문항 목록
1정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 Єr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF이 되는가?
2공기 중에 있는 반지름 a(m)의 독립 금속구의 정전용량은 몇 F 인가?
3비오-사바르의 법칙에서 구할 수 있는 것은?
4무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.)
5전기쌍극자 모멘트 400πε0(Cㆍm)에 의한 점 r=10(m), θ=60°의 전계는 몇 V/m 인가?
6정전계에 관한 식 중 틀린 것은?
7길이 ℓ(m), 단면적 지름 d(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우 원통 양단에서의 전자극의 세기(Wb)는?
8그림과 같은 환상 솔레노이드에서 평균 반지름 r(m), 코일권수 N회에 I(A)의 전류를 흘릴 때 중심 O점의 자계의 세기 H(AT/m)는?
9자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등자화되는 자성체에서의 관계로 옳은 것은?
10공기가 채워진 동축케이블에서 내원통의 반지름a, 외원통의 내반지름 b인 무한히 긴 동축원통 도체의 단위 길이당 정전용량은?
11비투자율 800, 원형단면적 10cm2, 평균 자로 길이 30 cm의 환상철심에 600회의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 이것에 1A의 전류를 흘리면 코일 내부의 자속은 몇 Wb 인가?
12평행한 왕복 두 도선 간에 전류가 흐르면 전자력은? (단, 두 도선 간의 거리를 r(m)라 한다.)
13전계의 세기 E=105 V/m의 균등전계 내에 놓여 있는 전자의 가속도(m/sec2)는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19 C, 전자의 질량 m=9.107×10-31 kg이다.)
14100회 감은 코일에 코일당 자속이 2초 동안에 2Wb에서 1Wb로 감소했다. 이때 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
15전계의 세기가 30 kV/m인 전계 내에 단위 체적당의 전기쌍극자 모멘트가 1 μC/m2인 물질이 있을 때, 이 물질 내의 전속밀도는 약 몇 μC/m2 인가?
16어떤 막대꼴 철심의 단면적이 0.5m2 길이가 0.8 m, 비투자율이 10이다. 이 철심의 자기저항(AT/Wb)은?
17누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단, C는 콘덴서의 정전용량, V는 전압이다.)
18z＞0인 영역에는 비유전율 εs1=2인 유전체, z＜0인 영역에는 εs2=4인 유전체가 있으며 유전체 경계면에 전하가 없는 경우 E1=30ax+10ay+20az(V/m)일 때 εs2인 유전체 내에서 전계 E2(V/m)를 구하면? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
19평등 자계를 얻는 방법으로 가장 알맞은 것은?
20그림과 같이 한 변의 길이가 a(m)인 정삼각형 회로에 전류 I(A)가 흐를 때, 삼각형의 중심에 있어서의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
21정 K형 필터에서 임피던스 Z1, Z2와 공칭임피던스 K와의 관계는?
22회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
23다음 그림에서 전달함수 는?
24RC직렬 회로에서 일정한 전압 V1을 인가하여 장시간 지난 후 커패시터 C의 전압이 V1이 되었다면 저항 R에서 소비된 에너지는?
25어떤 회로망의 4단자 정수가 A = 8, B = j2, D = 3 + j2이면 이 회로망의 C는?
26어떤 선형시스템의 전달함수가 일 때, 이 시스템의 단위계단응답(unit-step response)은?
27인덕턴스 40mA, 저항 10Ω의 직렬 회로 시정수는 몇 s 인가?
28그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수(ABCD파라미터)가 옳은 것은?
29그림과 같은 인덕터 l의 초기전류가 i(0)일 때 라플라스 변환에 의해서 S의 함수로 표시되는 등가회로를 구하면?
30다음 회로에서 a, b 단자의 합성 저항은 몇 Ω 인가?
31그림과 같은 회로의 쌍대 회로는?
32라플라스 변환식 의 역변환은?
33그림과 같은 회로에 100V의 전압을 인가했을 때 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC는? (단, R=10Ω, ωL=10ω이다.)
34교류 전압 220V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz이다.)
35그림과 같은 회로를 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 2초 후의 전류는?
36그리과 같은 RC회로에 스텝 전압을 인가하면 출력 전압은? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않은 상태이다.)
37그림 (a)와 같은 히스테리시스 곡선을 그리는 비선형 인덕터에 그림 (b)와 같은 전류를 흘릴 때, 그 양단에 나타나는 전압 파형은?
38회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0-)로 적절한 것은? (단, t<0에서 vC=3V이다.)
39L1=20H, L2=7H인 전자 유도 결합 회로에서 결합계수 k=0.3일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 H인가?
40단위 계단함수 u(t)를 라플라스 변환하면?
41발진기에 대한 설명으로 틀린 것은?
42하이브리드 π모델에서 rbb=100Ω, rbe=1kΩ, Cre=100pF일 때 CE 차단주파수 fβ의 값은? (단, Ce≫Cc이다.)
43그림과 같은 회로의 명칭은?
44B급 증폭기의 최대효율은 약 얼마인가?
