문항 목록
1그림과 같이 반지름 a(m)의 한번 감긴 원형코일이 균일한 자속밀도 B(Wb/m2)인 자계에 놓여 있다. 지금 코일 면을 자계와 나란하게 전류 I(A)를 흘리면 원형코일이 자계로부터 받는 회전 모멘트는 몇 N･m/rad인가?
2그림과 같이 단면적 S=10[cm2], 자로의 길이 =20π[cm], 비유전율 μs=1000인 철심에 N1=N2=100인 두 코일을 감았다. 두 코일사이의 상호인덕턴스는 몇 mH 인가?
3다음 조건들 중 초전도체에 부합되는 것은?(단, μr은 비투자율, xm은 비자화율, B는 자속밀도이며 작동온도는 임계온도 이하라 한다.)
4자속밀도 10Wb/m2 자계 중에 10cm 도체를 자계와 30°의 각도로 30m/s 로 움직일 때, 도체에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
5내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?
640V/m인 전계 내의 50V되는 점에서 1C의 전하가 전계 방향으로 80cm 이동하였을 때, 그 점의 전위는 몇 V 인가?
71μA의 전류가 흐르고 있을 때, 1초 동안 통과하는 전자 수는 약 몇 개 인가?(단, 전자 1개의 전하는 1.602×10-19C 이다.)
8내압 1000V 정전용량 1μF, 내압 750V 정전용량 2μF, 내압 500V 정전용량 5μF인 콘덴서 3개를 직렬로 접속하고 인가전압을 서서히 높이면 최초로 파괴되는 콘덴서는?
9평면도체 표면에서 r(m)의 거리에 점전하 Q(C)이 있을 때 이 전하를 무한원까지 운반하는데 필요한 일은 몇 J 인가?
10역자성체에서 비투자율(μs)은 어느 값을 갖는가?
11비유전율 εr1, εr2인 두 유전체가 나란히 무한평면으로 접하고 있고, 이 경계면에 평행으로 유전체의 비유전율 εr1내에 경계면으로부터 d(m)인 위치에 선전하 밀도 ρ(C/m)인 선상전하가 있을 때, 이 선전하와 유전체 εr2간의 단위 길이당의 작용력은 몇 N/m 인가?
12유전율이 εr1, εr2인 (F/m)인 유전체 경계면에 단위면적당 작용하는 힘은 몇 N/m2 인가?(단, 전계가 경계면에 수직인 경우이며, 두 유전체의 전속밀도 D1=D2=D이다.)
13진공 중에 균일하게 대전된 반지름 a(m)인 선전하 밀도 λl(C/m)의 원환이 있을 때, 그 중심으로부터 중심축상 x(m)의 거리에 있는 점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
14점전하에 의한 전계는 쿨롱의 법칙을 사용하면 되지만 분포되어 있는 전하에 의한 전계를 구할 때는 무엇을 이용하는가?
15x=0인 무한평면을 경계면으로 하여 x＜0인 영역에는 비유전율 εr1=2, x＞0인 영역에는 εr2=4인 유전체가 있다. εr1인 유전체내에서 전계 E1=20ax-10ay+5az(V/m)일 때 x＞0인 영역에 있는 εr2인 유전체내에서 전속밀도 D2(C/m2)는? (단, 경계면상에는 자유전하가 없다고 한다.)
16평면파 전파가 E=30cos(109t+20z)jV/m로 주어 졌다면 이 전자파의 위상 속도는 몇 m/s인가?
17공기 중에 있는 지름 6cm인 단일 도체구의 정전용량은 약 몇 pF 인가?
18한 변의 길이가 10cm인 정사각형 회로에 직류전류 10A가 흐를 때, 정사각형의 중심에서의 자계 세기는 몇 A/m 인가?
19패러데이관(Faraday tube)의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?
20균일하게 원형단면을 흐르는 전류 I(A)에 의한, 반지름 a(m), 길이 ℓ(m), 비투자율 μs인원통도체의 내부 인덕턴스는 몇 H 인가?
211μF인 정전용량을 가지는 콘덴서에 실효값 1414V, 주파수 10kHz, 위상각 0°인 전압을 가했을 때, 순시값 전류는 약 몇 A 인가?
22다음과 같은 회로에서 t=0에서 스위치(K)가 닫혔다. 전류의 파형이 오실로스코프에 나타났을 때 전류의 초기값이 10mA로 측정되었을 경우, i(t)의 식으로 옳은 것은?
