전자기사 (2014-09-20)
총 100문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.내도체의 반지름이 a(m), 외도체의 내반지름이 b(m)인 동축케이블에서 도체사이의 매질의 유전율 ε(F/m), 투자율은 μ(H/m)이다. 이 케이블의 특성임피던스(Ω)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
2.권수 N1, N2인 두 코일이 반지름 a인 공심(空心) 동축 원 통상으로 그림과 같이 감겨져 있을 때, 코일 N1에서 코일 N2로 전달되는 상호인덕턴스 M12는? (단, 권선의 길이는 각각 ℓ1, ℓ2이고 누설자속은?
- ①
- ②
- ③
- ④
3.x>0 인 영역에 ε1=3인 유전체, x<0 인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계 E2=2ax+30ay-40az(V/m)일 때, 유전율 ε1인 영역에서의 전계 E1(V/m)은인 영역에서의 전계 E1(V/m)은?
- ①
- ②20ax+90ay-40az
- ③100ax+10ay-40az
- ④60ax+30ay-40az
4.한 변의 길이가 50[cm]인 정삼각형의 3정점 A, B, C에 각각 20×10-8[C]의 점전하가 있을 때, A에 작용하는 힘은 몇 N인가?
- ①9×109×(20×10-8)2×√3
- ②9×109×(20×10-8)2×2√3
- ③9×109×(20×10-8)2×4√3
- ④9×109×20×10-8×4√3
5.와전류의 방향에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ①일정하지 않다.
- ②자력선의 방향과 동일하다.
- ③자계와 평행되는 면을 관통한다.
- ④자속에 수직되는 면을 회전한다.
6.맥스웰 전자방정식의 설명으로 잘못된 것은?
- ①폐곡선에 연한 전계의 선적분은 폐곡선 내를 통하는 자속의 시간적 변화율과 같다.
- ②폐곡선에 연한 자계의 선적분은 폐곡선 내를 통하는 전류와 전속의 시간적 변화율의 합과 같다.
- ③폐곡면을 통하여 나오는 전기력선은 폐곡면 내의 전하량과 같다.
- ④폐곡면을 통하여 나오는 발산자속은 영이다.
7.자유공간에 미소전류 Idyay가 원점에 있을 때, 이 미소전류에 의한 점 P(x, y, z)에서 미소 벡터 퍼텐셜(vector potential)은?
- ①
- ②
- ③
- ④
8.자기 쌍극성의 자위에 관한 설명 중 맞는 것은?
- ①쌍극자의 자기모멘트에 반비례한다.
- ②거리의 제곱에 반비례한다.
- ③자기 쌍극자의 축과 이루는 각도 θ의 sinθ에 비례한다.
- ④자위의 단위는 Wb/J이다.
9.그림과 같은 1m당 권선수 n, 반지름 a(m)의 무한장 솔레노이드에서 자기인덕턴스는 n과 a사이에 어떤 관계가 있는가?
- ①a와는 상관없고 n2에 비례한다.
- ②a와 n의 곱에 비례한다.
- ③a2과 n2의 곱에 비례한다.
- ④a2에 반비례하고 n2에 비례한다.
10.도체 내에서 성립하는 식이 아닌 것은? (단, k는 도전율, μ는 투자율이다.)
- ①
- ②rotB=i
- ③
- ④B=μH
11.진공의 전하분포 공간 내에서 전위가 V=x2+y2[V]로 표시될 때, 전하밀도는 몇 [C/m2]인가?
- ①-4Є0
- ②
- ③-2Є0
- ④
12.공기 중에서 반지름 a(m)의 반원 코일에 λ[C/m]의 선전하가 주어졌을 때 중심의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
- ①λ/4πЄ0a
- ②λ/2πЄ0a
- ③λ/4πЄ0a2
- ④λ/2πЄ0a2
13.영구자석 재료로 사용하기에 적합한 특성은?
