전자기사 · 2018

전자기사 (2018-04-28)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.대전 도체 표면전하밀도는 도체 표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?

    1. ①표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
    2. ②표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
    3. ③표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.
    4. ④표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.

  2. 2.Biot-Savart의 법칙에 의하면, 전류소에 의해서 임의의 한 점(P)에 생기는 자계의 세기를 구할 수있다. 다음 중 설명으로 틀린 것은?

    1. ①자계의 세기는 전류의 크기에 비례한다.
    2. ②MKS 단위계를 사용할 경우 비례상수는 1/4π이다.
    3. ③자계의 세기는 전류소와 점 P와의 거리에 반비례한다.
    4. ④자계의 방향은 전류소 및 이 전류소와 점 P를 연결하는 직선을 포함하는 면에 법선방향이다.

  3. 3.일정전압의 직류전원에 저항을 접속하여 전류를 흘릴 때, 저항값을 20% 감소시키면 흐르는 전류는 처음 저항에 흐르는 전류의 몇 배가 되는가?

    1. ①1.0배
    2. ②1.1배
    3. ③1.25배
    4. ④1.5배

  4. 4.내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  5. 5.무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①내부 자장은 평등자장이다.
    2. ②외부 자장은 평등자장이다.
    3. ③내부 자장의 세기는 0이다.
    4. ④외부와 내부의 자장의 세기는 같다.

  6. 6.N회 감긴 환상코일의 단면적이 S(m2)이고 평균 길이가 ℓ(m)이다. 이 코일의 권수를 2배로 늘이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

    1. ①길이를 2배로 한다.
    2. ②단면적을 1/4로 한다.
    3. ③비투자율을 1/2배로 한다.
    4. ④전류의 세기를 4배로 한다.

  7. 7.x ＞ 0인 영역에 ε1=3인 유전체, x ＜ 0인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계가 E2 = 20ax + 30ay - 40az V/m 일 때, 유전율 ε1인 영역에서의 전계 E1(V/m)은?

    1. ①ax + 30ay - 40az
    2. ②20ax + 90ay - 40az
    3. ③100ax + 10ay - 40az
    4. ④60ax + 30ay - 40az

  8. 8.자기회로에서 키르히호프의 법칙으로 알맞은 것은? (단, R : 자기저항, ø : 자속, N : 코일 권수, I : 전류이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.전계 (V/m)의 평면 전자파가 있다. 진공 중에서 자계의 실효값은 몇 A/m 인가?

    1. ①0.707 × 10-3Ee
    2. ②1.44 × 10-3Ee
    3. ③2.65 × 10-3Ee
    4. ④5.37 × 10-3Ee

  10. 10.공기 중에서 코로나방전이 3.5kV/mm 전계에서 발생된다고 하면, 이 때 도체의 표면에 작용하는 힘은 약 몇 N/m2 인가?

    1. ①27
    2. ②54
    3. ③81
    4. ④108

  11. 11.매질 1의 μs1=500, 매질 2의 μs2=1000이다. 매질 2에서 경계면에 대하여 45°의 각도로 자계가 입사한 경우 매질 1에서 경계면과 자계의 각도에 가장 가까운 것은?

    1. ①20°
    2. ②30°
    3. ③60°
    4. ④80°

  12. 12.유전율이 ε인 유전체 내에 있는 점전하 Q에서 발산되는 전기력선의 수는 총 몇 개인가?

    1. ①Q
    2. ②Q / ε0εs
    3. ③Q / εs
    4. ④Q / ε0

  13. 13.대지의 고유저항이 ρ(Ω∙m)일 때 반지름 a(m)인 그림과 같은 반구 접지극의 접지저항(Ω)은?

    1. ①ρ / 4πa
    2. ②ρ / 2πa
    3. ③2πρ / a
    4. ④2πρa

  14. 14.반지름 a(m)의 원형 단면을 가진 도선에 전도전류 ic=Icsin2πft(A)가 흐를 때 변위전류밀도의 최대값 Jd는 몇 A/m2가 되는가? (단, 도전율은 σ(S/m)이고, 비유전율은 εr이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  15. 15.공기 중에서 1m 간격을 가진 두 개의 평행 도체 전류의 단위길이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 전류는 1A라고 한다.)

    1. ①2 × 10-7
    2. ②4 × 10-7
    3. ③2π × 10-7
    4. ④4π × 10-7

  16. 16.전하밀도 ρs(C/m2)인 무한 판상 전하분포에 의한 임의 점의 전장에 대하여 틀린 것은?

