문항 목록
1반지름이 0.01[m]인 구도체를 접지시키고 중심으로부터 0.1[m]의 거리에 10[μC]의 점전하를 놓았다. 구도체에 유도된 총 전하량은 몇 인가 [C]인가?
2그림과 같은 손실 유전체에서 전원의 양극 사이에 채워진 동축케이블의 전력손실은 몇 [W]인가? (단, 모든 단위는 MKS 유리화 단위이며, σ는 매질의 도전율[S/m]이라 한다.)
3어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 V(x, y)=1/x+2xy2이라고 할 때, 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도(ρ)는 약 몇 [pC/m3]인가?
4자기인덕턴스 L[H]인 코일에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 코일에 축적되는 에너지 W[J]와 전류 I[A] 사이의 관계를 그래프로 표시하면 어떤 모양이 되는가?
5전기력선의 성질로서 틀린 것은?
6구도체에 50[μC]의 전하가 있다. 이때의 전위가 10[V]이면 도체의 정전용량은 몇 [μF]인가?
7내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부 자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?
8공기콘덴서의 고정 전극판 A와 가동 전극판 B간의 간격이 d=1[mm]이고 전계는 극면간에서만 균등하다고 하면 정전용량은 몇 [μF]인가? (단, 전극판의 상대되는 부분의 면적은 S[m2]라 한다.)
9단면적 4[cm2]의 철심에 6×10-4[Wb]의 자속을 통하게 하려면 2800[AT/m]의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은?
10정전용량 0.06[μF]의 평행판 공기콘덴서가 있다. 전극판 간격의 1/2 두께의 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 공기부분의 정전용량과 유리판 부분의 정전용량을 직렬로 접속한 콘덴서가 된다. 유리의 비유전율을 εs=5라 할 때 새로운 콘덴서의 정전용량은 몇 [μF]인가?
11무한장 솔레노이드의 외부 자계에 대한 설명 중 옳은 것은?
12자속밀도 10[Wb/m2] 자계 중에 10[cm] 도체를 자계와 30°의 각도로 30[m/s]로 움직일 때, 도체에 유기되는 기전력은 몇 [V]인가?
13진공 중에서 e[C]의 전하가 B[Wb/m2]의 자계 안에서 자계와 수직방향으로 v[m/s]의 속도로 움직일 때 받는 힘(N)은?
14맥스웰의 방정식과 연관이 없는 것은?
15두 유전체의 경계면에 대한 설명 중 옳은 것은?
16규소강판과 같은 자심재료의 히스테리시스 곡선의 특징은?
17전자파가 유전율과 투자율이 각각 ε1과 μ1인 매질에서 ε2와 μ2인 매질에 수직으로 입사할 경우, 입사전계 E1과 입사자계 H1에 비하여 투과전계 E2와 투과자계 H2의 크기는 각각 어떻게 되는가?
18전자계에 대한 맥스웰의 기본 이론이 아닌 것은?
19자유공간에서 정육각형의 꼭짓점에 동량, 동질의 점전하 Q가 각각 놓여 있을 때 정육각형 한 변의 길이가 a라 하면 정육각형 중심의 전계의 세기는?
20전류 I[A]가 흐르고 있는 무한 직선 도체로부터 r[m]만큼 떨어진 점의 자계의 크기는 2R[M]만큼 떨어진 점의 자계의 크기는 몇 배인가?
21다음 그림과 같은 이상 변압기의 권선비는?
22무부하 전압이 220[V]이고 정격 전압이 200[V], 정격 출력이 5[kW]인 직류발전기의 내부저항은?
23그림과 같은 주기성을 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는?
24그림의 회로가 정저항 회로가 되려면 L은 몇 [H]인가? (단, R=20[Ω], C=200[μF]이다.)
25역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
26권선비 n:1인 결합회로에서 구동 임피던스는?
27다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?
28다음을 역 Laplace로 변환하면?
29어떤 회로의 피상전력이 20[kVA]이고 유효전력이 15[kW]일 때 이 회로의 역률은?
30R-L-C 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성으로 옳은 것은?
31단위 임펄스 δ(t)의 라플라스 변환은?
32인 파형의 주파수는 약 얼마인가?
33원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?
34시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 인가할 때 t=2τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?
35공급 전압이 100[V]이고, 회로에 전류가 10[A]가 흐른다고 할 때 이 회로의 유효전력은 몇 [W]인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)
36R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?
37RC 직렬회로에서 t=RC일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?
38R=80[Ω], XL=60[Ω]인 R-L 병렬회로에 V=220∠45°[V]의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
39그림과 같은 4단자 회로망에서 출력측을 개방하니 V1=15, I1=2, V2=5이고, 출력측을 단락하니 V1=18, I1=6, I2=3이었다. A, B, C, D는?
40다음 그림의 브리지가 평형 상태라면 C1의 값은?
41다음 정전압회로에서 입력전압이 18[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?
42IDSS = 25[mA], VGS(off) = 15[V]인 P 채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω]인가? (단, VGS = 5[V]이다.)
43B급 전력 증폭기의 최대 컬렉터 효율[%]은 얼마인가?
44다음과 같은 회로 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드이다.)
45다음 중 부궤환에 의한 출력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳은 것은?
