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전자기사 · 2010

전자기사

100문항
2010. 09. 05시행일

문항 목록

1평면파 전파가 E=30cos(109t+20z)j[V/m]로 주어졌다면 이 전자파의 위상 속도는?
2공기 중에 있는 지름 6[cm]인 단일 도체구의 정전용량은 약 몇 [pF]인가?
3길이 ℓ[m], 단면적 지름 d[m]인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J[Wb/m2]인 경우 원통 양단에서의 전자극의 세기는?
4주파수가 100[MHz]일 때 구리의 표피두께(skin depth)는 약 몇 [mm] 인가? (단, 구리의 도전율은 5.8×107 [℧/m], 비투자율은 1이다.)
53개의 도체 a, b, c가 있다. 도체 c를 a로 정전차폐 했을 때의 조건은?
6지름이 40[mm] 원형 종이관에 일정하게 2000회의 코일이 감겨있는 솔레노이드의 인덕턴스는 약 몇 [mH] 인가? (단, 솔레노이드의 길이는 50[cm], 투자율은 [μ0]라 하며 누설자속은 없는 것으로 한다.)
7전기력선에 대한 설명 중 옳은 것은?
8정전용량 2[μF]인 콘덴서를 충전하여 4[mH]인 코일을 통해서 방전할 때의 전기진동이 공간에 전파되는 경우 그 파장[m]은 약 얼마인가?
9사이클로트론에서 양자가 매초 3×1015개의 비율로 가속되어 나오고 있다. 양자가 15[MeV]의 에너지를 가지고 있다고 할 때, 이 사이클로트론은 가속용 고주파 전계를 만들기 위해서 150[kW]의 전력을 필요로 한다면 에너지 효율은?
10x>0인 영역에 ε1=3인 유전체, x<0인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계 E2=20ax +30ay - 40az[V/m]일 때, 유전율 ε2인 영역에서의 전계 E1은?
11맥스웰의 전자방정식에 대한 의미를 설명한 것으로 잘못된 것은?
12질량(m)이 10-10[kg]이고, 전하량(q)이 10-8 [C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도 a=102i +102j[m/sec2]이라고 하면 전기장의 세기 E는?
13그림과 같은 두개의 코일이 있을 때 L1=20[mH], L2=40[mH], 결합계수 k=0.5이다. 지금 이 두개의 코일을 직렬로 접속하여 0.5[A]의 전류를 흐릴 때 이 합성코일에 저축되는 에너지는 약 몇 [J] 인가?
14원형코일의 전류 중심으로부터 r[m]인 점의 자위는? (단, ω는 점 p로부터 원형코일의 전류를 바라보는 입체각이다.)
151[kV]로 충전된 콘덴서의 정전에너지가 1[J]일 때 이 콘덴서의 정전용량[μF]은?
16두 종류의 금속을 루프상으로 이어서 두 접속점을 다른 온도로 유지해 줄 때, 이 회로에 전류가 흐르는 효과는?
17진공내에서 전위함수 V=x2+y2[V]로 주어질 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저축되는 에너지는?
18전기회로와 비교할 때 자기회로의 특징이 아닌 것은?
19권수 500[회], 길이 5[cm]인 솔레노이드에 10[mA]의 전류가 흐른다면 이 솔레노이드에 발생되는 자계의 세기는?
20전계성분과 자계성분의 크기의 비를 고유임피던스 또는 파동임피던스라 한다. 진공일 경우 고유임피던스는?
21시간 t에 대하여 다음과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때, 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?
22다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?
23시정수 T인 RL 직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을 때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 [%] 인가?
24그림과 같은 주기성을 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는?
252개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?
26RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?
27그림과 같은 삼각파의 파고율은?
28다음 그림과 같은 이상 변압기의 권선비는?
29RLC 병렬회로가 공진주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
30다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC 값은?
31인덕턴스 L1, L2가 각각 2[mH], 4[mH]인 두 코일간의 상호 인덕턴스 M이 4[mH]라고 하면 결합계수 K는?
32어떤 성형시스템의 전달함수가 다음과 같을 때, 이 시스템의 단위계단응답(unit-step response)은?
33정현 대칭에서 성립하는 함수식은?
34정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파정류 했을 때의 평균값은?
35다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?
36다음 그림의 회로에서 단자 a, b 간의 전압은?
37R=80[Ω], XL=60[Ω]인 R-L 병렬회로에서 V=220∠45°[V]의 전압을 가했을 때, 코일 L에 흐르는 전류는?
3820[μF]의 콘덴서에 100[V], 50[Hz]의 교류전압을 가할 때의 무효전력은?
39다음 회로에서 결합계수가 K일 때, 상호 인덕턴스 M은?
40다음 회로의 전달 함수는?
41다음 연산 증폭기(Op-Amp) 회로에서 출력 전압은? (단, R1=1[kΩ], R2=5[kΩ], V1=4[V], V2=3[V])
42수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?
43다음 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?
44다음 회로의 출력 Y에 대한 논리식은?
