전자기사 (2016-10-01)
총 100문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?
- ①X=0
- ②X=1
- ③X
- ④X>0
2.그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때, A코일의 자기 인덕턴스가 L1(H)이라면 두 코일의 상호 인덕턴스 M(H)는? (단, 누설자속은 0이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
3.간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?
- ①1.5×1011
- ②1.5×1012
- ③1.36×1011
- ④1.36×1012
4.그림과 같이 평행한 무한장 직선도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 흐른다. 두 선 사이의 점 P의 자계의 세기가 0이라고 하면 a/b는?
- ①
- ②
- ③
- ④
5.파라핀유 속에서 5cm의 거리를 두고 5μC과 4μC의 점전하가 있다. 두 점전하 사이에 작용하는 힘은 약 몇 N 인가? (단, 파라핀유의 비유전율은 2.2라고 한다.)
- ①8.57
- ②32.7
- ③65.5
- ④163.6
6.그림과 같은 영구자석과 아라고판(Arago plate)에 대한 설명으로 틀린 것은?
- ①영구자석을 아라고판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 원 둘레와 나란히 이동시키면, 아라고판이 영구자석의 이동방향을 따라 회전한다.
- ②아라고 원판을 아라고판의 회전축 주위로 회전시키면, 영구자석에 의하여 아라고판에 맴돌이 전류(eddy current)가 발생하여 제동작용이 생긴다.
- ③영구자석을 아라고 판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 그림과 같이 나란히 이동시키면, 항상 축의 중심에서 아라고판의 원둘레 방향으로 전류가 발생한다.
- ④영구자석을 아라고판의 회전축을 중심으로 움직이는 대신 아라고판상에 이동자계를 만들어주어도 자계의 이동방향을 따라 아라고판이 회전한다.
7.진공 중에 있는 두 점자극 +m(Wb)와 -m(Wb)가 r(m) 거리에 있을 때, 두 점자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기(AT/m)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
8.반지름 50cm인 서로 나란한 두 원형코일을 1mm 간격으로 동축 상에 평행 배치한 후 각 코일에 100A의 전류가 같은 방향으로 흐를 때 코일 상호간에 작용하는 인력은 약 몇 N 인가?
- ①3.14
- ②6.28
- ③31.4
- ④62.8
9.투자율 μ(H/m)에서 길이 ℓ(m), 간격 d(m)인 두 평행도선 사이의 상호인덕턴스(H)는? (단, ℓ≫d이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
10.어떤 코일의 전류와 자속의 특성이 그림과 같이 주어졌다고 한다. 전류가 25A이면 이 코일에 저장되는 에너지는 몇 J 인가?
- ①31.25×10-3
- ②35.75×10-3
- ③38.75×10-3
- ④56.25×10-3
11.정전계에 대한 설명 중 틀린 것은?
- ①전기력선은 전하가 없는 곳에서는 서로 교차한다.
- ②단위 전하에서 나오는 전기력선의 수는 1/Є0개이다.
- ③도체에 주어진 전하는 도체표면에만 분포한다.
- ④중공도체(中空導體)에 준 전하는 외부 표면에만분포하고 내부표면에는 존재하지 않는다.
12.비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?
- ①21
- ②42
- ③80
- ④160
13.공극의 겉넓이가 Sa=4.26×10-2m2이고, 길이가 la=5.6㎜인 직류기에 있어서 공극의 자기저항은 약 몇 AT/Wb 인가?
- ①10.5×102
- ②10.5×10-2
- ③1.05×105
- ④1.05×10-5
14.다음 식 중 틀린 것은?
- ①가우스(Gauss)의 정리 : div D=ρ
- ②포아송(Poisson) 방정식 :
- ③스토크스(Stokes)의 정리 :
- ④발산정리 :
15.Є1 > Є2인 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사할 때 경계면에 작용하는 힘은?
- ①의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
- ②의 힘이 Є2에서 Є1으로 작용한다.
- ③의 힘이 Є2에서 Є1으로로 작용한다.
- ④의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
16.전기량이 0.2C인 점전하가 전계 E=5j+k(V/m) 및 자속밀도 B=2j+5j(Wb/m2)인 전자계에 v=2i+3j(m/s)의 속도로 돌입할 때 점전하에 작용하는 힘(N)은?
