전자기사 · 2013

전자기사 (2013-06-02)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.무한히 넓은 도체 평면판에 면밀도 σ[C/m2]의 전하가 분포되어 있는 경우 전력선은 면(面)에 수직으로 나와 평행하게 발산한다. 이 평면의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.균일하게 원형단면을 흐르는 전류 I[A]에 의한, 반지름 a[m], 길이 ℓ[m], 비투자율 μs인 원통도체의 내부 인덕턴스는 몇 [H]인가?

    1. ①
    2. ②10-7μs ℓ
    3. ③2×10-7μs ℓ
    4. ④

  3. 3.유전체에 대한 경계조건에 설명이 옳지 않은 것은?

    1. ①표면전하 밀도란 구속전하의 표면밀도를 말하는 것이다.
    2. ②완전 유전체 내에서는 자유전하는 존재하지 않는다.
    3. ③경계면에 외부전하가 있으면, 유전체의 내부와 외부의 전하는 평형되지 않는다.
    4. ④특수한 경우를 제외하고 경계면에서 표면전하 밀도는 영(zero)이다.

  4. 4.그림과 같이 정전용량이 C0[F]가 되는 평행판 공기콘덴서에 판면적이 1/2 되는 공간에 비유전율 εs인 유전체를 채웠을 때 정전용량은 몇 [F]인가?

    1. ①1/2(1+εs)C0
    2. ②(1+εs)C0
    3. ③2/3(1+εs)C0
    4. ④C0

  5. 5.정전류가 흐르고 있는 무한 직선도체로부터 수직으로 0.1[m]만큼 떨어진 점의 자계의 크기가 100[A/m]이면 0.4[m]만큼 떨어진 점의 자계의 크기[A/m]는?

    1. ①10
    2. ②25
    3. ③50
    4. ④100

  6. 6.그림과 같이 전류 가 흐르는 반원형 도선이 평면 z=0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B=0.8ax-0.7ay+az[Wb/m2]인 균일자계 내에 놓여 있을 때 도선의 직선 부분에 작용하는 힘은 몇 [N]인가?

    1. ①4ax + 3.2az
    2. ②4ax - 3.2az
    3. ③5ax - 3.5az
    4. ④-5ax + 3.5az

  7. 7.전하 q[C]이 공기 중의 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s] 속도로 돌입하였을 때 받는 힘은 몇 [N]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③qvH
    4. ④μ0qvH

  8. 8.면적이 S[m2]이고 극간의 거리가 d[m]인 평행판 콘덴서에 비유전률 εs의 유전체를 채울 때 정전용량은 몇 [F]인가? (단, 진공의 유전률은 ε0이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.변위 전류와 가장 관계가 깊은 것은?

    1. ①반도체
    2. ②유전체
    3. ③자성체
    4. ④도체

  10. 10.압전기 현상에서 분극이 응력과 같은 방향으로 발생하는 현상을 무슨 효과라 하는가?

    1. ①종효과
    2. ②횡효과
    3. ③역효과
    4. ④간접효과

  11. 11.자화의 세기로 정의할 수 있는 것은?

    1. ①단위면적당 자위밀도
    2. ②단위체적당 자기모멘트
    3. ③자력선 밀도
    4. ④자화선 밀도

  12. 12.전선의 체적을 동일하게 유지하면서 2배의 길이로 늘였을 때 저항은 어떻게 되는가?

    1. ①1/2로 줄어든다.
    2. ②동일하다.
    3. ③2배로 증가한다.
    4. ④4배로 증가한다.

  13. 13.평면 도체로부터 수직거리 a[m]인 곳에 점전하 Q[C]가 있다. Q와 평면도체 사이에 작용하는 힘은 몇 [N]인가? (단, 평면도체 오른편을 유전율 ε의 공간이라 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.무한평면도체에서 d[m]의 거리에 있는 반경 a[m]의 구도체와 평면도체 사이의 정전용량은 몇 [F]인가? (단, a≪d 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  15. 15.자계의 벡터퍼텐셜을 A[Wb/m]라 할 때 도체 주위에서 자계 B[Wb/m2]가 시간적으로 변화하면 도체에 생기는 전계의 세기 E[V/m]은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③E=rotA
    4. ④

  16. 16.공극을 가진 환상솔레노이드에서 총 권수 N회, 철심의 투자율 μ[H/m], 단면적 S[m2], 길이 ℓ[m]이고 공극의 길이가 δ[m]일 때 공극부에 자속밀도 B[Wb/m2]을 얻기 위해서는 몇 [A]의 전류를 흘려야 하는가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 17.그림과 같이 권수 50회이고 전류 1[mA]가 흐르고 있는 직사각형 코일이 0.1[Wb/m2]의 평등자계 내에 자계와 30°로 기울어 놓았을 때 이 코일의 회전력 [Nㆍm]은? (단, a=10[cm], b=15[cm]이다.)