- ①잔류자기와 보자력이 모두 큰 것이 적합하다.
- ②잔류자기는 크고 보자력은 작은 것이 적합하다.
- ③잔류자기는 작고 보자력은 큰 것이 적합하다.
- ④잔류자기와 보자력이 모두 작은 것이 적합하다.
14.대전 도체의 전계에너지는 도체 전위에 대하여 어떤 상태로 증가하는가?
- ①직선
- ②원형곡선
- ③쌍곡선
- ④포물선
15.유전율이 ε인 유전체 내에 있는 점전하 Q에서 발산되는 전기력선의 수는 총 몇 개인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
- ①Q
- ②Q/Є0Єs
- ③Q/Єs
- ④Q/Є0
16.비투자율이 2500인 철심의 자속밀도가 5[Wb/m2]이고 첨심의 부피가 4×10-6[m3]일 때, 이 철심에 저장된 자기에너지는 몇 [J]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
17.길이 ℓ[m]인 동축 원통도체의 내외원통에 각각 +λ, -λ[C/m]의 전하가 분포되어 있다. 내외 원통사이에 유전율 ε인 유전체가 채워져 있을 때, 전계의 세기[V/m]는? (단, V는 내외 원통간의 전위차, D는 전속밀도이고, a, b는 내외 원통의 반지름이며 원통 중심에서의 거리 r은 a<r<b인 경우이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
18.다음과 같은 맥스웰의 미분형 방정식에서 의미하는 법칙은?
- ①패러데이의 법칙
- ②암페어의 주회적분법칙
- ③가우스의 법칙
- ④비오사바르의 법칙
19.원통좌표계에서 자속밀도 이다. 0.5 ≤ r ≤ 2.5[m]이고, 0 ≤ z ≤ 2.0[m]로 정의되는 평면을 지나는 자속의 크기는 몇 [Wb]인가?
- ①3.12
- ②6.44
- ③7.33
- ④9.23
20.공간전하밀도 ρ[C/m3]를 가진 점의 전압이 V[V], 전계의 세기가 E[V/m]일 때 공간 전체의 전하가 가진 에너지는 몇 [J]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
21.그림과 같은 회로망 N에서 포트 2를 개방했을 때의 전압이득 G12를 임피던스 파라미터를 나타내면?
- ①Z21/Z11
- ②Z22/Z12
- ③Z12/Z22
- ④Z11/Z21
22.교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?
- ①L=R2/(R1C)
- ②L=CR1R2
- ③L=C/R1R2
- ④L=(R1R2)/C
23.그림과 같은 T형 4단자 회로의 임피던스 파라미터 Z21은?
- ①Z1+Z2
- ②Z2
- ③-Z2
- ④Z2+Z3
24.순시전류 i=3√2sin(377t-30°)[A]의 평균값은?
- ①1.35[A]
- ②2.7[A]
- ③3.45[A]
- ④5.7[A]
25.의 역 라플라스 변환은?
- ①e-atcos ωt
- ②e-atsin ωt
- ③eatcos ωt
- ④eatsin ωt
26.ω=200[rad/s]에서 동작하는 두 개의 회로소자로 구성된 직렬회로에서 전류가 전압보다 45도 앞설 때 이 소자 중 하나는 5[Ω]인 저항이면 나머지 소자는 무엇이며, 값은?
- ①L, 0.1[H]
- ②L, 0.01[H]
- ③C, 0.001[F]
- ④C, 0.0001[F]
27.그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S)는?
- ①C/(1+RS)
- ②CR/(1+CRS)
- ③1/(1+CRS)
- ④R/(1+CRS)
28.다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극점은?
- ①3, 0
- ②-3, 0
- ③1, -3
- ④-1, -3
29.R-L 병렬회로에서, 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2를 나타낸 것으로 옳은 것은?