- ①i+j-2k
- ②2i-j+5k
- ③3i-j+k
- ④5i+j-3k
17.다음 중 저항률이 가장 작은 것은?
- ①동
- ②철
- ③수은
- ④알루미늄
18.동일한 금속 도선의 두 점 사이에 온도차를 주고 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?
- ①펠티에(Peltier) 효과
- ②볼타(Volta) 효과
- ③제벡(Seebeck) 효과
- ④톰슨(Thomson) 효과
19.환상철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?
- ①10000
- ②500
- ③400
- ④250
20.진공 중에서 내구의 반지름 a=3cm, 외구의 내반지름 b=9cm인 두 동심구 사이의 정전용량은 몇 pF 인가?
- ①0.5
- ②5
- ③50
- ④500
21.R-C 병렬회로에 60hz, 100V를 가하였을 때 유효전력 800W, 무효전력 600Var이면 저항R[Ω], 정전용량 C[μF]의 값은?
- ①R=12.5, C=159
- ②R=15.5, C=180
- ③R=18.5, C=189
- ④R=20.5, C=219
22.전류 i 방향으로의 2Ω 양단에서의 전압강하는?
- ①2
- ②4
- ③6
- ④8
23.R=20Ω, L=0.05H, C=1μF인 R-L-C 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?
- ①25.2
- ②17.2
- ③15.2
- ④11.2
24.크기 A인 임펄스의 스펙트럼(amplitude sprctrum)은?
- ①Ae-jωt0
- ②1
- ③A
- ④Aejωt0
25.다음 회로에서 VO(t)의 실효값은?
- ①0V
- ②10V
- ③
- ④
26.다음 설명이 나타내는 것은?
- ①노튼 정리
- ②보상 정리
- ③테브난 정리
- ④중첩의 정리
27.다음 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 C는?
- ①1/Z2
- ②1
- ③
- ④
28.함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?
- ①
- ②
- ③
- ④
29.R-C 직렬회로에 직류전압 5V를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON 한다면 커패시터 양단에 걸리는 전압 Vc 는? (단, R=1Ω, C=1F 이다.)
- ①-5e-t
- ②5e-t
- ③5(1-e-t)
- ④5(1-et)
30.필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?
- ①√2배
- ②1/√2배
- ③1/2배
- ④1/2√2배
31.다음 그림과 같은 파형의 Laplace 변환은?
- ①3
- ②3/s
- ③
- ④
32.5H의 인덕터에 v(t)=20√2 cos(ωt-30°)V의 전압을 인가하였을 때 인덕터 흐르는 전류 i(t)의 순시값은? (단, ω=100[rad/s]이다.)
- ①i(t)=0.04√2cos(100t-120°)
- ②i(t)=0.02√2cos(100t-120°)
- ③i(t)=0.04√2cos(100t+60°)
- ④i(t)=0.02√2cos(100t+60°)
33.다음 회로에서 스위치 SW를 닫은 후 t가 2초일 때 회로에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
- ①3.68
- ②4.52
- ③6.32
- ④8.12
34.v(t)=cos2πf0t을 Fourier 변환한 V(f)를 구하면?
- ①V(t)=δ(f-f0)+δ(f+f0)
- ②V(t)=π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
- ③V(t)=1/2[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
- ④V(t)=2π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
35.R=20Ω, XL=10Ω, XC=5Ω을 병렬로 접속한 회로의 어드미턴스 Y[℧]은 얼마인가?
- ①0.06+j0.1
- ②0.05+j0.1
- ③0.06-j0.1
- ④0.05-j0.1
36.Vt=Vmsin(ωt+50°)와 It=Imcos(ωt-80°)의 위상차는?
- ①10°
- ②20°
- ③30°
- ④40°
37.입력과 출력신호를 각각 x(t), y(t)라고 할 때, 아래 미분방정식의 전달함수는? (단, y(0)=0이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
38.10μF의 커패시터에 10V, 50Hz의 교류전압을 인가할 때 무효 전력은 몇 Var 인가?
- ①π/10
- ②π
- ③10π
- ④100π
39.그림과 같은 시간함수를 라플라스 변환하면?
