문항 목록
1미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?
2라디오 방송의 평면파 주파수를 710kHz라 할 때 이 평면파가 콘크리트 벽(εs = 5, μs=1)속을 지날 때, 전파속도는 몇 m/s 인가?
3평면 도체로부터 수직거리 a[m]인 곳에 점전하 Q[C]이 있다. Q 와 평면도체사이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 평면 도체 오른편을 유전율 ε의 공간이라 한다.)
4강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
5진공의 전하분포 공간내에서 전위가 V = x2 + y2 [V]로 표시될 때, 전하밀도는 몇 C/m3 인가?
6그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2 의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는 몇 H 가 되는가?
7자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?
8임의의 단면을 가진 2 개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)
9그림과 같이 한변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
10주파수의 증가에 대하여 가장 급속히 증가하는 것은?
11비유전율 εs = 5 인 등방 유전체의 한 점에서 전계의 세기가 E = 104 V/m일 때 이 점의 분극률 xe 는 몇 F/m 인가?
12반지름 a[m], 중심간 거리 d[m]인 두 개의 무한장 왕복선로에 서로 반대 방향으로 전류 I[A] 가 흐를 때, 한 도체에서 x[m] 거리인 A 점의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가? (단, d ≫ a, x ≫ a 라고 한다.)
13전하밀도 ps[C/m2]인 무한 판상 전하분포에 의한 임의점의 전장에 대하여 틀린 것은?
14자화된 철의 온도를 높일 때 자화가 서서히 감소하다가 급격히 강자성이 상자성으로 변하면서 강자성을 잃어버리는 온도는?
15그림과 같이 반지름 a[m]인 원형 도선에 전하가 선밀도 λ [C/m]로 균일하게 분포되어 있다. 그 중심에 수직한 z 축상의 한점 P 의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
16다음 설명 중 틀린 것은?
17공극(air gap)이 δ[m]인 강자성체로 된 환상 영구자석에서 성립하는 식은? (단, ℓ[m]는 영구자석의 길이이며 ℓ ≫ δ이고, 자속 밀도와 자계의 세기를 각각 B[Wb/m2], H[AT/m]라 한다.)
18면적이 S[m2]이고 극간의 거리가 d[m]인 평행판콘덴서에 비유전률 εs 의 유전체를 채울 때 정전용량은 몇 F 인가?
19변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?
20그림과 같이 전류가 흐르는 반원형 도선이 평면 z = 0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B = 0.8 a x - 0.7 a y + a z [Wb/m2] 인 균일 자계내에 놓여 있을 때 도선의 직선부분에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
21회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?
22R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?
23h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
24두함수 f1(t)=1, f2(t)=e -t 일 때 합성 적분치는?
25R-L-C 직렬 회로에 t=0 인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?
26S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
27다음 설명 중 옳은 것은?
28두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
29다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?
30RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?
31정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?
32그림에서 Vab를 구하면 몇 [V]인가?
33이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?
34이상적인 평형 3상 ⊿ 전원에서 옳은 내용은?
35그림과 같은 회로에서 RL에 흐르는 전류는?
36주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?
37저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬 회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서 전압 위상과 저항에서 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?
38그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S) 는?
39다음 회로망의 합성 저항은?
40시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?
41트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
42그림의 회로는 무슨 궤환인가?
43QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식을 가장 옳게 설명한 것은?
44α 차단 주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?
45시미트 트리거(schmitt trigger) 회로의 설명 중 옳은 것은?
46그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)
47그림과 같은 발진 회로가 지속 발전을 하기 위해서는 트랜지스터의 전류증폭률 hfe는 어떤 조건이어야 하는가?
48커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
49그림의 연산 증폭기 회로는?
50저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
51그림과 같은 트랜지스터 회로에서 IB와 IC 는? (단, 트랜지스터는 활성영역에서 동작 중이고 VBE = 0.65V 이다.)
52교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?
53증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
540 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는 가?
55PSK(phase-shift keying) 방식의 변ㆍ복조기를 구성하는 회로는?
56수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?
57그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
58그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?
59수정발진자의 등가용량은Co,고유주파수는fs 이며,발진자의 극간의 정전용량은C , 정전용량을 고려한 주파수를 fP라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
60부궤환 증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
611[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602⒡10-19[C])
62파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
63Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
64인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?
65PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?
66에너지 준위도에서 0 준위는?
67FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
68컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
69반도체에서의 확산전류 밀도 J 는? (단, n 은 캐리어의 농도, q 는 캐리어의 전하, D 는 확산 정수, x 는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
70열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?
71진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ω·m], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/VΧsec], 0.05[m2/VΧsec]이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?
72Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
73바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?
74고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?
75Fermi-Dirac 분포 함수는?
76반도체에서 아인시타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
77서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?
78열음극을 갖는 것은?
79길이 10㎜, 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
80피에조 저항(piezo resistance)은?
81프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입Χ출력하는 방식은?
82DRAM에 대한 설명 중 가장 거리가 먼 것은?
83시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 올바른 것은?
84수치 데이터의 입 Χ출력이 많은 경우 수치 데이터를 2진수로 변환하지 않고 10진 상태로 나타내는 형식을 무엇이라 하는가?
85주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?
86마이크로프로세서의 특징으로 가장 거리가 먼 것은?
87ALU에서 처리된 결과를 일시 저장하는 레지스터는 어떤 것인가?
88가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
89레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?
90주 기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
91가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
92인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
93다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?
94운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?
95마스크를 이용하여 비 수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
96다음 중 단항(unary)연산이 아닌 것은?
97다음의 논리 함수를 간소화 한 결과는?
98부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?
99스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
100산술논리연산장치(ALU)의 구성 요소가 아닌 것은?
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