문항 목록
1평행판 콘덴서의 판 사이가 진공으로 되어 정전 용량이 C0인 콘덴서가 있다. 이 콘덴서에 유전체를 삽입하여 정전 용량 C를 얻었다. 다음 중 틀린 것은?
2무한 평면 도체표면에서 수직거리 d(m)만큼 떨어진 곳에 점전하 +Q(C)가 있다. 영상전하(image charge)와 평면도체 간에 작용하는 힘 F(N)는?
3유전체의 경계조건에 대한 설명으로 틀린 것은?
4전류에 의한 자계의 방향을 결정해 주는 것은?
50.2 Wb/m2의 평등자재 속에 자계와 직각방향으로 놓인 길이 30cm인 도선을 자계와 30도의 방향으로 30m/s의 속도로 이동시킬 때, 도체 양단에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
6그림과 같이 두 개의 코일이 직렬로 연결되어 있다. 이 회로에 0.5A에 전류를 흘릴 때 이 합성코일에 축적되는 에너지는 몇 J 인가? (단, L1= 20mH, L2 = 40mH, 결합계수 k = 0.5 이다.)
7자기인덕턴스 L의 단위는?
8비유전율 εr = 80, 비투자율 μr = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?
9물(εr=80, μr=1) 속에서 전자파의 속도는 약 몇 m/s인가?
10영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은?
11동심구형 콘덴서의 내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 정전용량은 몇 배로 증가하는가?
12반경 a인 구도체에 –Q의 전하를 주고 구도체의 중심 O에서 10a되는 점 P에 10Q의 점전하를 놓았을 때, 직선 OP위의 점 중에서 전위가 0이 되는 지점과 구도체의 중심 O와의 거리는?
13정전류가 흐르고 있는 무한 직선도체로부터 수직으로 0.1m만큼 떨어진 점의 자계의 크기가 100AT/m 이면 0.2m 만큼 떨어진 점의 자계의 크기(AT/m)는?
14다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
15면적 A(m2), 간격 d(m)인 평행판 콘덴서의 전극판에 비유전율 εr인 유전체를 가득 채웠을 때 전극판 간에 전압 V(V)를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가?
16변위 전류와 가장 관계가 깊은 것은?
17두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m2), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m3)는?
18환성철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?
19자성체에 외부의 자계 H0를 가하였을 때 자화의 세기 J와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.)
20무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.)
21코일과 콘덴서에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은?
22L1 = 20H, L2 = 5H인 전자 결합회로에서 결합계수 K = 0.5일 때 상호인덕턴스 M은 몇 H 인가?
23오버슈트(overshoot)의 정의로 옳은 것은?
24다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
25선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는?
26RL 직렬회롤에서 t=0일 때 직류 전압 100V를 인가하면, 흐르는 전류 i(t)는 몇 A 인가? (단, R = 50Ω, L = 10, i(0) = 0 이다.)
27te-t의 Laplace 변환값은?
28입력신호가 감쇠되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 용어는?
29이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?
30다음 회로에서 전류 i1은 약 몇 A 인가?
31그림과 같은 저역통과 RC회로에 스텝입력전압(step input voltage)을 가했을 때 출력전압의 설명으로 옳은 것은? (단, 커패시터 C의 초기전압은 0 이다.)
320.4mH인 코일에 흐르는 전류가 mA라 하면 t = 0 일 때 코일 양단전압의 절대치는 몇 V 인가?
33다음 전류파형의 실효치(RMS)는?
34전압 e(t) = e-t + 2e-2t의 라플라스 변환 E(s)는?
35다음의 단위 임펄스 함수(unit impulse function) δ(t)에 관한 설명으로 옳은 것은?
36어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01s 사이에 일정하게 50A로부터 30A로 변할 때, 20V의 기전력이 발생한다고 하면 자기인덕턴스는 몇 mH인가?
37다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?
38RLC 병렬공진회로에 대한 양호도(Qo : Quality factor)의 표현으로 옳은 것은?
391000mH인 코일의 리액턴스가 377Ω일 때 주파수는 약 몇 Hz인가?
40다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)
41레큘레이터 IC의 정전압조정기가 무부하 출력전압 10.55V, 최대 부하 출력전압 10.49V 일 때, 백분율로 표현된 부하전압 변동률은 약 몇 % 인가?
42다이오드에 대한 설명 중 틀린 것은?