    1. ①전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
    2. ②전장의 세기는 거리 r에 반비례한다.
    3. ③전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
    4. ④전장의 세기는 전하밀도 ρs에 비례한다.

  17. 17.히스테리시스 곡선에서 히스테리시스 손실에 해당하는 것은?

    1. ①보자력의 크기
    2. ②잔류자기의 크기
    3. ③보자력과 잔류자기의 곱
    4. ④히스테리시스 곡선의 면적

  18. 18.한 변의 길이가 ℓ(m)인 정사각형 도체 회로에 전류 I(A)를 흘릴 때 회로의 중심점에서 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  19. 19.무한장 직선 전류에 의한 자계의 세기(AT/m)는?

    1. ①거리 r에 비례한다.
    2. ②거리 r2에 비례한다.
    3. ③거리 r에 반비례한다.
    4. ④거리 r2에 반비례한다.

  20. 20.다음 (가), (나)에 대한 법칙으로 알맞은 것은?

    1. ①(가)패러데이의 법칙, (나)렌츠의 법칙
    2. ②(가)렌츠의 법칙, (나)패러데이의 법칙
    3. ③(가)플레밍의 왼손법칙, (나)패러데이의 법칙
    4. ④(가)패러데이의 법칙, (나)플레밍의 왼손법칙

  21. 21.그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임피던스(ZL)의 값은?

    1. ①20+j20
    2. ②20-j20
    3. ③100+j100
    4. ④100-j100

  22. 22.인덕턴스 0.01H의 코일에 전압 100V인 교류신호를 가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는 몇 A 인가? (단, 주파수는 50㎐이다.)

    1. ①28.8 ∠ 90°
    2. ②28.8 ∠ -90°
    3. ③31.8 ∠ 90°
    4. ④31.8 ∠ -90°

  23. 23.단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③1 / jω
    4. ④ejωt

  24. 24.2개의 4단자 회로를 연결했을 때 전체 임피던스 파라미터가 각각의 임피던스 파라미터의 합으로 표시되었다면 2개의 4단자 회로에 연결 상태로 옳은 것은?

    1. ①병렬 접속되어 있다.
    2. ②직렬 접속되어 있다.
    3. ③직병렬 접속되어 있다.
    4. ④단락상태로 되어 있다.

  25. 25.t=0일 때 스위치를 닫으면 C에 걸리는 전압의 과도현상을 올바르게 표현한 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  26. 26.에서 정저항 회로가 되기 위한 조건으로 옳은 것은? (단, A0, A1, B0, B1은 ω의 함수로 실수이다.)

    1. ①A0B0 = A1B1
    2. ②A0A1 = B0B1
    3. ③A0B1 = A1B0
    4. ④항상 정저항 회로이다.

  27. 27.컨덕턴스가 G = G0 + 2G1cosω0t인 회로에 정현파 전압 V = V0ejωt을 인가할 때, 전류의 주파수 성분이 아닌 것은?

    1. ①ω
    2. ②ω - ω0
    3. ③ω + ω0
    4. ④ω × ω0

  28. 28.내부 임피던스가 순저항 50Ω인 전원과 450Ω의 순저항 부하 사이에 임피던스 정합을 위한 이상변압기의 권선비 N1 : N2는?

    1. ①1 : 2
    2. ②1 : 3
    3. ③2 : 3
    4. ④1 : 4

  29. 29.다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)

    1. ①(e-t - e-2t)u(t)
    2. ②u(t)
    3. ③(e-t + e-2t)u(t)
    4. ④u(t)

  30. 30.이상변압기의 합성인덕턴스는 얼마인가?

    1. ①24[H]
    2. ②36[H]
    3. ③54[H]
    4. ④68[H]

  31. 31.단위 계단함수 u(t)을 라플라스 변환하면?

    1. ①1
    2. ②1/s
    3. ③s
    4. ④ts

  32. 32.두 개의 코일 L1과 L2을 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100mH이고, 반대방향으로 접속 하였더니 합성인덕턴스가 40mH 였다. 이때, L1=60mH이면 결합계수(K)는 약 얼마인가?

    1. ①0.5
    2. ②0.6
    3. ③0.7
    4. ④0.8

  33. 33.회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0+)로 적절한 것은? (단, t＜0 에서 vC=3V이다.)

