전자기사 · 2010

전자기사 (2010-05-09)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.반자성체에 속하는 물질은?

    1. ①Ni
    2. ②Co
    3. ③Ag
    4. ④Pt

  2. 2.z=0인 평면상에 중심이 원점에 있고 반경이 a[m]인 원형 도체에 그림과 같이 I[A]가 흐를 때 z=b인 점에서 자계의 세기는? (단, az는 단위 벡터이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  3. 3.패러데이관(Faraday tube)의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①패러데이관 중에 있는 전속수는 그 관속에 진전하가 없으면 일정하며 연속적이다.
    2. ②패러데이관의 양단에는 양 또는 음의 단위 진전하가 존재하고 있다.
    3. ③패러데이관의 밀도는 전속밀도와 같지 않다.
    4. ④단위 전위차 당 패러데이관의 보유에너지는 1/2[J]이다.

  4. 4.단면적 4[cm2]의 철심에 6×10-4 [Wb]의 자속을 통하게 하려면 2800[AT/m]의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은?

    1. ①약 357
    2. ②약 375
    3. ③약 407
    4. ④약 426

  5. 5.그림과 같이 n개의 동일한 콘덴서 C를 직렬 접속하여 최하단의 한 개와 병렬로 정전용량 Co의 정전전압계를 접속하였다. 이 정전전압계의 지시가 V일 때, 측정전압 Vo는?

    1. ①nV
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  6. 6.평형판 공기콘덴서의 양 극판에 +ρ[C/m2], -ρ[C/ρ]의 전하가 충전되어 있을 때, 이 두 전극 사이에 유전율 ε[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계의 세기는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 + ρP[C/m2], -ρP[C/m2]라 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  7. 7.두 개의 길고 직선이 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에는 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위 길이당 힘은? (단, ax, az는 단위벡터이다.)

    1. ①10-2 (-ax)[N/m]
    2. ②10-4 (-ax)[N/m]
    3. ③10-2 (-az)[N/m]
    4. ④10-4 (-az)[N/m]

  8. 8.두 평행판 축전기에 채워진 폴리에틸렌의 비유전율이 εr, 평행판간 거리 d=1.5[mm]일 때, 만일 평행판내의 전계의 세기가 10[kV/m]라면 평행판간 폴리에틸렌 표면에 나타난 분극전하 밀도는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.무한평면도체 표면으로부터 r[m] 거리의 진공 중에 전자 e[C]가 있을 때, 이 전자의 위치 에너지는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.저항 10[Ω], 저항의 온도계수 α1=5×10-3 [1/℃]의 동선에 직렬로 90[Ω], 온도계수 α2 ≒0[1/℃]의 망간선을 접속하였을 때의 합성저항 온도계수는?

    1. ①2×10-4[1/℃]
    2. ②3×10-4[1/℃]
    3. ③4×10-4[1/℃]
    4. ④5×10-4[1/℃]

  11. 11.대전도체 표면전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?

    1. ①표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.
    2. ②표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
    3. ③표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
    4. ④표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.

  12. 12.그림과 같은 무한직선전류 I1과 직사각형 모양의 루프선전류 I2간의 상호유도계수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.그림과 같이 q1=6×10-6[C], q2=-12×10-5 [C]의 두 전하가 서로 100[cm] 떨어져 있을 때 전계 세기가 0이 되는 점은?

    1. ①q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 24.1[m] 지점이다.
    2. ②q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 오른쪽으로 약 14.1[m] 지점이다.
    3. ③q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 2.41[m] 지점이다.
    4. ④q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 1.41[m] 지점이다.

  14. 14.폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①렌쯔의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.
    2. ②전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
    3. ③유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.
    4. ④자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.

  15. 15.자계가 비보존적인 경우를 나타내는 것은? (단, j는 공간상에 0이 아닌 전류밀도를 의미한다.)

    1. ①▽∙B=0
    2. ②▽∙B-=j
    3. ③▽×H=0
    4. ④▽×=j

  16. 16.콘크리트(εr=4, μr=1) 중에서 전자파의 고유 임피던스는 약 몇 [Ω]인가?

    1. ①35.4[Ω]
    2. ②70.8[Ω]
    3. ③124.3[Ω]
    4. ④188.5[Ω]

  17. 17.40[V/m]인 전계 내의 50[V]되는 점에서 1[C]의 전하가 전계 방향으로 80[cm] 이동하였을 때, 그 점의 전위는?

    1. ①18[V]
    2. ②22[V]
    3. ③35[V]
    4. ④65[V]

  18. 18.자화율(magnetic susceptibility) X 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?

