전자기사 · 2010

전자기사 (2010-09-05)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.평면파 전파가 E=30cos(109t+20z)j[V/m]로 주어졌다면 이 전자파의 위상 속도는?

    1. ①5×107[m/s]
    2. ②1/3×108[m/s]
    3. ③109[m/s]
    4. ④3/2[m/s]

  2. 2.공기 중에 있는 지름 6[cm]인 단일 도체구의 정전용량은 약 몇 [pF]인가?

    1. ①0.33[pF]
    2. ②0.67[pF]
    3. ③3.3[pF]
    4. ④6.7[pF]

  3. 3.길이 ℓ[m], 단면적 지름 d[m]인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J[Wb/m2]인 경우 원통 양단에서의 전자극의 세기는?

    1. ①πd2J[wb]
    2. ②πdJ[wb]
    3. ③4J/πd2[wb]
    4. ④πd2J/4[wb]

  4. 4.주파수가 100[MHz]일 때 구리의 표피두께(skin depth)는 약 몇 [mm] 인가? (단, 구리의 도전율은 5.8×107 [℧/m], 비투자율은 1이다.)

    1. ①3.3×10-2[mm]
    2. ②6.61×10-2[mm]
    3. ③3.3×10-3[mm]
    4. ④6.61×10-3[mm]

  5. 5.3개의 도체 a, b, c가 있다. 도체 c를 a로 정전차폐 했을 때의 조건은?

    1. ①a, b 사이의 유도계수는 0이다.
    2. ②b, c 사이의 유도계수는 0이다.
    3. ③b의 전하는 c의 전위와 관계가 있다.
    4. ④c의 전하는 b의 전위와 관계가 있다.

  6. 6.지름이 40[mm] 원형 종이관에 일정하게 2000회의 코일이 감겨있는 솔레노이드의 인덕턴스는 약 몇 [mH] 인가? (단, 솔레노이드의 길이는 50[cm], 투자율은 [μ0]라 하며 누설자속은 없는 것으로 한다.)

    1. ①12.6[mH]
    2. ②25.2[mH]
    3. ③50.4[mH]
    4. ④75.6[mH]

  7. 7.전기력선에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①전기력선은 양전하에서 시작하여 음전하에서 끝난다.
    2. ②전기력선은 전위가 낮은 점에서 높은 점으로 향한다.
    3. ③전기력선의 방향은 그 점의 전계의 방향과 반대이다.
    4. ④전계가 0이 아닌 곳에서 2개의 전기력선은 항상 교차한다.

  8. 8.정전용량 2[μF]인 콘덴서를 충전하여 4[mH]인 코일을 통해서 방전할 때의 전기진동이 공간에 전파되는 경우 그 파장[m]은 약 얼마인가?

    1. ①17[m]
    2. ②170[m]
    3. ③1.7×105[m]
    4. ④3.4×105[m]

  9. 9.사이클로트론에서 양자가 매초 3×1015개의 비율로 가속되어 나오고 있다. 양자가 15[MeV]의 에너지를 가지고 있다고 할 때, 이 사이클로트론은 가속용 고주파 전계를 만들기 위해서 150[kW]의 전력을 필요로 한다면 에너지 효율은?

    1. ①2.8[%]
    2. ②3.8[%]
    3. ③4.8[%]
    4. ④5.8[%]

  10. 10.x>0인 영역에 ε1=3인 유전체, x<0인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계 E2=20ax +30ay - 40az[V/m]일 때, 유전율 ε2인 영역에서의 전계 E1은?

    1. ①100/3ax +30ay - 40az[V/m]
    2. ②20ax +90ay - 40az[V/m]
    3. ③100ax +10ay - 40az[V/m]
    4. ④60ax +30ay - 40az[V/m]

  11. 11.맥스웰의 전자방정식에 대한 의미를 설명한 것으로 잘못된 것은?

    1. ①자계의 회전은 전류밀도와 같다.
    2. ②전계의 회전은 자속밀도의 시간적 감소율과 같다.
    3. ③단위체적 당 발산 전속수는 단위체적 당의 공간전하 밀도와 같다.
    4. ④자계는 발산하며, 자극은 단독으로 존재한다.

