반도체커스텀레이아웃산업기사 · 2016

반도체커스텀레이아웃산업기사 (2016-05-08)

총 80문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?

    1. ①제너 다이오드
    2. ②터널 다이오드
    3. ③리드 다이오드
    4. ④본드형 다이오드

  2. 2.반도체 공정에서 산화막 공정의 목적과 거리가 먼 것은?

    1. ①표면 유전성(surface dielectric) 효과
    2. ②표면 안정화(surface passivation) 효과
    3. ③이온주입 및 불순물 확산공정에 대한 마스킹(selective masking) 효과
    4. ④저온증착(Low Temperature Chemical Vapor Deposition) 효과

  3. 3.바이폴라 트랜지스터 존재하는 접합은?

    1. ①베이스(Base) - 소스(Source) 접합
    2. ②이미터(Emitter) - 드레인(Drain) 접합
    3. ③컬렉터(Collector) - 베이스(Base) 접합
    4. ④이미터(Emitter) - 컬렉터(Collector) 접합

  4. 4.바이폴라 트랜지스터에서 이미터-베이스 접합에 순방향 바이어스, 컬렉터-베이스 접합에 순방향 바이어스 전압을 걸었을 때의 트랜지스터의 동작 상태는?

    1. ①활성 상태
    2. ②포화 상태
    3. ③차단 상태
    4. ④역활성 상태

  5. 5.반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?

    1. ①가전자대
    2. ②충만대
    3. ③금지대
    4. ④전도대

  6. 6.pn접합이 순방향 바이어스일 때 동작으로 옳은 것은?

    1. ①p형 반도체의 정공만 n형 반도체로 이동한다.
    2. ②n형 반도체의 전자만 p형 반도체로 이동한다.
    3. ③전류가 흐르지 않는다.
    4. ④두 반도체의 다수 캐리어가 서로 상대편 영역으로 이동한다.

  7. 7.에너지 밴드의 종류에 해당하지 않는 것은?

    1. ①가전자대
    2. ②금지대
    3. ③전자대
    4. ④전도대

  8. 8.원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?

    1. ①2
    2. ②4
    3. ③8
    4. ④10

  9. 9.실리콘 pn접합의 형태를 이루고 있으며, 역방향 직류 전원에서 동작하며, 역방향 항복에 이르면 전류가 급격히 변하여도 항복 전압은 거의 일정한 소자는?

    1. ①정류기(rectifier)
    2. ②바랙터 다이오드(varactor diode)
    3. ③스위칭 다이오드(switching diode)
    4. ④제너 다이오드(zener diode)

  10. 10.단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④4

  11. 11.pn접합에서 외부에 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?

    1. ①분리 작용
    2. ②항복 작용
    3. ③확산 작용
    4. ④제너 현상

  12. 12.MOSFET의 커패시턴스 C는? (단, COX는 산화막 커패시턴스, CS는 공핍층 커패시턴스 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.NPN트랜지스터 ICEO에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①베이스에 흐르는 누설전류이다.
    2. ②차단상태에서 컬렉터에 흐르는 누설전류이다.
    3. ③포화상태에서 컬렉터에 흐르는 누설전류이다.
    4. ④차단상태에서 베이스에 흐르는 누설전류이다.

  14. 14.접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 핀치-오프(Pinch-off) 전압이란? (단, 드레인 전류 ID, VGS = 0 V 인 상태이다.)

    1. ①JEFT 애벌런치 전압
    2. ②ID가 일정하게 될 때의 VDS의 전압
    3. ③드레인-소스 사이의 전압
    4. ④채널 폭이 최소로 되는 게이트 역방향 전압

  15. 15.MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?

    1. ①게이트-소스 간에 순방향 전압 VGS을 공급하면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다.
    2. ②드레인-소스 간에 역방향 전압 VDS을 공급하면 드레인 전류 ID가 흐른다.
    3. ③VGS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 ID가 증가한다.
    4. ④BJT에 비하여 전력소모가 많은 트랜지스터이다.

  16. 16.pn접합에서 전류가 0 일 때의 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)가 없다.
    2. ②접합면을 지나는 소수 캐리어(Carrier)가 없다.
    3. ③접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)와 소수 캐리어가 같다.
    4. ④접합면을 지나는 캐리어(Carrier)의 농도가 적다.

  17. 17.pn접합의 공간 전하영역에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①움직이지 않는 도너와 억셉터 이온이 있다.
    2. ②공핍 영역(Depletion Region)이라고도 한다.
    3. ③거의가 다수 캐리어이다.
    4. ④전자 및 정공이 거의 없다.