- ①θ<θ1<θ2
- ②θ2<θ1<θ
- ③θ2<θ<θ1
- ④θ1<θ<θ2
30.RL 직렬 회로에서 그 양단에 직류 전압 E를 연결한 다음 한참 후에 스위치 S를 개방하면 L/R 초 후의 전류는 몇 [A]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
31.다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
- ①
- ②
- ③
- ④
32.기본파의 30[%]인 제2고조파와 20[%]인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?
- ①0.24
- ②0.28
- ③0.32
- ④0.36
33.R=10[Ω], L=0.2[H] R-L 직렬회로에 60[Hz], 120[V] 교류 전압이 인가될 때 흐르는 전류는 약 몇 [A]인가?
- ①4.7[A]
- ②3.2[A]
- ③2.8[A]
- ④1.6[A]
34.선형 시불변 인덕터의 자속이 ø(t) = L(t)i(t)일 때 전압 V(t)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
35.다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 조건은?
- ①
- ②
- ③
- ④
36.그림에서 Vab를 구하면 몇 [V]인가?
- ①2.5[V]
- ②3.5[V]
- ③5[V]
- ④7[V]
37.의 라플라스 변환은?
- ①a/s2-a2
- ②s/s2+a2
- ③a/s2+a2
- ④s/a2-a2
38.이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?
- ①Z=0
- ②Z=1[Ω]
- ③Z=∞
- ④Z는 정해지지 않는다.
39.다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?
- ①
- ②
- ③
- ④
40.다음과 같은 결합 공진회로에서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는?
- ①밀결합 될 때
- ②소결합 될 때
- ③임계결합 될 때
- ④같은 방향으로 결합 될 때
41.B급 푸시풀(push-pull) 증폭기의 직류 공급 전력은? (단, Vcc는 공급 전압, Im은 최대 컬렉터 전류)
- ①
- ②ImVcc
- ③2ImVcc
- ④
42.두 개의 입력이 일치하면 출력이 High가 되는 회로는?
- ①AND
- ②NAND
- ③EX-OR
- ④EX-NOR
43.다음 그림 (b)와 같은 회로에서 신호저압 Vi가 그림 (a)와 같이 변화할 때 출력전압 V0로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드 커트인 전압은 무시한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
44.고역 3[dB] 차단 주파수가 100[kHz]이고, 전압이득이 46[dB]인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득을 20[dB] 낮추면 고역 3[dB] 차단 주파수는 몇 [kHz]인가?
- ①500[kHz]
- ②1000[kHz]
- ③2000[kHz]
- ④4000[kHz]
45.다음 중 수정 진동자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
- ①수정편은 압전기 현상을 가지고 있다.
- ②발진 주파수는 수정편의 두께와 무관하다.
- ③수정의 결정은 X, Y, Z 축을 가지고 있으며, X축을 전기 축이라고 한다.
- ④수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도 특성이 달라진다.
46.다음 중 불 공식으로 옳지 않은 것은?
- ①X+YZ=(X+Y)(X+Z)
- ②X(X+Y)=X
- ③
- ④
47.그림과 같은 AM변조 회로는 어떤 변조 방법인가?
- ①이미터 변조
- ②베이스 변조
- ③컬렉터 변조
- ④베이스-컬렉터 변조
48.증폭기의 궤환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①부궤환을 걸어주면 전압이득은 감소하지만 대역폭이 증가하고 신호왜곡이 감소한다.
- ②궤환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압궤환이라 한다.
- ③출력전압 또는 전류에 비례하는 궤환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬궤환이라 한다.
- ④직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라 한다.
49.병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
- ①전류
- ②전압
- ③전력
- ④저항
50.다음 회로의 트랜지스터를 근사적인 h정수 모델로 대치했을 때 전압 이득(Vo/Vs)으로 옳은 것은?
- ①-hieRL/(Rs+hfe)
- ②-hfeRL/(Rs+hie)
- ③hieRL/(Rs-hfe)
- ④hfeRL/(Rs-hie)
51.다음 중 고주파 전력 증폭기로 가장 적당한 것은?
