전자기사 · 2017

전자기사 (2017-03-05)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.자기회로에서 철심의 투자율을 μ라 하고 회로의 길이를 ℓ이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 ℓg를 만들면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배인가? (단, ℓg≪ℓ즉 ℓ-ℓg ≒ ℓ이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.평행편판 공기콘덴서의 양 극판에 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 분포되어 있다. 이 두 전극 사이에 유전율 Є[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계 [V/m]는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 +σ′[C/m2], -σ′[C/m2]이라 한다.)

    1. ①σ/Є0
    2. ②σ+σ′/Є0
    3. ③σ/Є0-σ′/Є
    4. ④σ-σ′/Є0

  3. 3.매질1(ε1)은 나일론(비유전율 εs=4)이고 매질2(ε2)는 진고일 때 전속밀도 D가 경계면에서 각각 θ1, θ2의 각을 이룰 때, θ2=30°라면 θ1의 값은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.300회 감은 코일에 3[A]의 전류가 흐를 때의 기자력[AT]은?

    1. ①10
    2. ②90
    3. ③100
    4. ④900

  5. 5.자계와 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?

    1. ①fv/I2
    2. ②fv/I
    3. ③fv2/I
    4. ④fv/2I

  6. 6.반지름 a, b인 두 개의 구 형상 도체 전극이 도전율 k인 매질 속에 중심거리 만큼 떨어져 있다. 양 전극 간의 저항은? (단, ar≫ a, b이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  7. 7.구리로 만든 지름 20cm의 반구에 물을 채우고 그 중에 지름 10cm의 구를 띄운다. 이 때에 두 개의 구가 동심구라면 두 구 사이의 저항은 약 몇 Ω인가? (단, 물의 도전율은 10-3[℧/m]라 하고, 물이 충만 되어 있다고 한다.)

    1. ①1590
    2. ②2590
    3. ③2800
    4. ④3180

  8. 8.자기회로에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①자기회로의 자기저항은 자기회로의 단면적에 비례한다.
    2. ②자기회로의 기자력은 자기저항과 자속의 곱과 같다.
    3. ③자기저항 Rm1과 Rm2을 직렬연결 시 합성 자기저항은 이다.
    4. ④자기회로의 자기저항은 자기회로의 길이에 반비례한다.

  9. 9.면적이 S[m2]인 금속판 2매를 간격이 d[m]되게 공기 중에 나란하게 놓았을 때 두 도체 사이의 정전용량[F]은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.일반적인 전자계에서 성립되는 기본방정식이 아닌 것은? (단, i는 전자밀도, ρ는 공간전하밀도이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③∇∙D=ρ
    4. ④∇∙B=μH

  11. 11.옴의 법칙을 미분형태로 표시하면? (단, i는 전류밀도이고, ρ는 저항률, E는 전계이다.)

    1. ①
    2. ②i=ρE
    3. ③i=divE
    4. ④i= ∇ × E

  12. 12.0.2μF인 평행판 공기 콘덴서가 있다. 전극 간에 그 간격의 절반 두께의 유리판을 넣었다면 콘덴서의 용량은 약 몇 μF 인가? (단, 유리의 비유전율은 10이다.)

    1. ①0.26
    2. ②0.36
    3. ③0.46
    4. ④0.56

  13. 13.기계적인 변형력을 가할 때, 결정체의 표면에 전위차가 발생되는 현상은?

    1. ①볼타 효과
    2. ②전계 효과
    3. ③압전 효과
    4. ④파이로 효과

  14. 14.길이가 1cm, 지름이 5mm인 동선에 1A의 전류를 흘렸을 때 전자가 동선을 흐르는 데 걸리는 평균 시간은 약 몇 초인가? (단, 동선의 전자밀도는 1×1028[개/m3]이다.)

