국가직 9급 · 2019

9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2019-04-06)

총 20문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.이상적인 연산증폭기의 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①반전 입력단자와 비반전 입력단자 사이의 입력측 저항은 무한대이다.
    2. ②출력단자와 접지면 사이에서 출력측 저항은 0이다.
    3. ③전류이득의 크기는 무한대이다.
    4. ④주파수 대역폭이 무한대이다.

  2. 2.PN 접합 다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①순방향 바이어스가 인가되면 공핍영역 폭이 넓어진다.
    2. ②순방향 바이어스가 인가되면 P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.
    3. ③역방향 바이어스가 증가하면 접합부 정전용량은 작아진다.
    4. ④역방향 바이어스가 증가하면 공핍영역의 양이온과 음이온 사이에 발생하는 전계의 세기는 감소한다.

  3. 3.다음 회로에서 출력전압 Vout[V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다.)

    1. ①－1
    2. ②0
    3. ③1
    4. ④2

  4. 4.다음 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q1의 컬렉터－이미터 전압 VCE[V]는? (단, βDC ＝100, VBE ＝0.7 [V]이다)

    1. ①1.5
    2. ②2
    3. ③2.5
    4. ④3

  5. 5.귀환발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①초기 트리거 신호가 주어진 후 외부 입력신호가 지속적으로 인가되지 않더라도 특정 주파수를 갖는 파형을 만들어내는 회로이다.
    2. ②특정 주파수에서 발진이 지속적으로 유지되기 위해서는 폐귀환 루프이득(loop gain)의 크기가 1이고, 루프의 위상변이(phase shift)가 0°이어야 한다.
    3. ③RC 귀환발진기와 LC 귀환발진기는 모두 정현파(sinusoidal waveform)를 만들 수 있다.
    4. ④귀환발진기 회로의 양호도(Q factor)는 파형 크기의 안정성(amplitude stability)을 나타낸다.

  6. 6.다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.
    2. ②게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.
    3. ③전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.
    4. ④드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.

  7. 7.다음 디지털 논리게이트에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, VDD＝ ＋5 [V]이고, 입력과 출력은 논리적 ‘1’일 때 V＝＋5 [V], ‘0’일 때 V＝0 [V]이다)

    1. ①두 개의 NMOS로 구성된 OR 게이트
    2. ②두 개의 PMOS로 구성된 NOR 게이트
    3. ③두 입력 A와 B가 모두 논리적 ‘0’일 때만 출력 ‘1’을 만족하는 NOR 게이트
    4. ④두 입력 A와 B가 모두 논리적 ‘1’일 때만 출력 ‘0’을 만족하는 NAND 게이트

  8. 8.다음 JFET 증폭회로의 전압이득의 크기는? (단, 트랜지스터 자체의 출력저항 ro는 무시한다.)

    1. ①8
    2. ②16
    3. ③32
    4. ④48

  9. 9.다음 회로의 전달함수가 인 조건을 만족하는 C[㎌]은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, Rin ＝R ＝ 100 [ kΩ]이다)

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③4
    4. ④5

  10. 10.다음 디지털 논리회로에서 출력 Y＝A＋B라고 할 때, P3P2P1P0의 값은?

    1. ①1001
    2. ②1011
    3. ③1110
    4. ④1101

  11. 11.실효전압 10 [V]의 교류전원에 8 [Ω]의 저항과 6 [Ω]의 유도 리액턴스를 직렬로 연결할 때, 유효전력[W]와 역률은? (순서대로 유효전력, 역률_

    1. ①6, 0.6
    2. ②6, 0.8
    3. ③8, 0.6
    4. ④8, 0.8

  12. 12.상승 에지에서 트리거 되는 D－플립플롭으로 구성된 다음 회로에서 120 [kHz]의 클록이 입력 A에 인가될 때, 출력 B의 주파수[kHz]는? (단, 플립플롭의 전파지연 시간은 무시한다)

    1. ①15
    2. ②40
    3. ③120
    4. ④360

  13. 13.다음 정류기(rectifier)에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①출력되는 파형은 음의 값을 갖는다.
    2. ②다이오드 브리지회로를 통과한 파형의 주파수는 입력주파수보다 낮다.
    3. ③입력신호의 반주기마다 신호를 출력하는 반파정류기(half-wave rectifier)이다.
    4. ④부하저항 RL에 커패시터 C 가 병렬로 추가됨으로써 정류된 파형의 변동을 줄여 준다.

  14. 14.다음 회로에서 출력전압 Vout[V]는?

    1. ①5
    2. ②7.5
    3. ③10
    4. ④12.5

  15. 15.그림과 같은 선형 시불변 시스템 H1, H2, H3가 각각 임펄스 응답함수 h1(t), h2(t), h3(t)를 갖는다고 할 때, 점선으로 표시한 등가시스템 H에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①시스템 H의 특성은 시간에 상관없이 일정한 특성을 나타낸다.
    2. ②시스템 H의 임펄스 응답은 h1(t)h2(t)＋h3(t)이다.
    3. ③시스템 H에 입력신호 x(t －a)를 인가하였을 때 어떠한 상수 a에 대해서도 출력은 y(t －a)로 나타난다.
    4. ④시스템 H에 입력신호를 bx(t)로 인가하였을 때 어떠한 상수 b에 대해서도 출력은 by(t)로 나타난다.

  16. 16.다음 회로의 기능과 커패시터 C 의 역할을 바르게 연결한 것은? (순서대로 기능, C의 역할)

    1. ①AM(Amplitude Modulation), 직류 차단
    2. ②AM(Amplitude Modulation), 고주파 신호 차단
    3. ③FM(Frequency Modulation), 고주파 신호 차단
    4. ④FM(Frequency Modulation), 직류 차단

  17. 17.PNP BJT소자가 활성영역에서 동작할 때, 베이스에 흐르는 전류(IB)를 구성하는 성분에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①이미터와 컬렉터에서 넘어온 전자들로 베이스의 남는 잉여전자를 방출하기 위한 전자에 의한 전류
    2. ②이미터 접합에 가해진 순방향 전압에 의해 베이스에서 이미터로 주입되는 전자에 의한 전류
    3. ③베이스 중성영역을 확산에 의해 통과하는 동안 손실된 재결합 전류로서 베이스 단자에서 주입되는 전자에 의한 전류
    4. ④컬렉터 공핍영역 내에서 열생성된 전자가 전계에 의해 드리프트(drift)되어 베이스로 공급되는 전자에 의한 전류

  18. 18.선형 시불변 시스템의 라플라스 영역 전달함수가 이고 다음과 같은 가 입력신호로 인가될 때, 출력신호 y(t)로 옳은 것은? (단, 입력신호는 0초 이전부터 계속 인가되고 있다)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  19. 19.다음 그림 (가)의 회로에 그림 (나)의 신호가 인가될 때, 출력 Vout은? (단, 연산증폭기는 이상적이며 초기 Vout ＝10 [V]이다)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.다음 중 출력 Y의 논리식이 같은 논리회로만을 모두 고르면?

    1. ①ㄱ, ㄴ
    2. ②ㄱ, ㄴ, ㄷ
    3. ③ㄱ, ㄷ, ㄹ
    4. ④ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