43다음의 단상반파 정류회로에서 입력신호가 e = √2·100·sin(50×2πt) V일 때, 직류 전압 평균치 Edc는 약 몇 V 인가? (단, R = 10Ω이고, 다이오드는 이상적인 소자)
44펄스 반복주파수 600Hz, 펄스폭 1.5μs인 펄스의 충격계수 D(Duty factor)는?
45다음 연산증폭기 회로에서 출력 임피던스는 약 몇 Ω인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50Ω 이다.)
46슬루 레이트(slew rate)의 단위는?
47연산증폭기를 이용한 가중가산기(weighted-sum)에서 Rf=30kΩ이고, vo = -(v1+2v2+3v3)일때 R1, R2, R3는 각각 얼마인가?
48발진 회로의 발진의 조건을 옳은 것은?
49단위이득주파수 fT가 125MHz인 트랜지스터가 대역폭 주파수 영역에서 전압이득이 26dB인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 가질 수 있는 대역폭은 약 몇 MHz인가? (단, 저역 차단주파수는 없다.)
50다음은 이상적인 연산 증폭기를 사용한 차동증폭기이다. 출력전압 Vo는 몇 V 인가?
51다음의 트랜지스터 회로에서 VCC가 10V, RB가 300kΩ이고 RC가 1kΩ일 때, 베이스전류 IB 컬렉터-이미터 전압 VCE로 옳은 것은? (단, VBE = 0.7V이고, β = 100 이다.)
52출력 전압파형이 입력파형과 똑같은 형태를 갖는 증폭기는? (단, 위상 무시)
53이 회로의 동작으로 적절한 논리식은?
54전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
55부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
56아래는 7 세그면트 LED 디스플레이의 진리표이다. a~g의 세그먼트 중에서 d세그먼트를 동작시키기 위한 출력 Yd의 논리회로의 식은? (단, 1010 ~ 1111은 don't care 조건이다.)
57트랜지스터 회로가 선형영역에서 동작할 때의 관계식으로 틀린 것은?
58B급 푸시풀(push-pull) 증폭기의 직류 공급 전력은? (단, VCC는 공급 전압, Im은 최대 컬렉터 전류이다.)
59어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB인가?
60다음 회로의 입출력 특성곡선으로 적절한 것은? (단, R = 10Ω, 다이오드는 이상적인 소자이며, slope은 절댓값이다.)
61접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?
62다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?
63진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
64물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
65열전자 방출을 할 때 전계에 의해서 일함수가 적어져서 열전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?
66터널 효과의 가능성을 나타내는 원리는 어느 것인가?
67어느 열음극의 일함수(work functuon)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?
68순방향 바이어스전압이 PN접합 다이오드 양단에 인가될 때 공핍층 가까이에서 소수캐리어의 농도의 변화는 어떻게 되는가?
69터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?
70트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게 하는 이유로 가장 적절한 것은?
71광도전 반도체 소자는?
72다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
735600Å의 파장을 가진빛이 광전면에 투사되어 방출된 광전자의 최대 에너지가 0.68eV 이라고 하면 광전면의 일함수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 = 6.6×10-34 [J·S], 광속도 = 3×108m/s, e = 1.6×10-19 [C])
74학산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T 간의 관계식으로 옳은 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)
75균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린 것은?
76어떤 도체의 단면을 1A의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.1초 동안에 통과하는 전자 수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10-19[C]이다.)
77P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
78Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)
79바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
80홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
81서브루핀을 호출하는 “CALL” 명령어가 실행되는 동안에 수행되는 동작이 아닌 것은?
82시프트레지스터에 대한 설명 중 틀린 것은?
83어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?
84고급 프로그래밍 언어가 기계어가 되기까지의 처리 순서로 적절한 것은?
858진수 (375.24)8를 10진수의 표현으로 옳은 것은?
86다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?
87서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?
88interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?
89홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)
90다음 프로그램을 수행했을 때 그의 결과는 무엇인가?
91분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 –75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?
92다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
93중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?
94RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?
95다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?
96주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
97다음의 C 프로그램을 무엇을 입력한 것인가?
9816개의 레지스터를 가진 CPU는 몇 비트의 레지스터 지정 필드를 가져야 하는가?
99우선순위에 의한 중재 방식 중 중재 동작이 끝날 때마다 모든 마스터들의 우선순위가 한단계씩 낮아지고 가장 낮았던 마스터가 최상위 우선순위를 가지는 방식은?
100다음 중 RAM에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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