- ①
- ②
- ③
- ④1/s
40.4단자망의 파라미터에 대한 설명으로 틀린 것은?
- ①h 파라미터에서 h12와 h21는 차원(단위)이 없다.
- ②ABCD 파라미터에서 A와 D는 차원(단위)이 있다.
- ③h 파라미터에서 h11은 임피던스의 차원을 h22는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
- ④ABCD 파라미터에서 B는 임피던스의 차원(단위)을 C는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
41.불대수에서 (A+B)(A+C)와 등식이 성립하는 것은?
- ①ABC
- ②A+B+C
- ③AB+C
- ④A+BC
42.동기 3단 2진 카운터 회로를 설계할 때, JK-FF(Flip Flop) 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 되는가?
- ①AND
- ②OR
- ③NOT
- ④EX-OR
43.다음과 같은 논리회로에 대한 설명으로 틀린것은?
- ①입력 A, B, C, D가 모두 0 이면, Y=1 이다.
- ②입력 A, B, C, D가 모두 1 이면, Y=0 이다.
- ③입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 홀수이면, Y=1 이다.
- ④입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 짝수이면, Y=0 이다.
44.다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?
- ①
- ②
- ③
- ④
45.귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①귀환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상인 경우를 부귀환이라 한다.
- ②귀환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류귀환이라 한다.
- ③귀환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬귀환이라 한다.
- ④직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환이라 한다.
46.다음 발진 회로에서 발진 주파수는?
- ①35.6kHz
- ②22.3kHz
- ③3.56kHz
- ④2.23kHz
47.다음 회로에서 Re의 주 역할은? (단, C의 값은 매우 크다.)
- ①출력증대
- ②동작점의 안정화
- ③바이어스 전압감소
- ④주파수 대역폭 증대
48.다음 회로의 출력전압(VO)의 파형은? (단, Rf는 무시한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
49.다음 설명 중 래치와 플립플롭을 구분하는 트리거로 옳은 것은?
- ①래치는 에지 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
- ②래치는 에지 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
- ③래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
- ④래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
50.A급 전력 증폭기에서 최대의 출력을 얻기 위하여 필요한 바이어스 조건은?
- ①피크 부하전류의 절반
- ②피크 부하전류의 2배
- ③피크 부하전류
- ④차단전압
51.아래 그림과 같은 연산증폭기에서 Vi=V1sinωt란 입력이 들어왔을 때 출력전압(Vo)의 값은? (단, R=1MΩ, C=2μF, V1=2V, ω=120π[rad/sec]이다.)
- ①-480π cos120πt
- ②-240π cos120πt
- ③-4cos120πt
- ④-4π cos120πt
52.다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
- ①Darlington 접속이다.
- ②Emitter follower이다.
- ③Emitter에 정전압을 인가한다.
- ④등가적으로 NPN 트랜지스터와 같다.
53.다음 중 불대수의 정리가 성립되지 않는 것은?
- ①A + B = B + A
- ②A∙B=A∙(A+B)
- ③A∙(B+C)=A∙B+A∙C
- ④A + (B∙C)=(A+B)∙(A+C)
54.다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
- ①Early 효과
- ②Miller 효과
- ③Pinchoff 현상
- ④Breakdown 현상
55.TTL과 비교하여 CMOS 논리회로의 특징이 아닌 것은?
- ①소비전력이 작다.
- ②잡음여유도가 크다.
- ③높은 입력 임피던스이다.
- ④전달 지연 시간이 짧다.
56.4변수 카르노 맵을 이용하여 정리한 논리식 중에서 틀린 항은? (문제 오류로 실제 시험에서는 1, 2, 4번이 정답처리 되었습니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
57.hoe가 50×10-6[℧]인 트랜지스터를 200[Ω]의 부하와 정합시키려면 정합 변압기의 권선비(turnratio)는?
- ①5 : 1
- ②10 : 1
- ③50 : 1
- ④100 : 1
58.상승시간이 0.175μs인 연산증폭기를 이용하여 20kHz의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 dB 인가? (단, 이득 대역폭 적(G∙B)=0.35/상승시간이다.)
