전자기사 · 2005

전자기사 (2005-05-29)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

1.미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
2.라디오 방송의 평면파 주파수를 710kHz라 할 때 이 평면파가 콘크리트 벽(εs = 5, μs=1)속을 지날 때, 전파속도는 몇 m/s 인가?
1. ①1.34×108
2. ②2.54×108
3. ③4.38×108
4. ④4.86×108
3.평면 도체로부터 수직거리 a[m]인 곳에 점전하 Q[C]이 있다. Q 와 평면도체사이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 평면 도체 오른편을 유전율 ε의 공간이라 한다.)
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
4.강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
1. ①J는 B 와 같다.
2. ②J는 B 보다 약간 작다.
3. ③J는 B 보다 약간 크다.
4. ④J는 B 보다 대단히 크다.
5.진공의 전하분포 공간내에서 전위가 V = x2 + y2 [V]로 표시될 때, 전하밀도는 몇 C/m3 인가?
1. ①-4εo
2. ②
3. ③- 2εo
4. ④
6.그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2 의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는 몇 H 가 되는가?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
7.자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
8.임의의 단면을 가진 2 개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
9.그림과 같이 한변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
10.주파수의 증가에 대하여 가장 급속히 증가하는 것은?
1. ①표피효과의 두께의 역수
2. ②히스테리시스 손실
3. ③교번자속에 의한 기전력
4. ④와전류 손실
11.비유전율 εs = 5 인 등방 유전체의 한 점에서 전계의 세기가 E = 104 V/m일 때 이 점의 분극률 xe 는 몇 F/m 인가?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
12.반지름 a[m], 중심간 거리 d[m]인 두 개의 무한장 왕복선로에 서로 반대 방향으로 전류 Ｉ[A] 가 흐를 때, 한 도체에서 x[m] 거리인 A 점의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가? (단, d ≫ a, x ≫ a 라고 한다.)
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
13.전하밀도 ps[C/m2]인 무한 판상 전하분포에 의한 임의점의 전장에 대하여 틀린 것은?
1. ①전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
2. ②전장의 세기는 전하밀도 ps 에 비례한다.
3. ③전장의 세기는 거리 r 에 반비례한다.
4. ④전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
14.자화된 철의 온도를 높일 때 자화가 서서히 감소하다가 급격히 강자성이 상자성으로 변하면서 강자성을 잃어버리는 온도는?
1. ①켈빈(Kelvin)온도
2. ②연화(Transition)온도
3. ③전이온도
4. ④큐리(Curie)온도
15.그림과 같이 반지름 a[m]인 원형 도선에 전하가 선밀도 λ [C/m]로 균일하게 분포되어 있다. 그 중심에 수직한 z 축상의 한점 P 의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
16.다음 설명 중 틀린 것은?
1. ①전기력선의 방정식은 "전기력선의 접선방향이 전계의 방향이다."에서 유래된 것이다.
2. ②"전기력선은 스스로 루프(loop)를 만들 수 없다."라함은 전계의 세기의 유일성을 나타내는 것이다.
3. ③구좌표로 표시한 전기력선의 방정식은 로 표시된다.
4. ④진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 약 1.13×1011 개 이다.
17.공극(air gap)이 δ[m]인 강자성체로 된 환상 영구자석에서 성립하는 식은? (단, ℓ[m]는 영구자석의 길이이며 ℓ ≫ δ이고, 자속 밀도와 자계의 세기를 각각 B[Wb/m2], H[AT/m]라 한다.)
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
18.면적이 S[m2]이고 극간의 거리가 d[m]인 평행판콘덴서에 비유전률 εs 의 유전체를 채울 때 정전용량은 몇 F 인가?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
19.변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?
1. ①반도체
2. ②유전체
3. ③자성체
4. ④도체
20.그림과 같이 전류가 흐르는 반원형 도선이 평면 z = 0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B = 0.8 a x - 0.7 a y + a z [Wb/m2] 인 균일 자계내에 놓여 있을 때 도선의 직선부분에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
1. ①4 a x + 3.2 a z
2. ②4 ax - 3.2 a z
3. ③5 a x - 3.5 a z
4. ④- 5 ax + 3.5 a z
21.회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?
1. ①① - ③, ② - ⑤, ④ - ⑥
2. ②① - ②, ③ - ⑥, ④ - ⑤
3. ③① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥
4. ④① - ③, ④ - ⑤, ② - ⑥
22.R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
23.h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
1. ①h11
2. ②h21
3. ③h12
4. ④h22
24.두함수 f1(t)=1, f2(t)=e -t 일 때 합성 적분치는?
1. ①e -t
2. ②1 - et
3. ③1 - e-t
4. ④
25.R-L-C 직렬 회로에 t＝0 인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
26.S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
1. ①발진하지 않는다.
