전자기사 · 2014

전자기사 (2014-03-02)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.전기 쌍극자에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①반경 방향의 전계성분은 거리의 제곱에 반비례
    2. ②전체 전계의 세기는 거리의 3승에 반비례
    3. ③전위는 거리에 반비례
    4. ④전위는 거리의 3승에 반비례

  2. 2.간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 Єs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  3. 3.공기 중에 있는 지름 2m의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 [C]인가? (단, 공기의 절연내력은 3000[kV/m]이다.)

    1. ①5.3×10-4
    2. ②3.33×10-4
    3. ③2.65×10-4
    4. ④1.67×10-4

  4. 4.와전류손(eddy current loss)에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①도전율이 클수록 작다.
    2. ②주파수에 비례한다.
    3. ③최대자속밀도의 1.6승에 비례한다.
    4. ④주파수의 제곱에 비례한다.

  5. 5.방송국 안테나 출력이 W(W)이고 이로부터 진공 중에 r(m) 떨어진 점에서 자계의 세기의 실효치 H는 몇 [A/m]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  6. 6.평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?

    1. ①E2=4E1
    2. ②E2=2E1
    3. ③E2=E1/4
    4. ④E2=E1

  7. 7.단면적 S, 길이 ℓ, 투자율 μ인 자성체의 자기회로에 권선을 N회 감아서 I의 전류를 흐르게 할 때의 자속은?

    1. ①μSI/Nℓ
    2. ②μNI/Sℓ
    3. ③NIℓ/μS
    4. ④μSNI/ℓ

  8. 8.손실유전체(일반매질)에서의 고유임피던스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.자기 감자율 N=2.5×10-3, 비투자율 μs=100의 막대형 자성체를 자계의 세기 H=500[AT/m]의 평등자계 내에 놓았을 때 자화의 세기는 약 몇 [Wb/m2]인가?

    1. ①4.98×10-2
    2. ②6.25×10-2
    3. ③7.82×10-2
    4. ④8.72×10-2

  10. 10.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①전류가 흐르고 있는 금속선에 있어서 임의 두 점간의 전위차는 전류에 비례한다.
    2. ②저항의 단위는 옴(Ω)을 사용한다.
    3. ③금속선의 저항 R은 길이 ℓ에 반비례한다.
    4. ④저항률(ρ)의 역수를 도전율이라고 한다.

  11. 11.전속밀도가 D=e-2y(axsin2x+aycos2x)[C/m2]일 때 전속의 단위 체적당 발산량[C/m3]은?

    1. ①2e-2ycos2x
    2. ②4e-2ycos2x
    3. ③0
    4. ④2e-2y(sin2x+cos2x)

  12. 12.x＜0 영역에는 자유공간, x＞0 영역에는 비유전율 Єs=2인 유전체가 있다. 자유공간에서 전 E=10ax가 경계면에 수직으로 입사한 경우 유전체 내의 전속밀도는?

    1. ①5Є0ax
    2. ②10Є0ax
    3. ③15Є0ax
    4. ④20Є0ax

  13. 13.평면도체 표면에서 d[m] 거리에 점전하 Q[C]이 있을 때, 이 전하를 무한원점까지 운반하는데 필요한 일[J]은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?

    1. ①h2에 비례한다.
    2. ②h2에 반비례한다.
    3. ③h에 비례한다.
    4. ④h에 반비례한다.

  15. 15.그림과 같이 균일하게 도선을 감은 권수 N, 단면적 S[m2], 평균길이 ℓ[m]인 공심의 환상솔레노이드에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 자기인덕턴스 L[H]의 값은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  16. 16.다음 ( ) 안에 들어갈 내용으로 옳은 것은?

    1. ①㉮ 제곱, ㉯ 제곱
    2. ②㉮ 제곱, ㉯ 세제곱
    3. ③㉮ 세제곱, ㉯ 제곱
    4. ④㉮ 세제곱, ㉯ 제곱

  17. 17.정전계와 정자계의 대응관계가 성립되는 것은?

    1. ①divD=ρv → divB=ρm
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 18.반지름 a[m], 단위 길이당 권수 N, 전류 I[A]인 무한 솔레노이드 내부 자계의 세기[A/m]는?