    1. ①vL(0+)=2V, vC(0+)=3V
    2. ②vL(0+)=0V, vC(0+)=0V
    3. ③vL(0+)=0V, vC(0+)=3V
    4. ④vL(0+)=2V, vC(0+)=0V

  34. 34.다음 회로를 테브난의 등가회로로 변환하였을 때, 개방 단자전압(Vab)은 몇 V 인가?

    1. ①2V
    2. ②3V
    3. ③4V
    4. ④5V

  35. 35.어떤 회로에서 단자전압이 v=40sinωt+20sin(2ωt+30°)+10sin(3ωt+60°)일 때 실효치는 약 얼마인가?

    1. ①3.24
    2. ②32.4
    3. ③4.58
    4. ④45.8

  36. 36.위상 정수 β가 π/2 [rad/m]인 선로에 대해 10[MHz]의 주파수를 인가한 경우 위상 속도 v[m/s]와 파장 λ[m]을 구하면?

    1. ①v = 4 × 107, λ = 4
    2. ②v = 8 × 107, λ = 8
    3. ③v = 4 × 107, λ = π/4
    4. ④v = 8 × 107, λ = π/2

  37. 37.다음 그림과 같은 RLC 병렬공진회로에서 공진주파수(fr)은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  38. 38.다음 T형 회로에 대한 임피던스 파라미터인 개방 순방향 전달 임피던스(Z21)의 값으로 옳은 것은?

    1. ①3
    2. ②4
    3. ③5
    4. ④7

  39. 39.라플라스 변환식 의 역변환은?

    1. ①e-t sin2t
    2. ②e-t sint
    3. ③e-2t sin7t
    4. ④e-2t sin5t

  40. 40.다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  41. 41.전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①C급의 효율은 70~90% 정도이다.
    2. ②전력효율(η)은 (교류출력÷교류입력)×100%이다.
    3. ③최대 컬렉터손실이란 트랜지스터의 내부에서 빛에너지로 소비되는 최대전력을 말한다.
    4. ④A급의 효율이 가장 낮아 전력증폭기에는 사용하지 못하고 단지 반송파 증폭이나 체배용으로 사용을 한다.

  42. 42.전계효과트랜지스터(FET) 소신호 모델에서 전달 컨덕턴스(gm)은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  43. 43.브리지 전파정류회로에서 출력전압 VO의 전압은 몇 V 인가? (단, AC 입력 전압 Vin은 실효값이 220V이다.)

    1. ①220[V]
    2. ②311[V]
    3. ③440[V]
    4. ④560[V]

  44. 44.다음 전감산기의 진리표에서 출력차(D)와 자리빌림수(B)는?

    1. ①㉠ : 0, ㉡ : 1, ㉢ : 0, ㉣ : 1
    2. ②㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 1
    3. ③㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 1, ㉣ : 0
    4. ④㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 0

  45. 45.그림과 같은 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q3의 용도로 올바르게 표현한 것은?

    1. ①트랜지스터 Q1과 Q2의 온도보상용
    2. ②트랜지스터 Q1과 Q2의 바이어스 안정용
    3. ③트랜지스터 Q1과 Q2의 구동용
    4. ④트랜지스터 Q1과 Q2의 증폭도 안정용

  46. 46.공통 베이스 증폭기의 특징이 아닌 것은?

    1. ①전압이득이 아주 크기 때문에 단독으로 전압증폭기를 사용한다.
    2. ②전류이득은 1에 가까운 값을 가진다.
    3. ③매우 작은 입력저항을 가진다.
    4. ④소신호 출력저항이 매우 크다.

  47. 47.그림과 같은 플립플롭의 입력단자 T에 클록펄스가 인가될 경우 출력 (Q(t+1))은? (단, 현재 값을 Q(t)로 가정한다.)

    1. ①T=0일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
    2. ②T=0일 때 출력은 알 수가 없다.
    3. ③T=1일 때 출력은 현재 값을 유지하여 출력한다.
    4. ④T=1일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.

  48. 48.슈미트 트리거 회로에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①입력과 출력 전압을 비교하는 전압 비교 회로에 이용된다.
    2. ②입력 전압의 크기에 따라서 2개 트랜지스터 출력의 on, off를 번갈아 가며 안정상태를 유지하는 쌍안정 회로에 이용된다.
    3. ③입력의 아날로그 신호를 출력에서는 디지털신호로 변환하므로, A/D 변환 회로에 이용된다.
    4. ④입력 신호의 파형은 주로 펄스 파형을 사용하고 가끔씩 정현파 교류전압을 사용한다.