  12. 12.질량(m)이 10-10[kg]이고, 전하량(q)이 10-8 [C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도 a=102i +102j[m/sec2]이라고 하면 전기장의 세기 E는?

    1. ①E=104i +105j [V/m]
    2. ②E=i+10j [V/m]
    3. ③E=i+j [V/m]
    4. ④E=10-6i+10-4j [V/m]

  13. 13.그림과 같은 두개의 코일이 있을 때 L1=20[mH], L2=40[mH], 결합계수 k=0.5이다. 지금 이 두개의 코일을 직렬로 접속하여 0.5[A]의 전류를 흐릴 때 이 합성코일에 저축되는 에너지는 약 몇 [J] 인가?

    1. ①1.1×10-4[J]
    2. ②2.2×10-4[J]
    3. ③1.1×10-2[J]
    4. ④2.2×10-2[J]

  14. 14.원형코일의 전류 중심으로부터 r[m]인 점의 자위는? (단, ω는 점 p로부터 원형코일의 전류를 바라보는 입체각이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  15. 15.1[kV]로 충전된 콘덴서의 정전에너지가 1[J]일 때 이 콘덴서의 정전용량[μF]은?

    1. ①1[μF]
    2. ②2[μF]
    3. ③3[μF]
    4. ④4[μF]

  16. 16.두 종류의 금속을 루프상으로 이어서 두 접속점을 다른 온도로 유지해 줄 때, 이 회로에 전류가 흐르는 효과는?

    1. ①지벡(Seebeck) 효과
    2. ②톰슨(Thomson) 효과
    3. ③펠티에(Peltier) 효과
    4. ④홀(Hall) 효과

  17. 17.진공내에서 전위함수 V=x2+y2[V]로 주어질 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저축되는 에너지는?

    1. ①
    2. ②4ɛ0
    3. ③
    4. ④2ɛ0

  18. 18.전기회로와 비교할 때 자기회로의 특징이 아닌 것은?

    1. ①기자력과 자속은 변화가 비직선성이다.
    2. ②공기에 대한 누설자속이 많다.
    3. ③자기회로는 정전용량과 같은 회로 요소는 없다.
    4. ④자속의 변화에 따른 자기 저항내의 줄 손실이 없다.

  19. 19.권수 500[회], 길이 5[cm]인 솔레노이드에 10[mA]의 전류가 흐른다면 이 솔레노이드에 발생되는 자계의 세기는?

    1. ①50[AT/m]
    2. ②100[AT/m]
    3. ③150[AT/m]
    4. ④200[AT/m]

  20. 20.전계성분과 자계성분의 크기의 비를 고유임피던스 또는 파동임피던스라 한다. 진공일 경우 고유임피던스는?

    1. ①377[Ω]
    2. ②4π×10-7[Ω]
    3. ③390[Ω]
    4. ④3×108[Ω]

  21. 21.시간 t에 대하여 다음과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때, 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?

    1. ①0.79[A]
    2. ②1.58[A]
    3. ③2.24[A]
    4. ④3.16[A]

  22. 22.다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  23. 23.시정수 T인 RL 직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을 때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 [%] 인가?

    1. ①63[%]
    2. ②86[%]
    3. ③95[%]
    4. ④98[%]

  24. 24.그림과 같은 주기성을 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는?

    1. ①2[A]
    2. ②4[A]
    3. ③3[A]
    4. ④√2[A]

  25. 25.2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?

    1. ①Norton의 정리
    2. ②Thevenin의 정리
    3. ③치환정리
    4. ④중첩의 원리

  26. 26.RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?

    1. ①신호원의 전압과 위상이 동일한 형태로 나타난다.
    2. ②저항양단 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
    3. ③인덕터 전류와 위상이 동일한 형태로 나타난다.
    4. ④신호원 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.

  27. 27.그림과 같은 삼각파의 파고율은?

    1. ①1.15
    2. ②1.73
    3. ③1
    4. ④1.41

  28. 28.다음 그림과 같은 이상 변압기의 권선비는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  29. 29.RLC 병렬회로가 공진주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?

    1. ①유도성 회로가 된다.
    2. ②용량성 회로가 된다.
    3. ③저항성 회로가 된다.
    4. ④탱크 회로가 된다.

  30. 30.다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC 값은?