    1. ①NI
    2. ②NI/2π
    3. ③2πNI/a
    4. ④aNI/2π

  19. 19.무한장 직선형 도선에 I[A]의 전류가 흐를 경우 도선으로부터 R[m] 떨어진 점의 자속밀도 B[Wb/m2]는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.자기인덕턴스 L1, L2와 상호인덕턴스 M 사이의 결합계수는? (단, 단위는 H이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  21. 21.선형 회로망에 가장 관계가 있는 것은?

    1. ①중첩의 정리
    2. ②테브난의 정리
    3. ③키르히호프의 법칙
    4. ④보상의 정리

  22. 22.다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

    1. ①Z1Z2=R
    2. ②
    3. ③Z1Z2=R2
    4. ④

  23. 23."회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다." 이와 관계되는 법칙은?

    1. ①플레밍의 법칙
    2. ②렌쯔의 법칙
    3. ③패러데이의 법칙
    4. ④키르히호프의 법칙

  24. 24.RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때, 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 설명한 것은?

    1. ①저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
    2. ②저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
    3. ③저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
    4. ④인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.

  25. 25.다음과 같은 R-C 회로의 구동점 임피던스로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  26. 26.구동점 임피던스에서 영점(zero)은?

    1. ①전압이 가장 큰 상태이다.
    2. ②회로를 개방한 상태이다.
    3. ③회로를 단락한 상태이다.
    4. ④전류가 흐르지 않는 상태이다.

  27. 27.그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  28. 28.다음과 같은 파형에 대한 라플라스 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  29. 29.1[μF]인 정전 용량을 가지는 콘덴서에 실효값1414[V], 주파수 10[kHz], 위상각 0인 전압을가했을 때 순시값 전류는 약 얼마인가?

    1. ①89 sin(ωt-90°)
    2. ②89 sin(ωt+90°)
    3. ③126 sin(ωt-90°)
    4. ④126 sin(ωt+90°)

  30. 30.다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?

    1. ①전압과 전류
    2. ②단락과 개방
    3. ③전압원과 전류원
    4. ④나뭇가지전압과 링크전압

  31. 31.두 개의 코일 L1과 L2를 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100[mH]이고, 반대방향으로 접속하였더니 합성인덕턴스가 40[mH]이었다. 이 때, L1=60[mH]이면 결합계수 k는 약 얼마인가?

    1. ①0.5
    2. ②0.6
    3. ③0.7
    4. ④0.8

  32. 32.다음 중 4단자 파라미터 간의 관계식으로 상반성(reciprocity)과 관계없는 것은?

    1. ①h12=h21
    2. ②Y12=Y21
    3. ③AD-BC=1
    4. ④Z12=Z21

  33. 33.그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. 가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?

    1. ①18[H]
    2. ②26[H]
    3. ③34[H]
    4. ④56[H]

  34. 34.다음 그림에 있어서 e(t)=Em cos ωt의 전원 전압을 인가했을 때 인덕턴스 L에 저축되는 에너지는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  35. 35.임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  36. 36.그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임)

    1. ①1
    2. ②5
    3. ③7
    4. ④15

  37. 37.다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t=0에서 I=0이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  38. 38.f(t)=1e-at의 라플라스 변환은? (단, a는 상수이다.)

    1. ①μ(s)-e-as
    2. ②2S+s/S(S+a)
    3. ③a/S(S+a)
    4. ④a/S(S-a)

  39. 39.2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?

    1. ①-3
    2. ②0
    3. ③-1, -2
    4. ④-1, -2, -3

  40. 40.100[V]에서 250[W]의 전력을 소비하는 저항을 200[V]에 접속하면 소비전력은?

    1. ①100[W]
    2. ②250[W]
    3. ③500[W]
    4. ④1000[W]

  41. 41.다음 회로에서 콘덴서 C의 역할은?

    1. ①중화용
    2. ②기생진동방지용
    3. ③상호변조방지용
    4. ④저주파특성 개선용

  42. 42.다음의 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 신호 출력 전력은? (단, 입력신호는 정현파이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  43. 43.다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 역기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?

    1. ①Early 효과
    2. ②Miller 효과
    3. ③Pinchoff 현상
    4. ④Breakdown 현상

  44. 44.하틀리(Hartley) 발진기 회로에서 궤환 요소는?

    1. ①용량
    2. ②저항
    3. ③FET
    4. ④코일

  45. 45.다음 중 턴-오프 시간(turn-off time)은?

