전자기사 · 2022

전자기사 (2022-04-24)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.그림과 같이 점 O를 중심으로 반지름이 a(m)인 구도체 1과 안쪽 반지름이 b(m)이고 바깥쪽 반지름이 C(m)인 구도체 2가 있다. 이 도체계에서 전위계수 P11(1/F)에 해당하는 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.정전용량이 C0(μF)인 평행판의 공기 커패시터가 있다. 두 극판 사이에 극판과 평행하게 절반을 비유전율이 εr인 유전체로 채우면 커패시터의 정전용량 (μF)은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  3. 3.유전율이 ε1과 ε2인 두 유전체가 경계를 이루어 평행하게 접하고 있는 경우 유전율이 ε1인 영역에 전하 Q가 존재할 때 이 전하와 ε2인 유전체 사이에 작용하는 힘에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①ε1 ＞ ε2인 경우 반발력이 작용한다.
    2. ②ε1 ＞ ε2인 경우 흡인력이 작용한다.
    3. ③ε1과 ε2에 상관없이 반발력이 작용한다.
    4. ④ε1과 ε2에 상관없이 흡인력이 작용한다.

  4. 4.정전용량이 20μF인 공기의 평행판 커패시터에 0.1C의 전하량을 충전하였다. 두 평행판 사이에 비유전율이 10인 유전체를 채웠을 때 유전체 표면에 나타나는 분극 전하량(C)은?

    1. ①0.009
    2. ②0.01
    3. ③0.09
    4. ④0.1

  5. 5.내구의 반지름이 a = 5cm, 외구의 반지름이 b = 10cm 이고, 공기로 채워진 동심구형 커패시터의 정전용량은 약 몇 pF 인가?

    1. ①11.1
    2. ②22.2
    3. ③33.3
    4. ④44.4

  6. 6.강자성체의 B-H 곡선을 자세히 관찰하면 매끈한 곡선이 아니라 자속밀도가 어느 순간 급격히 계단적으로 증가 또는 감소하는 것을 알 수 있다. 이러한 현상을 무엇이라 하는가?

    1. ①퀴리점(Curie point)
    2. ②자왜현상(Magneto-striction)
    3. ③바크하우젠 효과(Barkhausen effect)
    4. ④자기여자 효과(Magnetic after effect)

  7. 7.자성체의 종류에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, χm는 자화율이고, μr는 비투자율이다.)

    1. ①χm ＞ 0 이면, 역자성체이다.
    2. ②χm ＜ 0 이면, 상자성체이다.
    3. ③μr ＞ 1 이면, 비자성체이다.
    4. ④μr ＜ 1 이면, 역자성체이다.

  8. 8.반지름이 2m이고, 권수가 120회인 원형코일 중심에서의 자계의 세기를 30 AT/m로 하려면 원형코일에 몇 A의 전류를 흘려야 하는가?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④4

  9. 9.εr = 81, μr = 1 인 매질의 고유 임피던스는 약 몇 Ω 인가? (단, εr은 비유전율이고, μr은 비투자율이다.)

    1. ①13.9
    2. ②21.9
    3. ③33.9
    4. ④41.9

  10. 10.그림과 같이 평행한 무한장 직선의 두 도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 각각 흐른다. 두 도선 사이 점 P에서의 자계의 세기가 0 이라면 a/b 는?

    1. ①2
    2. ②4
    3. ③1/2
    4. ④1/4

  11. 11.내압 및 정전용량이 각각 1000V –2μF, 700V –3μF, 600V –4μF, 300V -8μF인 4개의 커패시터가 있다. 이 커패시터들을 직렬로 연결하여 양단에 전압을 인가한 후, 전압을 상승시키면 가장 먼저 절연이 파괴되는 커패시터는? (단, 커패시터의 재질이나 형태는 동일하다.)

