10-3 [1/℃]의 동선에 직렬로 90[Ω], 온도계수 α2 ≒0[1/℃]의 망간선을 접속하였을 때의 합성저항 온도계수는?
11대전도체 표면전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?
12그림과 같은 무한직선전류 I1과 직사각형 모양의 루프선전류 I2간의 상호유도계수는?
13그림과 같이 q1=6×10-6[C], q2=-12×10-5 [C]의 두 전하가 서로 100[cm] 떨어져 있을 때 전계 세기가 0이 되는 점은?
14폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?
15자계가 비보존적인 경우를 나타내는 것은? (단, j는 공간상에 0이 아닌 전류밀도를 의미한다.)
16콘크리트(εr=4, μr=1) 중에서 전자파의 고유 임피던스는 약 몇 [Ω]인가?
1740[V/m]인 전계 내의 50[V]되는 점에서 1[C]의 전하가 전계 방향으로 80[cm] 이동하였을 때, 그 점의 전위는?
18자화율(magnetic susceptibility) X 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?
19무한히 넓은 평행판을 2[cm]의 간격으로 놓은 후 평행판 간에 일정한 전계를 인가하였더니 도표면에 2[μC/m2]의 전하밀도가 생겼다. 이 때 행판 표면의 단위면적당 받는 정전응력은?
20평등자계내의 내부로 ㉠자계와 평행한 방향, ㉡자계와 수직인 방향으로 일정속도의 전자를 입사시킬 때 전자의 운동 궤적을 바르게 나타낸 것은?
21다음 회로에서 전류 I의 크기는?
22무부하 전압이 210[V]이고 정격전압이 200[V], 정격출력이 5[kW]인 직류발전기의 내부저항은?
23다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R 의 관계는?
24이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?
25R-L 직렬 회로에서 50[V]의 교류 전압을 인가하였을 때, 저항에 걸리는 전압이 30[V]였다면 인덕터(코일) 양단에 걸리는 전압은?
26의 시간함수는?
27기본파의 30[%]인 제2고조파와 20[%]인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?
28다음과 같은 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원은?
29정현파의 파고율은?
30100[V]에서 250[W]의 전력을 소비하는 저항을 200[V]에 접속하면 소비전력은?
31R-L 직렬회로에서 t=0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R=50[Ω], L=10[H]이다.)
32다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은? (단, 주기는 모두 동일함)
33어떤 회로의 피상전력이 20[kVA]이고 유효전력이 15[kW]일 때 이 회로의 역률은?
34R=10[Ω], L=0.2[H]인 R-L 직렬회로에 60[Hz], 120[V]의 교류 전압이 인가될 때 흐르는 전류는?
35R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정형파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
36다음과 같은 회로에서 저항 RL 양단자(RL을 개방)에서 본 테브난 등가저항[Ω]은?
37다음 회로에서 2[Ω] 저항에 흐르는 전류 I는?
38순시전류 i=3√2sin(377t-30°[A]의 평균값은?
39대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?
40함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?
41어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 80[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때, 동상이득(Ac)은?
42다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?
43입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?
44병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
45다음의 직렬형 전압조정기 회로에서 출력전압은? (단, 제너전압 VR은 5.1[V]이고, R1=1[kΩ], R2=R3=10[kΩ]이다.)
46수정 발진기에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
47드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
48다음 회로에서 Re의 주 역할은?
49다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?
50궤환이 없을 때 전압 이득이 60[dB]인 증폭기에 궤환율이 0.01인 부궤환을 걸 때 이 증폭기의 증폭도는?
51펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?
52트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.3[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]라면 안정도 계수 S는?
53베이스 변조와 비교하여 컬렉터 변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?
54피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?
55다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
56다음 리미터 회로에서 부하 RL 양단에 나타나는 전압의 첨두값은?
57다음의 회로에서 차동 증폭기의 출력전압 Vo는?
58궤환 증폭기에서 무궤환시 전압이득이 100이고, 고역 3[dB] 차단주파수가 150[kHz]일 때, 궤환시 전압이득이 10이면 고역 3[dB] 차단주파수는?
59적분회로로 사용가능한 회로는?
60다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
61얼리(Early) 효과와 가장 관련이 깊은 것은?
62진성 반도체에서 전도대 준위가 0.3[eV]이고, 가전자대 준위가 0.7[eV]이면 페르미 준위는?
63확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?
64진성 반도체에서 드리프트 전류의 대부분이 자유전자에 의해 발생하는 가장 큰 이유는?
65정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6 [s]일 때 확산 길이(mean free path)는?
66터널 다이오드의 부성저항 특성을 이용한 것은?
67온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?
68금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?
69N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?
70트랜지스터의 α차단 주파수에 대한 설명으로 옳은 것은?
712500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31 [kg]이고, 전하량은 1.6×10-19 [C]이다.)
72페리미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
73다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?
74일반 BJT와 비교한 MOSFET의 장점으로 틀린 것은?
75반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산계수(D) 사이의 관계로 옳은 것은?
76P형 반도체의 정공이 1[m2]당 4.4×1020개일 때 이 반도체의 도전율은? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/Vㆍs]이다.)
779.5×104 [m/s]의 속도로 운동하는 수소원자의 드브로이(de Broglie)파의 파장은? (단, 수소원자의 질량은 1.67×10-24 [kg]이고, Plank 상수 h는 6.62×10-34[Js-1 ]이다.)
78베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때 이미터 접지시 전류증폭률은?
79PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?
80전압에 따라 저항값이 크게 변하는 소자로서 서지 전압에 대한 회로보호 등의 기능으로 사용되는 것은?
81마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
82소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
83다음 그림과 같은 회로의 명칭은?
84컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 동기식 입출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?
85순서도를 작성하는 일반적인 규칙으로 옳지 않은 것은?
86다음 인터럽트 종류 중에서 일반적으로 우선순위가 높은 것부터 나열한 것은?
87주기억장치의 용량이 512KB인 컴퓨터에서 32비트의 가상주소를 사용하는데, 페이지의 크기가 1K워드이고 1워드가 4바이트라면 주기억장치의 페이지 수는?
88인스트럭션 수행시 유효번지를 구하기 위한 메이저 상태는?
89A, B 두 레지스터에 저장된 데이터를 XOR 연산하였을 때 얻게 되는 결과는? (단, A=1001 0101, B=0011 1011)
90push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?
91가상기억장치를 사용할 때 주소 공간으로부터 기억공간으로 한 번에 옮겨지는 블록은?
92다음 프로그래밍 언어 중 고급언어가 아닌 것은?
93다음 표와 같이 동작하는 MN 플립플롭이 있다고 하자. 이 때, 현재상태 출력 Q=1일 때 다음 상태 출력 Q+=1이기 위한 M과 N의 입력으로 가장 적당한 것은? (단, x는 don't care)
94콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
95다음 karnaugh도에 의한 논리식은?
96원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
97다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
98다음 설명 중 옳은 것은?
99중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별 4종류로 분류하였을 때, 이에 속하지 않는 것은?
100다음 마이크로 동작은 어떤 기능을 의미하는가?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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