2. ②점점 더 크게 발진한다.
3. ③지속 발진한다.
4. ④감쇄 진동한다.
27.다음 설명 중 옳은 것은?
1. ①루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
2. ②루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
3. ③루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
4. ④루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
28.두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1. ①K=1은 상호자속이 전혀 없는 경우이다.
2. ②K=0은 유도결합이 전혀 없는 경우이다.
3. ③K=1은 누설자속이 전혀 없는 경우이다.
4. ④결합계수 K는 0과 1사이의 값을 갖는다.
29.다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
30.RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?
1. ①신호원의 전압과 위상이 동일한 형태로 나타난다.
2. ②저항양단 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
3. ③인덕터 전류와의 위상이 동일한 형태로 나타난다.
4. ④신호원 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
31.정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?
1. ①f(t)=f(t)
2. ②f(t)=-f(t)
3. ③f(t)=f(-t)
4. ④f(t)=-f(-t)
32.그림에서 Vab를 구하면 몇 [V]인가?
1. ①2.5
2. ②-2.5
3. ③5
4. ④-5
33.이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
34.이상적인 평형 3상 ⊿ 전원에서 옳은 내용은?
1. ①선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
2. ②상전류의 크기 = √3×선간 전류의 크기
3. ③상전류의 크기 = 선간 전류의 크기
4. ④선간 전압의 크기 = √3×상전압의 크기
35.그림과 같은 회로에서 RL에 흐르는 전류는?
1. ①1A
2. ②3A
3. ③4A
4. ④7A
36.주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?
1. ①내부 임피던스가 큰 전원에는 병렬 공진 회로를 사용한다.
2. ②내부 임피던스가 큰 전원에는 직렬 공진 회로를 사용한다.
3. ③내부 임피던스에 관계없이 직렬 공진 회로를 사용한다.
4. ④내부 임피던스에 관계없이 병렬 공진 회로를 사용한다.
37.저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬 회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서 전압 위상과 저항에서 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?
1. ①45°
2. ②90°
3. ③135°
4. ④180°
38.그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S) 는?
1. ①R/(1+CRS)
2. ②CR/(1+CRS)
3. ③1/(1+CRS)
4. ④C/(1+RS)
39.다음 회로망의 합성 저항은?
1. ①6[Ω]
2. ②12[Ω]
3. ③30[Ω]
4. ④50[Ω]
40.시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?
1. ①63.2%
2. ②86.5%
3. ③95.0%
4. ④98.2%
41.트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
1. ①1
2. ②6.3
3. ③16
4. ④10π
42.그림의 회로는 무슨 궤환인가?
1. ①전류직렬
2. ②전류병렬
3. ③전압직렬
4. ④전압병렬
43.QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식을 가장 옳게 설명한 것은?
1. ①QAM 변조 방식은 AM 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.
2. ②QAM 변조 방식은 PSK 방식의 일종이다.
3. ③QAM 변조 방식은 AM 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.
4. ④QAM 변조 방식은 진폭 변조와 주파수 변조 방식을 혼합한 것이다.
44.α 차단 주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?
1. ①α가 원래값의 0.7배가 되는 곳의 주파수이다.
2. ②Base 주행 시간에 반비례한다.
3. ③Base 폭의 자승에 반비례한다.
4. ④확산 정수에 반비례한다.
45.시미트 트리거(schmitt trigger) 회로의 설명 중 옳은 것은?
1. ①입력 파형에 관계없이 출력은 삼각파이다.
2. ②입력 전류의 크기로 회로의 on, off를 결정해 준다.
3. ③A/D 변환기는 시미트 트리거 회로의 응용회로 중의 하나이다.
4. ④2개의 증폭기의 접지 단자를 공통으로 접속하고, 음 귀환을 걸어 입력 신호의 진폭에 따라 2가지 안정된 상태를 이룬다.
46.그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
47.그림과 같은 발진 회로가 지속 발전을 하기 위해서는 트랜지스터의 전류증폭률 hfe는 어떤 조건이어야 하는가?
1. ①hfe≧ω2LC2
2. ②hfe≧ω2L2C2
3. ③hfe≦ω2L2C2
4. ④hfe≦ω2LC2
48.커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
1. ①감소한다.
2. ②증가한다.
3. ③관계없다.
4. ④주파수가 변화한다.
49.그림의 연산 증폭기 회로는?
1. ①전압증폭기
2. ②전류증폭기
3. ③정전압 회로
4. ④정전류 회로
50.저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
1. ①640[W]
2. ②600[W]
3. ③480[W]
4. ④320[W]
51.그림과 같은 트랜지스터 회로에서 IB와 IC 는? (단, 트랜지스터는 활성영역에서 동작 중이고 VBE = 0.65V 이다.)