    1. ①1000V -2μF
    2. ②700V -3μF
    3. ③600V -4μF
    4. ④300V –8μF

  12. 12.진공 중에서 점(1, 3)m의 위치에 -2×10-9C의 점전하가 있을 때 점(2, 1)m에 있는 1C의 점전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 는 단위벡터이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.진공 중에 무한 평면도체와 d(m)만큼 떨어진 곳에 선전하밀도 λ(C/m)의 무한 직선도체가 평행하게 놓여 있는 경우 직선 도체의 단위 길이당 받는 힘은 몇 N/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.그림은 커패시터의 유전체 내에 흐르는 변위전류를 보여준다. 커패시터의 전극 면적을 S(m2), 전극에 축적된 전하를 q(C), 전극의 표면전하 밀도를 σ(C/m2), 전극 사이의 전속밀도를 D(C/m2)라 하면 변위전류밀도 id(A/m2)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  15. 15.단면적이 균일한 환상철심에 권수 100회인 A코일과 권수 400회인 B코일이 있을 때 A코일의 자기 인덕턴스가 4H라면 두 코일의 상호 인덕턴스는 몇 H 인가? (단, 누설자속은 0 이다)

    1. ①4
    2. ②8
    3. ③12
    4. ④16

  16. 16.평행 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2 인 유전체를 그림과 같이 채우고, 극판 사이에 일정한 전압을 걸었을 때 두 유전체 사이에 작용하는 힘은? (단, ε1 ＞ ε2)

    1. ①ⓐ의 방향
    2. ②ⓑ의 방향
    3. ③ⓒ의 방향
    4. ④ⓓ의 방향

  17. 17.평균 자로의 길이가 10cm, 평균 단면적이 2cm2인 환상 솔레노이드의 자기 인덕턴스를 5.4mH 정도로 하고자 한다. 이때 필요한 코일의 권선수는 약 몇 회인가? (단, 철심의 비투자율은 15000 이다)

    1. ①6
    2. ②12
    3. ③24
    4. ④29

  18. 18.구좌표계에서 ∇2r 의 값은 얼마인가? (단, )

    1. ①1/r
    2. ②2/r
    3. ③r
    4. ④2r

  19. 19.투자율이 μ(H/m), 단면적이 S(m2), 길이가 l(m)인 자성체에 권선을 N회 감아서 I(A)의 전류를 흘렸을 때 이 자성체의 단면적 S(m2)를 통과하는 자속(Wb)은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.자계의 세기를 나타내는 단위가 아닌 것은?

    1. ①A/m
    2. ②N/Wb
    3. ③(HㆍA)/m2
    4. ④Wb/(Hㆍm)

  21. 21.그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 전송파라미터 C의 값으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②1
    3. ③
    4. ④

  22. 22.펄스 변압기에서 상승시간(rase time)을 짧게 하기 위한 조건은?

    1. ①누설 인덕턴스와 분포용량 모두 커야 한다.
    2. ②누설 인덕턴스와 분포용량 모두 작아야 한다.
    3. ③누설 인덕턴스는 크고 분포용량은 작아야 한다.
    4. ④누설 인덕턴스는 작고 분포용량은 커야 한다.

  23. 23.RC 고역필터에 폭이 T인 단일 구형파를 입력했을 때 출력파는? (단, 시정수 τ ＜＜ T)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  24. 24.인 파형의 주파수는 약 몇 Hz 인가?

    1. ①50
    2. ②60
    3. ③141
    4. ④314

  25. 25.공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W 인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30° 이다.)

    1. ①500
    2. ②1000
    3. ③500√3
    4. ④1000√3

  26. 26.다음 회로에서 스위치(SW)를 충분한 시간동안 열어 놓았다가, 스위치(SW)를 닫고 2초 후에 회로에 흐르는 전류(I)는 약 몇 A 인가?

    1. ①3.68
    2. ②4.52
    3. ③6.32
    4. ④8.12

  27. 27.다음 회로의 전달 함수(V2/V1)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  28. 28.다음 회로망에서 단자 a, b에서 바라본 테브난 등가저항은 몇 Ω 인가?