46다음 회로의 다이오드 D1과 D2의 상태로 적절한 것은? (단, D1과 D2는 이상적인 다이오드이다.)
47다음과 같은 1[MHz]의 수정발진기 출력을 펄스 정형회로(Pulse shaper)를 거쳐 구형파로 바꾼 후 250[Hz]의 클럭 주파수를 만들고자 한다. 블록 A에 카운터를 설계하여 분주하는 경우 최소 몇 개의 플립플롭이 필요한가?
48FM 변조 방식에서 변조지수가 6이고, 신호 주파수가 10[kHz]일 때 점유주파수 대역폭은 몇 [kHz]인가?
49집적회로의 종류 중 능동소자에 의한 분류에서 바이폴라 소자에 포함되지 않는 것은?
50트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.2[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]이라면 안정도 계수 S는?
51베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?
52지연시간이 80[ns]인 플립플롭을 사용한 5단의 리플 카운터의 최고 동작주파수는 몇 [MHz]인가?
53듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1이고, 주기가 30[μs]인 펄스의 폭은 몇 [μs]인가?
54다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
55다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf 양단에 걸리는 전압 Vf=(25000 If2+50 If+3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 Vo는?
56fT가 125[MHz]인 트랜지스터가 중간 주파수 영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 몇 [MHz]인가?
57다음 부궤환 연산증폭기 회로에서 궤환율 β는?
58다음 그림에서 K=60이다. 이 궤환시스템의 폐루프 이득(closed loop gain)은 얼마인가?
59다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
60트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.2[μA]에서 151.2[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류는 12[mA]에서 12.6[mA]로 변화하였다면 안정도 계수 S는?
61Fermi-Dirac 분포와 Maxwell 분포에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
62인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?
63다음 중 터널다이오드(Tunnel Diode)의 V-I 특성을 나타낸 것은?
64전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량 : 1.602×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다.)
65수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지준위 E1(=-5.14×10-12[erg]) 상태에서, 에너지준위 E2(=-21.7×10-12[erg]) 상태로 천이될 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10-27[ergㆍsec]이다.)
66다이오드 불순물의 농도가 영향을 주는 요소가 아닌 것은?
67Fermi 준위 E=EF에서의 Fermi-Dirac의 확률 함수 f(E)의 값은?
68일반 BJT와 비교한 MOSFET의 장점으로 옳지 않은 것은?
69정상 동작 상태로 바이오스된 NPN 트랜지스터에 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는?
70다음 중 직접 재결합은?
71MOSFET의 전류-전압특성 곡선이 다음 그림과 같은 기울기를 갖는 이유는?
72온도가 상승하면 불순물 반도체의 페르미 준위는?
73이미터 전류를 1[mA] 변화시켰더니 컬렉터 전류의 변화량이 0.98[mA]이었다. 이 트랜지스터의 전류 증폭률 β는?
74홀(Hall) 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?
75접합형 전계효과 트랜지스터의 핀치오프 상태에 대한 설명으로 적합하지 않는 것은?
76공간전하영역이 반도체내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?
779.5×104[m/s]의 속도로 운동하는 수소원자의 드브로이(de Broglie)파의 파장은? (단, 수소원자의 질량은 1.67×10-24[kg]이고, Plank 상수 h는 6.62×10-34[Jㆍs]이다.)
78다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
79열전자를 방출하고 있는 금속 표면에 전기장을 가하면 전자방출 효과가 증가하는 현상을 무엇이라 하는가?
80어느 열음극의 일함수(work function)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?
812의 보수로 표현된 값들이 A, B 레지스터에 저장되어 있다. 산술적 비교를 하였을 경우 옳은 것은? (단, 16진수임)
82데이터를 디스크에 분산하여 저장하는 기술을 무엇이라 하는가?
83어셈블리 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?
84인터럽트가 발생하였을 때 반드시 저장할 필요가 없는 것은?
85컴퓨터가 8비트 정수 표현을 할 때, 10진수 -25를 부호와 2의 보수로 표현하면?
868×1 멀티플렉서를 만들려면 몇 개의 2×1 멀티플렉서가 필요한가?
87주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?
88마이크로프로세서의 속도를 프린터와 맞추기 위한 방법으로 마이크로프로세서와 입ㆍ출력장치를 동기화시키는 입ㆍ출력 제어방식은?
89프로그램카운터와 명령어주소가 더해져서 유효주소가 결정되는 주소 지정 방식은?
90Stack 구조에 대하여 올바르게 설명한 것은?
91인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
92기억장치의 성능을 좌우하는 것이 아닌 것은?
93C언어에서 사용하는 논리 연산자들 중 1의 보수 연산과 가장 관련 깊은 연산자는?
94부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?
95DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
96레이스(race) 현상을 방지하기 위하여 사용되는 것은?
97프로그램 카운터로부터 다음에 실행할 명령의 주소를 읽어서 명령어를 메모리로부터 꺼내오는 명령 사이클은?
98shift 연산에서 binary number 4번 shift-left한 경우의 number는?
99n 비트로 부호화된 2진 정보를 최대 2n개의 출력으로 변환하는 조합 논리회로는?
100원시프로그램을 목적프로그램으로 변화시켜 주는 것은?
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