  18. 18.역방향 바이어스 전압에 의해서 전류가 흐르는 다이오드로서 정전압 회로에 사용되는 것은?

    1. ①제너 다이오드
    2. ②터널 다이오드
    3. ③가변용량 다이오드
    4. ④정류 다이오드

  19. 19.p형과 n형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?

    1. ①p형 : 전자, n형 : 전자
    2. ②p형 : 정공, n형 : 정공
    3. ③p형 : 전자, n형 : 정공
    4. ④p형 : 정공, n형 : 전자

  20. 20.일정한 온도 하에서 n형 반도체의 도너 불순물 농도를 증가시키면 페르미 준위는?

    1. ①전도대에 접근한다.
    2. ②가전자대에 접근한다.
    3. ③금지대 중앙에 위치한다.
    4. ④금지대 중앙으로 접근한다.

  21. 21.그림과 같은 파형의 전압을 교류전압계(AC Voltmeter)로 측정할 때 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  22. 22.금속산화물반도체 전계효과 트렌지스터(MOSFET)에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①게이트의 전압이 임계 전압 이상으로 커지면 채널이 형성되기 시작하여 점차 채널폭이 감소한다.
    2. ②공핍형(depletion, D)과 증가형(enhancement, E) 2가지 형태가 있다.
    3. ③정(+)의 게이트-소스 간에 전압이 가해지면 MOSFET는 증가형으로 동작한다.
    4. ④공핍형 MOSFET는 게이트 전압이 0V일 때에도 채널이 존재한다.

  23. 23.주파수 대역폭을 넓히기 위한 방법으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①부귀환(feedback)을 사용한다.
    2. ②복동조 회로(double tuned circuit)를 사용한다
    3. ③동조회로(tuning circuit)의 Q를 높인다.
    4. ④스태거 증폭(stagger amplification) 방식을 사용한다.

  24. 24.연산증폭기 회로에서 출력 VO를 나타내는 식으로 가장 적합한 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.TV 수상기나 레이더 등과 같이 광대역 증폭을 요구하는 회로에 응용되는 증폭기는?

    1. ①스태거 동조 증폭기
    2. ②단일 동조 증폭기
    3. ③복동조 증폭기
    4. ④캐스코드 증폭기

  26. 26.정류기의 직류 출력전압이 전부하일 때 200V, 무부하인 경우 225V 이라면 전압변동률은 몇 % 인가?

    1. ①10
    2. ②12.5
    3. ③20
    4. ④25

  27. 27.이상적인 차동증폭기의 공통성분제거비(CMRR)는?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③-1
    4. ④무한대(∞)

  28. 28.트랜지스터의 콜렉터 손실이 최대 정격 15W인 두 개의 트랜지스터 B급 푸시풀(push-pull)로 동작하려할 때, 콜렉터 손실의 최대 정격이 허용하는 범위에서 최대 출력은 약 몇 W 인가?

    1. ①30
    2. ②45
    3. ③60
    4. ④75

  29. 29.단상 반파 정류회로의 이론상 최대 정류효율은 몇 % 인가? (단, 정류 효율 : η, 이다.)

    1. ①40.5
    2. ②48.2
    3. ③81.2
    4. ④91.6

  30. 30.다음 회로에서 출력전압은 몇 V 인가?

    1. ①-6
    2. ②-12
    3. ③-21
    4. ④-36

  31. 31.다음 회로의 명칭으로 알맞은 것은?

    1. ①포스터-실리 검파기
    2. ②멀티-바이브레이터
    3. ③연산증폭기
    4. ④차동증폭기

  32. 32.이상적인 구형파 입력 파형에 대한 출력 파형의 응답 시에 진폭과 시간 관계가 그림과 같을 때 하강 시간(fall time)은 몇 ㎲ 인가? (단, 수치의 모든 단위는 ㎲ 이다.)

    1. ①2
    2. ②4
    3. ③5
    4. ④13

  33. 33.트랜지스터 증폭기의 저주파(중간영역)에서의 전류이득을 0㏈라고 할 때 α차단 주파수에서의 전류이득은 몇 ㏈ 인가?

    1. ①0
    2. ②-1
    3. ③-3
    4. ④-6

  34. 34.다음 회로에서 전압이득은 Vo/Vi은? (단, Ri = ∞, -Av = ∞ 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  35. 35.직류 증폭기에서 온도 변화 등의 영향으로 인하여 출력이 변동되는 현상은?