    1. ①3
    2. ②7
    3. ③8
    4. ④10

  29. 29.이상적인 전압원의 내부 임피던스 Z는?

    1. ①0Ω
    2. ②∞
    3. ③1Ω
    4. ④50Ω

  30. 30.다음 회로에서 하이브리드 파라메터 h11과 h22은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.Norton의 정리에 대한 설명 중 ( ) 안의 내용으로 바르게 나열된 것은?

    1. ①㉠ 등가 전압원, ㉡ 병렬
    2. ②㉠ 등가 전류원, ㉡ 직렬
    3. ③㉠ 등가 전압원, ㉡ 직렬
    4. ④㉠ 등가 전류원, ㉡ 병렬

  32. 32.그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임피던스(ZL)는?

    1. ①200 + j20
    2. ②20 - j20
    3. ③100 + j100
    4. ④100 - j100

  33. 33.다음 코사인 함수를 푸리에 급수 전개 시 스펙트럼에 대한 내용 중 옳은 것은?

    1. ①진폭 스펙트럼은 구할 수 있으나 위상 스펙트럼은 구할 수 없다.
    2. ②위상 스펙트럼은 구할 수 있으나 진폭 스펙트럼은 구할 수 없다.
    3. ③진폭 스펙트럼과 위상 스펙트럼 모두 구할 수 없다.
    4. ④진폭 스펙트럼과 위상 스펙트럼 모두 구할 수 있다.

  34. 34.다음 변압기 결선 방법 중 제3고조파를 발생하는 것은?

    1. ①△-Y
    2. ②Y-△
    3. ③△-△
    4. ④Y-Y

  35. 35.RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q는? (단, ωr은 공진 각주파수이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  36. 36.다음과 같은 파형의 Laplace 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.부하 임피던스가 ZL = 30 + j40인 회로에서 부하에 실효 전류 Irms = 2A가 흐를 때, 역률은?

    1. ①0.3
    2. ②0.4
    3. ③0.6
    4. ④0.8

  38. 38.다음 RC 저역 필터회로에서 ω = 1/RC 일 때, 위상은?

    1. ①0°
    2. ②+45°
    3. ③-45°
    4. ④+90°

  39. 39.다음 중 레지스턴스와 쌍대 관계가 되는 것은?

    1. ①서셉턴스
    2. ②컨덕턴스
    3. ③어드미턴스
    4. ④리액턴스

  40. 40.의 f(t)는?

    1. ①2e-2t sin t
    2. ②2e-2t cos t
    3. ③2e-t sin 2t
    4. ④2e-t cos 2t

  41. 41.다음 전달특성을 갖는 회로는? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  42. 42.다음 회로에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①구형파를 주기적으로 발생시키는 회로이다.
    2. ②R과 C를 조절함으로써 발생하는 파형의 주파수를 조절할 수 있다.
    3. ③R1과 R2의 값을 조절함에 따라 출력 파형의 주파수를 조절할 수 있다.
    4. ④연산증폭기의 (+)단자의 파형은 정현파이다.

  43. 43.전달 컨덕턴스 증폭기(transconductance amplifier)의 이상적인 특성으로 옳은 것은? (단, Ri는 입력저항, RO는 출력저항이다.)

    1. ①Ri = 0, RO = 0
    2. ②Ri = 0, RO = 무한대
    3. ③Ri = 무한대, RO = 0
    4. ④Ri = 무한대, RO = 무한대

  44. 44.다음 바이어스 회로가 증폭기로 동작한다면, RB는 몇 kΩ 인가? (단, VBE =0.7V, RC = 5kΩ, VCC = 10V, β = 100, IC = 1mA 이다.)

    1. ①135
    2. ②270
    3. ③465
    4. ④930

  45. 45.다음 RC결합 소신호 증폭기에서 저주파수대역과 고주파수대역에서 전압이득이 감소하는 이유로 틀린 것은? (단, 중간주파수대역에서 C1, C2, C3 의 리액턴스를 무시할 수 있다.)