    1. ①3.74×10-5
    2. ②6.49×10-5
    3. ③7.48×10-5
    4. ④11.22×10-5

  18. 18.반지름 a[m]이고, N=1회의 원형코일에 1[A]의 전류가 흐를 때 그 코일의 중심점에서의 자계의 세기 [AT/m]는?

    1. ①1/(2πa)
    2. ②1/(4πa)
    3. ③1/(2a)
    4. ④1/(4a)

  19. 19.자화율(magnetic susceptibility) X는 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?

    1. ①X = 0
    2. ②X = 1
    3. ③X < 0
    4. ④X > 0

  20. 20.비투자율 μs=800, 원형 단면적이 S=10[cm2], 평균 자로길이 ℓ=8π×10-2[m]의 환상 철심에 600회의 코일을 감고 이것에 1[A]의 전류를 흘리면 내부의 자속은 몇 [Wb]인가?

    1. ①1.2×10-3
    2. ②1.2×10-5
    3. ③2.4×10-3
    4. ④2.4×10-5

  21. 21.다음 회로에서 전류 I의 크기는?

    1. ①3[mA]
    2. ②7[mA]
    3. ③10[mA]
    4. ④13[mA]

  22. 22.정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류했을 때의 평균값은?

    1. ①Vm/√2
    2. ②Vm/2
    3. ③Vm/π
    4. ④2Vm/π

  23. 23.다음은 정현파를 대표하는 phasor이다. 정현파를 순시치로 나타내면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  24. 24.RLC 직렬 공진회로에서 공진주파수 10[kHz]에서 선택도가 5일 때 차단주파수 f1, f2는 각각 몇 [kHz]인가?

    1. ①f1 = 8, f2 = 10
    2. ②f1 = 9, f2 = 11
    3. ③f1 = 8.5, f2 = 10.5
    4. ④f1 = 9.5, f2 = 11.5

  25. 25.로 주어진는 2단자 회로망에 직류전압 5[V]를 인가시 이 회로망에 흐르는 정상상태에서의 전류는? (단, S=jw)

    1. ①1[A]
    2. ②2.5[A]
    3. ③5[A]
    4. ④10[A]

  26. 26.그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낸 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)

    1. ①
    2. ②Z1
    3. ③1/Z1
    4. ④1

  27. 27.다음 그림과 같은 회로에서 합성인덕턴스는 몇 [H]인가? (단, L1=6[H], L2=3[H], M=3[H]이다.)

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④6

  28. 28.그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?

    1. ①1[A]
    2. ②2[A]
    3. ③4[A]
    4. ④5[A]

  29. 29.두 함수f1(t)=1, f2(t)=e-t일 때 합성 적분치는?

    1. ①e-t
    2. ②1-et
    3. ③1-e-t
    4. ④1/e-t

  30. 30.R-L 직렬회로의 과도응답에서 감쇠율은?

    1. ①L
    2. ②R
    3. ③L/R
    4. ④R/L

  31. 31.다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11은?

    1. ①1/7[℧]
    2. ②1/5[℧]
    3. ③4/7[℧]
    4. ④1/3[℧]

  32. 32.분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부 저항이 0.1[Ω], 분류기의 저항이 0.01[Ω]이면 그 배율은?

    1. ①4
    2. ②10
    3. ③11
    4. ④14

  33. 33.정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  34. 34.R, L, C 병렬 공진회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①공진시 L 또는 C로 흐르는 전류는 입력 전류 크기의 1/Q배가 된다.
    2. ②공진시 입력 어드미턴스는 매우 작아진다.
    3. ③공진 주파수 이하에서의 입력 전류는 전압보다 위상이 뒤진다.
    4. ④R이 작을수록 Q가 낮다.