    1. ①발진
    2. ②증폭
    3. ③초퍼
    4. ④드리프트

  36. 36.전압 직렬귀환 증폭 회로의 입력 및 출력 저항은 귀환이 없을 때와 비교하면 어떻게 변화하는가?

    1. ①입력 임피던스 : 증가, 출력, 임피던스 : 증가
    2. ②입력 임피던스 : 증가, 출력, 임피던스 : 감소
    3. ③입력 임피던스 : 감소, 출력, 임피던스 : 증가
    4. ④입력 임피던스 : 감소, 출력, 임피던스 : 감소

  37. 37.이미터 저항을 연결한 CE 증폭기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①입력저항이 증가한다.
    2. ②전압이득은 감소한다.
    3. ③출력저항이 많이 감소한다.
    4. ④전류이득은 거의 변화 없다.

  38. 38.다음 같은 증폭기에 관한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①부귀환을 걸어줌으로써 출력 임피던스는 감소한다.
    2. ②부귀환을 걸어줌으로써 입력 임피던스는 증가한다.
    3. ③무귀환 때에 비해 안정도가 좋아진다.
    4. ④부귀환을 걸어줌으로써 일그러짐은 감소한다.

  39. 39.단위 이득 주파수(fT)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①개방 전압 이득이 10 ㏈가 되는 주파수
    2. ②개방 전압 이득이 0 ㏈가 되는 주파수
    3. ③개방 전압 이득이 최대 이득에서 6 ㏈가 떨어지는 주파수
    4. ④개방 전압 이득이 최대 이득에서 3 ㏈가 떨어지는 주파수

  40. 40.FET에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①전압제어형 트랜지스터이다.
    2. ②BJT 보다 잡음특성이 양호하다.
    3. ③BJT 보다 이득 대역폭적(GBW)이 작다.
    4. ④BJT 보다 온도변화에 따른 안정성이 낮다.

  41. 41.슈미트트리거에 대한 전달함수가 다음 그래프와 같다. 입력 전압이 0V에서 서서히 증가할 경우 입력이 1.5V일 때 출력 전압은 몇 V 인가?

    1. ①3
    2. ②1.5
    3. ③0.2
    4. ④0

  42. 42.T 플립플롭의 특성 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①특성 방정식은 이다.
    2. ②T=1 일 때 보수 상태가 된다.
    3. ③한 개의 입력을 필요로 한다.
    4. ④0이 입력될 때는 변화가 없다.

  43. 43.2개의 입력을 가지는 NOR 게이트의 입력에 각각 인버터(inverter)가 접속되어 있을 때 결과적으로 얻어지는 논리 작용?

    1. ①AND
    2. ②OR
    3. ③NAND
    4. ④NOT

  44. 44.논리식 A + (A*B) = A의 불 대수 정리는?

    1. ①결합법칙
    2. ②교환법칙
    3. ③분배법칙
    4. ④흡수법칙

  45. 45.A, B에 해당하는 수치로 옳은 것은?

    1. ①A=11101, B=30
    2. ②A=11111, B=31
    3. ③A=11110, B=30
    4. ④A=11111, B=29

  46. 46.많은 입력 선(Line) 중의 하나로부터 2진 정보를 선택하여 단일 출력 선(Line)으로 전송하는 조합회로는?

    1. ①디코더
    2. ②멀티플렉터
    3. ③인코더
    4. ④디멀티플렉서

  47. 47.Multiplexer는 5개의 제어 선택 선(Line)으로 몇 개의 입력 라인을 제어할 수 있는가?

    1. ①1
    2. ②5
    3. ③32
    4. ④128

  48. 48.송신기가 ASCⅡ코드 1100101을 홀수 패리티를 사용하여 전송한다면 11001011을 보내게 된다. 이때 수신측에서의 논리적인 검사방식에 주로 사용되는 논리회로는?

    1. ①AND
    2. ②NOT
    3. ③OR
    4. ④XOR

  49. 49.다음 불 대수식을 간단히 하면?

    1. ①X
    2. ②Y
    3. ③
    4. ④

  50. 50.반가산기 회로의 출력으로 옳은 것은? (단, 입력은 A, B 출력은 Sum, Carry이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  51. 51.8진수 (44)4를 16진수로 표현하면?

    1. ①22
    2. ②2A
    3. ③24
    4. ④2C

  52. 52.JK 플립플롭 3개를 연결하여 구성된 회로에서 Cp를 입력으로 하고 A1, A2, A3를 출력으로 할 때 이 호로의 기능으로 옳은 것은?