    1. ①고주파수대역에서 C3에 의한 바이어스 효과가 크기 때문에 이득이 감소한다.
    2. ②BJT의 접합용량은 고주파수대역에서 이득감소의 원인이 된다.
    3. ③C1, C2는 저주파에서 그 양단의 전압 강하로 인해서 전압이득을 감소시킨다.
    4. ④RE는 저주파에서 부궤환을 일으켜서 이득을 감소시킨다.

  46. 46.이상적인 발진회로의 발진조건으로 옳은 것은?

    1. ①귀환 루프 이득이 1 보다 커야 한다.
    2. ②귀환 루프 이득이 1 보다 적어야 한다.
    3. ③귀환 루프 위상천이가 0° 이어야 한다.
    4. ④귀환 루프 위상천이가 180° 이어야 한다.

  47. 47.다음 회로의 입출력 특성곡선으로 적절한 것은? (단, R = 10Ω, 다이오드는 이상적인 소자이며, slope는 절댓값이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  48. 48.단접합 트랜지스터(Unijunction Transistor)를 이용한 다음 회로에서 X와 Y점에서 각각 나타나는 전압 파형은?

    1. ①X – 정현파, T – 톱니파
    2. ②X – 톱니파, T – 정현파
    3. ③X – 펄스파, T – 톱니파
    4. ④X – 톱니파, T – 펄스파

  49. 49.어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1 일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB 인가?

    1. ①60
    2. ②80
    3. ③1000
    4. ④10000

  50. 50.다음과 같은 궤환 증폭기의 전체 이득 Xo/Xi 는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  51. 51.미분기의 입력에 삼각파형이 공급되면 출력파형은? (단, 입력전원 및 구성소자의 값은 미분가능영역에 존재한다.)

    1. ①반전된 삼각파
    2. ②정현파
    3. ③구형파
    4. ④직류레벨

  52. 52.전압변동률은 출력전압이 부하변동에 대해 얼마만큼 변화 되는가를 나타내는 것인데 무부하시와 부하 시의 전압 변동률을 △V, 무부하시 출력 전압을 Vo, 부하 시 출력전압을 VL이라 할 때 전압 변동률 △V는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  53. 53.어느 방송국의 송신출력이 15kW, 변조도 1, 안테나의 저항이 50Ω일 때 반송파의 크기는 얼마인가?

    1. ①1 kV
    2. ②9 kV
    3. ③15 kV
    4. ④17 kV

  54. 54.다음 중 BJT의 동작점 Q의 변동에 영향이 적은 것은?

    1. ①온도변화에 의한 ICO 변화
    2. ②온도변화에 의한 VBE 변화
    3. ③BJT의 품질 불균일에 의한 β값 변화
    4. ④회로내의 커패시터값 변화

  55. 55.고역 차단주파수가 1000kHz 인 증폭회로를 2단으로 종속 연결했을 때 종합 고역 차단주파수는 약 몇 kHz 인가?

    1. ①640
    2. ②820
    3. ③1000
    4. ④2000

  56. 56.다음 FET 증폭회로의 소신호 전압이득은? (단, 채널변조효과는 고려하지 않으며 gm = 8mS, RD = 5kΩ 이다.)

    1. ①-10
    2. ②-20
    3. ③-40
    4. ④-50

  57. 57.다음 수정 발진회로의 특징 중 틀린 것은?

    1. ①발진 주파수는 수정 진동자의 공진 주파수(고유 주파수)로 결정된다.
    2. ②발진 주파수가 안정적인 이유는 발진 조건을 만족하는 유동성 주파수의 범위가 매우 좁기 때문이다.
    3. ③수정 진동자의 Q는 매우 좁다.
    4. ④주위 온도의 영향이 적다.