23그림과 같은 주기성을 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는 몇 A 인가?
24감쇄계수(Damping factor) ζ가 0.05인 RL직렬 공진회로의 선택도(Q) 값은?
25감쇄여현파 함수 5-5tcos2t의 라플라스 변환은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
26상수 1을 Fourier로 변환하면?
27RLC 직렬회로가 유도성 회로일 경우에 대한 설명 중 옳은 것은?
28이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 수식으로 표현한 경우 틀린 것은?
29교류 전압 220 V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz 이다.)
30그림의 회로망에서 는?
3110μF인 콘덴서에 v=2sin2π10t[V]의 전압을 인가할 때, t=0에서의 전류는 몇 mA 인가?
322단자 임피던스 함수가 일 때 극점(pole)은?
33I1=2j3I2=1+j 일 때 합성 전류의 크기(I)는 몇 A 인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
34이상적인 전류원의 내부 임피던스(Z)의 값으로 옳은 것은?
35어떤 회로망의 4단자정수가 A=8, B=j2, D=3+j2 이면 이 회로망의 C는?
36아래 회로는 어떤 필터에 해당하는가?
37임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?
38단위계단함수의 라플라스 변환은?
39다음의 회로망에서 a, b간의 단자전압이 50V이고 a,b에서 본 임피던스가 6+j8[Ω]이다. a, b 단자에 임피던스 Ż=2-j2[Ω]을 연결하였을 때 흐르는 전류는 몇 A 인가?
40그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. 스위치(S)가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 몇 H 인가?
41트랜지스터가 차단 상태일 때의 조건은? (단, IC는 컬렉터 전류, IE는 이미터 전류, ICO는 컬렉터 차단전류이다.)
42FET와 BJT의 전기적 특성을 비교했을 때 적합하지 않은 것은?
43A급 증폭기에 대한 설명 중 틀린 것은?
44JK 플립플롭의 현재 상태(Qn)가 0 일 때 입력이 J=1, K=1이라면 다음 상태(Qn+1)는?
45직렬형 전압조정기 회로에서 출력전압은? (단, 제너전압 VR은 5.1V 이고, R1=1kΩ, R2=R3=10kΩ이다.)
46미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?
47다음 그림과 같은 IC 555 타이머를 이용한 펄스발생회로에서 Vcc=5V, R1=10kΩ, R2=10kΩ, CT=0.02μF, C=0.01μF일 때, 출력파형의 펄스폭(τ)과 주파수(f)는 얼마인가?(단, 다이오드의 순방향 저항은 0으로 간주하고 ln2=0.7로 적용한다.)
48다음 회로도 설명 중 가장 적당한 것은?
49수정발진기의 특징으로 가장 적합한 것은?
503배 전압기의 입력 전압이 10Vs일 때 직류 출력의 최대값은 약 몇 V 인가?
51연산증폭기를 이용한 슈미트(Schmitt) 트리거회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
52그림의 BJT 증폭기의 소신호 모델에서 전압이득(Av)는?
53다음 회로 중 입력 신호의 (+), (-)의 피크를 어느 기준 레벨로 바꾸어 고정시키는 회로는?
54다음 정전압회로에서 입력전압이 18V, 제너전압이 10V, 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25mA, 부하저항이 100Ω일 때 저항(R1)은 몇 Ω인가?
55다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
56JK 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글 되는 플립플롭은?
57트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수(fa)는?
58어떤 증폭기의 개(open)루프 중간영역 이득(Aopen-loop(mid))가 150000을 가지고, 개루프 3[dB] 대역폭은 200Hz이다. 귀환 루프 감쇠율(B)은 0.002이다. 폐루프 대역폭(BWclosed-loop)은 얼마인가?
59이미터 접지 증폭기 회로에서 이미터 바이패스 콘덴서가 제거되면 어떤 현상이 생기는가?
60다음 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력 파형으로 옳은 것은?(단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)
61Fermi Dirac 분포함수에 구성요소가 아닌 것은?
62레이저(LASER)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
63실리콘으로 된 pn 접합에서 단면적이 0.5 mm2 이고 공간전하 영역의 폭이 2×10-4cm일 때 공간 전하용량은 약 몇 pF 인가?(단, 실리콘의 비유전율은 12, 진공의 유전율은 8.85×10-12[F/m]이다.