    1. ①X= 0
    2. ②X> 0
    3. ③X< 0
    4. ④X= 1

  19. 19.무한히 넓은 평행판을 2[cm]의 간격으로 놓은 후 평행판 간에 일정한 전계를 인가하였더니 도표면에 2[μC/m2]의 전하밀도가 생겼다. 이 때 행판 표면의 단위면적당 받는 정전응력은?

    1. ①1.13×10-1[N/m2]
    2. ②2.26×10-1[N/m2]
    3. ③1.13[N/m2]
    4. ④2.26[N/m2]

  20. 20.평등자계내의 내부로 ㉠자계와 평행한 방향, ㉡자계와 수직인 방향으로 일정속도의 전자를 입사시킬 때 전자의 운동 궤적을 바르게 나타낸 것은?

    1. ①㉠ 원, ㉡ 타원
    2. ②㉠ 직선, ㉡ 타원
    3. ③㉠ 직선, ㉡ 원
    4. ④㉠ 원, ㉡ 원

  21. 21.다음 회로에서 전류 I의 크기는?

    1. ①3[mA]
    2. ②10[mA]
    3. ③7[mA]
    4. ④13[mA]

  22. 22.무부하 전압이 210[V]이고 정격전압이 200[V], 정격출력이 5[kW]인 직류발전기의 내부저항은?

    1. ①0.2[Ω]
    2. ②0.4[Ω]
    3. ③2[Ω]
    4. ④4[Ω]

  23. 23.다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R 의 관계는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  24. 24.이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?

    1. ①코일에 관계되는 손실이 없이, 두 코일의 결합계수가 1인 경우
    2. ②상호 자속이 전혀 없는 경우, 즉 유도 결합이 없는 경우
    3. ③상호 자속과 누설 자속이 전혀 없는 경우
    4. ④결합 계수 K가 0인 경우

  25. 25.R-L 직렬 회로에서 50[V]의 교류 전압을 인가하였을 때, 저항에 걸리는 전압이 30[V]였다면 인덕터(코일) 양단에 걸리는 전압은?

    1. ①8[V]
    2. ②20[V]
    3. ③40[V]
    4. ④50[V]

  26. 26.의 시간함수는?

    1. ①2e-2tsint
    2. ②2e-2tcost
    3. ③2e-2tsin2t
    4. ④2e-2tcos2t

  27. 27.기본파의 30[%]인 제2고조파와 20[%]인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?

    1. ①0.24
    2. ②0.28
    3. ③0.32
    4. ④0.36

  28. 28.다음과 같은 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원은?

    1. ①0.5[V]
    2. ②1[V]
    3. ③1.5[V]
    4. ④2[V]

  29. 29.정현파의 파고율은?

    1. ①1
    2. ②√2
    3. ③√3
    4. ④2

  30. 30.100[V]에서 250[W]의 전력을 소비하는 저항을 200[V]에 접속하면 소비전력은?

    1. ①100[W]
    2. ②250[W]
    3. ③500[W]
    4. ④1000[W]

  31. 31.R-L 직렬회로에서 t=0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R=50[Ω], L=10[H]이다.)

    1. ①2(1-e5t)[A]
    2. ②2(1-e-5t)[A]
    3. ③
    4. ④

  32. 32.다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은? (단, 주기는 모두 동일함)

    1. ①삼각파
    2. ②구형파
    3. ③톱니파
    4. ④정현파

  33. 33.어떤 회로의 피상전력이 20[kVA]이고 유효전력이 15[kW]일 때 이 회로의 역률은?

    1. ①0.9
    2. ②0.75
    3. ③0.6
    4. ④0.45

  34. 34.R=10[Ω], L=0.2[H]인 R-L 직렬회로에 60[Hz], 120[V]의 교류 전압이 인가될 때 흐르는 전류는?

    1. ①4.7[A]
    2. ②3.2[A]
    3. ③2.8[A]
    4. ④1.6[A]

  35. 35.R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정형파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?

    1. ①10[A]
    2. ②20[A]
    3. ③30[A]
    4. ④40[A]

  36. 36.다음과 같은 회로에서 저항 RL 양단자(RL을 개방)에서 본 테브난 등가저항[Ω]은?

    1. ①2[Ω]
    2. ②4[Ω]
    3. ③6[Ω]
    4. ④8[Ω]

  37. 37.다음 회로에서 2[Ω] 저항에 흐르는 전류 I는?

    1. ①3[A]
    2. ②4[A]
    3. ③5[A]
    4. ④7[A]

  38. 38.순시전류 i=3√2sin(377t-30°[A]의 평균값은?