  35. 35.선형 회로에 가장 관계가 있는 것은?

    1. ①V=I2R
    2. ②중첩의 정리
    3. ③키르히호프의 법칙
    4. ④래러데이의 전자유도 법칙

  36. 36.다음과 같은 회로망의 전압비 전달함수 G(jw)로 옳은 것은? (단, V(t)는 정현파이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.다른 두 종류의 금속선으로 된 폐회로의 두 접합점의 온도를 달리하였을 때 열기전력이 발생하는 효과는?

    1. ①Peltier 효과
    2. ②Seebeck 효과
    3. ③Pinch 효과
    4. ④Thomson 효과

  38. 38.그림과 같은 반파정류 정현파의 평균값은 약 얼마인가? (단, 0≤ωt≤π일 때 S(t)=sinωt이고, π＜ωt＜2π일 때 S(t)=0인 주기함수이다.)

    1. ①0.23
    2. ②0.32
    3. ③0.5
    4. ④0.64

  39. 39.f(t)=e-atcosωt의 Laplace 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  40. 40.분포 정수 회로에서 회로 정수 사이에는 어떤 관계가 있는가?

    1. ①AD-CD=1
    2. ②AB+CD=1
    3. ③AD+BC=1
    4. ④AD-BC=1

  41. 41.다음 중 시미트 트리거 회로의 용도로 가장 옳지 않은 것은?

    1. ①D/A 변환회로로 사용된다.
    2. ②구형파 펄스 발생회로로 사용한다.
    3. ③노이즈 등에 의한 오동작을 방지하기 위하여 사용된다.
    4. ④임의의 파형에서 그 크기에 해당하는 펄스폭의 구형파를 얻기 위해서 사용된다.

  42. 42.다음 회로의 출력 파형(V<sub>o</sub>)으로 가장 적합한 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  43. 43.다음 그림(b)는 회로(a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로(a)의 부하저항 RL의 값은 약 몇 [kΩ]이 되어야 하는가?

    1. ①1[kΩ]
    2. ②2[kΩ]
    3. ③3[kΩ]
    4. ④4[kΩ]

  44. 44.일반적인 궤환회로에서 전압증폭도 라고 하면 이때 부궤환 작용을 할 수 있는 조건은? (단, A는 궤환이 일어나지 않을 때의 이득이다.)

    1. ①Aβ = ∞
    2. ②Aβ = 1
    3. ③|1-Aβ| < 1
    4. ④|1-Aβ| > 1

  45. 45.논리함수 를 간략화한 것으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  46. 46.다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 다음 어느 것에 따라 커지는가?

    1. ①반송파 변조도가 증가함에 따라
    2. ②반송파 주파수가 증가함에 따라
    3. ③반송파 전압의 진폭이 증가함에 따라
    4. ④변조한 저주파 주파수가 증가함에 따라

  47. 47.다음과 같은 궤환회로의 입력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 변하는가?

    1. ①증가한다.
    2. ②변화없다.
    3. ③감소한다.
    4. ④R이 된다.

  48. 48.연산증폭기와 다이오드로 구성된 다음 회로의 명칭은?

    1. ①진폭제한회로
    2. ②반파정류회로
    3. ③전파정류회로
    4. ④정현파-삼각파 변환회로

  49. 49.그림과 같은 회로에 입력(Vi)에 정현파를 인가할 경우 출력파형은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  50. 50.드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①소자의 경년변화
    2. ②전원전압의 변화
    3. ③주위 온도변화
    4. ④대역폭의 변화

  51. 51.증폭기로 동작하기 위하여 npn 트랜지스터 베이스는 어떻게 바이어스 되어야 하는가?

    1. ①이미터에 대한 양(+)의 값
    2. ②이미터에 대한 음(-)의 값
    3. ③컬렉터에 대한 양(+)의 값
    4. ④접지

  52. 52.AM 변조 방식 중 효율이 가장 좋은 방식은?

    1. ①이미터 변조
    2. ②베이스 변조
    3. ③평형 변조
    4. ④컬렉터 변조

  53. 53.다음 회로의 동작에 대한 설명으로 가장 적합한 것은? (단, 입력신호는 진폭이 Vm인 정현파이고, 다이오드는 이상적인 것이며, RC 시정수는 신호파의 주기에 비해 매우 크다.)