    1. ①12[Ω]
    2. ②12.5[Ω]
    3. ③15[Ω]
    4. ④25[Ω]

  31. 31.인덕턴스 L1, L2가 각각 2[mH], 4[mH]인 두 코일간의 상호 인덕턴스 M이 4[mH]라고 하면 결합계수 K는?

    1. ①1.41
    2. ②1.54
    3. ③1.66
    4. ④2.47

  32. 32.어떤 성형시스템의 전달함수가 다음과 같을 때, 이 시스템의 단위계단응답(unit-step response)은?

    1. ①e3tu(t)
    2. ②
    3. ③e-3tu(t)
    4. ④

  33. 33.정현 대칭에서 성립하는 함수식은?

    1. ①f(t) = f(t)
    2. ②f(t) = -f(t)
    3. ③f(t) = f(-t)
    4. ④f(t) = -f(-t)

  34. 34.정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파정류 했을 때의 평균값은?

    1. ①Vm/2
    2. ②Vm/√2
    3. ③Vm/π
    4. ④2Vm/π

  35. 35.다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?

    1. ①E/s2
    2. ②E/Ts
    3. ③E/Ts2
    4. ④TE/s

  36. 36.다음 그림의 회로에서 단자 a, b 간의 전압은?

    1. ①0.116[V]
    2. ②1.16[V]
    3. ③11.6[V]
    4. ④116[V]

  37. 37.R=80[Ω], XL=60[Ω]인 R-L 병렬회로에서 V=220∠45°[V]의 전압을 가했을 때, 코일 L에 흐르는 전류는?

    1. ①3.67∠45°[A]
    2. ②3.67∠-45°[A]
    3. ③5.75∠90°[A]
    4. ④5.75∠-90°[A]

  38. 38.20[μF]의 콘덴서에 100[V], 50[Hz]의 교류전압을 가할 때의 무효전력은?

    1. ①-10π[Var]
    2. ②-20π[Var]
    3. ③-30π[Var]
    4. ④-40π[Var]

  39. 39.다음 회로에서 결합계수가 K일 때, 상호 인덕턴스 M은?

    1. ①M=K√L1L2
    2. ②M=/√L1L2
    3. ③M=KL1L2
    4. ④M=K/(L1L2)

  40. 40.다음 회로의 전달 함수는?

    1. ①C1+C2
    2. ②1/C1+C2
    3. ③1/C1+1/C2
    4. ④C1/C1+C2

  41. 41.다음 연산 증폭기(Op-Amp) 회로에서 출력 전압은? (단, R1=1[kΩ], R2=5[kΩ], V1=4[V], V2=3[V])

    1. ①-5[V]
    2. ②-7[V]
    3. ③-11[V]
    4. ④-12[V]

  42. 42.수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①동조점의 불안정 : Q가 작은 수정공진자 사용
    2. ②주위온도의 변화 : 항온조 사용
    3. ③부하의 변동 : 완충 증폭기 사용
    4. ④전원전압의 변동 : 정전압회로 사용

  43. 43.다음 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?

    1. ①RTL(Register-Transistor-Logic) 게이트
    2. ②TTL(Transistor-Transistor-Logic) 게이트
    3. ③DTL(Diode-Transistor-Logic) 게이트
    4. ④DL(Diode-Logic) 게이트

  44. 44.다음 회로의 출력 Y에 대한 논리식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  45. 45.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①평형 변조회로
    2. ②전파 정류회로
    3. ③배전압 정류회로
    4. ④반파 정류회로

  46. 46.교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?

    1. ①클리퍼
    2. ②클램퍼
    3. ③리미터
    4. ④필터

  47. 47.고주파 증폭기에서 α차단 주파수에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①α가 최대값의 0.5 되는 곳의 주파수이다.
    2. ②α가 최대값의 0.707 되는 곳의 주파수이다.
    3. ③출력 전력이 원래값의 1/5로 되는 곳의 주파수이다.
    4. ④출력 전력이 원래값의 1/√2로 되는 곳의 주파수이다.

  48. 48.A급 증폭기의 최대 효율은? (단, 병렬 부하인 경우임)

    1. ①20[%]
    2. ②30[%]
    3. ③40[%]
    4. ④50[%]

  49. 49.FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌 것은?

    1. ①입력 임피던스가 크다.
    2. ②진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.
    3. ③이득×대역폭이 커서 고주파에서도 사용하기 쉽다.
    4. ④오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.

