전자기사 · 2016

전자기사 (2016-10-01)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?

    1. ①X=0
    2. ②X=1
    3. ③X
    4. ④X>0
  2. 2.그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때, A코일의 자기 인덕턴스가 L1(H)이라면 두 코일의 상호 인덕턴스 M(H)는? (단, 누설자속은 0이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  3. 3.간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?

    1. ①1.5×1011
    2. ②1.5×1012
    3. ③1.36×1011
    4. ④1.36×1012
  4. 4.그림과 같이 평행한 무한장 직선도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 흐른다. 두 선 사이의 점 P의 자계의 세기가 0이라고 하면 a/b는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  5. 5.파라핀유 속에서 5cm의 거리를 두고 5μC과 4μC의 점전하가 있다. 두 점전하 사이에 작용하는 힘은 약 몇 N 인가? (단, 파라핀유의 비유전율은 2.2라고 한다.)

    1. ①8.57
    2. ②32.7
    3. ③65.5
    4. ④163.6
  6. 6.그림과 같은 영구자석과 아라고판(Arago plate)에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①영구자석을 아라고판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 원 둘레와 나란히 이동시키면, 아라고판이 영구자석의 이동방향을 따라 회전한다.
    2. ②아라고 원판을 아라고판의 회전축 주위로 회전시키면, 영구자석에 의하여 아라고판에 맴돌이 전류(eddy current)가 발생하여 제동작용이 생긴다.
    3. ③영구자석을 아라고 판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 그림과 같이 나란히 이동시키면, 항상 축의 중심에서 아라고판의 원둘레 방향으로 전류가 발생한다.
    4. ④영구자석을 아라고판의 회전축을 중심으로 움직이는 대신 아라고판상에 이동자계를 만들어주어도 자계의 이동방향을 따라 아라고판이 회전한다.
  7. 7.진공 중에 있는 두 점자극 +m(Wb)와 -m(Wb)가 r(m) 거리에 있을 때, 두 점자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기(AT/m)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  8. 8.반지름 50cm인 서로 나란한 두 원형코일을 1mm 간격으로 동축 상에 평행 배치한 후 각 코일에 100A의 전류가 같은 방향으로 흐를 때 코일 상호간에 작용하는 인력은 약 몇 N 인가?

    1. ①3.14
    2. ②6.28
    3. ③31.4
    4. ④62.8
  9. 9.투자율 μ(H/m)에서 길이 ℓ(m), 간격 d(m)인 두 평행도선 사이의 상호인덕턴스(H)는? (단, ℓ≫d이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  10. 10.어떤 코일의 전류와 자속의 특성이 그림과 같이 주어졌다고 한다. 전류가 25A이면 이 코일에 저장되는 에너지는 몇 J 인가?

    1. ①31.25×10-3
    2. ②35.75×10-3
    3. ③38.75×10-3
    4. ④56.25×10-3
  11. 11.정전계에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①전기력선은 전하가 없는 곳에서는 서로 교차한다.
    2. ②단위 전하에서 나오는 전기력선의 수는 1/Є0개이다.
    3. ③도체에 주어진 전하는 도체표면에만 분포한다.
    4. ④중공도체(中空導體)에 준 전하는 외부 표면에만분포하고 내부표면에는 존재하지 않는다.
  12. 12.비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?

    1. ①21
    2. ②42
    3. ③80
    4. ④160
  13. 13.공극의 겉넓이가 Sa=4.26×10-2m2이고, 길이가 la=5.6㎜인 직류기에 있어서 공극의 자기저항은 약 몇 AT/Wb 인가?

    1. ①10.5×102
    2. ②10.5×10-2
    3. ③1.05×105
    4. ④1.05×10-5
  14. 14.다음 식 중 틀린 것은?

    1. ①가우스(Gauss)의 정리 : div D=ρ
    2. ②포아송(Poisson) 방정식 :
    3. ③스토크스(Stokes)의 정리 :
    4. ④발산정리 :
  15. 15.Є1 > Є2인 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사할 때 경계면에 작용하는 힘은?

    1. ①의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
    2. ②의 힘이 Є2에서 Є1으로 작용한다.
    3. ③의 힘이 Є2에서 Є1으로로 작용한다.
    4. ④의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
  16. 16.전기량이 0.2C인 점전하가 전계 E=5j+k(V/m) 및 자속밀도 B=2j+5j(Wb/m2)인 전자계에 v=2i+3j(m/s)의 속도로 돌입할 때 점전하에 작용하는 힘(N)은?

    1. ①i+j-2k
    2. ②2i-j+5k
    3. ③3i-j+k
    4. ④5i+j-3k
  17. 17.다음 중 저항률이 가장 작은 것은?

