국가직 9급 · 2014

9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2014-04-19)

총 20문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.수와 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①2진수 10.001을 10진수로 변환하면 2.125이다.
    2. ②8진수 64를 16진수로 변환하면 34이다.
    3. ③10진수 124를 BCD 코드로 변환하면 0001 0010 0100이다.
    4. ④음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 －203이다.

  2. 2.그림 ㉠∼㉣ 회로에 정현파 vi=10sin 500t[Ⅴ]가 각각 입력되었을 때, 출력전압 VP-P[V]값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다.) (순서대로 회로, VP-P[V])

    1. ①㉠, 0
    2. ②㉡, 20
    3. ③㉢, 20
    4. ④㉣, 0

  3. 3.㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)

    1. ①포화영역(saturation region), 트라이오드 영역(triode region)
    2. ②포화영역(saturation region), 포화영역(saturation region)
    3. ③트라이오드영역(triode region), 트라이오드 영역(triode region)
    4. ④트라이오드영역(triode region), 포화영역(saturation region)

  4. 4.다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 2πf0L≫R이다.)

    1. ①L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다.
    2. ②공진시 공진주파수는 1/2π√LC에 가깝다.
    3. ③공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다.
    4. ④R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한다.

  5. 5.다음 회로에서 부하저항 RL이 최대전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때 부하저항 RL에서 소비되는 최대전력[Ｗ]은?

    1. ①8.25
    2. ②9.25
    3. ③10.25
    4. ④11.25

  6. 6.다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프(pinch-off) 전압 VP[V]와 드레인－소스 전압이 10 [V]일 때의 순방향 전달 컨덕턴스 gm[mS]에 가장 가까운 값은? (순서대로 VP[V], gm[mS])

    1. ①2, 2
    2. ②2, 5
    3. ③8, 2
    4. ④8, 5

  7. 7.㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)

    1. ①앙상블(ensemble) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
    2. ②앙상블(ensemble) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
    3. ③에일리어싱(aliasing) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
    4. ④에일리어싱(aliasing) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)

  8. 8.다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압 VUTP[V]와 하측 트리거 기준 전압 VLTP[V]는? (단, +Vout(max)=+4V, -Vout(max)=-4V, 3RA=RB이다.) (순서대로 VUTP][V], VLTP[V])

    1. ①＋1, －1
    2. ②＋1, －3
    3. ③＋3, －1
    4. ④＋3, －3

  9. 9.다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D－플립플롭으로 설계할 때, D－플립플롭 A의 입력 DA에 대한 논리식은? (단, 정의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다)

    1. ①DA =X＋B
    2. ②DA =A'X＋A'B＋BX
    3. ③DA =A'X＋AB＋AB'X
    4. ④DA =X＋AB'

  10. 10.다음 회로의 출력전압 Vout[V]은?

    1. ①－27
    2. ②9
    3. ③18
    4. ④27

  11. 11.다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다.
    2. ②터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다.
    3. ③쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스위칭타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다.
    4. ④PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽(potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정류작용에 사용된다.

  12. 12.출력 Y가 나머지 셋과 다른 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①영역 I에서 전자는 (＋)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한다.
    2. ②영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다.
    3. ③영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다.
    4. ④영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상이 전류를 주도한다.

  14. 14.페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①절대온도 0Ｋ에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이다.
    2. ②온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다.
    3. ③진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다.
    4. ④온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이다.

  15. 15.다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V1과 V2의 값 [V]은? (순서대로 V1, V2)

    1. ①7, 6
    2. ②7, 10
    3. ③8, 6
    4. ④8, 10

  16. 16.다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가장 가까운 값은? (단, VBE=0.7V, βDC=150, r′e=25mV/IE이다.)

    1. ①1.5
    2. ②2
    3. ③2.5
    4. ④3

  17. 17.다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps＝1,000 bps이며, 오디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다.)

    1. ①20
    2. ②40
    3. ③60
    4. ④80

  18. 18.논리식 A′B(D′＋C′D)＋B(A＋A′CD)와 동일한 것은?

    1. ①AB
    2. ②B
    3. ③AB＋C′
    4. ④A＋BC′

  19. 19.다음 신호 f(t)를 푸리에 변환한 F(ω)는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값은 모두 0이라고 가정한다)

    1. ①0 3 7 1 3 7 1 3
    2. ②0 5 6 1 4 3 5 6
    3. ③0 6 5 3 2 4 6 5
    4. ④0 6 5 2 4 3 6 5
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