  50. 50.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①Schmitt 트리거 회로
    2. ②톱니파발생 회로
    3. ③Monostable 회로
    4. ④Astable 회로

  51. 51.MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?

    1. ①입력과 출력 사이
    2. ②게이트와 소스 사이
    3. ③드레인과 소스 사이
    4. ④게이트와 드레인 사이

  52. 52.mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?

    1. ①4개
    2. ②6개
    3. ③12개
    4. ④24개

  53. 53.B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?

    1. ①차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
    2. ②트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
    3. ③우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
    4. ④B급이나 AB급으로 동작시킨다.

  54. 54.베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①고주파수 특성이 양호하다.
    2. ②입출력 위상은 동위상이다.
    3. ③입력저항은 수십[Ω] 정도로 작다.
    4. ④전류 증폭도가 수십~수백으로 크다.

  55. 55.트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 했더니 ICEO가 50배가 되었다. 트랜지스터의 β는?

    1. ①49
    2. ②50
    3. ③59
    4. ④120

  56. 56.궤환에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①궤환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상 경우를 부궤환이라 한다.
    2. ②궤환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류궤환이라 한다.
    3. ③궤환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬궤환이라 한다.
    4. ④직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라 한다.

  57. 57.다음 회로에서 Voi는 연산 증폭기의 입력 직류 오프셋 전압이다. 직류 출력 오프셋 전압 Vos는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  58. 58.다음 회로는 어떤 궤환 증폭회로인가?

    1. ①전류궤환 증폭회로
    2. ②전압궤환 증폭회로
    3. ③정전류궤환 증폭회로
    4. ④정전압궤환 증폭회로

  59. 59.다음 그림은 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?

    1. ①-5[V]
    2. ②-6[V]
    3. ③-7[V]
    4. ④-8[V]

  60. 60.전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?

    1. ①XOR 2개, AND 2개, OR 1개
    2. ②XOR 2개, AND 1개, OR 2개
    3. ③XOR 1개, AND 2개, OR 2개
    4. ④XOR 2개, AND 2개, OR 2개

  61. 61.FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?

    1. ①전력 소모가 적기 때문
    2. ②대량 생산에 적합하기 때문
    3. ③입력 임피던스가 매우 높기 때문
    4. ④오프셋 전압이 매우 작기 때문

  62. 62.100[V] 전압으로 가속된 전자속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자속도의 몇 배인가?

    1. ①√2
    2. ②2
    3. ③5
    4. ④5√2

  63. 63.고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?

    1. ①전계 방출
    2. ②열전자 방출
    3. ③광전자 방출
    4. ④2차 전자 방출

  64. 64.전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?

    1. ①2개
    2. ②4개
    3. ③8개
    4. ④18개

  65. 65.n채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것이다.

    1. ①전자의 확산 현상
    2. ②전공의 확산 현상
    3. ③정공의 드리프트 현상
    4. ④전자의 드리프트 현상

  66. 66.일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?

    1. ①전도대 쪽으로 접근한다.
    2. ②충만대 쪽으로 접근한다.
    3. ③금지대 중앙에 위치한다.
    4. ④가전자대 쪽으로 접근한다.

  67. 67.실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물을 사용될 수 있는 것은?

    1. ①P(인)
    2. ②As(비소)
    3. ③B(붕소)
    4. ④Sb(안티몬)

  68. 68.Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①원자내의 전자 배열을 지배하는 원리이다.
    2. ②원자내에서 두 개의 전자가 동일한 양자 상태에 있을 수 있다.
    3. ③하나의 양자 궤도에 spin이 다른 두 개의 전자가 존재할 수 있다.
    4. ④원자내에 존재하는 어떠한 전자도 네 개의 양자수를 같게 취할 수 없다.

  69. 69.금소의 일함수에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①전자방출에 필요한 에너지를 일함수라 한다.
    2. ②일함수가 큰 물질일수록 열전자의 방출성이 우수하다.
    3. ③금속 중에는 비교적 자유로이 움직이는 다수의 자유전자가 있다.
    4. ④자유전자는 외부에서 에너지를 가하지 않으면 금속표면에서 튀어나갈 수 없다.