64접합 트랜지스터를 실제로 응용하기 위한 요구조건이 아닌 것은?
65서지 전압에 대한 보호용 회로에서 사용되고 전압에 의해 저항이 크게 변하는 비직선성을 가지는 가변저항 소자는?
66광도전 효과를 이용한 도전체가 아닌 것은?
67나트륨(Na)의 한계주파수는 4.35×1014Hz이다. 나트륨의 일함수는 약 몇 eV 인가?(단, h는 6.625×10-34[J･s]이고, c는 1.602×10-19[C]이다.)
68베이스 폭 변조가 이루어지는 경우에 발생하는 현상으로 맞게 설명한 것은?
69금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?
70두 전극판 A와 B의 거리를 d[m], 양극간의 전위차가 V[V], 전극판 B면에 정지 상태에 있던 전자가 가속되어 전극판 A까지 도달하는데 걸리는 시간은? (단, 전자의 질량은 m, 전자의 전하는 e이다.)
71양자(Quantum) 1개의 질량은 약 몇 kg 인가?
72접합 트랜지스터의 h-파라미터(parameter) 사이의 관계 중 옳은 것은?
73터널 다이오드가 부성 저항영역을 갖는 이유는?
74동종 반도체 pn접합에서 열평형 상태 에너지 밴드 다이어그램(band diagram)에 대한 설명 중 틀린 것은?
75진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?
76다음과 같이 역방향으로 바이어스 된 PN접합에서 최대 역방향 전류(A)는? (단, Vbr:역방향 브레이크다운 임계전압이다.)
77열전자를 방출하기 위한 재료의 조건으로 틀린것은?
78반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가? (단, 불규칙적인 열운동을 하는 중이라 가정한다.)
79진성게르마늄내의 정공의 수명이 400μs이면 그 확산거리는 약 몇 m 인가?(단, 정공의 확산정수는 0.47×10-2 m2/s 이다.)
80진성반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
81다음 회로에서 A=1101, B=0111 이 입력되어 있을 때 그 출력은?
82Two address machine에서 기억용량이 216이고 Word length가 40bit라면 이 명령어 형식(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?
83순서도(flowchart)에서 다음 기호의 명칭과 의미를 가장 올바르게 설명한 것은?
84opcode가 4비트이면 연산자의 종류는 최대 몇 개가 생성될 수 있는가?
85부호화된 2의 보수에서 8비트로 표현할 수 있는 수의 표현 범위는?
86주소공간이 20 bit이고 각 주소 당 저장되는 데이터의 크기가 8bit 일 때 주기억장치의 용량은 얼마인가?
87자료를 추출하고 그에 의거한 보고서를 작성하는데 사용하는 가장 적합한 프로그래밍 언어는?
88다음의 회로에서 입력 값이 D=1, C=1(positive edge trigger)일 경우 출력 Q의 상태 값은?
89컴퓨터에서 사용되는 인스트럭션(Instruction)의 기능을 분류할 때 이에 해당되지 않는 것은?
90누산기(Accumulator)를 가장 옳게 설명한 것은?
91다음 10진수 -426을 팩 십진수(pack decimal)로 나타낸 것 중 옳은 것은?(단, 맨 오른쪽 4비트가 부호 비트이다.)
92기억장치에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
93Java 언어에서 같은 클래스 내에서만 접근 가능하도록 할 때 사용하는 접근제한자는?
94간접주소지정방식에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
958비트(bit) 마이크로프로세서(MPU)에서 스택 포인터(SP)가 100번지를 가리키고 있다. 3바이트의 내용을 스택에 푸시(PUSH)하면 스택 포인터는 몇 번지를 가리키는가?
96다음 중 객체지향 프로그래밍 언어가 아닌 것은?
9710진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
98중앙처리장치를 구성하고 있는 제어장치 중 명령의 지정 순서를 지정하기 위해 다음에 실행할 명령이 들어 있는 번지를 기억하는 레지스터를 무엇이라고 하는가?
99프로그램이 정상적으로 실행되다가 어떤 명령어에 의해 실행 목적을 바꾸는 명령을 무엇이라 하는가?
100컴퓨터의 CPU가 앞으로 수행될 명령어를 기억 장치에서 미리 인출하여 CPU내부의 대기열에 넣어 놓음으로써 수행속도를 향상시키는 기법을 무엇이라고 하는가?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
댓글0
로그인하면 댓글을 남길 수 있어요.
불러오는 중…