    1. ①3
    2. ②31
    3. ③314
    4. ④3147

  15. 15.두 개의 콘덴서를 직렬접속하고 직류전압을 인가시 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①정전용량이 작은 콘덴서에 전압이 많이 걸린다.
    2. ②합성 정전용량은 각 콘덴서의 정전용량의 합과 같다.
    3. ③합성 정전용량은 각 콘덴서의 정전용량보다 작아진다.
    4. ④각 콘덴서의 두 전극에 정전유도에 의하여 정ㆍ부의 동일한 전하가 나타나고 전하량은 일정하다.

  16. 16.폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.
    2. ②렌츠의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.
    3. ③자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
    4. ④전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.

  17. 17.한 변의 길이가 √2m인 정사각형의 4개 꼭짓점에 +10-9 C의 점전하가 각각 있을 때 이 사각형의 중심에서의 전위[V]는?

    1. ①0
    2. ②18
    3. ③36
    4. ④72

  18. 18.그림과 같은 반지름 a인 무한장 평행도체 A, B가 간격 d로 놓여 있고, 단위 길이당 각각 +λ, -λ의 전하가 균일하게 분포되어 있다. A, B 도체 간의 전위차[V]는? (단, d ≫ a이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  19. 19.전계 E[V/m], 자계 H[AT/m]의 전자계가 평면파를 이루고, 자유공간으로 단위 시간에 전파될 때 단위 면적당 전력밀도[W/m2]의 크기는?

    1. ①EH2
    2. ②EH
    3. ③1/2EH2 
    4. ④1/2EH

  20. 20.면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기[V/m]는?

    1. ①ρs/Є0
    2. ②ρs/2Є0
    3. ③ρs/2R
    4. ④ρs/4πR2

  21. 21.S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

    1. ①발진하지 않는다.
    2. ②점점 더 크게 발진한다.
    3. ③지속 발진한다.
    4. ④감쇠 진동한다.

  22. 22.두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
    2. ②K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
    3. ③K=1은 누설 자속이 전형 없는 경우이다.
    4. ④결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.

  23. 23.부하저항 RL에 최대 전력을 공급하려면 RL의 값은 몇 Ω 인가?

    1. ①50
    2. ②30
    3. ③20
    4. ④12

  24. 24.(A)와 (B)회로는 가역정리(reciprocity theorem)가 성립할 경우 (A)회로에서 IL이 0.5A일 때, (B)회로의 전류 I는 몇 A 인가?

    1. ①0.125
    2. ②0.5
    3. ③1
    4. ④5

  25. 25.그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 D 값은? (단, D는 단락 역방향 전류 이득이다.)

    1. ①Z1
    2. ②1
    3. ③1/Z2
    4. ④1+Z1/Z2

  26. 26.임피던스가 인 2단자 회로에 직류전원 20A를 인가할 때 회로단자 전압은 몇 V 인가?

    1. ①100
    2. ②200
    3. ③300
    4. ④400

  27. 27.다음 회로에서 단자 a, b에 나타나는 전압은 몇 V 인가?

    1. ①2.25
    2. ②4.6
    3. ③22
    4. ④27.6

  28. 28.4단자 정수 A, B, C, D 중에서 어드미턴스의 차원을 가진 정수는?

    1. ①A
    2. ②B
    3. ③C
    4. ④D

  29. 29.자기 인덕턴스 L1, L2가 각각 5mH와 10mH인 두 코일이 이상 결합하였다면 상호 인덕턴스는 약 몇 mH 인가?

    1. ①7.1
    2. ②11.2
    3. ③14.1
    4. ④15

  30. 30.상수 1의 라플라스 역변환은?

    1. ①u(t)
    2. ②t
    3. ③δ(t)
    4. ④r(t)

  31. 31.공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?

    1. ①전압과 전류가 45° 될 때이다.
    2. ②역률이 0.5가 되는 상태이다.
    3. ③공진이 되었을 때 최대전력의 0.5배가 전달된다.
    4. ④직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.

  32. 32.그림과 같은 회로에서 특성 임피던스 Zo는 약 몇 Ω 인가?