    1. ①동
    2. ②철
    3. ③수은
    4. ④알루미늄
  18. 18.동일한 금속 도선의 두 점 사이에 온도차를 주고 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?

    1. ①펠티에(Peltier) 효과
    2. ②볼타(Volta) 효과
    3. ③제벡(Seebeck) 효과
    4. ④톰슨(Thomson) 효과
  19. 19.환상철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?

    1. ①10000
    2. ②500
    3. ③400
    4. ④250
  20. 20.진공 중에서 내구의 반지름 a=3cm, 외구의 내반지름 b=9cm인 두 동심구 사이의 정전용량은 몇 pF 인가?

    1. ①0.5
    2. ②5
    3. ③50
    4. ④500
  21. 21.R-C 병렬회로에 60hz, 100V를 가하였을 때 유효전력 800W, 무효전력 600Var이면 저항R[Ω], 정전용량 C[μF]의 값은?

    1. ①R=12.5, C=159
    2. ②R=15.5, C=180
    3. ③R=18.5, C=189
    4. ④R=20.5, C=219
  22. 22.전류 i 방향으로의 2Ω 양단에서의 전압강하는?

    1. ①2
    2. ②4
    3. ③6
    4. ④8
  23. 23.R=20Ω, L=0.05H, C=1μF인 R-L-C 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?

    1. ①25.2
    2. ②17.2
    3. ③15.2
    4. ④11.2
  24. 24.크기 A인 임펄스의 스펙트럼(amplitude sprctrum)은?

    1. ①Ae-jωt0
    2. ②1
    3. ③A
    4. ④Aejωt0
  25. 25.다음 회로에서 VO(t)의 실효값은?

    1. ①0V
    2. ②10V
    3. ③
    4. ④
  26. 26.다음 설명이 나타내는 것은?

    1. ①노튼 정리
    2. ②보상 정리
    3. ③테브난 정리
    4. ④중첩의 정리
  27. 27.다음 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 C는?

    1. ①1/Z2
    2. ②1
    3. ③
    4. ④
  28. 28.함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  29. 29.R-C 직렬회로에 직류전압 5V를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON 한다면 커패시터 양단에 걸리는 전압 Vc 는? (단, R=1Ω, C=1F 이다.)

    1. ①-5e-t
    2. ②5e-t
    3. ③5(1-e-t)
    4. ④5(1-et)
  30. 30.필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?

    1. ①√2배
    2. ②1/√2배
    3. ③1/2배
    4. ④1/2√2배
  31. 31.다음 그림과 같은 파형의 Laplace 변환은?

    1. ①3
    2. ②3/s
    3. ③
    4. ④
  32. 32.5H의 인덕터에 v(t)=20√2 cos(ωt-30°)V의 전압을 인가하였을 때 인덕터 흐르는 전류 i(t)의 순시값은? (단, ω=100[rad/s]이다.)

    1. ①i(t)=0.04√2cos(100t-120°)
    2. ②i(t)=0.02√2cos(100t-120°)
    3. ③i(t)=0.04√2cos(100t+60°)
    4. ④i(t)=0.02√2cos(100t+60°)
  33. 33.다음 회로에서 스위치 SW를 닫은 후 t가 2초일 때 회로에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

    1. ①3.68
    2. ②4.52
    3. ③6.32
    4. ④8.12
  34. 34.v(t)=cos2πf0t을 Fourier 변환한 V(f)를 구하면?

    1. ①V(t)=δ(f-f0)+δ(f+f0)
    2. ②V(t)=π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
    3. ③V(t)=1/2[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
    4. ④V(t)=2π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
  35. 35.R=20Ω, XL=10Ω, XC=5Ω을 병렬로 접속한 회로의 어드미턴스 Y[℧]은 얼마인가?

    1. ①0.06+j0.1
    2. ②0.05+j0.1
    3. ③0.06-j0.1
    4. ④0.05-j0.1
  36. 36.Vt=Vmsin(ωt+50°)와 It=Imcos(ωt-80°)의 위상차는?

    1. ①10°
    2. ②20°
    3. ③30°
    4. ④40°
  37. 37.입력과 출력신호를 각각 x(t), y(t)라고 할 때, 아래 미분방정식의 전달함수는? (단, y(0)=0이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  38. 38.10μF의 커패시터에 10V, 50Hz의 교류전압을 인가할 때 무효 전력은 몇 Var 인가?