  49. 49.다음 그림과 같은 연산 증폭기의 기능은 무엇인가?

    1. ①미분회로
    2. ②가산회로
    3. ③감산회로
    4. ④적분회로

  50. 50.다음 논리회로를 간략화 한 논리회로는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  51. 51.다이오드를 사용한 정류회로에서 여러 개의 다이오드를 직렬로 연결사용하여 얻어지는 효과로 가장 올바른 것은?

    1. ①다이오드의 내부 전압강하를 감소시킬 수 있다.
    2. ②리플을 감소시킨다.
    3. ③다이오드를 과도전압으로부터 보호할 수 있다.
    4. ④전류용량을 증가시킨다.

  52. 52.다음 회로에서 그림과 같은 파형이 입력되었을 때 출력파형의 형태는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  53. 53.다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?

    1. ①NAND
    2. ②NOR
    3. ③AND
    4. ④NOT

  54. 54.반파 정류된 파형의 평균값은? (단, 입력 전압은 Vp가 1V인 정현파로 가정한다.)

    1. ①1V / π
    2. ②√2 V / π
    3. ③2V / π
    4. ④3V / π

  55. 55.귀환회로에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①귀환 증폭기의 폐루프 이득이 귀환율에 의해 결정된다.
    2. ②귀환회로에 의해서 결정되는 안정된 폐루프 이득을 갖게 된다.
    3. ③출력과 귀환신호의 비를 귀환율이라 한다.
    4. ④부귀환 증폭기는 출력신호의 위상이 입력신호의 위상과 동위상인 시스템이다.

  56. 56.트랜지스터의 스위칭 작용에 의해서 발생된 펄스 파형에서 turn-on 시간은?

    1. ①하강시간
    2. ②상승시간 + 지연시간
    3. ③축적시간 + 하강시간
    4. ④축적시간

  57. 57.적분회로로 사용이 가능한 회로는?

    1. ①고역통과 RC 회로
    2. ②대역통과 RC 회로
    3. ③대역소거 RC 회로
    4. ④저역통과 RC 회로

  58. 58.다음 회로에서 VCE = 6.5V이 되기 위한 귀환 저항기(Rb)의 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 VBE=0.7V, β=100이다.)

    1. ①약 129㏀
    2. ②약 275㏀
    3. ③약 319㏀
    4. ④약 421㏀

  59. 59.수정발진기는 수정의 임피던스가 어떠한 성질을 가지게 될 때 가장 안정된 발진을 계속하는가?

    1. ①저항성
    2. ②근접성
    3. ③유도성
    4. ④표유 용량성

  60. 60.PLL(phase locked loop)주파수 합성기(frequency synthesizer)의 주요 성능 평가 파라미터에 속하지 않는 것은?

    1. ①동기성능
    2. ②위상잡음
    3. ③의사잡음
    4. ④루프이득

  61. 61.어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?

    1. ①그 물질을 압축시킨다.
    2. ②그 물질에 빛을 조사한다.
    3. ③그 물질에 전자를 충돌시킨다.
    4. ④그 물질에 열을 가한다.

  62. 62.도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)

    1. ①VH = RH⋅B⋅J
    2. ②VH = RH⋅B/J
    3. ③VH = RH⋅J/B
    4. ④VH = RH / B⋅J

  63. 63.pnp 트랜지스터의 이미터 효율을 정의한 것은?

    1. ①정공전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
    2. ②전자전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
    3. ③정공전류성분 + 전자전류성분 / 정공전류성분
    4. ④정공전류성분 + 전자전류성분

  64. 64.반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 가진다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?

    1. ①도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
    2. ②도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
    3. ③도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
    4. ④도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.

  65. 65.다음 보기의 설명이 나타내는 것은?

    1. ①보어의 이론
    2. ②빈의 변위법칙
    3. ③파울리의 배타율
    4. ④에너지 보존법칙

  66. 66.외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?

    1. ①전도대 바로 아래에 위치해 있다.
    2. ②가전자대 바로 아래에 위치해 있다.
    3. ③금지대 바로 아래에 위치해 있다.
    4. ④전도대 중앙에 위치해 있다.

  67. 67.진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
    2. ②Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
    3. ③Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
    4. ④Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.

