전자기사 · 2018

전자기사 (2018-09-15)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.자계의 세기를 표시하는 단위와 관계 없는 것은?

    1. ①A/m
    2. ②N/Wb
    3. ③Wb/h
    4. ④Wb/H·m

  2. 2.질량 m=5×10-10[kg]이고, 전하량 q=2.5×10-8[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도를 a=103i +102j 라 하면 전장은?

    1. ①E = i + 10j
    2. ②E = 20i + 2j
    3. ③E = 15i + 10j
    4. ④E = 10-2i + 10-7j

  3. 3.두 종류의 유전율(ε1, ε2)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ1, θ2는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E1, E2가 이루는 각이다.)

    1. ①E1sinθ1=E2sinθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
    2. ②E1cosθ1=E2cosθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
    3. ③E1sinθ1=E2sinθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
    4. ④E1cosθ1=E2cosθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,

  4. 4.자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①투자율에 반비례한다.
    2. ②자기회로의 단면적에 비례한다.
    3. ③자기회로의 길이에 반비례한다.
    4. ④단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다.

  5. 5.높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?

    1. ①도전율 관계임
    2. ②유전율 관계임
    3. ③투자율 관계임
    4. ④분극률 관계임

  6. 6.스토크스(Stokes)의 정리를 표시하는 일반식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  7. 7.평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2 사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?

    1. ①E2 = E1
    2. ②E2 = 2E1
    3. ③E2 = 4E1
    4. ④E2 = E1 / 4

  8. 8.코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10A 변화할 때 코일 B에 10V의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?

    1. ①1/0.3
    2. ②1/3
    3. ③1/30
    4. ④1/300

  9. 9.전계 E(V/m)가 두 유전체의 경계면에 평행으로 작용하는 경우 경계면의 단위면적당 작용하는 힘은 몇 N/m2 인가? (단, ε1, ε2는 두 유전체의 유전율이다.)

    1. ①f = E2(ε1-ε2)
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.자기 벡터포텐셜 (Wb/m) 일 때, , 1 ＜ ρ ＜ 2m, 0 ＜ Z ＜ 5m 표면을 통과하는 전 자속은 몇 Wb 인가?

    1. ①2.75
    2. ②3.25
    3. ③3.75
    4. ④4.25

  11. 11.반지름 a(m), 권수 N, 길이 ℓ(m)인 무한히 긴 공심 솔레노이드의 인덕턴스는 몇 H 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  12. 12.자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3ax-6ay+2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Ei의 크기는 몇 [V/m] 인가?

    1. ①En = 2, Ei = 3
    2. ②En = 7, Ei = 0
    3. ③En = -6, Ei = 0
    4. ④En = 3, Ei = -6

  13. 13.도체 내에서 변위전류의 영향을 무시할 수 있는 조건은? (단, K : 도전도(導電度) 또는 도전율, ε : 유전율, f : 교번 전자계의 주파수이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.공기 중의 원점의 점전하에서 0.5m, 2m 거리의 전위가 각각 30V, 15V일 때 1m 거리인 점의 전위는 몇 V 인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①15
    2. ②17.5
    3. ③20
    4. ④22.5

  15. 15.전기력선의 성질에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①전기력선은 등전위면과 평행하다.
    2. ②전기력선은 도체 표면과 직교한다.
    3. ③전기력선은 도체 내부에 존재할 수 있다.
    4. ④전기력선은 전위가 낮은 점에서 높은 점으로 향한다.

  16. 16.같은 방향의 전류가 흐르는 두 무한 직선 전류가 일정한 거리 떨어져 있을 때 한 무한 직선 전류에 의해 작용되는 다른 무한직선 전류의 전자력은?

    1. ①두 무한 직선전류의 방향으로 작용한다.
    2. ②두 무한 직선전류와 수직방향이며 흡인력이다.
    3. ③두 무한 직선전류간의 거리에 반비례하며 반발력이다.
    4. ④두 무한 직선전류의 곱에 비례하고 거리의 제곱에 반비례한다.

  17. 17.전장이 E=ix2+jy2로 주어질 때 전력선의 궤적 방정식을 나타내는 식은? (단, C는 상수이다.)