    1. ①1.35[A]
    2. ②2.7[A]
    3. ③3.45[A]
    4. ④5.7[A]

  39. 39.대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  40. 40.함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  41. 41.어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 80[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때, 동상이득(Ac)은?

    1. ①0.1
    2. ②1
    3. ③10
    4. ④12.5

  42. 42.다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?

    1. ①20[Ω]
    2. ②40[Ω]
    3. ③125[Ω]
    4. ④200[Ω]

  43. 43.입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?

    1. ①부트스트랩 회로
    2. ②cascade 증폭기 회로
    3. ③트랜지스터 chopper 회로
    4. ④베이스 접지형 증폭기 회로

  44. 44.병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?

    1. ①전압
    2. ②전류
    3. ③전력
    4. ④임피던스

  45. 45.다음의 직렬형 전압조정기 회로에서 출력전압은? (단, 제너전압 VR은 5.1[V]이고, R1=1[kΩ], R2=R3=10[kΩ]이다.)

    1. ①5.1[V]
    2. ②10.2[V]
    3. ③15.3[V]
    4. ④18.2[V]

  46. 46.수정 발진기에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①주파수 안정도가 매우 높다.
    2. ②발진주파수를 쉽게 변경이 가능하다.
    3. ③수정편의 두께는 발진주파수와 관계가 없다.
    4. ④발진조건을 만족하는 유도성 주파수 범위가 매우 넓다.

  47. 47.드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①소자의 경년변화
    2. ②전원전압의 변화
    3. ③주위 온도 변화
    4. ④대역폭의 변화

  48. 48.다음 회로에서 Re의 주 역할은?

    1. ①출력증대
    2. ②동작점의 안정화
    3. ③바이어스 전압감소
    4. ④주파수 대역폭 증대

  49. 49.다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?

    1. ①1[mA]
    2. ②1.5[mA]
    3. ③2[mA]
    4. ④4[mA]

  50. 50.궤환이 없을 때 전압 이득이 60[dB]인 증폭기에 궤환율이 0.01인 부궤환을 걸 때 이 증폭기의 증폭도는?

    1. ①91
    2. ②100
    3. ③165
    4. ④223

  51. 51.펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?

    1. ①1×10-4
    2. ②3×10-4
    3. ③6×10-4
    4. ④9×10-4

  52. 52.트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.3[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]라면 안정도 계수 S는?

    1. ①1
    2. ②2.3
    3. ③4.2
    4. ④6.3

  53. 53.베이스 변조와 비교하여 컬렉터 변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①조정이 어렵다.
    2. ②변조효율이 좋다.
    3. ③대전력 송신기에 적합하다.
    4. ④높은 변조도에서 일그러짐이 적다.

  54. 54.피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?

    1. ①40[V]
    2. ②56.6[V]
    3. ③80[V]
    4. ④113.1[V]

  55. 55.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①저역통과 여파기
    2. ②고역통과 여파기
    3. ③DC-AC 변환기
    4. ④시미트 트리거

  56. 56.다음 리미터 회로에서 부하 RL 양단에 나타나는 전압의 첨두값은?

    1. ①3.9[V]
    2. ②7.2[V]
    3. ③9.1[V]
    4. ④10.0[V]

  57. 57.다음의 회로에서 차동 증폭기의 출력전압 Vo는?

    1. ①100 V1
    2. ②120 V1
    3. ③250 V1
    4. ④300 V1

  58. 58.궤환 증폭기에서 무궤환시 전압이득이 100이고, 고역 3[dB] 차단주파수가 150[kHz]일 때, 궤환시 전압이득이 10이면 고역 3[dB] 차단주파수는?

    1. ①15[kHz]
    2. ②100[kHz]
    3. ③1000[kHz]
    4. ④1500[kHz]

  59. 59.적분회로로 사용가능한 회로는?

    1. ①저역통과 RC 회로
    2. ②고역통과 RC 회로
    3. ③대역소거 RC 회로
    4. ④대역통과 RC 회로

  60. 60.다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

    1. ①감소한다.
    2. ②증가한다.
    3. ③1/hos이 된다.
    4. ④변함이 없다.

  61. 61.얼리(Early) 효과와 가장 관련이 깊은 것은?

    1. ①항복 현상
    2. ②이미터의 효율
    3. ③베이스 폭의 감소
    4. ④집중현상

  62. 62.진성 반도체에서 전도대 준위가 0.3[eV]이고, 가전자대 준위가 0.7[eV]이면 페르미 준위는?

