문항 목록
11s22s22p63s23p4로 원자가 배열이 되어 있다. 이 원소의 원자 번호는 어떻게 되는가?
2실리콘 웨이퍼에 인(P) 원자를 2×1018m-3로 도핑 하였다. 열평형 상태에서 홀(hole)의 농도는? (단, ni = 1.5×1018m-3라 가정한다.)
3베이스 공통 트랜지스터의 동작 상태를 4가지로 분류할 때 차단영역에 해당하는 것은?
4제너다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?
5반도체 재료의 성질이 아닌 것은?
6실리콘 공정에서 산화막(SiO2)의 용도가 아닌 것은?
7n형 실리콘 반도체를 만들려고 할 때, 사용할 수 없는 불순물 원자는?
8공유결합에 관한 설명 중 틀린 것은?
9반도체 재료의 결정을 표시함에 있어서 격자내의 면이나 방향을 표시하는데, 각 방향의 기본 벡터의 정수배로 나타낸 값의 비율을 역수로 나타내는 방법은?
10MOSFET의 단자로 틀린 것은?
11증가형 MOSFET의 문턱전압(threshold voltage, VT)에 대한 설명 중 옳은 것은?
12반도체 재료에 전계를 인가함에 의해서 발생되는 전류를 무엇이라고 하는가?
13pn접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
14터널 다이오드에 관한 설명 중 틀린 것은?
15다이오드에 바이어스를 인가할 때 P형에 양(+)전원을 N형에 음(-) 전원을 연결하는 방식은?
16MOSFET과 JFET의 가장 큰 차이점은?
17pn접합의 항복현상 중의 하나인 사태항복(avalanche breakdown)이 발생되는 경우는?
18다음 실리콘의 원소 배열 표현이 맞는 것은?
19다음 그림과 같은 소자와 관련하여 옳지 않은 것은?
20pn접합에서 순방향 바이어스를 인가하였을 때 일어나는 현상은?
21펄스부호변조(PCM)에 대한 설명 중 틀린 것은?
22교차 일그러짐(crossover distortion) 현상은 어느 증폭기에서 발생하는가?
23부귀환 증폭기에서 Aβ≫1의 경우 증폭기 이득의 안정성이 향상되는 이유는?
24펄스회로의 출력이 Vo = 1 – e-0.1t일 때 시정수 몇 초인가?
25맥동률(γ)에 관한 설명으로 올바른 것은?
26PCM 회로에서 빈칸 A의 회로는?
27회로의 전달 특성은? (단, Q1과 Q2 트랜지스터는 스위치용이다.)
28그림의 입출력 특성을 가지는 회로는?
29소신호 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
30FM신호의 검파회로에서 별도의 진폭제한회로가 필요 없는 회로는?
31전압 증폭도가 100인 증폭기의 전압이득은 몇 dB인가?
32컬렉터 접지 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
33회로에서 Ei=1V일 때 전류 IL은 몇 mA인가?
34FET 증폭기의 고주파 응답을 결정하는 것은?
35회로에서 컬렉터 전류 IC를 구하면?（단, β=100 이고, VBE=0.7 이다.)
36연산증폭기 회로에 그림(a)를 입력할 때 그림(b)와 같은 출력이 나타나는 현상은?
37연산증폭기의 스위칭 특성에 가장 크게 영향을 주는 것은?
38증폭도 A가 매우 큰 증폭기에 귀환율 β의 부귀환을 가한 경우 전압이득은?
39교류를 직류전원으로 변환할 때 사용되지 않는 부품은?
40다이오드의 전하축적 효과가 없을 때 옳은 것은?
41그림과 같은 전가산기(Full adder)의 입력이 A=1,B=0,C=1일 때 출력으로 옳은 것은? (단, So : Sum, Co : Carry이다.)
42Shift register 안에 있는 binary number가 5번 Shift left 되었다. 현재 number 크기는 다음 중 어느 것에 해당되는가? (단, shift register의 길이는 충분하며 shift-in되는 bit는 모두 0 이다.)
43반가산기의 합 또는 반감산기의 차를 얻기 위해 필요한 게이트는?
444단 하향 Counter에서 10번째 클록펄스가 인가되면 각 단이 나타내는 2진수를 10진수로 변환하면?
45다음 중 조합논리회로에 해당하는 것은?
46D 플립플롭에서 D 입력에 입력한 데이터의 각 비트는 클럭 펄스 몇 개의 시간만큼 늦어서 Q 출력에 도달하는가?