    1. ①y = Cx
    2. ②y = Clnx
    3. ③
    4. ④

  18. 18.반지름 a(m)의 원주도체(투자율 μ) 내부에 균일하게 전류 I(A)가 흐를 때 도체의 단위길이에 저장되는 내부 에너지는 몇 J/m 인가?

    1. ①μI2 / 8π
    2. ②μaI2 / 8π
    3. ③μI2 / 16π
    4. ④μaI2 / 16π

  19. 19.대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?

    1. ①h에 비례한다.
    2. ②h2에 비례한다.
    3. ③h에 반비례한다.
    4. ④h2에 반비례한다.

  20. 20.히스테리시스 곡선의 기울기는 다음의 어떤 값에 해당하는가?

    1. ①투자율
    2. ②유전율
    3. ③자화율
    4. ④감자율

  21. 21.그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  22. 22.교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?

    1. ①
    2. ②L = CR1R2
    3. ③
    4. ④

  23. 23.그림의 회로에서 일정 전압(E)에 대해서 L을 변화시킬 때 선로 전류 (I)는 일 경우 어떻게 되는가?

    1. ①최대가 된다.
    2. ②최소가 된다.
    3. ③지수 함수 형태가 된다.
    4. ④변하지 않는다.

  24. 24.지수함수 e-at의 라플라스 변환은?

    1. ①1 / (S+a)
    2. ②1 / (S-a)
    3. ③S + a
    4. ④S - a

  25. 25.테브난의 정리와 쌍대의 관계가 있는 것은?

    1. ①밀만의 정리
    2. ②중첩의 정리
    3. ③노튼의 정리
    4. ④상사 정리

  26. 26.그림과 같은 T형 회로에서 단자 1-1' 측에서 바라본 개방 임피던스(Z1O) 및 단락 임피던스(Z1S)를 구하면 각각 몇 Ω 인가?

    1. ①Z1O=1000, Z1S=51
    2. ②Z1O=100, Z1S=500
    3. ③Z1O=1000, Z1S=36
    4. ④Z1O=1000, Z1S=510

  27. 27.RL 및 RC 회로의 과도 상태에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①t=0 일 때 C는 단락 상태가 된다.
    2. ②시정수가 크면 정상 상태에 빨리 도달한다.
    3. ③t=0 일 때 L은 개방 상태가 된다.
    4. ④변화하지 않는 저항만의 회로에서는 과도현상이 없다.

  28. 28.선형 회로망에서 단자 a, b 간에 200V의 전압을 가할 때 c, d에 흐르는 전류가 10A이었다. 반대로 같은 회로에서 c, d간에 100V를 가하면 a, b에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

    1. ①2.5
    2. ②15
    3. ③10
    4. ④5

  29. 29.그림과 같은 회로의 입력 전압의 위상은 출력 전압의 위상에 비해 어떻게 되는가?

    1. ①앞선다.
    2. ②뒤진다.
    3. ③같다.
    4. ④앞설 수도 있고 뒤질 수도 있다.

  30. 30.하이브리드 h파라미터 중 V1=h11I1+h12V2, I2=h21I1+h22V2가 주어졌을 때 단락 순방향 전류 이득은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 테브난 등가저항의 크기는?

    1. ①3Ω
    2. ②5Ω
    3. ③8Ω
    4. ④12Ω

  32. 32.정현파 전압이 인가된 회로의 일부에 Z1, Z2가 직렬로 연결되어 있을 때 교류 전압계로서 Z1, Z2 각각의 양단 전압을 측정하였더니 둘 다 100V 이고, Z1, Z2 전체의 양단 전압이 0V 이면 다음 설명 중 옳은 것은?

    1. ①Z1, Z2 모두 R이다.
    2. ②Z1, Z2중 하나는 C, 또 하나는 R일 것이다.
    3. ③Z1, Z2 중 하나는 L, 또 하나는 R일 것이다.
    4. ④Z1, Z2 중 하나는 C, 또 하나는 L일 것이다.

  33. 33.의 최종치 정리의 결과값은?

    1. ①4
    2. ②2
    3. ③1
    4. ④0

  34. 34.상수 A를 푸리에 변환(Fourier Transform)하면?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③2πAδ(w)
    4. ④Aδ(w)

  35. 35.기본파의 30%인 제2고조파와 20%인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?