    1. ①출력전압은 Vi - Vm인 정현파이다.
    2. ②출력전압은 Vi - VR인 정현파이다.
    3. ③출력전압은 VR - Vm인 정현파이다.
    4. ④부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프한다.

  54. 54.다음 중 트랜스 결합 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①트랜스의 성능을 좋게 하기 위해서는 크기가 대형이고 값이 비싸다.
    2. ②주파수 특성이 매우 평탄하다.
    3. ③전압손실이 거의 없어 전원 효율이 좋다.
    4. ④트랜스 결합 증폭회로는 임피던스 정합이 용이하여 주로 전력증폭용으로 사용된다.

  55. 55.불대수에서 (A+B)(A+C)와 등식이 성립하는 것은?

    1. ①ABC
    2. ②A+B+C
    3. ③AB+C
    4. ④A+BC

  56. 56.다음 회로는 2차 고역통과필터이다. 이 필터의 전압이득 Av와 차단주파수 fτ는? (단, R1=R2=2.1[kΩ], C1=C2=0.05[μF], RG=10[kΩ], RF=50[kΩ]이다.)

    1. ①Av = 6, fτ = 약 1.5[kHz]
    2. ②Av = 5, fτ = 약 2.5[kHz]
    3. ③Av = 4, fτ = 약 3.5[kHz]
    4. ④Av = 3, fτ = 약 4.5[kHz]

  57. 57.M/S 플립플롭은 어떠한 현상을 해결하기 위한 것인가?

    1. ①Delay 현상
    2. ②Race 현상
    3. ③Set 현상
    4. ④Toggle 현상

  58. 58.수정발진기는 수정의 임피던스가 어떻게 될 때 가장 안정된 발진을 계속하는가?

    1. ①저항상
    2. ②용량성
    3. ③유도성
    4. ④용량성 또는 저항성

  59. 59.다음 중 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유로 가장 적합한 것은?

    1. ①부성저항이 생기기 때문에
    2. ②결합 커패시턴스의 영향 때문에
    3. ③하이브리드 정수의 변화 때문에
    4. ④도선 등의 표유 용량 때문에

  60. 60.8진수 (367.25)8를 16진수로 변환하면?

    1. ①(F7.54)16
    2. ②(F8.54)16
    3. ③(F7.44)16
    4. ④(FE.54)16

  61. 61.상온 300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?

    1. ①0.1
    2. ②0.02
    3. ③0.9
    4. ④0.98

  62. 62.진성 반도체에서 드리프트 전류의 대부분이 자유전자에 의해 발생하는 가장 큰 이유는?

    1. ①정공은 가전자대에 있기 때문
    2. ②자유전자는 전도대에 있기 때문
    3. ③정공보다 더 많은 자유전자가 있기 때문
    4. ④자유전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크기 때문

  63. 63.펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①입력측 개방으로 인한 역포화전류 현상이다.
    2. ②이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
    3. ③역바이어스 전압의 증가시 발생하는 현상이다.
    4. ④펀치스로우 전압의 크기는 베이스 내의 불순물 농도에 비례한다.

  64. 64.트랜지스터의 출력특성에는 Bias 구성에 의한 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역은?

    1. ①포화(Saturation) 영역
    2. ②차단(Cut-off) 영역
    3. ③활성(Active) 영역
    4. ④역활성(Inverted Active) 영역

  65. 65.Si 접합형 npn 트랜지스터의 베이스 폭이 10-5[m]일 때, α 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가? (단, Si의 전자이동도 μn은 0.15[m2/Vㆍs]이다.)

    1. ①4[MHz]
    2. ②12[MHz]
    3. ③15[MHz]
    4. ④31[MHz]

  66. 66.페르미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전자의 존재 확률은 50[%]가 된다.
    2. ②0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
    3. ③0[K]에서 N형 반도체의 경우 전도대와 금지대 사이에 위치한다.
    4. ④진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 금지대 중앙에 위치한다.

  67. 67.다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?

    1. ①전도대
    2. ②금지대
    3. ③가전자대
    4. ④전기대

  68. 68.다음 중 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
    2. ②온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
    3. ③불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
    4. ④불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.

