문항 목록
1자기모멘트 9.8×10-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평성분 10.5[AT/m]인 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 J 인가?
2그림과 같이 반지름 10[cm]인 반원과 그 양단으로부터 직선으로 된 도선에 10[A]의 전류가 흐를 때. 중심 0에서의 자계의 세기와 방향은?
3전자파의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?
4무한히 넓은 두 장의 평면판 도체를 간격 d(m)로 평행하게 배치하고 각각의 평면판에 면전하밀도 ±σ(C/m2)로 분포되어 있는 경우 전기력선은 면에 수직으로 나와 평행하게 발산한다. 이 평면판내부의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
5패러데이 관에 대한 설명으로 틀린 것은?
6쌍극자모멘트가 M(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 점 P의 전계는 에서 어떻게 되는가? (단, θ는 전기쌍극자의 중심에서 축 방향과 점 P를 잇는 선분의 사이 각이다.)
7평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 4.8×10-7[C/m2]이고 단위체적당 정전에너지가 5.3×10-3[J/m3 ]이었다. 이 유전체의 유전율은 몇 F/m 인가?
8환상 철심에 권선수 20인 A코일과 권선수 80인 B코일이 감겨 있을 때, A코일의 자기인덕턴스가 5[mH]라면 두 코일의 상호인덕턴스는 몇 mH인가? (단, 누설자속은 없는 것으로 본다.)
9다음 식 중에서 틀린 것은?
10자기회로에서 키르히호프의 법칙에 대한 설명으로 옳은 것은?
11W1과 W2의 에너지를 갖는 두 콘덴서를 병렬 연결한 경우의 총 에너지 W와의 관계로 옳은 것은? (단, W1≠W2이다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
12한 변이 L(m)되는 정사각형의 도선회로에 전류 I(A)가 흐르고 있을 때 회로 중심에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가?
13자유공간 중에 x=2, z=4인 무한장 직선상에 ρL(C/m)인 균일한 선전하가 있다. 점(0,0,4)의 전계 E(V/m)는?
14압전효과를 이용하지 않은 것은?
15단면적 S(m2), 단위 길이당 권수가 n0(회/m)인 무한히 긴 솔레노이드의 자기인덕턴스(H/m)를 구하면?
16표피효과에 대한 설명으로 옳은 것은?
17그림과 같은 원통상 도선 한 가닥이 유전율 ε(F/m)인 매질 내에 지상 h(m) 높이로 지면과 나란히 가선되어 있을 때 대지와 도선간의 단위길이당 정전용량(F/m)은?
18두 종류의 유전율(Є1, Є2)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ1, θ2는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E1, E2가 이루는 각이다.)
19감자력이 0인 것은?
20전위 V=3xy+z+4일 때 전계 E는?
21직렬공진 대역통과 필터에서 공진주파수에서의 최대 전류가 20[mA]일 때 차단 주파수에서의 전류값은 몇 mA 인가?
22감쇄되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 것은?
23이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?
24그림과 같은 브리지 회로가 평형이 되기 위한 의 값은? (단, G는 검류계이다.)
25리액턴스 함수가 으로 표시되는 리액턴스 2 단자망에 대한 설명 중 틀린 것은?
26t의 함수 f(t)=f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?
27그림과 같은 L형 회로에 대한 영상 임피던스 Z01과 Z02을 구하면?
28로 주어지는 2단자 회로망에 직류 전압 5[V]를 인가 시 회로망에 흐르는 정상상태에서의 전류는 몇 A 인가? (단, s+jw이다.)
29그림의 회로에서 t=0일 때 a에 닫혀 있는 스위치를 b로 전환하였을 때 저항에 흐르는 전류는?
30100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력이 25[W]이면 이 형광등의 역률은 몇 % 인가?
31그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압방정식 B는 몇 개인가?
32델타 함수의 시간 지연인 δ(t-t0)의 Fourier 변환은?
33무손실 분포정수 선로의 특성 임피던스 ZO는?
34R-L 직렬회로에서 L은 0.4[H], R은 2[Ω]일 때 시정수는 몇 ms 인가?
35이상적인 전압원의 내부 임피던스 Z는?
36대칭 4단자 망에 관한 내용으로 옳은 것은?
37다음 회로가 모든 주파수에서 공진하기 위한 저항 R의 값은 몇 Ω 인가?
38콘덴서와 코일에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은?
39어떤 콘덴서의 회로에 커패시턴스를 2배로 하고, 주파수를 1/5로 하면 흐르는 전류는 어떻게 되는가? (단, 커패시턴스 양단 전압은 일정하다.)
40그림과 같은 삼각파의 파고율은?
41논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?
42발진기 회로의 발진 조건은?
43전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?
44B급 푸시풀 증폭기 회로에서 최대 평균전력은 몇W 인가?
45트랜지스터의 컬렉터 전류에 대한 설명으로 옳은 것은?
46계수기의 현재 출력이 QA=0, QB=1, QC=1일 때 그 다음 출력으로 가장 적합한 것은?
47연산증폭기 회로에서 R1=10[kΩ], R2=100[kΩ]일 때 귀환율(β)은 약 얼마인가?
48그림과 같은 회로의 발진 주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, C1=200pF, C2=100pF, L=10mH, π=3.14이다.)
49푸시풀(push-pull) 전력 증폭기가 왜곡이 적은 큰 출력을 얻을 수 있는 주된 원인은?