    1. ①0.24
    2. ②0.28
    3. ③0.32
    4. ④0.36

  36. 36.저항 3Ω, 유도 리액턴스 4Ω의 직렬회로에 60Hz의 정현파 전압 180V를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?

    1. ①26A
    2. ②36A
    3. ③45A
    4. ④60A

  37. 37.정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류 했을 때의 평균값은?

    1. ①Vm / π
    2. ②Vm / √2
    3. ③Vm / 2
    4. ④2Vm / π

  38. 38.RLC 직렬 회로에서 페이저도(phasor diagram)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.회로에서 결합계수가 K일 때 상호인덕턴스 M은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③M = KL1L2
    4. ④

  40. 40.그림과 같은 페이저(phasor)도가 있을 때 등가 임피던스를 구하면?

    1. ①38.3 + j30.4
    2. ②28.3 + j28.3
    3. ③20.5 + j20.5
    4. ④61.3 + j57.8

  41. 41.전압 증폭기에서 A가 기본 증폭회로의 이득이고, β가 귀환회로의 이득일 때, 전압이득이 증가되는 조건은?

    1. ①| 1-βA | = 0
    2. ②| 1-βA | ＜ 0
    3. ③| 1-βA | ＞ 0
    4. ④| 1-βA | ＜ 1

  42. 42.변압기의 1차 전압(Vin)이 100Vrms이고, 입력과 출력의 권선비가 10:1일 때, 브리지 정류기에 사용되는 정류다이오드의 최대 역 전압(PIV)은 몇 V 인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①9.3
    2. ②8.4
    3. ③13.44
    4. ④12.74

  43. 43.다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?

    1. ①-3.3V ~ +3.3V
    2. ②-4.4V ~ +4.4V
    3. ③-5.5V ~ +5.5V
    4. ④-6.6V ~ +6.6V

  44. 44.다음 중 발진회로에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?

    1. ①발진회로는 정귀환 회로로 이루어져 있다.
    2. ②발진조건은 귀환율 β=1 이다.
    3. ③위상 변위(phase-shift) 발진기의 귀환 회로는 출력신호의 위상이 180도 변위가 일어나도록 구성되어 있다.
    4. ④발진이 잘 일어나게 하기 위해서는 개방 루프 이득(open loop gain)을 이론치보다 약간 높게 설정한다.

  45. 45.발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①항온조 시설을 한다.
    2. ②정전압 회로를 설치한다.
    3. ③주파수 체배기를 사용한다.
    4. ④온도 보상용 부품을 사용한다.

  46. 46.그림의 회로에서 R1, R2, R3, Rf가 각각 2kΩ, 3kΩ, 1kΩ, 9kΩ 일 때, 중첩의 원리를 사용하여 출력전압(VO)을 구하면?

    1. ①VO = 3v1+2v2
    2. ②VO = 2v1+3v2
    3. ③VO = 6v1+4v2
    4. ④VO = 4v1+6v2

  47. 47.저주파 증폭기의 직류 입력은 2kV, 400mA 이고, 효율은 80%일 때 부하에서 나타나는 전력은?

    1. ①640W
    2. ②600W
    3. ③480W
    4. ④320W

  48. 48.트랜지스터의 직류증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①hre의 온도변화
    2. ②hfe의 온도변화
    3. ③VBE의 온도변화
    4. ④ICO의 온도변화

  49. 49.RC 결합 소신호 증폭기에서, 고역 주파수 응답을 구하는 식으로 옳은 것은? (단, 중역이득은 Am이고, 고역차단 주파수는 fh이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  50. 50.단위 이득 주파수(fT)가 260MHz인 트랜지스터가 중간 영역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?

    1. ①2.7MHz
    2. ②3.5MHz
    3. ③5.2MHz
    4. ④25.4MHz

  51. 51.베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(αo)과 차단 주파수(fo)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동작할 때 전류 증폭율(α)은?

    1. ①0.642
    2. ②0.434
    3. ③0.542
    4. ④0.145

  52. 52.다이오드와 커패시터를 사용하여 입력전압의 2배, 3배, 4배로 증가시키는 회로는?