    1. ①π/10
    2. ②π
    3. ③10π
    4. ④100π
  39. 39.그림과 같은 시간함수를 라플라스 변환하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④1/s
  40. 40.4단자망의 파라미터에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①h 파라미터에서 h12와 h21는 차원(단위)이 없다.
    2. ②ABCD 파라미터에서 A와 D는 차원(단위)이 있다.
    3. ③h 파라미터에서 h11은 임피던스의 차원을 h22는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
    4. ④ABCD 파라미터에서 B는 임피던스의 차원(단위)을 C는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
  41. 41.불대수에서 (A+B)(A+C)와 등식이 성립하는 것은?

    1. ①ABC
    2. ②A+B+C
    3. ③AB+C
    4. ④A+BC
  42. 42.동기 3단 2진 카운터 회로를 설계할 때, JK-FF(Flip Flop) 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 되는가?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③NOT
    4. ④EX-OR
  43. 43.다음과 같은 논리회로에 대한 설명으로 틀린것은?

    1. ①입력 A, B, C, D가 모두 0 이면, Y=1 이다.
    2. ②입력 A, B, C, D가 모두 1 이면, Y=0 이다.
    3. ③입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 홀수이면, Y=1 이다.
    4. ④입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 짝수이면, Y=0 이다.
  44. 44.다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  45. 45.귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①귀환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상인 경우를 부귀환이라 한다.
    2. ②귀환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류귀환이라 한다.
    3. ③귀환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬귀환이라 한다.
    4. ④직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환이라 한다.
  46. 46.다음 발진 회로에서 발진 주파수는?

    1. ①35.6kHz
    2. ②22.3kHz
    3. ③3.56kHz
    4. ④2.23kHz
  47. 47.다음 회로에서 Re의 주 역할은? (단, C의 값은 매우 크다.)

    1. ①출력증대
    2. ②동작점의 안정화
    3. ③바이어스 전압감소
    4. ④주파수 대역폭 증대
  48. 48.다음 회로의 출력전압(VO)의 파형은? (단, Rf는 무시한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  49. 49.다음 설명 중 래치와 플립플롭을 구분하는 트리거로 옳은 것은?

    1. ①래치는 에지 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
    2. ②래치는 에지 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
    3. ③래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
    4. ④래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
  50. 50.A급 전력 증폭기에서 최대의 출력을 얻기 위하여 필요한 바이어스 조건은?

    1. ①피크 부하전류의 절반
    2. ②피크 부하전류의 2배
    3. ③피크 부하전류
    4. ④차단전압
  51. 51.아래 그림과 같은 연산증폭기에서 Vi=V1sinωt란 입력이 들어왔을 때 출력전압(Vo)의 값은? (단, R=1MΩ, C=2μF, V1=2V, ω=120π[rad/sec]이다.)

    1. ①-480π cos120πt
    2. ②-240π cos120πt
    3. ③-4cos120πt
    4. ④-4π cos120πt
  52. 52.다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①Darlington 접속이다.
    2. ②Emitter follower이다.
    3. ③Emitter에 정전압을 인가한다.
    4. ④등가적으로 NPN 트랜지스터와 같다.
  53. 53.다음 중 불대수의 정리가 성립되지 않는 것은?

    1. ①A + B = B + A
    2. ②A∙B=A∙(A+B)
    3. ③A∙(B+C)=A∙B+A∙C
    4. ④A + (B∙C)=(A+B)∙(A+C)
  54. 54.다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?

    1. ①Early 효과
    2. ②Miller 효과
    3. ③Pinchoff 현상
    4. ④Breakdown 현상
  55. 55.TTL과 비교하여 CMOS 논리회로의 특징이 아닌 것은?

    1. ①소비전력이 작다.
    2. ②잡음여유도가 크다.
    3. ③높은 입력 임피던스이다.
    4. ④전달 지연 시간이 짧다.
  56. 56.4변수 카르노 맵을 이용하여 정리한 논리식 중에서 틀린 항은? (문제 오류로 실제 시험에서는 1, 2, 4번이 정답처리 되었습니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리 됩니다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  57. 57.hoe가 50×10-6[℧]인 트랜지스터를 200[Ω]의 부하와 정합시키려면 정합 변압기의 권선비(turnratio)는?

    1. ①5 : 1
    2. ②10 : 1
    3. ③50 : 1
    4. ④100 : 1
  58. 58.상승시간이 0.175μs인 연산증폭기를 이용하여 20kHz의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 dB 인가? (단, 이득 대역폭 적(G∙B)=0.35/상승시간이다.)

    1. ①10
    2. ②20
    3. ③30
    4. ④40
  59. 59.다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압-전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?

    1. ①A
    2. ②B
    3. ③C
    4. ④D
  60. 60.다음 회로의 명칭은 무엇인가? (단, R1=R2=R3=RF이다.)