    1. ①3.24
    2. ②4.88
    3. ③5.24
    4. ④6.24

  33. 33.RC 저역 필터 회로의 전달 함수 G(s)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  34. 34.저항과 커패시터를 병렬로 접속한 회로에 직류를 10V를 가하면 2A가 흐르고, 교류 30V를 가하면 10A가 흐른다. 이때, 용량성 리액턴스는 몇 Ω인가?

    1. ①3
    2. ②3.75
    3. ③5
    4. ④7.5

  35. 35.전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?

    1. ①과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
    2. ②시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
    3. ③시정수와 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
    4. ④시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속된다.

  36. 36.60Hz에서 5Ω의 리액턴스를 갖는 자기 인덕턴스 mH와 정전 용량 μF은 각각 얼마인가?

    1. ①L=6, C=661
    2. ②L=7, C=770
    3. ③L=13, C=531
    4. ④L=12, C=480

  37. 37.다음과 같은 그림에서 부하 임피던스 ZL=RL+jXL 의 RL=40Ω은 고정시키고, XL만을 조정하여 부하 측으로 얻을 수 있는 최대 전력이 RL, XL을 모두 조정해서 얻는 부하 최대전력의 몇 %가 되는가?

    1. ①96
    2. ②90
    3. ③80
    4. ④77.7

  38. 38.임의의 회로에서 유효전력이 40W이고, 무효전력이 30Var일 때 무효율은?

    1. ①0.6
    2. ②0.75
    3. ③0.8
    4. ④1

  39. 39.의 역 라플라스 변환은?

    1. ①e-at sin ωt
    2. ②e-at cos ωt
    3. ③eat cos ωt
    4. ④eat sin ωt

  40. 40.다음 회로에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①캐패시턴스만의 회로에서는 전류가 기전력보다 위상이 π/2[rad]만큼 앞선다.
    2. ②인덕턴스마의 회로에서는 기전력은 전류보다 위상이 π/2[rad]만큼 앞선다.
    3. ③저항만의 회로에서는 전류와 기전력은 동상이다.
    4. ④저항 R과 인덕턴스 L이 직렬로 연결된 회로에서 전류는 기전력보다 앞선다.

  41. 41.C급 전력증폭기의 효율은?

    1. ①AB급보다 떨어진다.
    2. ②A급, B급 또는 AB급보다 우수하다.
    3. ③A보다 떨어진다.
    4. ④B보다 떨어진다.

  42. 42.다음 중 JK 플립플롭의 특성방정식으로 옳은 것은? (단, Q는 현재 상태(present state)이고 Q(t+1)은 다음 상태(next state)이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  43. 43.M/S 플립플롭은 어떠한 현상을 해결하기 위한 것인가?

    1. ①Delay 현상
    2. ②Race 현상
    3. ③Set 현상
    4. ④Toggle 현상

  44. 44.주파수 변조에서 최대 주파수 편이가 60kHz이고 최대 변조 주파수가 6kHz라면 변조도는? (단, 변조지수는 8이다.)

    1. ①40%
    2. ②60%
    3. ③80%
    4. ④100%

  45. 45.아래 회로의 주파수 특성과 가장 관계가 깊은 것은?

    1. ①저대역 통과 필터(low pass filter)
    2. ②고대역 통과 필터(high pass filter)
    3. ③대역 통과 필터(band pass filter)
    4. ④대역 제거 필터(notch filter)

  46. 46.윈 브리지(Wien Bridge) 발진기의 특징 중 옳은 것은?

    1. ①대형 중량이다.
    2. ②출력 파형이 불안정하다.
    3. ③주파수 변경이 양호하다.
    4. ④발진 주파수가 불안정하다.

  47. 47.다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①수정편은 압전기 현상을 가지고 있다.
    2. ②수정편은 Q가 5000 정도로 매우 높다.
    3. ③발진주파수는 수정편의 두께와 무관하다.
    4. ④수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도특성이 달라진다.

  48. 48.다음 회로에서 Ri=1MΩ이고, Rf=4MΩ일 때, 전압증폭도 Avf는?