    1. ①0.7[eV]
    2. ②0.5[eV]
    3. ③0.45[eV]
    4. ④0.25[eV]

  63. 63.확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①캐리어 농도가 큰 쪽에서 작은 쪽으로 이동한다.
    2. ②온도가 높을수록 충돌 빈도가 커지므로 확산이 어렵다.
    3. ③열평형이란 전자의 드리프트와 정공의 드리프트 전류가 동시에 발생하는 경우이다.
    4. ④충돌빈도가 클수록 평균 자유 행정과 평균 속도가 작아져서 확산이 쉽다.

  64. 64.진성 반도체에서 드리프트 전류의 대부분이 자유전자에 의해 발생하는 가장 큰 이유는?

    1. ①정공의 가전자대에 있기 때문
    2. ②자유전자는 전도대에 있기 때문
    3. ③정공보다 더 많은 자유전자가 있기 때문
    4. ④자유전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크기 때문

  65. 65.정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6 [s]일 때 확산 길이(mean free path)는?

    1. ①3.7×10-5[m]
    2. ②7.4×10-5[m]
    3. ③3.7×10-4[m]
    4. ④7.4×10-4[m]

  66. 66.터널 다이오드의 부성저항 특성을 이용한 것은?

    1. ①증폭작용
    2. ②변조작용
    3. ③발진작용
    4. ④검파작용

  67. 67.온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?

    1. ①전도대 쪽으로 근접 접근
    2. ②가전자대 쪽으로 근접 접근
    3. ③충만대 쪽으로 근접 접근
    4. ④금지대 영역 중앙으로 근접 접근

  68. 68.금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?

    1. ①전계방출
    2. ②광전자방출
    3. ③열전자방출
    4. ④2창 전자방출

  69. 69.N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?

    1. ①인(P)
    2. ②비소(As)
    3. ③안티몬(Sb)
    4. ④알루미늄(Al)

  70. 70.트랜지스터의 α차단 주파수에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①확산계수에 반비례한다.
    2. ②컬렉터 용량에 비례한다.
    3. ③베이스 주행시간에 비례한다.
    4. ④베이스 폭의 자승에 반비례한다.

  71. 71.2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31 [kg]이고, 전하량은 1.6×10-19 [C]이다.)

    1. ①2.97×107[m/s]
    2. ②2.97×108[m/s]
    3. ③0.94×106[m/s]
    4. ④0.94×107[m/s]

  72. 72.페리미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전자의 존재 확률은 50[%]가 된다.
    2. ②0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
    3. ③0[K]에서 N형 반도체의 경우 전도대와 금지대 사이에 위치한다.
    4. ④진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 금지대 중앙에 위치한다.

  73. 73.다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  74. 74.일반 BJT와 비교한 MOSFET의 장점으로 틀린 것은?

    1. ①구조가 간단하다.
    2. ②입력 저항이 크다.
    3. ③고속 스위칭 동작에 적합하다.
    4. ④높은 집적도의 집적회로에 적합하다.

  75. 75.반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산계수(D) 사이의 관계로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  76. 76.P형 반도체의 정공이 1[m2]당 4.4×1020개일 때 이 반도체의 도전율은? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/Vㆍs]이다.)

    1. ①11.97[Ω/m]
    2. ②119.7[Ω/m]
    3. ③239.6[Ω/m]
    4. ④479.2[Ω/m]

  77. 77.9.5×104 [m/s]의 속도로 운동하는 수소원자의 드브로이(de Broglie)파의 파장은? (단, 수소원자의 질량은 1.67×10-24 [kg]이고, Plank 상수 h는 6.62×10-34[Js-1 ]이다.)

    1. ①2.08×10-15[m]
    2. ②4.17×10-15[m]
    3. ③3.48×10-16[m]
    4. ④7.25×10-16[m]

  78. 78.베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때 이미터 접지시 전류증폭률은?

    1. ①20
    2. ②40
    3. ③49
    4. ④98

  79. 79.PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?

    1. ①공간 전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 넓어진다.
    2. ②PN 접합에 순방향 바이어스를 가하면 공핍층 근처에 소수캐리어 밀도가 감소한다.
    3. ③불순물의 농도를 증가시키면 공간 전하영역이 넓어진다.
    4. ④PN 접합부에 전계가 발생하고 이는 확산을 가속화시킨다.

  80. 80.전압에 따라 저항값이 크게 변하는 소자로서 서지 전압에 대한 회로보호 등의 기능으로 사용되는 것은?

    1. ①서미스터
    2. ②바리스터
    3. ③가변저항기
    4. ④터널 다이오드

  81. 81.마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③XOR
    4. ④NOR

  82. 82.소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?