  68. 68.반도체의 특성에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①정의 온도계수를 갖는다.
    2. ②자기효과를 갖는다.
    3. ③불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
    4. ④금속과의 접촉 및 다른 종류의 반도체와의 접합에서 정류작용을 한다.

  69. 69.원자에서 최외각전자 1개를 떼어낼 때 필요한 에너지, 즉 전자를 떼어서 무한대 거리까지 가져가는데 필요한 에너지는 무엇인가?

    1. ①운동에너지
    2. ②위치에너지
    3. ③이온화에너지
    4. ④광자의 에너지

  70. 70.다음과 같은 원리와 관계되는 것은?

    1. ①홀 효과(Hall effect)
    2. ②콤프턴 효과(Compton effect)
    3. ③쇼트키 효과(Schottky effect)
    4. ④흑체방사(black body radiation)

  71. 71.2×104[m/s]의 속도로 운동하는 전자의 드-브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626 × 10-34[J·s], 전자의 질량은 9.1 × 10-31[kg]이다.)

    1. ①1.21 × 10-16 [m]
    2. ②1.82 × 10-26 [m]
    3. ③1.64 × 1034 [m]
    4. ④3.64 × 10-8 [m]

  72. 72.저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

    1. ①2차 분포함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포함수
    3. ③Bose-Einstein 분포함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포함수

  73. 73.다음 중 Pauli의 배타율 원리가 만족되는 분포함수는?

    1. ①Maxwell-Boltzmann
    2. ②Fermi-Dirac
    3. ③Schrödinger
    4. ④Einstein

  74. 74.MOSFET의 채널폭이 공픽층 길이와 거의 같은 크기일 때, 필드 산화막 아래에서 축적된 전하에 의해 문턱전압이 증가하는 효과를 무엇이라고 하는가?

    1. ①Kirk 효과
    2. ②감압효과
    3. ③협폭효과
    4. ④터널효과

  75. 75.n 채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

    1. ①전자의 확산 현상
    2. ②정공의 확산 현상
    3. ③정공의 드리프트 현상
    4. ④전자의 드리프트 현상

  76. 76.가전자대의 전자밀도가 1022[m-3]인 금속에 전류밀도가 106[A/m2]인 전류가 흐른다면 드리프트 속도는?

    1. ①6.25 × 104m/s]
    2. ②6.25 × 10-4[m/s]
    3. ③6.25 × 102[m/s]
    4. ④6.25 × 10-2[m/s]

  77. 77.열평형 상태인 pn접합 다이오드에서 p영역의 전자밀도를 np 라 하면, n영역의 전자농도 nn은? (단, VO는 전위장벽, K는 볼츠만 상수, T는 절대온도이다.)

    1. ①nn = npe-(qVo/kT)
    2. ②nn = npln( )
    3. ③nn = npln( )
    4. ④nn = npeqVo/kT

  78. 78.건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?

    1. ①캐리어농도의 전압의존성
    2. ②캐리어농도의 온도의존성
    3. ③유효질량의 온도의존성
    4. ④유효질량의 전압의존성

  79. 79.pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)

    1. ①이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
    2. ②공핍층이 더 넓어진다.
    3. ③공핍층이 좁아진다.
    4. ④공핍층이 없어진다.

  80. 80.태양광을 DC 전기에너지로 변환하는데 사용하는 반도체 pn접합 소자를 무엇이라 하는가?

    1. ①배리스터
    2. ②태양전지
    3. ③플래시 메모리
    4. ④레이저 다이오드

  81. 81.레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?

    1. ①Complement
    2. ②Rotate
    3. ③Shift
    4. ④Move

  82. 82.1024 × 16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?

    1. ①MAR=6bits, MBR=10bits
    2. ②MAR=10bits, MBR=6bits
    3. ③MAR=10bits, MBR=16bits
    4. ④MAR=18bits, MBR=10bits

  83. 83.FIFO 구조를 가지는 자료의 구조는?

    1. ①QUEUE
    2. ②STACK
    3. ③TREE
    4. ④GRAPH

  84. 84.메모리에 관한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①캐시메모리는 주로 주기억장치만으로 부족한 용량을 보조하기 위한 용도로 사용된다.
    2. ②RAM은 휘발성 메모리이다.
    3. ③ROM은 읽기 전용 메모리이다.
    4. ④Dynamic RAM은 주기적인 재충전(Refresh)이 필요한 메모리이다.