    1. ①클리퍼 회로
    2. ②클램퍼 회로
    3. ③체배기 회로
    4. ④적분기 회로

  53. 53.다음 회로에 vi=100sinwt의 입력이 가해질 경우 출력파형의 형태와 최대치 전압으로 가장 적합한 것은? (단, D1, D2는 이상적인 다이오드이다.)

    1. ①정현파, 약 10V
    2. ②구형파, 약 10V
    3. ③정현파, 약 40V
    4. ④구형파, 약 40V

  54. 54.다음 중 플립플롭과 같은 기능을 가지는 회로는?

    1. ①무안정 멀티바이브레이터
    2. ②슈미트 트리거
    3. ③쌍안정 멀티바이브레이터
    4. ④단안정 멀티바이브레이터

  55. 55.빈 브리지 발진기에서 R=3.3kΩ, C=5nF일 때 발진 주파수는 몇 kHz 인가?

    1. ①9.65
    2. ②8.54
    3. ③6.53
    4. ④10.56

  56. 56.베이스 변조와 비교한 컬렉터 변조의 특징으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①조정이 어렵다.
    2. ②변조효율이 좋다.
    3. ③대전력 송신기에 적합하다.
    4. ④높은 변조도에서 일그러짐이 적다.

  57. 57.다음 회로는 한 쌍의 이미터 폴로어가 직렬로 연결된 달링턴 증폭기이다. 전압이득은 1에 근사한 값인데 달링턴 증폭기가 많이 사용되는 이유는?

    1. ①입력 임피던스가 높고 출력 임피던스도 높기 때문
    2. ②입력 임피던스는 높고 출력 임피던스는 낮기 때문
    3. ③입력 임피던스는 낮고 출력 임피던스는 높기 때문
    4. ④입력 임피던스가 낮고 출력 임피던스도 낮기 때문

  58. 58.다음과 같은 클램프(Clamp)회로의 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드는 이상적이고, RC의 시정수는 대단히 크다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  59. 59.비안정 멀티바이브레이터 회로에서 출력 전압의 파형은?

    1. ①구형파
    2. ②정현파
    3. ③삼각파
    4. ④스텝파

  60. 60.전원 정류 회로의 리플 함유율을 작아지게 하는 방법으로서 가장 적당한 것은?

    1. ①출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.
    2. ②출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.
    3. ③입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.
    4. ④입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.

  61. 61.Ge과 비교하였을 때, Si의 장점이 아닌 것은?

    1. ①이동도(mobility)가 크다.
    2. ②안정된 SiO2을 만들 수 있다.
    3. ③금지대(forbidden gap)가 크기 때문에 온도 특성이 우수하다.
    4. ④선택된 작은 부분에서 불순물의 농도를 조절할 수 있다.

  62. 62.열전자 방출현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?

    1. ①Einstein의 관계식
    2. ②Langmuir-Child의 관계식
    3. ③Richardson-Dushmann의 관계식
    4. ④Schottky의 관계식

  63. 63.광전자 방출에 관한 특징과 거리가 먼 것은?

    1. ①방출전자의 개수는 빛의 세기에 비례한다.
    2. ②방출전자의 초속도는 빛의 세기에 의하여 변화된다.
    3. ③빛을 조사한 즉시 전자가 방출한다.
    4. ④방출전자의 개수 및 속도는 광범한 온도 범위에서 온도와 관계없이 일정하다.

  64. 64.전자의 수가 33인 원자의 가전자 수는?

    1. ①2개
    2. ②3개
    3. ③4개
    4. ④5개

  65. 65.어떤 물질에 일정한 진동수의 X선을 비추면 그 물질에 의해 산란된 X선 중에서 입사 X선보다 파장이 긴 X선 성분이 포함되는 현상을 무엇이라고 하는가?

    1. ①광전효과
    2. ②초전효과
    3. ③콤프턴효과
    4. ④기전효과

  66. 66.pn 접합이 충분히 역바이어스 되어있는 경우 접합용량(junction capacitance)과 역바이어스 전압(V)과의 관계로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  67. 67.광전자 방출 현상에서 방출된 전자의 운동에너지(Ek)는 다음과 같이 표시된다. 여기서 Ew는 무엇을 의미 하는가? (단, ν는 광자의 주파수, h는 프랭크(plank) 상수이다.)