  69. 69.반도체의 전자와 정공에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①자유전자는 정공보다 이동도가 더 크다.
    2. ②전자의 흐름과 정공의 흐름은 반대이다.
    3. ③전자와 정공이 결합하면 에너지를 흡수한다.
    4. ④전자가 공유결합을 이탈하면 정공이 생성된다.

  70. 70.캐리어의 확산 거리는 무엇에 의존하는가?

    1. ①반도체의 모양
    2. ②캐리어의 이동도에만 의존
    3. ③캐리어의 이동도와 수명시간에 의존
    4. ④캐리어의 수명시간에만 의존

  71. 71.반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔하는 이유는?

    1. ①불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    2. ②다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
    3. ③진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    4. ④캐리어의 이동도를 결정하기 때문

  72. 72.SCR에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①브레이크오버(breakover) 전압은 게이트 전압과는 무관하다.
    2. ②브레이크오버 전압 이하의 전압에서도 역포화 전류와 비슷한 낮은 전류가 흐른다.
    3. ③전도 상태를 유지하는데 필요한 최소의 전류를 순방향 유지 전류라 한다.
    4. ④애노드와 캐소드 사이에만 전압을 인가하면 PN 접합의 역방향 특성과 비슷하다.

  73. 73.고주파수의 신호 전압에서 완벽하게 동작하기 위한 트랜지스터의 조건에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①베이스 영역 폭이 넓어야 한다.
    2. ②베이스 영역에 주입되는 캐리어의 확산계수가 커야 한다.
    3. ③이미터로부터 주입되는 캐리어가 컬렉터에 도달하는 시간지연이 짧아야 한다.
    4. ④전자의 확산계수가 정공의 확산계수보다 커야 한다.

  74. 74.Zener diode 특성의 설명으로 옳은 것은?

    1. ①가하는 전압에 따라 용량(C)이 변화한다.
    2. ②가하는 전압에 따라 전류의 방향이 달라진다.
    3. ③고주파에 대한 특성이 특별히 우수하다.
    4. ④정전압 방전관과 같은 특성을 가지고 있다.

  75. 75.2×104[m/sec]의 속도로 운동하는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량은 9.1×10-31[kg])

    1. ①1.82×10-26[m]
    2. ②3.64×10-8[m]
    3. ③1.64×1034[m]
    4. ④1.21×10-16[m]

  76. 76.어떤 반도체의 금지대폭 Eg가 상온 300[°K]에서 500[kT]일 때 이 반도체가 도전 상태가 되기 위한 필요 에너지는 약 얼마인가?

    1. ①2[eV]
    2. ②8[eV]
    3. ③13[eV]
    4. ④20[eV]

  77. 77.물질을 구성하고 있는 소립자에도 파동성이 있다고 최초로 주장한 사람은?

    1. ①Einstein
    2. ②De Broglie
    3. ③Rutherford
    4. ④Avogadro

  78. 78.전도대와 가전자대 사이의 금지대(에너지 갭) 크기를 순서대로 나열한 것은?

    1. ①절연체>반도체>도체
    2. ②반도체>도체>절연체
    3. ③반도체>절연체>도체
    4. ④도체>반도체>절연체

  79. 79.PN 접합 다이오드에 순바이어스를 인가할 때 공핍층 근처의 소수캐리어 밀도는 어떻게 변화하는가?

    1. ①P영역과 N영역에서 모두 감소한다.
    2. ②P영역과 N영역에서 모두 증가한다.
    3. ③P영역에서 증가하고, N영역에서 감소한다.
    4. ④P영역에서 감소하고, N영역에서 증가한다.

  80. 80.광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지는?

    1. ①광의 세기에 비례한다.
    2. ②광의 속도에 비례한다.
    3. ③광의 주파수에 비례한다.
    4. ④광의 주파수에 반비례한다.

  81. 81.인코더의 입력선이 8개이면, 출력선은 몇 개가 되는가?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③3
    4. ④4

  82. 82.다음 중 메이저 상태의 수행 사이클에 해당하지 않은 것은?

    1. ①인출 사이클
    2. ②간접 사이클
    3. ③직접 사이클
    4. ④인터럽트 사이클

  83. 83.AND 연산에서 레지스터 내의 어느 비트 또는 문자를 지울 것인가를 결정하는 것은?