    1. ①폴링 방법에 의한 인터럽트
    2. ②벡터 방식에 의한 인터럽트
    3. ③슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
    4. ④데이지체인 방법에 의한 인터럽트

  83. 83.다음 그림과 같은 회로의 명칭은?

    1. ①반가산기
    2. ②전가산기
    3. ③전감산기
    4. ④parity checker

  84. 84.컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 동기식 입출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?

    1. ①polling
    2. ②interrupt
    3. ③paging
    4. ④handshaking

  85. 85.순서도를 작성하는 일반적인 규칙으로 옳지 않은 것은?

    1. ①한국산업규격의 표준 기호를 사용한다.
    2. ②제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.
    3. ③기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.
    4. ④문제가 복잡하고 어려울 때는 블록별로 나누어 단계적으로 그린다.

  86. 86.다음 인터럽트 종류 중에서 일반적으로 우선순위가 높은 것부터 나열한 것은?

    1. ①a-d-c-b
    2. ②b-c-d-a
    3. ③a-b-c-d
    4. ④b-c-a-d

  87. 87.주기억장치의 용량이 512KB인 컴퓨터에서 32비트의 가상주소를 사용하는데, 페이지의 크기가 1K워드이고 1워드가 4바이트라면 주기억장치의 페이지 수는?

    1. ①32개
    2. ②64개
    3. ③128개
    4. ④512개

  88. 88.인스트럭션 수행시 유효번지를 구하기 위한 메이저 상태는?

    1. ①fetch 메이저 상태
    2. ②execute 메이저 상태
    3. ③indirect 메이저 상태
    4. ④interrupt 메이저 상태

  89. 89.A, B 두 레지스터에 저장된 데이터를 XOR 연산하였을 때 얻게 되는 결과는? (단, A=1001 0101, B=0011 1011)

    1. ①0101 0001
    2. ②1001 0101
    3. ③1010 1110
    4. ④1100 0000

  90. 90.push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?

    1. ①MBR
    2. ②queue
    3. ③stack
    4. ④chace

  91. 91.가상기억장치를 사용할 때 주소 공간으로부터 기억공간으로 한 번에 옮겨지는 블록은?

    1. ①map
    2. ②stage
    3. ③page
    4. ④segment

  92. 92.다음 프로그래밍 언어 중 고급언어가 아닌 것은?

    1. ①assembly
    2. ②C
    3. ③FORTRAN
    4. ④COBOL

  93. 93.다음 표와 같이 동작하는 MN 플립플롭이 있다고 하자. 이 때, 현재상태 출력 Q=1일 때 다음 상태 출력 Q+=1이기 위한 M과 N의 입력으로 가장 적당한 것은? (단, x는 don't care)

    1. ①M=1, N=x
    2. ②M=0, N=x
    3. ③M=x, N=1
    4. ④M=x, N=0

  94. 94.콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?

    1. ①dynamic micro-programming
    2. ②static micro-programming
    3. ③horizontal micro-programming
    4. ④vertical micro-programming

  95. 95.다음 karnaugh도에 의한 논리식은?

    1. ①A
    2. ②B
    3. ③AB
    4. ④A+B

  96. 96.원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?

    1. ①컴파일러 - 링커 - 로더
    2. ②컴파일러 - 로더 - 링커
    3. ③링커 - 컴파일러 - 로더
    4. ④링커 - 로더 - 컴파일러

  97. 97.다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

    1. ①3-주소지정 방식
    2. ②2-주소지정 방식
    3. ③1-주소지정 방식
    4. ④0-주소지정 방식

  98. 98.다음 설명 중 옳은 것은?

    1. ①10진수 72의 "9의 보수"는 27이고, "10의 보수"는 28이다.
    2. ②10진수 72의 "9의 보수"는 28이고, "10의 보수"는 27이다.
    3. ③2진수 1010의 "1의 보수"는 0101이고, "2의 보수"는 0101이다.
    4. ④2진수 1010의 "1의 보수"는 0110이고, "2의 보수"는 0101이다.

  99. 99.중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별 4종류로 분류하였을 때, 이에 속하지 않는 것은?

    1. ①함수연산 기능
    2. ②전달 기능
    3. ③기억 기능
    4. ④입출력 기능

  100. 100.다음 마이크로 동작은 어떤 기능을 의미하는가?

    1. ①로드(LDA) 기능
    2. ②스토어(STA) 기능
    3. ③분기(JMP) 기능
    4. ④덧셈(ADD) 기능