50연산 증폭기 회로에서 부귀환을 사용하여 얻을 수 있는 장점이 아닌 것은?
51그림의 회로에서 부하 저항 RL에 흐르는 전류는 몇 mA 인가?
52연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?
53MOSFET로 구성된 다음 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 회로에서 Q1과 Q2는 p 채널이고, Q3과 Q4는 n 채널이다.)
54적분기와 미분기의 귀환 소자를 옳게 나열한 것은?
55그림과 같은 콘덴서 입력형 π형 필터에서 작은 맥동률이 나타나게 설계하기 위한 L, C의 값으로 옳은 것은?
56회로도에 대한 설명으로 옳은 것은?
57그림과 같은 RC회로에 입력 Vi가 공급될 때 출력 Vo는?
58전력 이득을 가장 크게 얻을 수 있는 결합 방식은?
59이미터 플로워(Emitter Follower) 증폭기에서 입력 신호에 대하여 그림과 같은 출력 전류 신호를 얻었다면 어떤 방식에 해당되는가?
60정전압 전원회로에서 무부하시의 단자전압이 13[V], 전부하일 때의 단자전압이 10[V]라면 전압변동률은 몇 % 인가?
61Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은?
62반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도 방향은?
63기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?
64실리콘 PN 접합에서 단면적이 0.1[mm2], 공간전하 영역 폭이 2×10-4[cm]일 때 공간전하 용량은 약 얼마인가? (단, Si의 비유전율은 12, ε0=8.85×10-12[F/m])
65정공의 확산계수를 Dp, 정공의 확산거리가 Lp로 주어졌을 때, 정공의 평균수명시간 τp를 나타낸 식은?
66페르미준위 Ef에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포 함수의 값은?
67PN 접합 양측에 불순물 함유량이 많을 경우에 일어나는 현상이 아닌 것은?
68펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
69다음 중 어떤 에너지 준위에 입자가 존재할 확률을 의미하는 분포함수가 아닌 것은?
70터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?
71트랜지스터의 제조에서 에피택시얼 층(epitaxia layer)이 많이 사용되는 이유는?
72Fermi 준위에 대한 설명으로 올바른 것은?
73진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
74빛의 파장이 1[Å]일 때 광자의 에너지는?
75pn접합 다이오드의 확산 용량(diffusion capacitance)에 관한 설명으로 옳은 것은?
76쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)를 베이스 접지하고 컬렉터 전압을 일정하게 유지하며 이미터 전류를 4[mA] 변화시킬 때 컬렉터 전류가 3.8[mA] 변화하였다. 이 트랜지스터의 전류 증폭률 α와 β는?
77금속의 광전자 방출에 관한 설명으로 옳은 것은?
78평형 상태에서 n형 불순물 반도체의 홀(hole) 농도를 나타낸 것은? (단, ni: 진성반도체의 캐리어 밀도 Nd: 도너 농도이다.
79핀치오프 전압 VP이 -4[V]이고, VGS가 0일 때 드레인 전류 IDSS가 8[mA]인 JFET에서 VGS가 -1.8[V]일 때 드레인 전류는 몇 mA 인가?
80페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
81프로그래밍 언어 중 객체지향언어가 아닌 것은?
82데이터 버스 폭이 32비트이고 버스 클럭 주파수가 10[MHz]일 때 버스 대역폭은?
83처리 능력을 향상시키기 위한 방법이 아닌 것은?
84인터럽트 동작의 수행 순서를 올바르게 나열한 것은?
85컴퓨터의 명령어 분류 방식에서 반드시 누산기(Accumulator)를 사용하는 방식은?
86외부 인터럽트(External Interrupt) 발생 원인이 아닌 것은?
87인터럽트 원인이 될 수 있는 것은?
88한 word가 24비트로 이루어지고 총 32768개의 word를 가진 기억장치가 있다. 이 기억장치를 사용하는 컴퓨터 시스템의 MBR(Memory Buffer Register), MAR(Memory Address Register), PC(Program Counter)에 필요한 각각의 비트수는?
89CPU의 기본 구조가 아닌 것은?
90입ㆍ출력 데이터 전송 시 중앙처리장치의 레지스터를 경유하지 않고 수행되는 방식은?
91다음 운영체제(OS)의 구성요소 중 제어 프로그램(Control Program)에 포함되지 않는 것은?
92행의 수가 7이고 열의 수가 5인 7×5 이차원 배열(array) a의 각 자료의 위치는 a[행][열]로 표시한다. 행주도순서(row major order)를 사요하고 a[1][1]이 1번지일 때 a[3][4]는 몇 번지인가?
93자료의 내부적인 표현과 관련이 없는 것은?
94어떤 특정한 비트 또는 분자를 삭제할 때 사용하는 연산은?
952진수 데이터를 산술적 시프트(Shift)하여 오른쪽으로 4번 이동하면? (단, 읽어버린 비트와 새로 들어온 비트는 모두 0이다.)
9616진수 A3B(16)를 10진수로 변환한 것은?
97복수 모듈 기억장치는 데이터를 전달할 때 어떤 개념을 사용하는가?
98흐름도(Flow Chart)의 필요성으로 거리가 먼 것은?
99중앙처리장치의 네 가지 상태에 해당되지 않는 것은?
100일반적인 명령어 형식을 나타낸 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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