    1. ①반전 증폭회로
    2. ②비반전 증폭회로
    3. ③차동 증폭회로
    4. ④미분 회로
  61. 61.운동 전자의 드브로이 파장이 3×10-10[m]인 경우 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec]전자의 질량 m=9.1×10-31[kg] 이다.)

    1. ①12×104[m/s]
    2. ②12×105[m/s]
    3. ③2.4×106[m/s]
    4. ④16×107[m/s]
  62. 62.파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?

    1. ①Maxwell-Boltzmann 통계
    2. ②Bose-Einstein 통계
    3. ③Fermi-Dirac 통계
    4. ④Gausian 통계
  63. 63.전자와 정공의 농도(concentration)를 구하는 것에 이용될 수 있는 것은?

    1. ①Hall effect
    2. ②Tunnel effect
    3. ③piezo effect
    4. ④photo electric effect
  64. 64.다음 중 전류 제어용 소자는?

    1. ①3극 진공관
    2. ②접합 트랜지스터
    3. ③접합 전계효과 트랜지스터
    4. ④절연 게이트 전계효과 트랜지스터
  65. 65.펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
    2. ②펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
    3. ③컬렉터 역바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
    4. ④펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
  66. 66.pn 접합 다이오드에 역방향 바이어스 전압을 공급할 때의 특징으로 틀린 것은?

    1. ①접합용량이 증가
    2. ②전위장벽이 증가
    3. ③공간전하의 영역 증가
    4. ④공핍층이 증가
  67. 67.300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?

    1. ①0.02
    2. ②0.1
    3. ③0.7
    4. ④0.98
  68. 68.재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①결정표면의 불균일
    2. ②순도가 높은 결정
    3. ③결정격자의 결함
    4. ④불순물에 의한 격자 결함
  69. 69.서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①반도체의 일종이다.
    2. ②온도제어 회로 등에 사용된다.
    3. ③일반적으로 정(+)의 온도계수를 가진다.
    4. ④CTR(Critical Temperature Resistor)은 이것을 응용한 것이다.
  70. 70.순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?

    1. ①소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
    2. ②금속 전도체와 같은 행동을 한다.
    3. ③많은 수의 정공을 갖고 있다.
    4. ④절연체와 같이 행동한다.
  71. 71.부성(negative) 저항 특성을 나타내는 다이오드는?

    1. ①터널 다이오드
    2. ②바랙터 다이오드
    3. ③제너 다이오드
    4. ④정류용 다이오드
  72. 72.FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?

    1. ①게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
    2. ②전자만으로 전류가 운반되기 때문이다.
    3. ③소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
    4. ④다수 캐리어만으로 전류가 운반되기 때문이다.
  73. 73.전자의 입자와 파동의 이중성을 설명하는 드브로이파(de Broglie wave, 물질파)에 관한 올바른 식은? (단, h: 프랭크 상수, m: 전자의 질량, υ: 속도, λ: 파장이다.)

    1. ①λ=(mh)/υ
    2. ②λ=υ/(mh)
    3. ③λ=m/(hυ)
    4. ④λ=h/(mυ)
  74. 74.P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

    1. ①전자의 확산 현상
    2. ②정공의 확산 현상
    3. ③전자의 드리프트 현상
    4. ④전공의 드리프트 현상
  75. 75.서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?

    1. ①Peltier Effect
    2. ②Seebeck Effect
    3. ③Zeeman Effect
    4. ④Hall Effect
  76. 76.에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?

    1. ①f(E)-1
    2. ②1-f(E)
    3. ③1/(f(E)-1)
    4. ④1/(1-f(E))
  77. 77.접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?

    1. ①포화영역과 활성영역
    2. ②활성영역과 차단영역
    3. ③활성영역과 역할성영역
    4. ④포화영역과 차단영역
  78. 78.진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)

    1. ①가전자대 쪽으로 접근한다.
    2. ②전도대 쪽으로 접근한다.
    3. ③금지대 중앙으로 접근한다.
    4. ④온도와는 무관하다.
  79. 79.고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?

    1. ①전계 방출
    2. ②열전자 방출
    3. ③광전자 방출
    4. ④2차 전자 방출
  80. 80.베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m2 /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?

    1. ①1.6
    2. ②16
    3. ③50
    4. ④80
  81. 81.4-단계 파이프라인 구조의 컴퓨터에서 클락주기가 1μs일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?

    1. ①10μs
    2. ②11μs
    3. ③12μs
    4. ④13μs
  82. 82.Associative 기억장치의 특징에 대한 설명으로 가장 적합하지 않은 것은?

