문항 목록
1빛을 받으면 전자와 정공 쌍생성을 통해 전류를 발생하는 다이오드는?
2P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 VGS가 기판 전압 VBS 보다 큰 경우 VGS가 증가함에 따라 전계가 증가함으로써 실리콘 경계면에 전자가 모여 형성된 층은?
3접합형 전계효과 트랜지스터(JFET: Junction Field Effect Transistor)의 동작은?
4원소 주기율표에서 반도체 재료로 사용하지 않는 족은?
5PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스 전압이 인가되었을 때 나타나는 현상과 관련이 없는 것은?
6PN접합 다이오드에서 바이어스의 인가방법에 따른 전위장벽은?
7FET의 차단 주파수에 영향을 주는 요소가 아닌 것은?
8다음 중 전도대역의 전자와 가전자대역의 정공이 가전자상태에 있는 전자가 전도대역으로 천이되었을 때 발생되는 현상은?
9평형 상태의 PN 접합에서 내부 전위장벽은?
10P형 반도체의 정공이 1m3 당 4.4×1020[m-3]일 때, 반도체의 도전율은 얼마인가? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/V·s]이다.)
11Si의 물리적 성질 중 해당되지 않는 것은?
12반도체의 전기 전도도에 영향을 미치지 않는 것은?
13컬렉터의 역바이어스를 계속해서 증가시키면 컬렉터 접합의 공간전하층이 베이스 영역 안으로 깊숙이 퍼져가며 마지막에는 이미터 접합의 공간 전하층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
14nMOS FET에서 게이트 전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 ID가 흐르기 시작한다. 이 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?
15전력 소자로서 쓰이는 정류기의 필요조건이 아닌 것은?
16화합물 반도체 재료가 아닌 것은?
17다음 반도체의 종류에 따른 다수캐리어와 소수캐리어에 관한 내용 중 옳은 것은?
18쌍극성 접합 트랜지스터의 바람직한 조건이 아닌 것은?
19PN 접합에서 공핍층의 두께는 역방향 바이어스전압(Vr)에 어떤 관계가 있는가?
20NPN 바이폴라 트랜지스터의 3가지 영역을 불순물의 도핑 농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
211mH의 인덕터에 전압 1V, 주파수 1kHz의 신호를 인가할 경우 리액턴스 값은?
22LED 세그먼트의 활용법으로 옳은 것은?
23부귀환 증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 틀린 것은?
24이상적인 연산증폭기(OP-AMP)의 특징으로 틀린 것은?
255V 직류전압원에 저항(R) 30Ω과 LED가 직렬로 연결된 회로에서 LED에서 소모되는 전력은? (단, LED의 전압강하는 1.4V 이다.)
26그림과 같이 1kΩ저항과 다이오드의 직렬회로에서 전압(VO)의 크기는 약 몇 V 인가?
27다음 회로에서 전압 이득이 –100이 되기 위한 R2값은 얼마인가?
28다이오드에 관한설명으로 옳지 않은 것은?
29다음 회로에 Vi = Vmsinωt 의 파형을 인가하였을 때 출력 파형에 해당되는 회로는? (단, Vm은 3V 보다 크다.)
30AM 변조에서 반송파의 전력이 500mW, 변조도가 60%일 때, 피변조파의 전력은 몇 mW 인가?
31귀환 발진기의 발진조건에 대한 설명 중 틀린 것은? (단, A는 증폭도, β는 귀환량이다.)
32일반적인 펄스 파형의 구간별 명칭에 관한 설명 중 옳은 것은?
33n형 반도체를 만들기 위하여 사용하는 불순물은?
34다음 같은 회로에서 RL에 100mA의 전류가 흐를 때 RL의 값은? (단, Vi=5V, R1=47k, R2=470kΩ이다.)
35연산증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
36신호의 일그러짐이 가장 적고 안정한 증폭기는?
37그림과 같은 회로를 여파기로 사용하면 주파수 특성은?
38트랜지스터에서 β는 다음 중 어느 조건에서 결정할 수 있겠는가?
39트랜지스터를 증폭기로 사용할 때의 동작영역으로 옳은 것은?