    1. ①축적시간과 하강시간의 합이다.
    2. ②상승시간과 지연시간의 합이다.
    3. ③상승시간과 축적시간의 합이다.
    4. ④상승시간과 하강시간의 합이다.

  46. 46.3배 전압기의 입력 전압이 10Vrms일 때 직류 출력의 최대값은 약 몇 [V]인가?

    1. ①27.9[V]
    2. ②30.2[V]
    3. ③32.1[V]
    4. ④42.4[V]

  47. 47.10진수 87를 BCD 코드로 변화시킨 것은?

    1. ①10000111
    2. ②11111111
    3. ③01111000
    4. ④01010111

  48. 48.트랜지스터의 ha 정수를 측정할 때 필요한 조건은?

    1. ①출력 단자를 개방시킨다.
    2. ②출력 단자를 단락시킨다.
    3. ③입력 단자를 개방시킨다.
    4. ④입력 단자를 단락시킨다.

  49. 49.h정수 중에서 hie는 무엇을 정의한 것인가?

    1. ①전류이득
    2. ②입력 임피던스
    3. ③출력 어드미턴스
    4. ④역방향 궤환 전압이득

  50. 50.트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?

    1. ①베이스 주행시간에 비례한다.
    2. ②베이스 폭의 자승에 비례한다.
    3. ③정공의 확산계수에 반비례한다.
    4. ④베이스 폭의 자승에 반비례하고 정공의 확산계수에 비례한다.

  51. 51.RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?

    1. ①고역특성이 주로 좋지 않다.
    2. ②저역특성이 주로 좋지 않다.
    3. ③중역과 고역특성이 주로 좋지 않다.
    4. ④저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.

  52. 52.이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100[μA]이고, IB가 1[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA]인가?

    1. ①109[mA]
    2. ②120[mA]
    3. ③137[mA]
    4. ④154[mA]

  53. 53.다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가?

    1. ①Ri=42[kΩ], Ro=10[Ω]
    2. ②Ri=30[Ω], Ro=102[kΩ]
    3. ③Ri=102[kΩ], Ro=30[Ω]
    4. ④Ri=10[Ω], Ro=42[kΩ]

  54. 54.일반적인 궤환회로에서의 전압증폭도를 라고 하면 이 때 부궤환 작용을 할 수 있는 조건은? (단, A는 궤환이 일어나지 않을 때의 이득이다.)

    1. ①Aβ=1
    2. ②|1-Aβ|＞1
    3. ③|1-Aβ|＜1
    4. ④Aβ=∞

  55. 55.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①A/D 변환기
    2. ②D/A 변환기
    3. ③슈미트 트리거
    4. ④멀티바이브레이터

  56. 56.다음 회로에서 Re의 주 역할은?

    1. ①출력증대
    2. ②동작점의 안정화
    3. ③바이어스 전압감소
    4. ④주파수 대역폭 증대

  57. 57.다음 그림은 연산증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?

    1. ①-5[V]
    2. ②-6[V]
    3. ③-7[V]
    4. ④-8[V]

  58. 58.그림의 연산증폭기에서 입력 Vi=-V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  59. 59.다음과 같은 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)

    1. ①정형파형
    2. ②구형파형
    3. ③톱니파형
    4. ④램프파형

  60. 60.어떤 증폭회로에서 무궤환시 전압 증폭도가 100이다. 이 증폭기에 궤환율 β=-40[dB]인 부궤환을 걸었을 때 전압이득은?

    1. ①10
    2. ②25
    3. ③50
    4. ④75

  61. 61.정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6[s]일 때 확산 길이(mean free path)는?

    1. ①3.7×10-5[m]
    2. ②3.7×10-4[m]
    3. ③7.4×10-5[m]
    4. ④7.4×10-4[m]

  62. 62.최외각 궤도는 전자로 완전히 채워져 있으며, 금지대의 폭이 5[eV] 이상인 물질은?

    1. ①도체
    2. ②홀소자
    3. ③반도체
    4. ④절연체

  63. 63.양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?

    1. ①Sommerfeld 분포 함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포 함수
    3. ③Bose-Einstein 분포 함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포 함수

  64. 64.N형 반도체를 만들기 위해서는 진성 반도체에 어떤 불순물을 도핑해야 하는가?