    1. ①-1
    2. ②-2
    3. ③-3
    4. ④-4

  49. 49.드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①소자의 경년변화
    2. ②전원전압의 변화
    3. ③주위온도의 변화
    4. ④대역폭의 변화

  50. 50.부귀환 증폭기회로의 특징으로 옳지 않은 것은?

    1. ①이득이 증가한다.
    2. ②입력 임피던스는 증가하고 출력 임피던스는 낮아진다.
    3. ③증폭도의 안정성이 증가한다.
    4. ④잡음, 왜곡이 감소된다.

  51. 51.다음 그림 3-상태 출력 버퍼에서 출력(F)이 1인 경우의 입력은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  52. 52.다음의 진리표를 갖는 조합회로 구성으로 맞는 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  53. 53.증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?

    1. ①롤-오프(roll-off)
    2. ②트랜지스터의 내부 커패시턴스
    3. ③컷 오프 전압(cut-off voltage)
    4. ④크로스 오버(cross over)

  54. 54.다음과 같은 RC결합 증폭회로에서 전력 증폭도는 얼마인가? (단, hfe=50, hie=2kΩ 이다.)

    1. ①0.95
    2. ②1.25
    3. ③1.50
    4. ④1250

  55. 55.3비트 2진 하향 카운터의 상태수가 8가지인 경우 JK플립플롭은 몇 개가 필요한가?

    1. ①1
    2. ②3
    3. ③5
    4. ④7

  56. 56.연산증폭기의 전달함수 (G(s))의 V2(s)/V1(s)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①
    2. ②-RC
    3. ③1+RC
    4. ④

  57. 57.입력이 정현파일 때 그림의 회로는 무엇인가?

    1. ①Schmitt trigger
    2. ②Voltage doubler
    3. ③Multivibrator
    4. ④Miller sweep

  58. 58.증폭기의 귀환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①부귀환을 걸어주면 대역폭을 넓힐 수 있다.
    2. ②귀환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압귀환이라 한다.
    3. ③귀환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬귀환이라 한다.
    4. ④직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환일 한다.

  59. 59.트랜지스터 정 특성에서 VCE=6V이고, IB를 600㎂~850㎂까지 변화시킬 때 VBE가 0.2V~0.3V의 변화를 하였다면 hie는 몇 Ω 인가?

    1. ①250
    2. ②400
    3. ③30000
    4. ④250000

  60. 60.다음과 같은 멀티플렉서를 이용하여 구성한 조합논리회로가 나타내는 논리식을 SUM of Minterms 현태로 표시하면?

    1. ①F=(A, B, C)=∑(1, 3, 5, 6)
    2. ②F=(A, B, C)=∑(2, 4, 7)
    3. ③F=(A, B, C)=∑(1, 3, 6)
    4. ④F=(A, B, C)=∑(0, 2, 7, 8)

  61. 61.1cm의 반도체에 1V를 인가했을 때 이동하는 캐리어 속도를 무엇이라고 하는가?

    1. ①홀 계수
    2. ②드리프트 속도
    3. ③산란 속도
    4. ④확산 속도

  62. 62.다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?

    1. ①비직선적인 전압, 전류특성을 갖는 2단자 반도체장치이다.
    2. ②서지(surge) 전압에 대한 회로보호용 소자로 사용된다.
    3. ③다이오드의 정류성을 이용한 것이다.
    4. ④SiC의 분말과 점토를 혼합하여 소결한 것이다.

  63. 63.접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

    1. ①이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
    2. ②불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
    3. ③베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
    4. ④베이스 폭은 비교적 넓게 하고, 불순물은 많이 넣는다.

  64. 64.균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린것은?

    1. ①전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
    2. ②전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
    3. ③전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2mv2[J]이다.
    4. ④전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J] 이다.

  65. 65.다음 반도체에 관한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①진성반도체에 불순물 인(P)을 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.
    2. ②페르미 준위가 금지대 중앙에 위치해 있으면 진성반도체이다.
    3. ③페르미 준위가 전도대쪽에 가깝게 위치해 있으면 N형 반도체이다.
    4. ④진성반도체에 불순물 갈률(Ga)을 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.

  66. 66.전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량은 1.602×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다.)