1. ①IB = 0.273㎃, IC = 27.3㎃
2. ②IB = 0.0217㎃, lC = 2.17㎃
3. ③IB = 0.2601㎃, IC = 26.01㎃
4. ④IB = 0.0268㎃, IC = 2.68㎃
52.교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?
1. ①클리퍼
2. ②클램퍼
3. ③리미터
4. ④필터
53.증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
1. ①이득-대역폭적
2. ②롤-오프(Roll-Off)
3. ③바이패스 커패시턴스
4. ④트랜지스터의 내부 커패시턴스
54.0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는 가?
1. ①주파수 일그러짐
2. ②진폭 일그러짐
3. ③교차 일그러짐
4. ④위상 일그러짐
55.PSK(phase-shift keying) 방식의 변ㆍ복조기를 구성하는 회로는?
1. ①PLL 회로
2. ②평형 변조 회로
3. ③선형 가산 회로
4. ④시프트 레지스터 회로
56.수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?
1. ①fo＜fs
2. ②fs＜fo＜fp
3. ③fp＜fo＜fs
4. ④fo＞fp
57.그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
1. ①v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2
2. ②v0 = ∞ 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2
3. ③v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 )
4. ④v0 = ∞ 일 때 ( IB1 + IB2 )
58.그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?
1. ①12.5%
2. ②25%
3. ③50%
4. ④78.5%
59.수정발진자의 등가용량은Co,고유주파수는fs 이며,발진자의 극간의 정전용량은C , 정전용량을 고려한 주파수를 fP라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
60.부궤환 증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
1. ①궤환 증폭기의 이득은 A/(1-βA)이다.
2. ②비직선 왜곡은 감소하나 잡음은 증가한다.
3. ③대역폭의 상한 주파수와 하한 주파수가 증가한다.
4. ④궤환 회로에 따라 입 Χ출력 임피던스의 값이 증가하거나 감소한다.
61.1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602⒡10-19[C])
1. ①6.24⒡1016[개]
2. ②6.24⒡1018[개]
3. ③6.24⒡1020[개]
4. ④6.24⒡1022[개]
62.파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
1. ①Maxwell-Boltzmann 통계
2. ②Bose-Einstein 통계
3. ③Fermi-Dirac 통계
4. ④Gausian 통계
63.Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
1. ①2dcosθ=nλ
2. ②2dsinθ=nλ
3. ③
4. ④
64.인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?
1. ①광도전 효과
2. ②광기전력 효과
3. ③광전자 방출 효과
4. ④루미네센스 효과
65.PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?
1. ①다수 캐리어가 서로 다른 쪽에 주입된다.
2. ②P형 쪽 전자만이 N형 영역으로 들어간다.
3. ③P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.
4. ④어떤 전류도 흐르지 않는다.
66.에너지 준위도에서 0 준위는?
1. ①페르미 준위
2. ②이탈 준위
3. ③금속내 준위
4. ④금속외 준위
67.FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
1. ①게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
2. ②전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
3. ③소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
4. ④다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
68.컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1. ①Saturation 현상
2. ②break down 현상
3. ③thermal runaway 현상
4. ④pinch off 현상
69.반도체에서의 확산전류 밀도 J 는? (단, n 은 캐리어의 농도, q 는 캐리어의 전하, D 는 확산 정수, x 는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
70.열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?
1. ①일함수가 큰 것
2. ②융점이 높은 것
3. ③방출 효율이 좋은 것
4. ④가공, 공작이 용이한 것
71.진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ω·m], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/VΧsec], 0.05[m2/VΧsec]이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?
1. ①9.8⒡1010개/m3
2. ②9.8⒡1012개/m3
3. ③4.9⒡1013개/m3
4. ④4.9⒡1016개/m3
72.Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1. ①온도에 따라 그 크기가 변한다.
2. ②캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
3. ③상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다.
4. ④0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.
73.바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?
1. ①전류와 전압
2. ②전류와 온도
3. ③전압과 정전용량
4. ④주파수와 정전용량
74.고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?
1. ①차단 주파수를 높게 한다.
2. ②베이스 확산 저항을 작게 한다.
3. ③켈렉터 접합 면적을 작게 한다.
4. ④확산하는 소수 캐리어의 확산 정수를 작게 한다.
75.Fermi-Dirac 분포 함수는?
1. ①
2. ②
3. ③f(E)=1-e (E-EF)/kT
4. ④f(E)=1+e (E-EF)/kT
76.반도체에서 아인시타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
1. ①이동도
2. ②유효 질량
3. ③캐리어 농도
4. ④내부 전압
77.서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?
