서울시 9급 · 2017

9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2017-06-24)

총 20문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①달링턴 쌍(Darington Pair) 회로이다.
    2. ②입력저항을 크게 하기 위한 목적으로 사용되며 입력저항은 β1β2RE이다.
    3. ③전체 전류이득은 β1β2이다.
    4. ④트랜지스터 Q2의 이미터 전류 Ie2=β1β2Ie1이다.

  2. 2.다음 연산증폭기에서 Z1(s)는 저항 R1과 커패시터 C1의 병렬회로, Z2(s)는 저항 R2와 커패시터 C2의 병렬회로이다. R1=1[kΩ], R2=2[kΩ], C1=0.5[mF], C2=0.1[mF] 일 때 Vo(s)/Vi(s)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  3. 3.다음 회로에서 부하 ZL에 최대 평균전력이 전달되기 위한 ZL값과 이때의 소비전력은?

    1. ①2[Ω], 32[W]
    2. ②j2[Ω], 32[W]
    3. ③2-j2[Ω], 16[W]
    4. ④2+j2[Ω], 16[W]

  4. 4.다음 회로에서 Rab는 얼마인가?

    1. ①1[Ω]
    2. ②2[Ω]
    3. ③3[Ω]
    4. ④4[Ω]

  5. 5.다음의 값들 중에서 다른 하나는 무엇인가?

    1. ①20510
    2. ②110010112
    3. ③3138
    4. ④CB16

  6. 6.회로 내 어떤 저항 R의 양단 전압이 v(t)=VMcos(wt)[V] 일 때, 이 저항 R에서의 전류 i(t)[A]와 순시전력 P[W]에 대하여 옳지 않은 것은?

    1. ①전류 i(t)의 각주파수는 w[rad/s]이다.
    2. ②전류 i(t)의 최댓값은 VM/R[A]이다.
    3. ③순시전력 P의 각주파수는 2w[rad/s]이다.
    4. ④순시전력 P의 최댓값은 [W]이다.

  7. 7.다음 회로에서 V1(r1의 양단 전압)이 V2(r2의 양단 전압)의 2배일 때, 저항 r1과 저항 r2의 값은?

    1. ①r1=1/3[Ω], r2=2/3[Ω]
    2. ②r1=2/3[Ω], r2=1/3[Ω]
    3. ③r1=10/6[Ω], r2=5/6[Ω]
    4. ④r1=5/6[Ω], r2=10/6[Ω]

  8. 8.다음 회로에서 3[Ω] 저항이 소비하는 전력은?

    1. ①25[W]
    2. ②50[W]
    3. ③75[W]
    4. ④100[W]

  9. 9.다음 회로의 등가 어드미턴스 Y는 각주파수 w가 1,000[rad/s] 일 때 1+j2이다. C값은 얼마인가?

    1. ①0.2[mF]
    2. ②1.5[mF]
    3. ③2[mF]
    4. ④2.5[mF]

  10. 10.MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?

    1. ①입력 저항이 크다.
    2. ②캐리어의 이동도가 높다.
    3. ③소스 - 드레인 사이가 전기적으로 기판에서 독립되어 있다.
    4. ④한 장의 기판 위에서 얻을 수 있는 소자 수가 많아 집적회로에 유리하다.

  11. 11.다음은 BJT 증폭기에 대한 등가회로의 한 예이다. 소자 값들이 RS=500[Ω], Ri=1[kΩ], Ro=40[kΩ], RL=10[kΩ], Ai=100으로 주어질 때 전류의 비 io/ii는?

    1. ①20
    2. ②50
    3. ③80
    4. ④100

  12. 12.다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①B급 푸시풀 전력 증폭기이다.
    2. ②vout에서는 vin입력과 위상이 반전된 출력이 나온다.
    3. ③입력신호의 양의 반주기 동안 Q1트랜지스터가 도통된다.
    4. ④교차왜곡이 없는 경우, Q1이 도통되면 Q2는 차단된다.

  13. 13.다음 회로에서 t≥0에서 시간에 관한 vL(t)의 식은? (단, 스위치는 충분히 오랫동안 닫혀 있었고 t=0에서 열린다.)

    1. ①vL(t)=80ｅ-4×10-6t [V]
    2. ②vL(t)=80ｅ-4×106t [V]
    3. ③vL(t)=50ｅ-2.5×10-5t [V]
    4. ④vL(t)=50ｅ-2.5×105t [V]

  14. 14.R=6[Ω], XL=8[Ω]인 직렬 RL회로에서 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 인가할 때 회로에 공급되는 유효전력은?

    1. ①300[W]
    2. ②400[W]
    3. ③600[W]
    4. ④800[W]

  15. 15.다음은 n형 반도체와 p형 반도체에 대한 설명이다. 옳은 것을 모두 고르면?

    1. ①ⓐ, ⓕ
    2. ②ⓑ, ⓔ
    3. ③ⓒ, ⓗ
    4. ④ⓓ, ⓖ

  16. 16.다음 회로가 직류정상상태에 있다고 할 때 커패시터의 전압 v는?

    1. ①12[V]
    2. ②16[V]
    3. ③24[V]
    4. ④32[V]

  17. 17.코일을 감은 횟수가 100회이고, 0.2초 동안에 자속이 8[Wb]에서 4[Wb]로 감소했다면, 이 코일에 유도되는 유도기전력은?

    1. ①2×102[V]
    2. ②2×103[V]
    3. ③4×102[V]
    4. ④4×103[V]

  18. 18.다음 회로의 동작을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

    1. ①A점에서 VGS=0[V]일 때 VDS=0이면 ID=0이 된다.
    2. ②B-C영역에서 VDS와 ID가 옴(Ohm)의 법칙을 따르므로 저항성 영역이라 한다.
    3. ③VGS=0[V]일 때, ID가 일정하게 되는 B점을 핀치오프 전압(pinch-off voltage)이라 한다.
    4. ④C점 이후의 영역은 드레인과 게이트 사이의 역바이어스가 커져 항복현상(break down)이 일어난다.

  19. 19.다음 논리 회로를 만족하는 출력 F의 논리식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.Ain단자에 아래의 입력 Vin이 주어졌을 때 Aout에서의 출력파형은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
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