    1. ①32진 카운터 (counter)
    2. ②16진 카운터 (counter)
    3. ③3 bit 2진 리플카운터 (ripple counter)
    4. ④4 bit 2진 리플카운터 (ripple counter)

  53. 53.논리회로 법칙 중 서로 잘못 연결된 것은?

    1. ①교환법칙 –A+B=B+A
    2. ②결합법칙 – A·(B+C)=A·B+A·C
    3. ③분배법칙 – A+(B·C)=(A+B)·(A+C)
    4. ④드모르간의 법칙 - (A·B)'=A'+B'

  54. 54.Schmitt 트리거 회로의 출력 파형에 나타나는 현상은?

    1. ①Singing
    2. ②Back swing
    3. ③Shoot
    4. ④Hysteresis

  55. 55.그림의 회로에서 입력 A가 “0” 상태일 때 트랜지스터는 어떠한 상태에 있게 되는가?

    1. ①OFF 상태
    2. ②ON 상태
    3. ③ON 혹은 OFF상태
    4. ④파괴된다.

  56. 56.두 개의 스위치를 직렬 연결하여 스위치 모두 닫혀 있을 때, 부하에 전류가 흐러서 불이 켜지게 하는 논리 회로는?

    1. ①NAND
    2. ②AND
    3. ③NOR
    4. ④OR

  57. 57.컴퓨터 내부에서 디지털로 코드화된 데이터를 해독하여 그에 대응하는 아날로그 신호로 바꿔주는 것은?

    1. ①인코더
    2. ②디코더
    3. ③비교기
    4. ④멀티플렉서

  58. 58.일련의 순차적인 수를 세는 회로는?

    1. ①부호기
    2. ②인코더
    3. ③레지스터
    4. ④카운터

  59. 59.Parity에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①에러 검출을 위한 비트이다.
    2. ②입출력 장치용 코드이다.
    3. ③문자를 나타내는 코드다.
    4. ④아날로그 정보를 디지털 정보로 교환한다.

  60. 60.다음 함수(function)를 간략히 한 결과 Y는?

    1. ①Y= AB + B'C
    2. ②Y= A + B + C
    3. ③Y= A'B' + B'C' + A'C'
    4. ④Y= AB + BC +AC

  61. 61.레이아웃 패턴을 설계자가 직접 설계하는 방식으로 가장 작은 면적을 갖는 집적회로(IC)는?

    1. ①반주문형 IC
    2. ②완전주문형 IC
    3. ③CPLD
    4. ④FPGA

  62. 62.기판 바이어스 효과(BODY EFFECT)에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①MOSFET에서 소스와 기판 사이의 역바이어스 전압에 따른 문턱 전압의 변화를 나타내는 변수이다.
    2. ②문턱 전압의 증가가 발생한다.
    3. ③IDS전류의 증가가 일어난다.
    4. ④스위칭 동작이 느려진다.

  63. 63.다음 중 CMOS IC를 취급하는 방법에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①부품을 다룰 때는 반드시 정전기 방지용 비닐에 담아서 사용한다.
    2. ②디바이스에 전원을 공급한 상태에서 디바이스의 입력에 신호를 공급한다.
    3. ③전원이 공급된 상태에서 디바이스를 제거한다.
    4. ④사용하지 않은 입력단자는 모두 VCC 또는 접지에 연결한다.

  64. 64.MOSFET에 생성될 수 있는 커패시턴스가 아닌 것은?

    1. ①게이트와 드레인 간 커패시턴스
    2. ②게이트와 벌크 간 커패시턴스
    3. ③소스와 드레인 간 커패시턴스
    4. ④소스와 벌크 간 커패시턴스

  65. 65.게이트 수준에서 검증된 설계 데이터를 집적회로 구현에 필요한 마스크 제작 데이터로 변환시키는 과정은?

    1. ①알고리즘 설계
    2. ②기능 수준 설계
    3. ③게이트 수준 설계
    4. ④레이아웃 설계

  66. 66.결정 내의 스트레인과 결함을 줄이고, 단결정의 성장을 촉진시키기 위해 웨이퍼를 일정 시간 온도가 높은 곳에서 의도적으로 넣어두는 것은?