45다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
46교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?
47고주파 증폭기에서 α차단 주파수에 대한 설명으로 옳은 것은?
48A급 증폭기의 최대 효율은? (단, 병렬 부하인 경우임)
49FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌 것은?
50다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
51MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?
52mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
53B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
54베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
55트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 했더니 ICEO가 50배가 되었다. 트랜지스터의 β는?
56궤환에 관한 설명으로 틀린 것은?
57다음 회로에서 Voi는 연산 증폭기의 입력 직류 오프셋 전압이다. 직류 출력 오프셋 전압 Vos는?
58다음 회로는 어떤 궤환 증폭회로인가?
59다음 그림은 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?
60전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?
61FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?
62100[V] 전압으로 가속된 전자속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자속도의 몇 배인가?
63고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
64전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?
65n채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것이다.
66일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?
67실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물을 사용될 수 있는 것은?
68Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은?
69금소의 일함수에 대한 설명으로 틀린 것은?
70터널 다이오드가 부성 저항 영역을 갖는 이유는?
71이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?
7225[℃]에서 8.2[V]인 제너 다이오드가 0.05[%/℃]의 온도계수를 가질 때 60[℃]에서의 제너 전압은?
731[eV]를 가장 잘 설명한 것은?
74FET에서 차단주파수 fT를 높이는 방법으로 틀린 것은?
75핀치 오프 전압이 -4[V]이고, VGS=0일 때 드레인 전류(IDSS)가 8[mA]인 JFET에서 VGS=-1.8[V]일 때 드레인 전류는?
76컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
77진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지 gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?
78빛의 파장이 4.5×10-10 [m]일 때 광자의 에너지는? (단, 플랑크상수는 6.6×10-34[Jㆍs]이다.)
79어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때, 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는?
80진성반도체의 페르미 준위는?
81데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
82가상기억장치(Virtual Memory System)를 도입함으로써 기대할 수 있는 장점이 아닌 것은?
83다음 설명에 해당하는 용어는?
84단항(unary) 연산에 해당되지 않는 것은?
85다음 C언어 프로그램을 수행하고 난 후의 결과값으로 옳은 것은?
86인터럽트(interrupt)의 발생 원인으로 옳지 않은 것은?
87하드 와이어드(hard wired) 방식이 마이크로 프로그래밍 방식보다 좋은 점은?
88디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?
89다음은 0-주소 명령어 방식으로 이루어진 프로그램이다. 레지스터 X의 내용은? (단, 레지스터 A=1, B=2, C=3, D=3, E=2이며, ADD는 덧셈 명령어, MUL은 곱셈 명령어이다.)
90다음 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
91CPU가 입출력 장치에 접근하는 방식의 설명으로 틀린 것은?
92다음 불 대수 중 옳지 않은 것은?
93컴퓨터에서 사용되는 인스트럭션(Instruction)의 기능으로 분류할 때 해당되지 않는 것은?
94언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
95중앙처리장치의 구성이 아닌 것은?
96캐시(cache) 메모리에 대한 설명으로 옳은 것은?
97주소지정방식에 대한 설명으로 틀린 것은?
98자료를 추출하고 그에 의거한 보고서를 작성하는데 사용하는 가장 적합한 프로그래밍 언어는?
99숫자를 EBCDIC 코드로 표현할 때 0~9까지의 수에서 앞의 4비트(존 비트) 표시형태는?
100CPU내 여러 장치들의 가장 일반적인 연결 방법은?

총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요

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