  58. 58.A급 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①출력 전력이 매우 크다.
    2. ②컬렉터 전류는 입력 신호의 전주기 동안 흐른다.
    3. ③동작점은 전달특성 곡선의 차단점 이하에 되게 바이어스를 가해 동작시킨다.
    4. ④일그러짐이 매우 크다.

  59. 59.다음 중 입력 신호의 (+), (-)의 피크를 어느 기준 레벨로 바꾸어 고정시키는 회로는?

    1. ①클램퍼
    2. ②클리퍼
    3. ③리미터
    4. ④필터

  60. 60.다음 연산증폭기를 이용한 회로에서 전류 IL은 몇 mA 인가? (단, V1 = 3V, V2 = 7V, RL = 15kΩ, R1 = R2 = R3 = R4 = 10kΩ이다.)

    1. ①0.1
    2. ②0.2
    3. ③0.4
    4. ④0.8

  61. 61.SCR 소자에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①게이트에 인가된 작은 전류로 Turn-on 할 수 있다.
    2. ②pnpn 구조의 3단자 소자이다.
    3. ③게이트의 극히 작은 전력에 의하여 Turn-on 될 수 있다.
    4. ④Turn-on 이후 게이트 전압을 차단하여 Turn-off 할 수 있다.

  62. 62.홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

    1. ①자장계
    2. ②고저항 측정기
    3. ③전류계
    4. ④분압계

  63. 63.수은등에 들어있는 수은증기의 전리전압은 10.44V 이다. 전자를 충돌시켜서 이것을 전리시키는데 필요한 최소의 전자 속도는? (단, 전자의 질량 m = 9.109×10-31 [kg], 전기량 e = 1.602×10-19 [C])

    1. ①1.92×106[cm/s]
    2. ②3.84×106[cm/s]
    3. ③1.92×106[m/s]
    4. ④3.84×106[m/s]

  64. 64.서미스터(thermistor) 용도로 틀린 것은?

    1. ①트랜지스터 회로의 온도 보상
    2. ②FM 전력계
    3. ③온도 검출
    4. ④발진기

  65. 65.3cm 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e = 1.602×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0 = 8.854×10-12[F/m])

    1. ①0.12 eV
    2. ②0.012 eV
    3. ③0.24 eV
    4. ④0.024 eV

  66. 66.세기가 일정하고 균일한 자장내에 속도가 동일한 양성자, α입자 및 전자가 자력선에 수직한 면으로 입사하였을 때, 각 입자들은 등속 원운동을 한다. 이 때 각 입자들의 궤도 반경의 비는 어떠한가? (단, 전자의 질량은 양성자 질량의 1/1840 이고, rp : 양성자의 궤도반경, rα : α입자의 궤도반경, re : 전자의 궤도반경이다.)

    1. ①rp : rα : re = 1 : 2 :
    2. ②rp : rα : re = 1 : 4 :
    3. ③rp : rα : re = : 1 : 2
    4. ④rp : rα : re = : 4 : 1

  67. 67.건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?

    1. ①캐리어농도의 전압의존성
    2. ②캐리어농도의 온도의존성
    3. ③유효질량의 온도의존성
    4. ④유효질량의 전압의존성

  68. 68.다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?

    1. ①전도대
    2. ②금지대
    3. ③가전자대
    4. ④전기대

  69. 69.다음 중 N형 반도체에서 농도의 관계식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)

    1. ①n = p
    2. ②np = 0
    3. ③n ＜ p
    4. ④n ＞ p

  70. 70.다음 중 PN 접합에 관한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①공간전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 증가한다.
    2. ②공간전하 영역은 불순물 농도에 비례 하여 커진다.
    3. ③접합용량은 역방향 바이어스가 증가하면 커진다.
    4. ④접합용량은 불순물 농도가 증가하면 감소한다.

  71. 71.접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 같게 한다.
    2. ②불순물의 농도는 컬렉터를 가장 크게, 이미터를 가장 작게 한다.
    3. ③베이스 폭은 이미터와 컬렉터의 폭과 비교할 때 비교적 좁게 한다.
    4. ④베이스 폭은 비교적 넓게 하고, 불순물은 많이 넣는다.