    1. ①5.82×1013[㎨]
    2. ②1.62×1013[㎨]
    3. ③5.93×1013[㎨]
    4. ④1.75×1013[㎨]

  67. 67.Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?

    1. ①1/3
    2. ②1/2
    3. ③1
    4. ④2

  68. 68.균등자계(B) 내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?

    1. ①원운동의 주기는 변하지 않는다.
    2. ②원운동의 주기는 2배가 된다.
    3. ③원운동의 주기는 4배가 된다.
    4. ④원운동의 주기는 8배가 된다.

  69. 69.집적회로 내에서 전기적인 상호배선 사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?

    1. ①이온주입공정
    2. ②금속배선공정
    3. ③산화공정
    4. ④광사진식각공정

  70. 70.수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E1(-5.14×10-12[erg]) 상태에서, 에너지 준위 E2(-21.7×10-12[erg]) 상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10-27[ergㆍsec]이다.)

    1. ①1.2×105/sec
    2. ②2.5×1015/sec
    3. ③5.03×1016/sec
    4. ④10.3×1022/sec

  71. 71.금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?

    1. ①열전자 방출
    2. ②냉음극 방출
    3. ③2차 전자 방출
    4. ④광전자 방출

  72. 72.1Ω의 교류저항 성분을 가지는 PN 접합 다이오드가 상온에서 순방향으로 바이어스(Bias) 걸려 있을 때 흐르는 순방향 전류는 약 몇 A인가?

    1. ①12×10-3
    2. ②15×10-3
    3. ③26×10-3
    4. ④29×10-3

  73. 73.음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?

    1. ①Zener 현상
    2. ②Piezo 효과
    3. ③Schottky 효과
    4. ④Webster 효과

  74. 74.온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 페르미 준위는?

    1. ①전도대 쪽으로 접근한다.
    2. ②가전자대 쪽으로 접근한다.
    3. ③변함없다.
    4. ④금지대 중앙으로 접근한다.

  75. 75.진성 반도체에서 온도가 상승할 때 나타나는 현상은?

    1. ①반도체의 저항이 증가한다.
    2. ②원자의 에너지가 증가한다.
    3. ③정공이 전도대에 발생된다.
    4. ④금지대가 감소한다.

  76. 76.쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?

    1. ①금속과 금속의 접촉
    2. ②금속과 반도체의 접촉
    3. ③부도체와 반도체의 접촉
    4. ④부도체와 부도체의 접촉

  77. 77.캐리어의 확산 속도는? (단, 캐리어 밀도는 m, 거리는 x이다.)

    1. ①dn(x)/dx에 비례
    2. ②dn(x)/dx에 반비례
    3. ③d2n(x)/dx2에 비례
    4. ④d2n(x)/dx2에 반비례

  78. 78.PN 접합에서 푸아송(Poisson) 방정식을 올바르게 나타낸 식은? (단, V:전압, I:전류, x:거리, ρ: 전하밀도, Є:유전율이다.

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  79. 79.일함수(work function)의 설명 중 틀린 것은?

    1. ①금속의 종류에 따라 값이 다르다.
    2. ②일함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
    3. ③표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일함수라 한다.
    4. ④전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.

  80. 80.PN 접합 다이오드의 공핍층(depletion layer)과 공일한 용어는?

    1. ①금지대역
    2. ②밴드갭(band gap)
    3. ③천이영역(transition region)
    4. ④전도대역

  81. 81.연산 처리된 10진 데이터를 입ㆍ출력하기 위한 데이터 형식은?

    1. ①8진수형태
    2. ②10진수형태
    3. ③UNPACK형태
    4. ④PACK형태

  82. 82.다음 용어에 따른 설명이 옳지 않은 것은?

    1. ①문제분석 : 주어진 문제가 무엇인가를 분석한다.
    2. ②알고리즘 : 분석된 문제에 대한 해결책을 논리에 맞게 표현한다.
    3. ③코딩 : 알고리즘을 기호로 나타낸다.
    4. ④문서화 : 프로그램을 차후에 유지 보수할 목적으로 이해하기 쉽게 문서화하여 보관한다.