    1. ①광전물질의 일함수
    2. ②광자의 충돌 에너지
    3. ③광전물질의 열에너지
    4. ④광전물질 내부의 전자 에너지

  68. 68.반도체의 자유전자는 전도대에 있고, 결합전자는 가전자대에 있을 경우 틀리게 설명한 것은?

    1. ①정공은 가전자대에만 있다.
    2. ②정공은 주로 전도대에 있다.
    3. ③가전자대는 거의 충만 되어 있다.
    4. ④전도대로 전이된 전자는 가전자대에 정공을 만든다.

  69. 69.27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1eV 상위 및 하위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, 볼츠만의 상수(k)는 1.38×10-23 [J/K]이다.)

    1. ①상위 : 0.01, 하위 : 0.99
    2. ②상위 : 0.02, 하위 : 0.98
    3. ③상위 : 0.09, 하위 : 0.91
    4. ④상위 : 0.10, 하위 : 0.90

  70. 70.양자역학의 보어(Bohr) 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은? (단, 주양자수는 n이다.)

    1. ①n에 비례한다.
    2. ②n2에 비례한다.
    3. ③1/n 에 비례한다.
    4. ④1/n2 에 비례한다.

  71. 71.서미스터(Thermistor) 소자에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①반도체로 만들어진다.
    2. ②저항 온도계수가 항상 +(양)의 값이다.
    3. ③온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.
    4. ④온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상 등에 사용된다.

  72. 72.반도체에 관한 효과에 따른 용도가 틀리게 짝지어진 것은?

    1. ①자기 효과 : 홀소자
    2. ②제베크 효과 : 열전대
    3. ③펠티에 효과 : 전자냉각
    4. ④외부 광전 효과 : 광전도 셀

  73. 73.열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(po)와 전도대 전자농도(no)를 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
    2. ②온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
    3. ③불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
    4. ④불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.

  74. 74.MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①입력 임피던스가 크다.
    2. ②저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
    3. ③제작이 간편하고, IC화하기에 적합하다.
    4. ④사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.

  75. 75.진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?

    1. ①n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
    2. ②n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
    3. ③n은 Eg에 반비례한다.
    4. ④n은 Eg에 비례한다.

  76. 76.접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.
    2. ②hFE는 베이스 폭에 비례한다.
    3. ③hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.
    4. ④hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.

  77. 77.전계에 의하여 일함수가 작아져 열전자 방출이 쉬워지는 효과는?

    1. ①쇼트키(Schottky) 효과
    2. ②펠티에(Peltier) 효과
    3. ③제벡(Seebeck) 효과
    4. ④홀(Hall) 효과

  78. 78.진공 속의 알루미늄(Al) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 필요한 최소에너지는 얼마인가? (단, 알루미늄의 일함수는 4.08eV이다.)

    1. ①4.08[J]
    2. ②2.55×10-19[J]
    3. ③6.53×10-19[J]
    4. ④2.70×10-33[J]

  79. 79.pn 접합에 관한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①p형 반도체와 n형 반도체를 접촉하여 만든 것이다.
    2. ②한 개의 단 결정에 억셉터와 도너 불순물을 혼합하여 만든 것이다.
    3. ③단결정 반도체 내에서 도너 불순물이 많은 영역과 억셉터 불순물이 많은 영역이 접합되어 있는 것이다.
    4. ④별개의 단결정체에 억셉터 불순물과 도너 불순물을 도핑하여 만든 것을 접촉한 것이다.

  80. 80.가전자대의 전자밀도가 1025[m-3 ]인 금속에 전류밀도가 107[A/m2 ]인 전류가 흐르면, 이때의 드리프트 속도는 몇 m/s 인가?

    1. ①0.31
    2. ②6.25
    3. ③31.00
    4. ④62.50

  81. 81.MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
    2. ②맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
    3. ③2진수의 보수
    4. ④8진수의 보수

  82. 82.다음 순서도 기호의 기능은?

    1. ①처리
    2. ②시작과 끝
    3. ③반복
    4. ④비교·판단

  83. 83.캐시메모리의 적중(Hit)률이 0.9, 캐시메모리 접근시간이 50ns, 주기억장치 접근시간이 400ns일 때, 평균 기억장치 접근시간은 얼마인가? (단, 캐시 적중여부 판별에 소요되는 시간은 무시한다.)