  72. 72.터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?

    1. ①부성 저항 특성을 나타낸다.
    2. ②마이크로파 발진용으로 사용된다.
    3. ③공간 전하층이 일반 다이오드 보다 넓다.
    4. ④역바이어스 상태에서 전도성이 양호하다.

  73. 73.페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포함수에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, Ef : 페르미준위, f(E) : 페르미함수, k : 볼쯔만 상수, T : 절대온도 이다.)

    1. ①절대온도 0 K 에서는 E ＞ Ef 이면 f(E) = 0 이 된다.
    2. ②온도에 따라 변화한다.
    3. ③수식표현은 로 나타낸다.
    4. ④Pauli의 배타율을 따른다.

  74. 74.페르미-디랙 분포(Fermi-Dirac distribution)에서 T = 0 K 일 때 분포 함수의 성질로 옳은 것은? (단, Ef : 페르미준위, f(E) = 페르미함수)

    1. ①f(E) = 1, E ＜ Ef
    2. ②f(E) = 1/2, E ＞ Ef
    3. ③f(E) = 1/2, E ＜ Ef
    4. ④f(E) = 1, E ＞ Ef

  75. 75.반도체의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①반도체는 역기전력이 크며 부 온도계수를 갖는다.
    2. ②PN 접합 부근에서는 n에서 p로 전계가 생긴다.
    3. ③직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
    4. ④p형 반도체의 억셉터 원자는 정상 동작온도에서 부전하가 된다.

  76. 76.광전면에서 방출된 전자의 운동에너지는? (단, h는 plank의 상수이고, eø는 광전면의 일함수이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  77. 77.공기 중에서 거리가 r 만큼 떨어진 두 점전하 q1, q2 사이에 작용하는 전기적인 인력은? (단, ε0은 진공의 유전율이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  78. 78.재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 틀린 것은?

    1. ①결정표면의 불균일
    2. ②순도가 높은 결정
    3. ③결정격자의 결함
    4. ④불순물에 의한 격자 결함

  79. 79.발광 다이오드(LED)에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①GaP, GaAsP 등 화합물 반도체로 만들어진다.
    2. ②PN 접합이 순바이어스 되었을 때 전자와 정공의 재결합 과정에서 빛이 발생된다.
    3. ③일반적으로 간접형 반도체로 제작된다.
    4. ④LED에 흐르는 전류에 따라 상대 광도가 선형적으로 변하는 특성을 갖는다.

  80. 80.파울리(pauli)의 배타 원리에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①전자는 낮은 준위의 양자상태에서 높은 준위의 양자 상태로 되려는 성질이 있다.
    2. ②동일한 양자 상태에 다수의 전자가 있기를 원한다.
    3. ③어느 한 원자 내에서 2개의 전자가 같은 양자 상태에 존재할 수 없다.
    4. ④전자의 스핀(spin)은 평형을 이루도록 상호작용을 한다.

  81. 81.다음 마이크로 명령어로 구성되는 명령어는?

    1. ①ADD(더하기)
    2. ②LOAD(인출)
    3. ③JMP(분기)
    4. ④STA(저장)

  82. 82.다음 중 순서도(flowchart) 종류에 해당되지 않는 것은?

    1. ①시스템 순서도(system flowchart)
    2. ②실체 순서도(entity flowchart)
    3. ③상세 순서도(detail flowchart)
    4. ④개략 순서도(general flowchart)

  83. 83.16개의 플립플롭으로 된 시프트 레지스터에 15(10)가 기억되어 있을 때, 3 비트만큼 왼쪽으로 시프트한 결과는?

    1. ①10(10)
    2. ②30(10)
    3. ③60(10)
    4. ④120(10)

  84. 84.C언어에서 변수 앞에 * 기호를 사용하는 데이터형은?