    1. ①도핑(doping)
    2. ②어닐링(annealing)
    3. ③코팅(coating)
    4. ④테이퍼링(tapering)

  67. 67.CMOS NAND 게이트의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①PMOS는 병렬로 연결되고, NMOS는 직렬로 연결된다.
    2. ②PMOS는 병렬로 연결되고, NMOS도 병렬로 연결된다.
    3. ③PMOS는 직렬로 연결되고, NMOS도 직렬로 연결된다.
    4. ④PMOS는 직렬로 연결되고, NMOS는 병렬로 연결된다.

  68. 68.클록(clock)에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①정해진 신호의 전압값을 가지고 일정하고 반복적인 펄스형태의 신호이다.
    2. ②주로 아날로그 회로의 입력으로 사용된다.
    3. ③클록의 펄스형태가 바뀌는 곳을 클록에지(clock edge)라고 한다.
    4. ④펄스가 존재하는 곳을 정레벨, 펄스가 존재하지 않는 곳을 부레벨이라고 한다.

  69. 69.반도체 칩 내부와 외부 환경과의 연결을 위한 것은?

    1. ①코어(core)
    2. ②본딩 패드(bonding pad)
    3. ③비아(via)
    4. ④웨이퍼(wafer)

  70. 70.집적회로 전반부 설계에서 동작 수준과 게이트 수준 사이에 위치하는 것으로서 시스템을 구성하는 각 기능 블록과 그 사이의 연결 버스타이밍을 기술하는 것은?

    1. ①TTL
    2. ②DTL
    3. ③HDL
    4. ④RTL

  71. 71.기억보존(REFRESH)DL 필요하고 수시로 읽고 쓰기가 가능한 기억소자는?

    1. ①DRAM
    2. ②SRAM
    3. ③PROM
    4. ④EPROM

  72. 72.다음 CMOS 공정 중에서 가장 먼저 하는 것은?

    1. ①n-well 형성
    2. ②active 영역 정의
    3. ③metal 증착 및 배선
    4. ④소스, 드레인 확산 형성

  73. 73.드레인 접합의 공핍층이 커져 드레인 부근의 채널이 드레인 영역과 차단되는 현상은?

    1. ①핀치오프(pinch-off)현상
    2. ②사태항복(acalanche breakdown)현상
    3. ③포화(saturation) 현상
    4. ④반전(inversion) 현상

  74. 74.레이아웃 설계 검증과정 중 레이아웃과 회로도의 네트리스트(Netlist)를 비교하여 상호연결성을 검증하는 과정은?

    1. ①ERC
    2. ②DRC
    3. ③LVS
    4. ④HDL

  75. 75.전기적으로 프로그램 기록과 소거가 가능한 기억 소자는?

    1. ①PROM
    2. ②EPROM
    3. ③EEPROM
    4. ④Mask ROM

  76. 76.레이아웃 설계가 끝난 후 레이아웃 설계 자료를 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 하는 것은?

    1. ①Logic Synthesis
    2. ②Bottom-up Design
    3. ③Back Annotation
    4. ④Structured Design

  77. 77.도미노 로직(domino logic)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①도미노 로직은 동적 CMOS 로직의 한 종류이다.
    2. ②도미노 로직은 출력단에 인버팅 반 래치가 있어 동적 CMOS 로직의 출력과 같다.
    3. ③도미노 로직은 사전 충전 시 출력은 항상 0이므로 다음 단에 직접 연결해도 출력방전이 없다.
    4. ④도미노 로직은 사전 충전 시 출력은 항상 0이므로 잡음에도 강하다.

  78. 78.반도체 공정에서 웨이퍼에 마스크를 대고 그 위에 자외선 광원을 이용하여 마스크의 모양을 웨이퍼에 전사하는 작업을 무엇이라 하는가?

    1. ①포토리소그래피 공정
    2. ②에피택시 공정
    3. ③증착과 식각
    4. ④이온 주입 공정

  79. 79.에피택셜(epitaxial) 성장은 어느 경우에 적합한가?

    1. ①기판에 매우 얇은 다결정을 성장시킬 때
    2. ②기판에 매우 얇은 단결정을 성장시킬 때
    3. ③원통형 잉곳(ingot)을 성장시킬 때
    4. ④불순물을 기판에 골고루 분포시킬 때

  80. 80.CMOS 논리회로의 특성으로 틀린 것은?

    1. ①조합논리회로는 현재의 입력 값에 의해서만 출력이 결정된다.
    2. ②순차논리회로는 현재의 입력과 과거의 입력으로 출력이 결정된다.
    3. ③순차논리회로는 래치(latch)나 플립플롭의 기억소자를 포함한다.
    4. ④CMOS 논리회로에서 용량성 노드는 고려할 필요가 없다.