S스터디CBT
국가직 9급 · 2021

9급 국가직 공무원 전자공학개론

18문항
2021. 04. 17시행일
20분제한시간

문항 목록

1부울 대수식 F를 다음과 같이 등가변환할 때, 괄호에 들어갈 내용으로 옳은 것은?
3다음 증폭기 회로의 주파수 응답 특성 곡선으로 옳은 것은? (단, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)
43×8 디코더를 사용하는 ROM이 다음과 같을 때, 입력 데이터 A2A1A0가 011로 주어지는 경우 출력 데이터 D3D2D1D0로 옳은 것은? (단, A2가 MSB이고, A0는 LSB이다)
5다음 회로에서 전구에 최대 전력을 전달하기 위한 저항 R[Ω]은?
6입력신호 is(t) = 120sin(106t)[A]를 인가하여 부하 임피던스 ZL에 최대 전력이 전달되도록 다음과 같은 회로를 구성할 때, 옳지 않은 것은? (단, R = 1/3[Ω], C = 4[μF]이다)
7발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
8다음 발진회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, L = 5[μH], C1=C2=1[nF], R = 1[kΩ]이고, 트랜지스터의 내부 커패시터 용량과 입력저항은 무시한다)
9FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
10다음 블록도를 갖는 위상동기회로(PLL, Phase-Locked Loop)에 대한 설명으로 옳은 것은?
11다음 회로에서 제너다이오드에 흐르는 전류 IZ[mA]는? (단, 제너전압은 20[V]이다)
12포화 영역에서 정상적으로 동작하는 MOSFET 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?
13패킷교환망(packet-switched network)의 두 방식인 데이터그램망(datagram network)과 가상회선망(virtual circuit network)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
14BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
15n채널 증가형 MOSFET에서 드레인에 흐르는 전류를 ID라고 할 때, 채널 길이를 0.5배로 줄이고 채널 폭을 2배로 늘리면 드레인에 흐르는 전류는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하고, 산화층 정전용량, 전자 이동도, 문턱 전압, 게이트-소스 간 전압은 변하지 않는다고 가정한다)
16D 플립플롭을 이용한 다음 디지털 논리 회로의 진리표로 옳은 것은? (단, Q(t)와 Q(t+1)은 각각 플립플롭의 현재 상태와 한 클록 에지 후의 상태를 나타낸다)
17다음 회로에서 다이오드 D1에 흐르는 전류 I[mA]는? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다)
18증폭기 회로와 전압이득 특성 곡선이 다음과 같을 때 옳지 않은 것은?
20다음과 같은 귀환 증폭기(feedback amplifier)에서 폐루프 이득(closed-loop gain) Af가 100이라고 가정한다. 만약 개루프 이득(open-loop gain) A가 100배 커졌을 때 Af값이 200으로 바뀌었다면, 이 증폭기의 귀환감쇠율(feedback attenuation factor) β에 가장 근접한 값은? (단, Af는 A와 β에 의해서만 결정된다)

총 18문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요

댓글0

로그인하면 댓글을 남길 수 있어요.

불러오는 중…