- ①A급 증폭기
- ②B급 증폭기
- ③C급 증폭기
- ④AB급 증폭기
52.어떤 증폭기의 개방루프 전압이득이 100이고, 왜율이 10[%]이다. 이 증폭기의 왜율을 1[%]로 하기 위한 부궤환율 β의 값은?
- ①0.01
- ②0.09
- ③0.1
- ④0.9
53.커패시터 입력형 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
- ①감소한다.
- ②증가한다.
- ③변동이 없다.
- ④주파수가 변화한다.
54.JFET에서 IDSS=12[mA], VP=-4[V]이고, VGS=-2[V]일 때 드레인 전류 ID는 몇 [mA]인가?
- ①1.5[mA]
- ②2.7[mA]
- ③3[mA]
- ④5[mA]
55.다음 중 이상적인 연산증폭기의 특성으로 옳은 것은?
- ①온도에 대한 드리프트(drift)가 큰 특성을 가진다.
- ②대역폭(BW) = ∞
- ③출력저항(Ro) = ∞
- ④전압이득 |Av| = 0
56.어떤 증폭기의 하측 3[dB] 주파수가 0.75[MHz]이고, 상측 3[dB] 주파수가 5[MHz]일 때 이 증폭기의 대역폭은?
- ①4.25[MHz]
- ②5[MHz]
- ③7.75[MHz]
- ④10[MHz]
57.다음 그림과 같은 연산증폭기 회로의 출력전압 Vo는?
- ①
- ②
- ③
- ④
58.배타적 OR(Exclusive OR)와 AND gate로만 구성되는 회로는?
- ①플립플롭 회로
- ②래치 회로
- ③반가산기 회로
- ④전가산기 회로
59.공간 전하 용량을 변화시켜 콘덴서 역할을 하도록 설계된 다이오드는?
- ①제너 다이오드
- ②터널 다이오드
- ③Gunn 다이오드
- ④바렉터 다이오드
60.베이스 접지일 때 차단주파수가 12[MHz]이다. 이미터 접지일 때 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가? (단, β=100이다.)
- ①0.1[MHz]
- ②0.12[MHz]
- ③0.24[MHz]
- ④1.2[MHz]
61.다음 중 1[eV]의 운동에너지 값은?
- ①1.6×1031[J]
- ②9.1×1031[J]
- ③1.6×10-19[J]
- ④9.1×1019[J]
62.전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
- ①충만대(filled band)
- ②금지대(forbidden band)
- ③가전자대(valence band)
- ④전도대(conduction band)
63.이동도(mobility)에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①이동도의 단위는 [m2/Vㆍs]이다.
- ②도전율이 크면 이동도도 크다.
- ③온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
- ④반도체에서 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 크다.
64.다음 중 스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?
- ①UJT
- ②SCR
- ③제너 다이오드
- ④터널 다이오드
65.펀치-스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
- ②펀치-스루 전압은 베이스 영역 폭에 반비례한다.
- ③컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
- ④펀치-스루 전압은 베이스내의 불순물 농도에 비례한다.
66.전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①금속을 고온으로 가영하면 자유전자의 일부가 금속외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
- ②금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
- ③금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
- ④금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 Schottky 효과라 한다.
67.균일한 정자계 B속으로 자계와 직각 방향으로 속도 V로 전자가 들어갔다. 이때 속도 V를 2배로 변경했을 때 전자의 운동은 어떻게 되겠는가?
- ①원운동의 주기는 2배가 된다.
- ②원운동의 각 속도는 4배가 된다.
- ③원운동의 주기는 변하지 않는다.
- ④원운동의 반경은 변하지 않는다.
68.다음과 같은 원리와 관계되는 것은?