- ①10
- ②20
- ③30
- ④40
59.다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압-전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?
- ①A
- ②B
- ③C
- ④D
60.다음 회로의 명칭은 무엇인가? (단, R1=R2=R3=RF이다.)
- ①반전 증폭회로
- ②비반전 증폭회로
- ③차동 증폭회로
- ④미분 회로
61.운동 전자의 드브로이 파장이 3×10-10[m]인 경우 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec]전자의 질량 m=9.1×10-31[kg] 이다.)
- ①12×104[m/s]
- ②12×105[m/s]
- ③2.4×106[m/s]
- ④16×107[m/s]
62.파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
- ①Maxwell-Boltzmann 통계
- ②Bose-Einstein 통계
- ③Fermi-Dirac 통계
- ④Gausian 통계
63.전자와 정공의 농도(concentration)를 구하는 것에 이용될 수 있는 것은?
- ①Hall effect
- ②Tunnel effect
- ③piezo effect
- ④photo electric effect
64.다음 중 전류 제어용 소자는?
- ①3극 진공관
- ②접합 트랜지스터
- ③접합 전계효과 트랜지스터
- ④절연 게이트 전계효과 트랜지스터
65.펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
- ①베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
- ②펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
- ③컬렉터 역바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
- ④펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
66.pn 접합 다이오드에 역방향 바이어스 전압을 공급할 때의 특징으로 틀린 것은?
- ①접합용량이 증가
- ②전위장벽이 증가
- ③공간전하의 영역 증가
- ④공핍층이 증가
67.300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?
- ①0.02
- ②0.1
- ③0.7
- ④0.98
68.재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①결정표면의 불균일
- ②순도가 높은 결정
- ③결정격자의 결함
- ④불순물에 의한 격자 결함
69.서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 틀린 것은?
- ①반도체의 일종이다.
- ②온도제어 회로 등에 사용된다.
- ③일반적으로 정(+)의 온도계수를 가진다.
- ④CTR(Critical Temperature Resistor)은 이것을 응용한 것이다.
70.순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
- ①소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
- ②금속 전도체와 같은 행동을 한다.
- ③많은 수의 정공을 갖고 있다.
- ④절연체와 같이 행동한다.
71.부성(negative) 저항 특성을 나타내는 다이오드는?
- ①터널 다이오드
- ②바랙터 다이오드
- ③제너 다이오드
- ④정류용 다이오드
72.FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
- ①게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
- ②전자만으로 전류가 운반되기 때문이다.
- ③소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
- ④다수 캐리어만으로 전류가 운반되기 때문이다.
73.전자의 입자와 파동의 이중성을 설명하는 드브로이파(de Broglie wave, 물질파)에 관한 올바른 식은? (단, h: 프랭크 상수, m: 전자의 질량, υ: 속도, λ: 파장이다.)
- ①λ=(mh)/υ
- ②λ=υ/(mh)
- ③λ=m/(hυ)
- ④λ=h/(mυ)
74.P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
- ①전자의 확산 현상
- ②정공의 확산 현상
- ③전자의 드리프트 현상
- ④전공의 드리프트 현상
75.서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?
- ①Peltier Effect
- ②Seebeck Effect
- ③Zeeman Effect
- ④Hall Effect
76.에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?
- ①f(E)-1
- ②1-f(E)
- ③1/(f(E)-1)
- ④1/(1-f(E))
77.접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?
- ①포화영역과 활성영역
- ②활성영역과 차단영역
- ③활성영역과 역할성영역
- ④포화영역과 차단영역
78.진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)
- ①가전자대 쪽으로 접근한다.
- ②전도대 쪽으로 접근한다.
- ③금지대 중앙으로 접근한다.
- ④온도와는 무관하다.
79.고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
- ①전계 방출
- ②열전자 방출
- ③광전자 방출
- ④2차 전자 방출
80.베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m2 /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?
- ①1.6
- ②16
- ③50
- ④80
81.4-단계 파이프라인 구조의 컴퓨터에서 클락주기가 1μs일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?
- ①10μs
- ②11μs
- ③12μs
- ④13μs
82.Associative 기억장치의 특징에 대한 설명으로 가장 적합하지 않은 것은?