    1. ①array
    2. ②pointer
    3. ③long
    4. ④float

  85. 85.스택 메모리를 이용하여 수식 E = (A + B – C)× D 연산을 하려고 할 때, 연산 명령어 순서로 옳은 것은?

    1. ①SUB → MUL → ADD
    2. ②ADD → MUL → SUB
    3. ③MUL → ADD → SUB
    4. ④ADD → SUB → MUL

  86. 86.2의 보수를 이용하는 8비트 시스템에서 (-15) -3의 연산 결과는?

    1. ①11101101
    2. ②10010010
    3. ③11101110
    4. ④10010001

  87. 87.1024×16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Reigster)과 MBR(Memory Buffer Reigster)의 비트 수는?

    1. ①MAR = 6 bits, MBR = 10 bits
    2. ②MAR = 10 bits, MBR = 6 bits
    3. ③MAR = 10 bits, MBR = 16 bits
    4. ④MAR = 18 bits, MBR = 10 bits

  88. 88.논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?

    1. ①전파 지연시간의 최소화
    2. ②사용 게이트 수의 최소화
    3. ③게이트 종류의 다양화
    4. ④게이트 간 상호변수의 최소화

  89. 89.C 언어에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①C 언어의 기원은 ALGOL에서 찾을 수 있다.
    2. ②뛰어난 이식성을 가지고 있다.
    3. ③분할 컴파일이 가능하다.
    4. ④비트 연산을 지원하지 않는다.

  90. 90.불대수 (A+B)(A+C)를 간략화 하면?

    1. ①ABC
    2. ②A+B+C
    3. ③AB+C
    4. ④A+BC

  91. 91.다음 설명의 입·출력 방식은?

    1. ①직접 제어 방식
    2. ②DMA(Direct Memory Access) 방식
    3. ③프로그램에 의한 I/O 방식
    4. ④인터럽트에 의한 I/O 방식

  92. 92.16×1 멀티플렉서에서 필요한 선택신호는 몇 개인가?

    1. ①1
    2. ②4
    3. ③8
    4. ④16

  93. 93.부동소수점 표현 방식의 설명 중 틀린 것은?

    1. ①고정소수점 표현보다 표현할 수 있는 범위가 넓다.
    2. ②매우 큰 수를 표시하기에 편리하다.
    3. ③수의 표현은 지수부분, 가수부분만으로 구분 표현한다.
    4. ④32비트 길이의 단일정밀도의 지수부는 일반적으로 7개의 비트를 사용한다.

  94. 94.다음 JK 플립플롭의 특성표에서 (a)와 (b)는?

    1. ①(a) = 0, (b) = 0
    2. ②(a) = 0, (b) = 1
    3. ③(a) = 1, (b) = 0
    4. ④(a) = 1, (b) = 1

  95. 95.다음 소프트웨어의 분류 중 성격이 다른 하나는?

    1. ①미들웨어
    2. ②프리웨어
    3. ③쉐어웨어
    4. ④라이트웨어

  96. 96.7-bit 해밍 코드에서 오류를 수정할 때 Parity bit 의 위치는?

    1. ①1, 2, 3번째 비트에 위치한다.
    2. ②1, 2, 4번째 비트에 위치한다.
    3. ③1, 3, 7번째 비트에 위치한다.
    4. ④1, 5, 7번째 비트에 위치한다.

  97. 97.다음과 같은 명령어 형식을 만들기 위해 요구되는 명령의 최소 비트(bit)는?

    1. ①12
    2. ②15
    3. ③17
    4. ④19

  98. 98.사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은?

    1. ①Mask ROM
    2. ②UVEPRROM
    3. ③EPROM
    4. ④EEPROM

  99. 99.다음 karnaugh맵을 간략화 하면?

    1. ①A
    2. ②
    3. ③A + B
    4. ④

  100. 100.다음 중 마스크 연산을 하기 위해 사용하는 게이트는?

    1. ①OR
    2. ②AND
    3. ③EX-OR
    4. ④NOT