국가직 9급 · 2017

9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2017-04-08)

총 19문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.다음 회로 중에서 출력 Z가 1이 되는 회로는? (단, X ＝0, Y＝1이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력 했을 때, 출력 신호의 전력[W]은?

    1. ①0.74
    2. ②0.94
    3. ③7.4
    4. ④9.4

  3. 3.다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo 사이의 관계식은? (단, op-amp는 이상적이다)

    1. ①Vo＝3 V1 －2 V2
    2. ②Vo＝2 V1 －3 V2
    3. ③
    4. ④

  4. 4.다음 증폭기 회로에서 C2가 추가됨에 따라 생기는 변화는?

    1. ①출력 Vo의 DC 전압이 내려간다.
    2. ②출력 Vo의 DC 전압이 올라간다.
    3. ③중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 감소한다.
    4. ④중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 증가한다.

  5. 5.다음 DTL(Diode-Transistor Logic)로 설계된 디지털 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 입력 X, Y의 논리레벨 1은 VCC＝5 V, 논리레벨 0은 0 V이다)

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③NAND
    4. ④NOR

  6. 6.드레인 전류(ID)와 게이트－소스 전압(VGS)의 관계식이 ID＝9＋19(VGS－1)＋10(VGS－1)2[mA]인 N형 MOSFET에서 VGS＝1 [V]일 때, 소신호 모델 전달컨덕턴스(transconductance) [mA/V]는?

    1. ①9
    2. ②10
    3. ③19
    4. ④29

  7. 7.다음 회로에 입력전압이 Vi일 때 출력전압 Vo는? (단, 다이오드와 제너다이오드는 이상적이다)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.다음 중 대역통과필터 특성을 보이는 회로로만 묶은 것은?

    1. ①ㄱ, ㄷ
    2. ②ㄱ, ㄹ
    3. ③ㄴ, ㄷ
    4. ④ㄴ, ㄹ

  9. 9.공진주파수가 fo인 R, L, C 직렬회로에 주파수가 2fo인 입력신호를 인가하였을 때, 총 리액턴스 성분의 크기가 저항 R 값의 15배가 된다. 이 회로의 Qo(quality factor)는?

    1. ①5
    2. ②10
    3. ③15
    4. ④20

  10. 10.입력 전압 36 [V]에 연결된 발열선의 발열량이 1 [kW]이다. 동일한 재료로 단면의 지름을 두 배로 늘리고, 길이를 반으로 줄여 만든 발열선에 동일한 전압을 인가했을 때, 발열량[kW]은?

    1. ①4
    2. ②6
    3. ③8
    4. ④10

  11. 11.논리식 에 대한 진리표는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  12. 13.무선 통신에서 전송하고자 하는 신호를 변조하는 이유로 옳은 것만을 모두 고른 것은?

    1. ①ㄴ, ㄷ
    2. ②ㄱ, ㄴ, ㄷ
    3. ③ㄱ, ㄷ, ㄹ
    4. ④ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ

  13. 14.다음 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①선형 및 포화영역 동작에서 전류 반송자는 전자이다.
    2. ②선형 및 포화영역 동작은 전류 반송자의 드리프트(drift) 현상에 의한다.
    3. ③P채널 증가형 MOSFET이다.
    4. ④CMOS 집적회로에 사용되는 소자이다.

  14. 15.PCM(Pulse Code Modulation) 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①샘플링된 신호에 이산적인 값을 할당하는 양자화와 펄스 부호로 변환하는 부호화가 필요하다.
    2. ②양자화 레벨 수가 증가하면 양자화 오차가 늘어난다.
    3. ③디지털전송신호 방식으로 원거리통신에 중계기의 사용이 가능하다.
    4. ④아날로그 방식보다 잡음 및 왜곡의 영향에 강한 장점이 있다.

  15. 16.다음은 비안정 모드로 동작하는 555 타이머 회로이다. 출력신호 Vo에 대한 듀티 사이클(duty cycle)[%]은?

    1. ①60
    2. ②65
    3. ③70
    4. ④75

  16. 17.실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전류 값을 얻는 방법은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작한다)

    1. ①게이트 산화막의 두께를 줄인다.
    2. ②소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다.
    3. ③유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.
    4. ④실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.

  17. 18.다음 회로는 연산증폭기를 이용한 정전압조정기이다. 출력전압 Vo[V]는?

    1. ①2.5
    2. ②4.7
    3. ③5
    4. ④8

  18. 19.다음 바이어스 회로의 동작점에서 컬렉터 전류 ICQ[mA]는? (단, VBE ＝0.7 [V]이다)

    1. ①2
    2. ②5
    3. ③10
    4. ④15

  19. 20.다음 회로의 주파수 전달함수(Transfer Function) 는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④