- ①홀 효과(Hall effect)
- ②콤프턴 효과(Compton effect)
- ③쇼트키 효과(Schottky effect)
- ④흑체방사(black body radiation)
69.Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
- ①Fermi-Dirac
- ②Bose-Einstein
- ③Gauss-error function
- ④Maxwell-Boltzmann
70.반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 띤다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?
- ①도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
- ②도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
- ③도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
- ④도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 감소한다.
71.열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0이라면, 그 의미는?
- ①전위장벽이 없어졌다.
- ②접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
- ③접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
- ④접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.
72.홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
- ①자장계
- ②고저항 측정기
- ③전류계
- ④분압계
73.기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?
- ①양광주(positive column)
- ②부 글로우(negative glow)
- ③음극 글로우(cathode glow)
- ④패러데이 암부(faraday dark space)
74.T=0[K]에서 전자가 가질 수 있는 최대에너지 준위는?
- ①페르미 에너지 준위
- ②도너 준위
- ③억셉터 준위
- ④드리프트 준위
75.컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?
- ①punch-through
- ②Early 효과
- ③Miller 효과
- ④Tunnel 효과
76.페르미 준위에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ①불순물의 양과 온도가 증가할수록 금지대의 중앙으로부터 멀어진다.
- ②불순물의 양과 온도가 증가할수록 진성반도체의 페르미 준위에 가까워진다.
- ③불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로부터 멀어지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
- ④불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로 가까워지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
77.열전자를 방출하기 위한 재료의 조건으로 옳지 않은 것은?
- ①융점이 낮아야 한다.
- ②일함수가 작아야 한다.
- ③방출 효율이 좋아야 한다.
- ④진공 중에서 쉽게 증발되지 않아야 한다.
78.길이 10[mm], 이동도 0.24[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
- ①160[m/sec]
- ②180[m/sec]
- ③200[m/sec]
- ④240[m/sec]
79.25℃에서 8.2[V]인 제너 다이오드가 0.05[%/℃]의 온도계수를 가질 때 60℃에서의 제너 전압은?
- ①8.06[V]
- ②8.17[V]
- ③8.34[V]
- ④8.42[V]
80.접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 옳지 않은 것은?
- ①잡음이 적다.
- ②전류 용량이 크다.
- ③충격에 강하다.
- ④주파수 특성이 좋다.
81.다음 중 IEEE 754에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ①고정소수점 표현에 대한 국제 표준이다.
- ②가수는 부호 비트와 함께 부호화-크기로 표현된다.
- ③0.M×2E의 형태를 취한다. (단, M:가수, E:지수)
- ④64비트 복수-정밀도 형식의 경우 지수는 10비트이다.
82.명령 인출 사이클(fetch cycle)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①machine cycle에 속한다.
- ②명령어를 해독하는 과정이 포함된다.
- ③반드시 execution cycle에서만 발생한다.
- ④program counter에서 주소가 MAR로 전달된다.
83.문자를 표현하기 위한 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①표준 BCD 코드는 64가지의 문자를 표현할 수 있으며, zone 비트를 2개이고 digit 비트는 4개이다.
- ②EBCDIC code는 zone 비트와 digit 비트가 모두 4개씩이며 16진수를 표시하기에 편리하다.
- ③그레이(Gray) 코드는 잘못된 정보를 체크에 의해 착오를 검출하여 다시 교정할 수 있는 코드이다.
- ④에러 검출 및 교정코드의 대표적인 코드는 해밍(Hamming) 코드이다.
84.주소지정 방식(Addressing Mode) 중 유효주소를 구하기 위해 현재 명령어의 주소부의 내용과 PC의 내용을 더하여 결정하는 방식은?
- ①Direct Addressing
- ②Indirect Addressing
- ③Relative Addressing
- ④Index Register Addressing
85.명령의 패치(fetch) 사이클이 평균 0.3[μs], 명령 실행 사이클이 평균 0.5[μs]인 시스템에서 명령 선취에 의한 명령 실행 시간의 개선량은?