1. ①철의 산화물
2. ②망간의 산화물
3. ③니켈의 산화물
4. ④은의 산화물
78.열음극을 갖는 것은?
1. ①계전기 방전관
2. ②네온관
3. ③정전압 방전관
4. ④수은 정류관
79.길이 10㎜, 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
1. ①160[m/sec]
2. ②180[m/sec]
3. ③16[m/sec]
4. ④18[m/sec]
80.피에조 저항(piezo resistance)은?
1. ①압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2. ②자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3. ③온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4. ④광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
81.프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입Χ출력하는 방식은?
1. ①Strobe 방식
2. ②Flag 검사 방식
3. ③DMA 방식
4. ④Hand-Shaking 방식
82.DRAM에 대한 설명 중 가장 거리가 먼 것은?
1. ①플립플롭의 조합으로 구성되었다.
2. ②회생(refresh) 회로가 필요하다.
3. ③SRAM에 비해 회로가 대단히 간단하다.
4. ④SRAM에 비해 가격이 저렴하고, 전력 소모가 적다.
83.시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 올바른 것은?
1. ①라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
2. ②언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
3. ③진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
4. ④로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조 기억장치로 보낸다.
84.수치 데이터의 입 Χ출력이 많은 경우 수치 데이터를 2진수로 변환하지 않고 10진 상태로 나타내는 형식을 무엇이라 하는가?
1. ①팩(pack)10진 데이터 형식
2. ②부동 소수점 데이터 형식
3. ③고정소수점 데이터 형식
4. ④2진 데이터 형식
85.주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?
1. ①직접 주소 (direct addressing)
2. ②즉각 주소 (immediate addressing)
3. ③간접 주소 (indirect addressing)
4. ④상대 주소 (relative addressing)
86.마이크로프로세서의 특징으로 가장 거리가 먼 것은?
1. ①마이크로프로세서를 사용한 제품은 저렴해진다.
2. ②마이크로프로세서를 사용한 제품은 기능 변경이나 확장이 용이하다.
3. ③마이크로프로세서를 사용하여 제품을 만들려면 소형화되고, 경량화 된다.
4. ④마이크로프로세서를 사용한 제품은 회로가 대단히 복잡하므로 고장 발생시 보수가 대단히 어렵다.
87.ALU에서 처리된 결과를 일시 저장하는 레지스터는 어떤 것인가?
1. ①상태레지스터
2. ②명령레지스터
3. ③누산기
4. ④범용레지스터
88.가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
1. ①10
2. ②12
3. ③14
4. ④16
89.레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1. ①누산기(accumulator)도 레지스터의 일종이다.
2. ②CPU 내부에 있으며, 자료를 기억하는 기능을 가지고 있다.
3. ③레지스터 상호 간에 자료의 전달은 버스를 이용한다.
4. ④레지스터의 수가 많으면 컴퓨터의 효율이 떨어진다. 국가기술자격검정필기시험문제
90.주 기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
1. ①어소시어티브 매핑(Associative Mapping)
2. ②직접 매핑(Direct Mapping)
3. ③간접 매핑(Indirect Mapping)
4. ④세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)
91.가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1. ①컴퓨터시스템의 처리속도를 개선하기 위한 방법이다.
2. ②컴퓨터의 기억용량을 확장하기 위한 것이 목적이다.
3. ③관리 방식은 Paging과 segmentation 기법이 있다.
4. ④주로 하드웨어 보다는 소프트웨어로 실현된다.
92.인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
1. ①스택
2. ②벡터 인터럽트
3. ③폴링
4. ④핸드쉐이킹
93.다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?
1. ①11000001
2. ②00111110
3. ③00111111
4. ④10000011
94.운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?
1. ①감시 프로그램
2. ②작업 관리 프로그램
3. ③자료 관리 프로그램
4. ④언어 번역 프로그램
95.마스크를 이용하여 비 수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
1. ①AND
2. ②OR
3. ③XOR
4. ④NOR
96.다음 중 단항(unary)연산이 아닌 것은?
1. ①MOVE(이동)
2. ②ROTATE(로테이트)
3. ③Complement(보수)
4. ④AND 또는 OR
97.다음의 논리 함수를 간소화 한 결과는?
1. ①X
2. ②XY
3. ③X + Y
4. ④Y
98.부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?
1. ①표준화(standardization)
2. ②소수점 자리맞추기(alignment)
3. ③정규화(normalization)
4. ④세그먼트화(segmentation)
99.스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
1. ①0 주소 형식
2. ②1 주소 형식
3. ③2 주소 형식
4. ④3 주소 형식
100.산술논리연산장치(ALU)의 구성 요소가 아닌 것은?
1. ①Accumulator
2. ②adder
3. ③Counter
4. ④Instruction Register