    1. ①120ns
    2. ②85ns
    3. ③67.5ns
    4. ④53.5ns

  84. 84.n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 옳게 나타낸 것은?

    1. ①-2n ~ 2n-1
    2. ②-2n-1 ~ 2n-1
    3. ③-2n-1 ~ (2n-1-1)
    4. ④-(2n-1-1) ~ (2n-1-1)

  85. 85.2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①고정소수점(fixed point) 표현 방식보다 수를 표현할 수 있는 범위가 넓다.
    2. ②지수(exponent)를 사용하여 소수점의 범위를 넓게 이동시킬 수 있다.
    3. ③소수점 이하의 수를 나타내는 가수(mantissa)의 비트수가 늘어나면 정밀도가 증가한다.
    4. ④IEEE 754 부동소수점 표준 중 64비트 복수 정밀도 형식은 32비트 지수를 가진다.

  86. 86.1비트의 전가산기는 3개의 입력 A, B, Ci 와 2개의 출력 Sum, Cout로 구성된다. A=0, B=1, Ci=0일 때 출력의 값은?

    1. ①Sum=0, Cout=0
    2. ②Sum=0, Cout=1
    3. ③Sum=1, Cout=0
    4. ④Sum=1, Cout=1

  87. 87.한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?

    1. ①간접 주소지정방식
    2. ②직접 주소지정방식
    3. ③상대 주소지정방식
    4. ④인덱스 주소지정방식

  88. 88.목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?

    1. ①compiler
    2. ②assembler
    3. ③interpreter
    4. ④micro-assembler

  89. 89.push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?

    1. ①MBR
    2. ②queue
    3. ③stack
    4. ④cache

  90. 90.JK 플립플롭에서 J=1, K=0으로 입력될 때 Q(t+1) 상태는?

    1. ①먼저 내용에 대한 complement로 된다.
    2. ②먼저 내용이 그대로 남는다.
    3. ③1로 변한다.
    4. ④0으로 변한다.

  91. 91.프로그램 카운터가 명령의 주소 부분과 더해져서 유효 주소가 결정되는 주소지정 방식은?

    1. ①절대주소지정방식
    2. ②직접주소지정방식
    3. ③상대주소지정방식
    4. ④간접주소지정방식

  92. 92.다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?

    1. ①자료가 기억된 장소에 직접 혹은 간접으로 사상시킬 수 있는 주소가 기억된 장소에 사상시키는 주소
    2. ②주소에 상수 또는 레지스터에 기억된 주소의 일부분을 계산 또는 접속시켜서 사상시키는 주소
    3. ③명령어 내에 가지고 있는 데이터를 계산한 자료자신에 대하여 사상시키는 주소
    4. ④자료가 기억된 장소에 직접 사상시킬 수 있는 주소

  93. 93.다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?

    1. ①6
    2. ②5
    3. ③4
    4. ④2

  94. 94.다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?

    1. ①즉치(immediate) 주소지정
    2. ②오퍼랜드 주소지정
    3. ③레지스터 주소지정
    4. ④인덱스 주소지정

  95. 95.기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성요소가 아닌 것은?

    1. ①연산부(ALU)
    2. ②제어부(control unit)
    3. ③주소 버스(address bus)
    4. ④레지스터부(registers)

  96. 96.LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?

    1. ①플라즈마(Plasma)
    2. ②CRT(Cathode Ray Tube)
    3. ③TFT(Thin Film Transistor)
    4. ④HGC(Hercules Graphic Card)

  97. 97.T형 플립플롭을 사용하여 5단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?

    1. ①5개
    2. ②16개
    3. ③32개
    4. ④64개

  98. 98.범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합하거나 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시 프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 정비한 것은?

    1. ①Problem State
    2. ②PSW(Program Status Word)
    3. ③Interrupt
    4. ④Program library

  99. 99.어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 가장 관계없는 것은?

    1. ①label
    2. ②mnemonic
    3. ③operand
    4. ④procedure

  100. 100.4비트 데이터를 1의 보수로 표현할 수 있는 수의 범위는?

    1. ①-7 ~ +7
    2. ②-8 ~ +7
    3. ③-7 ~ +8
    4. ④-8 ~ +8