- ①0.375
- ②0.475
- ③0.575
- ④0.675
86.주소지정방식(addressing mode)에서 오퍼랜드(operand) 부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?
- ①index addressing mode
- ②direct addressing mode
- ③indirect addressing mode
- ④immediate addressing mode
87.다음 그림과 같은 명령 형식에서 나타낼 수 있은 명령어와 주소(address)의 수는?
- ①OP = 8, Address = 256
- ②OP = 16, Address = 512
- ③OP = 8, Address = 512
- ④OP = 16, Address = 256
88.산술 시프트(Arithmetic Shift)는 부호가 있는 2진수를 시프트하는 것이다. 다음 설명 중에서 틀린 것은?
- ①왼쪽 산술 시프트는 2진수에 2를 곱한 것이다.
- ②오른쪽 산술 시프트는 2진수에 2로 나눈 것이다.
- ③부호 비트는 시프트하지 않는다.
- ④오버플로우의 발생 유무를 확인하지 않는다.
89.다음 중 시스템소프트웨어(System Software)는?
- ①문서 편집 프로그램
- ②성능 측정 프로그램
- ③시스템 보안 유지 프로그램
- ④운영체제
90.다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사용하는 단위는?
- ①LPM(Line Per Minute)
- ②CPM(Character Per Minute)
- ③CPS(Character Per Second)
- ④BPS(Bit Per Second)
91.범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합하거나 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시프로그램, 목적 프로그램을 분류하여 정비한 것은?
- ①Problem State
- ②PSW(Program Status Word)
- ③Interrupt
- ④Program library
92.연산 장치에서 뺄셈을 계산할 때 사용하는 방법은?
- ①피감수에서 감수를 직접 뺀다.
- ②시프트(Shift) 방법을 이용하여 감산하다.
- ③보수(Complement) 방법을 사용하여 덧셈 계산한다.
- ④비트 마크(Bit mark) 방법을 사용하여 감산한다.
93.다음 설명 중 바르지 않은 것은?
- ①시스템 소프트웨어는 컴퓨터를 사용하기 위해 가장 근본적으로 필요한 소프트웨어이다.
- ②기계어로 번역되지 이전의 프로그램을 원시프로그램이라고 한다.
- ③어셈블리어는 이진수를 사용하여 작성한 프로그램이다.
- ④컴퓨터에 사용하는 목적에 따라서 실제로 그 일을 시키기 위한 프로그램을 응용 소프트웨어라 한다.
94.16비트 마이크로프로세서 내에서 CPU와 외부 데이터버스 사이에 명령을 리드하여 데이터의 송수신을 제어하는 것은 무엇인가?
- ①Bus Interface Unit
- ②Execution Unit
- ③I/O port
- ④Address Bus
95.다음 중 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?
- ①AND
- ②EX-OR
- ③OR
- ④NOR
96.명령어 사이클(instruction cycle) 중에서 프로그램 카운터(program counter) 값이 증가되는 것은?
- ①fetch cycle
- ②interrupt cycle
- ③execute cycle
- ④indirect cycle
97.수평형 제어 방식의 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①성능의 향상을 꾀한다.
- ②주로 소형 계산기에서 채택하는 제어방식이다.
- ③하나의 비트가 한 개의 마이크로 동작에 대응한다.
- ④제어 워드가 크므로 넓은 메모리 공간이 필요하다.
98.입출력 장치의 동작 속도와 전자계산기 내부의 동작 속도를 맞추기 위해 사용되는 레지스터는 무엇인가?
- ①어드레스 레지스터
- ②시퀀스 레지스터
- ③버퍼 레지스터
- ④시프트 레지스터
99.프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향 프로그래밍 언어는?
- ①FORTRAN
- ②BASIC
- ③어셈블리어
- ④JAVA
100.다음 회로에서 A=1101, B=0111이 입력되어 있을 때 그 출력은?
- ①0101
- ②1010
- ③0110
- ④1100