  85. 85.입출력 장치의 인터럽트 신호공급 방식이 아닌것은?

    1. ①폴링(polling) 방식
    2. ②데이지 체인(daisy chain) 방식
    3. ③메모리 어드레스 레지스터(memory address register) 방식
    4. ④벡터 인터럽트(vector interrupt) 방식

  86. 86.입출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①DMA방식은 입출력장치가 CPU를 거치지 않고 직접 메모리에 연결하여 필요한 정보를 서비스 받는 방식이다.
    2. ②인터럽트 입출력 방식은 CPU가 입출력 상태를 항상 선별하여 정보전송을 하는 방식이다.
    3. ③프로그램 입출력 방식은 입출력장치의 자료 대기시간이 전체 시스템의 효율을 저하시킴으로 빠른 자료전송을 요구하는 경우에는 사용이 어렵다.
    4. ④DMA는 Direct Memory Access의 약어이다.

  87. 87.어셈블리 언어에서 서브루틴을 사용할 때 미리 고려할 사항으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①스택 영역을 확보한다.
    2. ②스택포인터를 초기화한다.
    3. ③레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
    4. ④서브루틴 실행 후 복귀(return)할 번지를 프로그래머가 사전에 결정한다.

  88. 88.CPU의 명령어 구성에서 연산코드(OP코드) 필드가 8 비트라면 총 몇 개의 명령어를 수행할 수 있는가?

    1. ①64
    2. ②128
    3. ③256
    4. ④512

  89. 89.니모닉코드로 나타나 있는 명령어를 기계가 알 수 있는 2진수로 변환하는 기능을 하는 프로그램은?

    1. ①Assembler
    2. ②Compiler
    3. ③Interpreter
    4. ④Processor

  90. 90.스택(Stack)의 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①주로 0-주소(Zero-Address) 명령어를 수행하기 위한 자료구조로 사용된다.
    2. ②길이가 가변적이다.
    3. ③LIFO(Last In First Out)의 특징을 갖는다.
    4. ④스택의 탑(Top)에 데이터를 입력하는 동작을 POP이라 한다.

  91. 91.데이터 인출(Data Fetch)을 위해서 메모리를 참조할 필요가 없는 명령어의 주소지정방식은?

    1. ①직접 주소지정(Direct Addressing)
    2. ②간접 주소지정(Indirect Addressing)
    3. ③레지스터 주소지정(Register Addressing)
    4. ④즉시 주소지정(Immediate Addressing)

  92. 92.CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?

    1. ①ALU(Arithmetic Logic Unit)
    2. ②IR(Instruction Register)
    3. ③PC(Program Counter)
    4. ④MAR(Memory Address Register)

  93. 93.CPU의 연산장치에 속하는 레지스터가 아닌것은?

    1. ①프로그램 카운터
    2. ②누산기
    3. ③시프트 레지스터
    4. ④가산기

  94. 94.컴파일러에 의해 컴파일 된 목적프로그램의 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①사용자가 이해하기 쉬운 프로그램이다.
    2. ②어셈블러를 거쳐서 기계어로 번역된 프로그램이다.
    3. ③CPU가 직접 해독 할 수 없다.
    4. ④고급 언어에 해당하며 객체 지향적인 프로그램이다.

  95. 95.마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③EX-OR
    4. ④NOR

  96. 96.다음의 프로그래밍 언어 중 객체지향 언어에 속하지 않는 것은?

    1. ①JAVA
    2. ②C#
    3. ③PASCAL
    4. ④Smalltalk

  97. 97.컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나열한 것은?

    1. ①번역 → 적재 → 실행
    2. ②번역 → 실행 → 적재
    3. ③적재 → 실행 → 번역
    4. ④적재 → 번역 → 실행

  98. 98.마이크로프로세서의 특징이라고 볼 수 없는 것은?

    1. ①뛰어난 처리 속도
    2. ②설계상 변화가 용이
    3. ③구조 변경의 어려움
    4. ④TTL과 ECL 사용

  99. 99.(42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?

    1. ①20
    2. ②21
    3. ③84
    4. ④85

  100. 100.다음 논리도가 나타내는 회로는?

    1. ①half-adder
    2. ②full-adder
    3. ③half-subtracter
    4. ④full-subtracter
전자기사 (2018-04-28) 문제지 인쇄 | 스터디CBT