    1. ①별도의 판독회로 구성이 필요없기 때문에 하드웨어 비용이 절감된다.
    2. ②병렬 판독회로가 있어야 한다.
    3. ③번지에 의해서만 접근이 가능한 기억장치보다 정보검색이 신속하다.
    4. ④기억된 정보의 일부분을 이용하여 원하는 정보가 기억된 위치를 알아낸 후 나머지 정보에 접근한다.
  83. 83.부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?

    1. ①지수의 값을 크게 하기 위해서이다.
    2. ②수의 정밀도를 높이기 위함이다.
    3. ③부호 비트를 생략하기 위함이다.
    4. ④가수부의 비트수를 줄이기 위함이다.
  84. 84.C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
    2. ②상수를 정의하는 데에도 사용한다.
    3. ③프로그램에서 '#' 표시를 사용한다.
    4. ④유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.
  85. 85.CPU의 제어ㆍ기억장치에서 주소를 결정하는 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.
    2. ②마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.
    3. ③상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.
    4. ④매크로 동작 비트로부터 ROM으로의 매핑이 가능하다.
  86. 86.마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①구조적이고 임의적인 설계가 가능하다.
    2. ②경제적이며 시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
    3. ③보다 용이한 유지보수 관리가 가능하다.
    4. ④시스템이 간단하여 많은 제어 결정을 필요로 하지 않을 때 유리하다.
  87. 87.컴퓨터 주기억장치의 용량을 1MB(Mega Byte)의 크기로 구성하려고 한다. 1 바이트가 8 bit이고 Parity bit를 포함한다면 64KB(Kilo Byte) DRAM의 칩이 몇 개가 필요한가?

    1. ①16
    2. ②17
    3. ③128
    4. ④144
  88. 88.마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보교환을 위해 필요한 물리적 연결은?

    1. ①I/O processor
    2. ②Cache
    3. ③Bus
    4. ④Register
  89. 89.CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.
    2. ②명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.
    3. ③기억장치 내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출 사이클이라 한다.
    4. ④인터럽트 사이클 동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.
  90. 90.마이크로컴퓨터와 외부의 입ㆍ출력 장치 간의 정보 교환을 수행하는 것은?

    1. ①interface unit
    2. ②arithmetic unit
    3. ③control unit
    4. ④interrupt process unit
  91. 91.STACK에 관한 용어 또는 명령어로 가장 관련이 없는 것은?

    1. ①FIFO
    2. ②PUSH
    3. ③POP
    4. ④LIFO
  92. 92.CPU가 입ㆍ출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?

    1. ①Interrupt I/O
    2. ②Memory-mapped I/O
    3. ③Isolated I/O
    4. ④Programmed I/O
  93. 93.64 Kilo Bit DRAM이 몇 개 있어야 128 Kilo Byte의 용량이 되는가?

    1. ①2개
    2. ②4개
    3. ③8개
    4. ④16개
  94. 94.그림과 같은 JK 플립플롭을 결선하고, 클락펄스를 계속 인가하였을 때의 출력상태는?

    1. ①Set 된다.
    2. ②Reset 된다.
    3. ③Toggle 된다.
    4. ④동작불능 상태가 된다.
  95. 95.2진수 10111101001를 16진수로 변환시킨 것은?

    1. ①5D9(16)
    2. ②AE9(16)
    3. ③5E9(16)
    4. ④B59(16)
  96. 96.시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
    2. ②언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
    3. ③진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
    4. ④로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조기억장치로 보낸다.
  97. 97.DMA(Direct Memory Access)에 관한 설명으로 올바른 것은?

    1. ①CPU가 입ㆍ출력을 직접 제어한다.
    2. ②입ㆍ출력 동작을 수행하는 동안에는 프로세서가 다른 일을 하지 못한다.
    3. ③입ㆍ출력 모듈의 인터럽트 신호에 의하여 데이터 전송이 이루어진다.
    4. ④CPU가 개입하지 않고 기억장치와 입ㆍ출력 모듈 사이에 데이터 전송이 이루어진다.
  98. 98.마이크로소프트사에서 디바이스 드라이버의 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?

    1. ①ISA
    2. ②PCI
    3. ③OSC
    4. ④WDM
  99. 99.16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?

    1. ①AND 8개, OR 8개
    2. ②AND 8개, OR 16개
    3. ③AND 16개, OR 8개
    4. ④AND 16개, OR 16개
  100. 100.순서도(flowchart) 작성 시 주의사항에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.
    2. ②되도록이면 선이 교차하지 않게 그린다.
    3. ③적당한 설명을 첨부한다.
    4. ④서브루틴은 가급적 별도로 그린다.