47다음 논리회로의 출력식으로 옳은 것은?
48n비트의 입력으로 2n개의 출력 중의 하나를 1로 설정하도록 하는 장치는?
49원 정보부호가 1011 일 때 이것의 짝수 패리티 해밍코드(Hamming Code)를 구하면?
50시프트 레지스터(shift register)를 만드는데 가장 적합한 플립플롭은?
51아래 펄스발생기 중에서 한 상태에서만 안정되고 다른 상태에서는 불안정하여 일정한 시간 후에는 안정상태로 돌아가는 회로는?
52다음과 같이 연결된 RS 플립플롭은 어떤 플립플롭과 같은 기능을 하는가?
53JK 플립플롭에서 J=1, K=1 일 때의 출력 결과는?
54다음 논리회로의 출력 D를 불대수 식으로 간략화하여 옳게 나타낸 것은?
555개의 플립플롭으로 구성된 상향 계수기의 모듈러스(modulus)와 이 계수기로 계수 할 수 있는 최댓값은?
56다음은 2개 입력 A,B를 가지는 NAND게이트의 진리표이다. z0,z1,z2,z3에 알맞은 이진 값은?
5710진수 22를 3초과 코드(Excess-3 code)로 변환한 것은?
58일반적으로 n비트의 2진 병렬가산기는 어떻게 구성되는가?
59한 플립플롭의 출력이 다른 플립플롭을 구동시키는 계수기는?
60우측이동 레지스터가 1001을 기억하고 있을 때, 클럭펄스가 2개 인가되면 각단의 값은? (단, 입력 데이터는 0 이다.)
61동적 CMOS 로직과 거의 같으나, 출력단에 인버팅 래치가 달려있는 점이 다른 로직은?
62nMOS 인버터의 레이아웃 설계에서 A를 풀다운 트랜지스터 그리고 B를 풀업 트랜지스터라고 할 경우 A의 게이트 폭과 길이는 각각 4λ, 2λ 이고 B게이트의 폭과 길이를 각각 2λ, 8λ 라고 하면 이 인버터가 정상동작을 위하여 필요로 하는 형상비(ratio circuit)는 얼마인가?
63집적회로 레이아웃 설계에서 제일 처음 해야 할 일은?
64회로의 물리적인 크기만 스케일링할 때 소자 파라미터와 스케일링 비율이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 물리적 스케일링 비율은 α이다.)
65CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMOS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n층과 p층간의 결합(n-p-n-p 또는 p—n-p-n-)에 의해 기생 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스터가 결합되어 Vdd와 Vss사이에 전류 통로가 형성되는 현상은?
66다음 VHDL 관련 표준에서 다중 값 논리를 규정한 부분은?
67다음 중 MOSFET 특성이 아닌 것은?
68nMOSFET의 반전 모드에서 게이트 전압을 증가(VG ＞ 0) 시키면 산화층과 실리콘의 경계면에 캐리어가 정공에서 전자로 바뀌게 되는데, 이때 형성된 층을 무엇이라고 하는가?
69다음 중 IC 패키지 타입이 아닌 것은?
70MOS 동적 논리회로를 정적논리와 비교한 것 중 장점에 해당하지 않는 것은?
71전압 제어 소자인 MOS FET를 기본 소자로 사용한 것은?
72다음 중 MOS 트랜지스터를 만드는 공정기술이 아닌 것은?
73게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
74NAND 게이트 함수를 정적 CMOS 로직으로 설계할 경우 nMOS 로직과 pMOS 로직 구현을 위한 부울 식을 올바르게 표현한 것은?
75다음 회로와 같은 nMOS의 병렬구조에 대한 설명 중 틀린 것은?
76MOS 트랜지스터에서 게이트 출력이 “1” 또는 “0” 레벨에 있을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는?
77다음 중 디지털 회로 설계에서 회로 추출(circuit extraction)에 관한 설명 중 옳은 것은?
78CMOS 디지털 집적회로의 동적 전력소모에 대한 설명으로 틀린 것은?
79정적 CMOS 로직(static CMOS logic)에 대한 설명으로 틀린 것은?
80n채널 증가형 MOSFET에서 VGS = -5V, VDS = 13V일 때, 드레인에 흐르는 전류는 얼마인가?
총 80문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
댓글0
로그인하면 댓글을 남길 수 있어요.
불러오는 중…