  70. 70.터널 다이오드가 부성 저항 영역을 갖는 이유는?

    1. ①PN 접합의 용량변화 때문에
    2. ②PN의 높은 불순물 농도 때문에
    3. ③PN 접합의 줄 열 때문에
    4. ④PN 양단의 온도에 따른 팽창 때문에

  71. 71.이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①이동도의 단위는 [m2/Vㆍs]이다.
    2. ②도전율이 크면 이동도도 크다.
    3. ③온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
    4. ④반도체에서 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 크다.

  72. 72.25[℃]에서 8.2[V]인 제너 다이오드가 0.05[%/℃]의 온도계수를 가질 때 60[℃]에서의 제너 전압은?

    1. ①8.06[V]
    2. ②8.17[V]
    3. ③8.34[V]
    4. ④8.42[V]

  73. 73.1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?

    1. ①1개의 전자가 1[J]의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.
    2. ②1개의 전자가 1[m]의 간격을 통과할 때 필요한 전압이다.
    3. ③1개의 전자가 1[V]의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지이다.
    4. ④1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.

  74. 74.FET에서 차단주파수 fT를 높이는 방법으로 틀린 것은?

    1. ①gm을 크게 한다.
    2. ②n 채널을 사용한다.
    3. ③채널 길이를 길게 한다.
    4. ④정전용량을 적게 한다.

  75. 75.핀치 오프 전압이 -4[V]이고, VGS=0일 때 드레인 전류(IDSS)가 8[mA]인 JFET에서 VGS=-1.8[V]일 때 드레인 전류는?

    1. ①2.4[mA]
    2. ②3.2[mA]
    3. ③3.9[mA]
    4. ④4.3[mA]

  76. 76.컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

    1. ①얼리 현상
    2. ②항복 현상
    3. ③열폭주 현상
    4. ④펀치스로우 현상

  77. 77.진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지 gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?

    1. ①n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
    2. ②n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
    3. ③n은 Eg에 반비례한다.
    4. ④n은 Eg에 비례한다.

  78. 78.빛의 파장이 4.5×10-10 [m]일 때 광자의 에너지는? (단, 플랑크상수는 6.6×10-34[Jㆍs]이다.)

    1. ①1.5×10-16[J]
    2. ②2.2×10-16[J]
    3. ③3.9×10-16[J]
    4. ④4.4×10-16[J]

  79. 79.어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때, 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는?

    1. ①6.25×1016 [개]
    2. ②6.25×1018 [개]
    3. ③6.25×1020 [개]
    4. ④6.25×1022 [개]

  80. 80.진성반도체의 페르미 준위는?

    1. ①온도에 따라 변화하지 않는다.
    2. ②온도가 감소하면 전도대로 향한다.
    3. ③온도가 감소하면 충만대로 향한다.
    4. ④온도가 감소하면 가전대로 향한다.

  81. 81.데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?

    1. ①단순 연결 리스트(singly linked list)
    2. ②이중 연결 리스트(doubly linked list)
    3. ③다중 연결 리스트(multi linked list)
    4. ④환형 연결 리스트(circular linked list)

  82. 82.가상기억장치(Virtual Memory System)를 도입함으로써 기대할 수 있는 장점이 아닌 것은?

    1. ①Binding Time을 늦추어서 프로그램의 Relocation을 용이하게 쓴다.
    2. ②일반적으로 가상기억장치를 채택하지 않는 시스템에서의 실행속도보다 빠르다.
    3. ③실제 기억용량보다 큰 가상공간(Virtual Space)을 사용자가 쓸 수 있다.
    4. ④오버레이(Overlay) 문제가 자동적으로 해결된다.

  83. 83.다음 설명에 해당하는 용어는?

    1. ①PROCEDURE
    2. ②LIBRARY 함수
    3. ③FUNCTION SUBPROGRAM
    4. ④SUBROUTINE SUBPROGRAM

  84. 84.단항(unary) 연산에 해당되지 않는 것은?

    1. ①move
    2. ②compare
    3. ③clear
    4. ④shift

  85. 85.다음 C언어 프로그램을 수행하고 난 후의 결과값으로 옳은 것은?

    1. ①13 13 -1 32
    2. ②13 25 0 95
    3. ③13 14 -1 95
    4. ④14 13 0 95

  86. 86.인터럽트(interrupt)의 발생 원인으로 옳지 않은 것은?