40정류 전원의 구성 중 정류기 회로와 필터 사이에 나타나는 파형의 형태는? (단, 입력전압은 사인파 교류전압이라 가정한다.)
41다음 회로가 나타내는 기능은?
420 과 1의 조합에 의하여 어떠한 기호라도 표현될수 있도로 부호화를 행하는 회로를 무엇이라고 하는가?
43다음은 전가산기의 진리표 일부이다. A, B, C, D의 값은? (단, Z는 밑의 자리에서 올라오는 캐리(carry)이며, 출력 중 C는 다음 자리로 올라가는 캐리이다.)
44읽기 전용의 기억장치는?
451비트 단위의 2진수 정보를 저장(기억)할 수 있는 2진 셀(cell)을 무엇이라 하는가?
46JK 플립플롬을 다음 그림과 같이 연결했을 때 같은 기능을 수행하는 것은?
47기억장치에 관한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
48BCD 코드에 3을 더하여 변형시킨 코드로 10진수에 대한 보수를 자체에 포함하고 있어 자기보수 코드로 이용되는 코드는?
49다음 회로도의 A 값이 0011이고, B 값이 1000일 때 출력 Y는?
50다음 회로 중 조합논리회로가 아닌 것은?
5110진수 0.6875를 2진수로 변환할 때 옳은 것은?
52n단으로 구성된 일반 카운터는 2n개의 모드를 갖는데 반해, n단으로 구성된 시프트 카운터는 몇 개의 모드를 갖는가?
533개의 입력과 2개의 출력을 가지는 회로이며 앞 디지트에 빌려준 1을 고려하여 뺄셈을 수행하는 것은?
54판독/기록 메모리에 데이터를 넣는 동작으로 옳은 것은?
55순서논리회로를 설계하려 할 때 그 순서로 가장 옳은 것은?
56T형 플립플롭에서 입력 T=0일 때 다음 상태 Q(t+1)는? (단, 현재 상태는 Q(t)이다.)
5710진수 0.1875를 8진수로 변환한 결과는?
58논리식 를 가장 간략히 간소화 시킨 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
59디코더의 출력 선이 8개라면 입력 선은 몇 개 인가?
60다음 회로의 논리식은?
61시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하는 것은?
62다음 집적회로의 제조 과정에서 가장 늦게 진행되는 작업은?
63MOSFET에서 출력 논리 레벨이 완전히 복원되어 안정화되는 트랜지스터는?
64실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우, 최종출력에서 발생하는 spike나 glitch 등을 방지하기 위한 방법은?
65VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계의 원칙으로 거리가 먼 것은?
66플로우(flow) 플랜부터 라우팅까지 수동으로 진행하며 개발기간이 길어지는 대신 의도한 대로 레이아웃이 가능한 설계방식은?
67다음 설명 중 Pseudo-nMOS 회로에 대한 설명으로 옳은 것은?
68모노리식(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
69입력 정적 CMOS NAND 게이트에 대한 설명 중 틀린 것은?
70다음 CMOS 회로에서 NOR 게이트는?
71게이트 어레이의 일종인 SoG(Sea of Gates) 설계방식의 특징으로 틀린 것은?
72일정한 이동도를 갖는 이상적인 MOSFET에서 아래와 같은 파라미터를 주었을 때 차단주파수는? (단, 채널길이 L=4um, 채널 폭 W=20um, 전자의 이동도 μn=4000cm/V·s, 문턱전압 vT=0.642, 게이트 전압 VGS=3V로 한다.)
73CMOS 집적회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
74SPICE로 CMOS 인버터의 입출력 전압 전달특성을 확인할 때 사용되는 해석 방법은?
75MOS 동적 논리회로를 정적논리와 비교한 설명으로 옳지 않은 것은?
76게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 배선하는 기술은?
77다음 중 집적회로의 종류가 아닌 것은?
78동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 채널 폭이 2배로 증가하고, 채널의 길이가반으로 감소하면 차단주파수(ft)의 변화는? (단, 포화영역으로 가정하고, 모든 기생 용량의 영향은 무시한다.)
79CMOS 인버터의 동작 특성으로 틀린 것은?
80반도체 공정 과정 중 감광막에 대한 설명 으로 틀린 것은?
총 80문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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