  83. 83.연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?

    1. ①기억 기능
    2. ②제어 기능
    3. ③전달 기능
    4. ④함수연산 기능

  84. 84.다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?

    1. ①부호기
    2. ②반가산기
    3. ③플립플롭
    4. ④멀티플렉서

  85. 85.CPU에서 트랜지스터 회로가 구현할 수 있는 기본 기능이 아닌 것은?

    1. ①덧셈(adding)
    2. ②디코딩(decoding)
    3. ③시프팅(shifting)
    4. ④카운팅(counting)

  86. 86.보통의 마이크로프로세서 코드에서 오퍼랜드가 될 수 없는 것은?

    1. ①데이터
    2. ②데이터의 어드레스
    3. ③명령코드
    4. ④레지스터 이름

  87. 87.조건에 따라 처리를 반복ㆍ실행하는 플로우차트의 기본형은?

    1. ①분기형
    2. ②분류형
    3. ③루프형
    4. ④직선형

  88. 88.파일에 레코드 개수가 256개가 있다. 이진 검색으로 특정키를 검색할 때 최대 비교 횟수는?

    1. ①8
    2. ②9
    3. ③10
    4. ④12

  89. 89.스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령형식과 가장 관계가 깊은 것은?

    1. ①3-address
    2. ②2-address
    3. ③1-address
    4. ④0-address

  90. 90.CPU의 B 레지스터에 2의 보수 10101101 이 저장되어 있을 때 B 레지스터에 산술적 우측 시프트를 세 번 수행한 결과는?

    1. ①11010110
    2. ②00010101
    3. ③11101011
    4. ④11110101

  91. 91.비트 슬라이스 마이크로프로세서를 구성하는 요소가 아닌 것은?

    1. ①processor unit
    2. ②main memory buffer
    3. ③micro program sequencer
    4. ④control memory

  92. 92.마이크로컴퓨터의 입ㆍ출력 전송 방법 중 Cycle stealing을 하는 방법은?

    1. ①CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 무조건 I/O 전송
    2. ②CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 조건부 I/O 전송
    3. ③I/O 장치 제어에 의한 인터럽트 방식
    4. ④I/O 장치 제어에 의한 DMA 방식

  93. 93.어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

    1. ①Compiler
    2. ②Translator
    3. ③Assembler
    4. ④Language Decoder

  94. 94.다음 중 CPU 성능에 중요한 영향을 미치는 요소가 아닌 것은?

    1. ①클럭 주파수
    2. ②명령어 집합의 복합성
    3. ③병렬 처리
    4. ④연산장치의 크기

  95. 95.다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?

    1. ①10
    2. ②12
    3. ③14
    4. ④16

  96. 96.1-주소 명령 방식에 해당하는 CPU 구조는?

    1. ①스택
    2. ②단일 누산기
    3. ③범용 레지스터
    4. ④색인 레지스터

  97. 97.1024×8 Bit ROM에 필요한 주소 및 데이터 핀의 수는 최소 몇 개인가?

    1. ①8
    2. ②16
    3. ③18
    4. ④24

  98. 98.다음 소프트웨어의 분류를 나타내는 단어들 중 성격이 다른 하나는?

    1. ①미들웨어
    2. ②프리웨어
    3. ③쉐어웨어
    4. ④라이트웨어

  99. 99.다음 회로에서 클록 신호가 0에서 1로 바뀔 때, S=0, R=1이면 출력은 얼마인가?

    1. ①1
    2. ②0
    3. ③-1
    4. ④변화 없음

  100. 100.입출력 채널에 대한 설명 중 잘못된 것은?

    1. ①입출력 명령을 해독한다.
    2. ②채널프로그램에 따라 입출력 장치를 지시 및 제어한다.
    3. ③채널명령어(CCW)는 명령코드, 플래그, 데이터 어드레스, 데이터 크기로 구성된다.
    4. ④CPU의 지시를 받아 입출력 동작을 수행한다.