45다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
46다음 회로에서 연산증폭기의 (+)입력단자와 (-)입력단자의 전위는? (단, Vin=5V, R1=10kΩ, R2=5kΩ, RL=1kΩ)
47슈미트 트리거(Schmidt trigger) 회로의 용도에 대한 설명으로 틀린 것은?
48FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 곱을 작게 하려면?
49연산증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
50RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대해 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
51그림과 같은 회로를 무슨 회로라 부르는가?
5212비트 연속근사 A/D 변환기가 1MHz의 클럭 주파수에 의해 구동된다고 할 때 총 변환시간은?
53A급 전력증폭기에서 VCEQ=12V이고, ICQ=12mA이면, 최대 신호의 출력전력은? (단, 입력 신호가 없을 때의 트랜지스터의 전력소모일 때로 가정한다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
54다음 회로에서 β=100, IREF=1mA일 때, 전류 I1, I2, I3는 약 몇 mA인가? (단, Q1~Q8의 크기는 모두 같다.)
55C급 전력증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
56트랜지스터 증폭회로의 전류증폭도 Ai=50, 전압증폭도 Av=200 이라고 할 때 전력 증폭도는?
57증가형 MOSFET(E-MOSFET)의 전달 특성을 나타낸 식으로 옳은 것은? (단, VGS(off)는 차단전압, VGS(th)는 임계전압, IDSS는 VGS=0일 때의 드레인 전류, K는 상수)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
58트랜지스터의 밀러(Miller) 입력 용량 성분에 대한 설명으로 옳은 것은?
59다음 회로에서 입력과 접지사이의 실효 커패시턴스(Cin)를 나타내는 식으로 옳은 것은? (단, 반전 증폭기라고 가정한다.)
60다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?
613극 진공관과 특성이 유사한 반도체 소자는?
62광전효과(photo electric effect)를 설명한 것으로 틀린 것은?
63애버랜치 항복에 대한 설명으로 옳은 것은?
64트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?
65광양자가 운동량을 갖고 있음을 증명할 수 있는 것은?
66운동 전자가 가지는 파장이 2.7×10-10m/s인 경우 그 전의 속도는? (단, 플랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍs],전자의 질량 m=9.1×10-31[kg]이다.)
67JFET의 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
68두 종류의 금속을 접촉했을 때 생기는 접촉 전위차의 극성으로 옳은 것은?
69이미터 접지 증폭회로에서 베이스 전류를 10μA에서 20μA로 증가시켰을 때, 컬렉터 전류의 변화량은? (단, β=100이다.)
70300[eV]로 가속된 전자가 0.01Wb/m2인 균등한 자계 중에 자계의 방향과 60°의 각도를 이루며 사출되었을 때 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e=1.602×10-19[C], 전자의 질량 m=9.106×10-31[kg]이다.)
71바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비선형적 관계를 이용하는 소자인가?
72페르미 디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
73확산 전류 밀도에 관한 설명으로 옳은 것은?
74전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수이다.)
75n형 반도체의 Hall 계수는? (단, N은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, T는 절대온도, A는 상수이다.)
76불순물 반도체의 페르미 준위에 대한 설명 중 옳은 것은?
77자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라고 하는가?
78억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?
79글로우 방전관의 방전을 안정하게 유지하기 위하여 전원전압 E, 전류 I, 안정저항 R과 관전압 V 사이에 성립하는 관계식은?
80정지하고 있는 질량이 m인 전자를 V[V]의 전위차로 가속시킬 때 전자의 속도(v)를 구하는 식은?
81다음 중 프로그래머가 사용 가능한 레지스터는?
82데이터를 연산할 때 스택(stack)만 사용하는 명령은?
83다음의 C 프로그램은 무엇을 입력한 것인가?
84MPU(micro processing unit)의 처리방식에서 RISC(reduced instruction set computer)의 설명 중 옳지 않은 것은?
85다음 karnaugh도에 의한 논리식은?
86순서도의 기호 중에서 다음 기호가 나타내는 것은?
87어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대번지 대신에 간단한 기호 및 명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?
88다음 설명 중 옳은 것은?
89다음의 소자 중에서 전원과 관련된 신호는 제외하고 연결선의 수가 가장 많은 것은?
90다중처리(multi-processing) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?
91주소 설계 시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?
92중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?
93캐시 메모리에서 사용되는 매핑(mapping) 방법이 아닌 것은?
94다음 마이크로 오퍼레이션이 나타내는 기능은? (단, SP : Stack Pointer, MAR : Memory Address Register, M[addr] : Memory)
95인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원 등의 용인에 의해 발생되는 인터럽트는?
96지정 어드레스로 분기한 후에 그 명령으로 되돌아오는 명령은?
97다음은 1비트를 비교하는 진리표이다. ( )에 알맞은 값은?
98계산기 구조에서 기억장치에 RAM을 사용함으로써 계산기에 프로그램 하는데 미치는 영향 중 틀린 것은?
99사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은?
10016진수 CAF.28을 8진수로 고치면?
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