    1. ①B
    2. ②Ga
    3. ③In
    4. ④P

  65. 65.전계의 세기 E=105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1600[m/s2]
    2. ②1.602×10-14[m/s2]
    3. ③5.93×105[m/s2]
    4. ④1.75×1016[m/s2]

  66. 66.다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?

    1. ①확산(Diffusion)
    2. ②산란(Scattering)
    3. ③드리프트(Drift)운동
    4. ④격자간격

  67. 67.펀치슬루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①베이스 중성영역이 없는 상태이다.
    2. ②컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
    3. ③베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치슬루 현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
    4. ④회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.

  68. 68.일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?

    1. ①자속밀도
    2. ②전자의 전하
    3. ③전자의 질량
    4. ④전자의 속도

  69. 69.열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①고온으로 가열하면 전자가 튀어나오는 현상이다.
    2. ②열전자 방사량은 금속의 절대온도에 비례한다.
    3. ③열전자 방사량은 열음극의 일함수와 관계가 있다.
    4. ④열전자 방출에 의해 schottky 효과가 발생한다.

  70. 70.전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?

    1. ①0이 된다.
    2. ②무한대가 된다.
    3. ③정지 질량과 같다.
    4. ④정지 질량보다 감소한다.

  71. 71.한 금속 표면에 6500[Å] 미만의 파장을 갖는 빛을 조사하였을 경우에만 광전자가 튀어 나왔다면 이 금속의 일함수는 약 얼마인가?

    1. ①1.3[eV]
    2. ②1.9[eV]
    3. ③2.7[eV]
    4. ④4.2[eV]

  72. 72.PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때의 특징이 아닌 것은?

    1. ①전장이 약해진다.
    2. ②전위장벽이 높아진다.
    3. ③공간저하 영역의 폭이 좁아진다.
    4. ④다수 캐리어에 의한 확산 전류는 증대된다.

  73. 73.접합트랜지스터에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, )

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  74. 74.PN접합 다이오드의 역포화 전류를 감소하기 위한 필요조건에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①저항률을 높인다.
    2. ②접합 면적을 적게 한다.
    3. ③다수캐리어의 밀도를 높인다.
    4. ④소수캐리어의 밀도를 줄인다.

  75. 75.도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 EH, 전류밀도 J 및 자계 B 사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)

    1. ①EH=RH∙B∙J
    2. ②EH=RH∙B/J
    3. ③EH=RH∙J/B
    4. ④EH=RH/B∙H

  76. 76.1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])

    1. ①6.24×1014
    2. ②6.24×1016
    3. ③6.24×1018
    4. ④6.24×1020

  77. 77.진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.52 [eV]이다.)

    1. ①4.52[J]
    2. ②18.127×10-18[J]
    3. ③11.602×10-19[J]
    4. ④7.24×10-19[J]

  78. 78.JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①채널의 폭에 비례한다.
    2. ②재료의 비유전율에 반비례한다.
    3. ③채널 부분의 도핑 밀도에 비례한다.
    4. ④드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.

  79. 79.진성반도체의 페르미 준위는?

    1. ①온도에 따라 변화하지 않는다.
    2. ②온도가 감소하면 전도대로 향한다.
    3. ③온도가 감소하면 충만대로 향한다.
    4. ④온도가 감소하면 가전대로 향한다.

  80. 80.금속표면에 매우 높은 주파수의 빛을 가하였더니 표면으로부터 전자가 방출되었다. 이런 현상은?

    1. ①콤프턴효과(Compton Effect)
    2. ②광학효과(Optical Effect)
    3. ③광전효과(Photoelectric Effect)
    4. ④애벌런치효과(Avalanche Effect)

  81. 81.단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?

    1. ①MOVE 연산
    2. ②Complement 연산
    3. ③Shift 연산
    4. ④OR 연산

  82. 82.16×8 ROM을 설계하고자 할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?

    1. ①AND 8개, OR 8개
    2. ②AND 8개, OR 16개
    3. ③AND 16개, OR 8개
    4. ④AND 16개, OR 16개

  83. 83.주기억장치의 용량이 512[KB]인 컴퓨터에서 32비트의 가상주소를 사용하는데, 페이지의 크기가 1K워드이고 1워드가 4바이트라면 주기억장치의 페이지 수는?