    1. ①부 프로그램 호출
    2. ②오퍼레이터에 의한 동작
    3. ③불법적인 인스트럭션(instruction)의 수행
    4. ④정전 또는 자료 전달 과정에서 오류 발생

  87. 87.하드 와이어드(hard wired) 방식이 마이크로 프로그래밍 방식보다 좋은 점은?

    1. ①컴퓨터의 속도가 향상된다.
    2. ②다양한 번지 모드를 갖는다.
    3. ③인스트럭션 세트를 변경하기가 쉽다.
    4. ④비교적 복잡한 명령 세트를 가진 시스템에 적합하다.

  88. 88.디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?

    1. ①윈체스터 디스크
    2. ②이동 디스크
    3. ③콤팩트 디스크
    4. ④플로피 디스크

  89. 89.다음은 0-주소 명령어 방식으로 이루어진 프로그램이다. 레지스터 X의 내용은? (단, 레지스터 A=1, B=2, C=3, D=3, E=2이며, ADD는 덧셈 명령어, MUL은 곱셈 명령어이다.)

    1. ①15
    2. ②20
    3. ③25
    4. ④30

  90. 90.다음 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①3-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
    2. ②2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
    3. ③1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
    4. ④0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.

  91. 91.CPU가 입출력 장치에 접근하는 방식의 설명으로 틀린 것은?

    1. ①CPU가 입출력 장치를 메모리의 일부로 취급하여 접근하는 방식을 메모리 맵 I/O 방식이라 한다.
    2. ②메모리 맵 I/O 방식을 구성할 때는 필수적으로 입출력 요구선(IORQ)을 사용하여야 한다.
    3. ③8080이나 Z80 시스템은 원칙적으로 I/O 맵 I/O 방식을 사용하게 되어 있다.
    4. ④I/O 맵 I/O 방식에서는 별도의 입출력 명령을 사용하여야 한다.

  92. 92.다음 불 대수 중 옳지 않은 것은?

    1. ①A+0 = A
    2. ②AㆍA = 1
    3. ③
    4. ④

  93. 93.컴퓨터에서 사용되는 인스트럭션(Instruction)의 기능으로 분류할 때 해당되지 않는 것은?

    1. ①함수연산 기능(Function Operation)
    2. ②전달 기능(Transfer Operation)
    3. ③입출력 기능(Input Output Operation)
    4. ④처리 기능(Process Operation)

  94. 94.언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?

    1. ①assembler
    2. ②interpreter
    3. ③compiler
    4. ④Linkage editor

  95. 95.중앙처리장치의 구성이 아닌 것은?

    1. ①제어장치
    2. ②산술 및 논리연산 장치
    3. ③레지스터
    4. ④출력장치

  96. 96.캐시(cache) 메모리에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①중앙처리장치와 주기억장치 사이의 속도차를 해결하는 것이다.
    2. ②중앙처리장치와 보조기억장치 사이의 속도차를 해결하는 것이다.
    3. ③중앙처리장치와 입출력장치 사이의 속도차를 해결하는 것이다.
    4. ④주기억장치의 보조기억매체이다.

  97. 97.주소지정방식에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①register address mode : 명령의 주소 부분의 값은 중앙처리장치내의 register이다.
    2. ②immediate address mode : 명령의 주소 부분이 그대로 유효주소이다.
    3. ③relative address mode : 프로그램 카운터의 내용이 주소부분과 더해져서 유효주소가 된다.
    4. ④indexed address mode : index register 내용이 주소부분과 더해져서 유효주소가 된다.

  98. 98.자료를 추출하고 그에 의거한 보고서를 작성하는데 사용하는 가장 적합한 프로그래밍 언어는?

    1. ①C
    2. ②java
    3. ③perl
    4. ④HTML

  99. 99.숫자를 EBCDIC 코드로 표현할 때 0~9까지의 수에서 앞의 4비트(존 비트) 표시형태는?

    1. ①1111
    2. ②0000
    3. ③0011
    4. ④1010

  100. 100.CPU내 여러 장치들의 가장 일반적인 연결 방법은?

    1. ①버스
    2. ②직접 연결
    3. ③간접 연결
    4. ④직ㆍ간접 혼용