- ①별도의 판독회로 구성이 필요없기 때문에 하드웨어 비용이 절감된다.
- ②병렬 판독회로가 있어야 한다.
- ③번지에 의해서만 접근이 가능한 기억장치보다 정보검색이 신속하다.
- ④기억된 정보의 일부분을 이용하여 원하는 정보가 기억된 위치를 알아낸 후 나머지 정보에 접근한다.
83.부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?
- ①지수의 값을 크게 하기 위해서이다.
- ②수의 정밀도를 높이기 위함이다.
- ③부호 비트를 생략하기 위함이다.
- ④가수부의 비트수를 줄이기 위함이다.
84.C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
- ①컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
- ②상수를 정의하는 데에도 사용한다.
- ③프로그램에서 '#' 표시를 사용한다.
- ④유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.
85.CPU의 제어ㆍ기억장치에서 주소를 결정하는 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
- ①제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.
- ②마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.
- ③상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.
- ④매크로 동작 비트로부터 ROM으로의 매핑이 가능하다.
86.마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①구조적이고 임의적인 설계가 가능하다.
- ②경제적이며 시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
- ③보다 용이한 유지보수 관리가 가능하다.
- ④시스템이 간단하여 많은 제어 결정을 필요로 하지 않을 때 유리하다.
87.컴퓨터 주기억장치의 용량을 1MB(Mega Byte)의 크기로 구성하려고 한다. 1 바이트가 8 bit이고 Parity bit를 포함한다면 64KB(Kilo Byte) DRAM의 칩이 몇 개가 필요한가?
- ①16
- ②17
- ③128
- ④144
88.마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보교환을 위해 필요한 물리적 연결은?
- ①I/O processor
- ②Cache
- ③Bus
- ④Register
89.CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
- ①실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.
- ②명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.
- ③기억장치 내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출 사이클이라 한다.
- ④인터럽트 사이클 동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.
90.마이크로컴퓨터와 외부의 입ㆍ출력 장치 간의 정보 교환을 수행하는 것은?
- ①interface unit
- ②arithmetic unit
- ③control unit
- ④interrupt process unit
91.STACK에 관한 용어 또는 명령어로 가장 관련이 없는 것은?
- ①FIFO
- ②PUSH
- ③POP
- ④LIFO
92.CPU가 입ㆍ출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?
- ①Interrupt I/O
- ②Memory-mapped I/O
- ③Isolated I/O
- ④Programmed I/O
93.64 Kilo Bit DRAM이 몇 개 있어야 128 Kilo Byte의 용량이 되는가?
- ①2개
- ②4개
- ③8개
- ④16개
94.그림과 같은 JK 플립플롭을 결선하고, 클락펄스를 계속 인가하였을 때의 출력상태는?
- ①Set 된다.
- ②Reset 된다.
- ③Toggle 된다.
- ④동작불능 상태가 된다.
95.2진수 10111101001를 16진수로 변환시킨 것은?
- ①5D9(16)
- ②AE9(16)
- ③5E9(16)
- ④B59(16)
96.시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
- ①라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
- ②언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
- ③진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
- ④로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조기억장치로 보낸다.
97.DMA(Direct Memory Access)에 관한 설명으로 올바른 것은?
- ①CPU가 입ㆍ출력을 직접 제어한다.
- ②입ㆍ출력 동작을 수행하는 동안에는 프로세서가 다른 일을 하지 못한다.
- ③입ㆍ출력 모듈의 인터럽트 신호에 의하여 데이터 전송이 이루어진다.
- ④CPU가 개입하지 않고 기억장치와 입ㆍ출력 모듈 사이에 데이터 전송이 이루어진다.
98.마이크로소프트사에서 디바이스 드라이버의 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?
- ①ISA
- ②PCI
- ③OSC
- ④WDM
99.16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
- ①AND 8개, OR 8개
- ②AND 8개, OR 16개
- ③AND 16개, OR 8개
- ④AND 16개, OR 16개
100.순서도(flowchart) 작성 시 주의사항에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
- ①모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.
- ②되도록이면 선이 교차하지 않게 그린다.
- ③적당한 설명을 첨부한다.
- ④서브루틴은 가급적 별도로 그린다.