    1. ①32개
    2. ②64개
    3. ③128개
    4. ④512개

  84. 84.컴퓨터 시스템에서 캐시메모리의 접근시간은 100[nsec], 주기억장치의 접근시간은 1000[nsec]이며, 히트율이 0.9인 경우의 평균접근시간은?

    1. ①90[nsec]
    2. ②200[nsec]
    3. ③550[nsec]
    4. ④910[nsec]

  85. 85.레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?

    1. ①Complement
    2. ②Rotate
    3. ③Shift
    4. ④Move

  86. 86.서브루틴(subroutine) 호출 처리 작업시 복귀주소를 저장하고 조회하는 용도에 적합한 자료구조는?

    1. ①힙
    2. ②큐
    3. ③스택
    4. ④연결 리스트

  87. 87.흐름도(Flow Chart)의 필요성으로 거리가 먼 것은?

    1. ①프로그램의 흐름을 이해하기 쉽다.
    2. ②프로그램을 수정하기 쉽다.
    3. ③프로그램의 코딩이 쉽다.
    4. ④프로그램의 길이를 조절할 수 있다.

  88. 88.CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?

    1. ①IR
    2. ②PC
    3. ③MBR
    4. ④AC

  89. 89.스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?

    1. ①0-주소 형식
    2. ②1-주소 형식
    3. ③2-주소 형식
    4. ④3-주소 형식

  90. 90.프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?

    1. ①레지스터 모드
    2. ②간접번지 모드
    3. ③상대번지 모드
    4. ④인덱스 어드레싱 모드

  91. 91.프로그램이 정상적으로 실행되다가 어떤 명령어에 의해 실행 목적을 바꾸는 명령을 무엇이라 하는가?

    1. ①시프트(Shift)
    2. ②피드백(Feed back)
    3. ③브랜칭(Branching)
    4. ④인터럽트(Interrupt)

  92. 92.C언어에서 for문이 무한반복을 실행하는 도중에 빠져 나오기 위한 명령어는?

    1. ①break
    2. ②while
    3. ③if
    4. ④default

  93. 93.다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)

    1. ①R1 ← B
    2. ②
    3. ③R3 ← R2+1, R4 ← A
    4. ④R4 ← R3+R4

  94. 94.모든 처리장치(Processing element : PE)들이 하나의 제어 유닛(Control unit : CU)의 통제하에 동기적으로 동작하는 시스템은?

    1. ①배열처리기(Array processor)
    2. ②다중처리기(Multiple processor)
    3. ③병렬처리기(Parallel processor)
    4. ④파이프라인 처리(Pipeline processor)

  95. 95.시프트레지스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①시프트레지스터의 가능한 입출력 방식에는 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력이 있다.
    2. ②n 비트 시프트레지스터는 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성되어 있다.
    3. ③레지스터는 왼쪽 시프트, 오른쪽 시프트 중에 하나일 수 있고, 둘을 겸할 수도 있다.
    4. ④시프트레지스터를 왼쪽으로 한번 시프트하면 2로 나눈 결과가 되고 오른쪽으로 한번 시프트하면 2로 곱한 결과가 된다.

  96. 96.패리티 비트에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①256가지의 서로 다른 문자를 나타낼 수 있다.
    2. ②정보교환의 단위에 여유를 두기 위한 방법이다.
    3. ③10진 숫자에 3을 더하여 체크한다.
    4. ④데이터 전송시 발생하는 오류를 검색하는데 사용된다.

  97. 97.언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?

    1. ①assembler
    2. ②interpreter
    3. ③compiler
    4. ④linkage editor

  98. 98.상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?

    1. ①명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 주소이다.
    2. ②명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 가리키는 포인터의 주소이다.
    3. ③명령어의 오퍼랜드(Operand)가 연산에 사용할 실제 데이터이다.
    4. ④프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다.

  99. 99.중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?

    1. ①기억기능 : 레지스터(register)
    2. ②연산기능 : 연산기(ALU)
    3. ③전달기능 : 누산기(accumulator)
    4. ④제어기능 : 조합회로와 기억소자

  100. 100.입출력 제어기(Input Output Controller) 기능에 해당되지 않는 것은?

    1. ①기억 장치에 접근 요청기능
    2. ②자료 입출력이 완료되었을 때 중앙처리장치에 보고 기능
    3. ③입출력 중 어느 동작을 수행하는가를 나타내는 기능
    4. ④자료이동과 통신을 수행하는 기능