    1. ①mask bit
    2. ②sign bit
    3. ③check bit
    4. ④parity bit

  84. 84.어떤 디스크의 탐색시간이 20[ms], 데이터 전송시간이 0.5[ms], 회전지연시간이 8.3[ms] 이라고 할 때, 데이터를 읽거나 쓰는데 걸리는 평균 액세스 시간은?

    1. ①9.65[ms]
    2. ②11.2[ms]
    3. ③28.8[ms]
    4. ④30.8[ms]

  85. 85.캐시(cache) 메모리에 관한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①hard disk에 비해서 가격이 저렴하다.
    2. ②주기억장치에 비해서 속도가 느리지만 오류 수정 기능이 있다.
    3. ③주기억장치에 비해서 속도가 빠르고, 가격이 비싸다.
    4. ④병렬 처리 컴퓨터에 필수적이다.

  86. 86.다음 중 순서도의 유형이 아닌 것은?

    1. ①직선형 순서도
    2. ②분기형 순서도
    3. ③반복형 순서도
    4. ④교차형 순서도

  87. 87.리처드 스톨먼 등에 의해 만들어졌으며, 품질이 매우 좋고 이식성이 좋은 C 컴파일러는?

    1. ①GCC
    2. ②JAVAC
    3. ③YACC
    4. ④CC

  88. 88.컴퓨터에서 세계 각국의 언어를 통일된 방법으로 표현할 수 있게 제안된 국제적인 코드는?

    1. ①BCD 코드
    2. ②ASCII 코드
    3. ③UNICODE
    4. ④GRAY 코드

  89. 89.8비트 마이크로프로세서에서 스택 포인터가 100번지를 가리키고 있다 3바이트의 내용을 스택에 푸시하면 스택 포인터는 몇 번지를 가리키는가?

    1. ①96번지
    2. ②97번지
    3. ③196번지
    4. ④197번지

  90. 90.아래 C 프로그램의 출력 결과는?

    1. ①0
    2. ②2
    3. ③25
    4. ④50

  91. 91.동시에 2개 이상의 프로그램을 컴퓨터에 로드(load)시켜 처리하는 방법을 무엇이라 하는가?

    1. ①double programming
    2. ②multi programming
    3. ③multi-accessing
    4. ④real-time programming

  92. 92.다음 중 CPU의 레지스터로 볼 수 없는 것은?

    1. ①누산기(Accumulator)
    2. ②명령어 레지스터(Instruction Register)
    3. ③RAM(Random Access Memory)
    4. ④프로그램 카운터(Program Counter)

  93. 93.회전속도가 7200[rpm]인 하드디스크의 최대 회전 지연시간은?

    1. ①약 4.2[ms]
    2. ②약 8.3[ms]
    3. ③약 12.3[ms]
    4. ④약 16.6[ms]

  94. 94.2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①고정소수점(fixed point) 표현 방식보다 수를 표현할 수 있는 범위가 넓다.
    2. ②지수(exponent)를 사용하여 소수점의 범위를 넓게 이동시킬 수 있다.
    3. ③소수점 이하의 수를 나타내는 가수(mantissa)의 비트수가 늘어나면 정밀도가 증가한다.
    4. ④IEEE 754 부동소수점 표준 중 64비트 복수 정밀도 형식은 32비트 지수를 가진다.

  95. 95.인터럽트에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①하드웨어의 오류에 의해 발생하기도 한다.
    2. ②인터럽트가 발생하면 특정한 일을 수행한다.
    3. ③프로그램의 수행을 중단시키기 위해 사용되기도 한다.
    4. ④인터럽트가 발생하면 현재 수행중인 프로그램은 무조건 종료된다.

  96. 96.다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

    1. ①hamming code
    2. ②ring counter code
    3. ③gray code
    4. ④8421 code

  97. 97.프로그램이 수행될 때 최근에 사용한 인스트럭션과 데이터를 다시 사용할 가능성이 크다는 것을 무엇이라 하는가?

    1. ①접근의 국부성
    2. ②디스크 인터리빙
    3. ③페이징
    4. ④블록킹

  98. 98.CPU 레지스터 중에서 프로그래머가 직접 사용하여 프로그래밍 할 수 없는 것은?

    1. ①인스트럭션 레지스터
    2. ②범용 레지스터
    3. ③연산용 레지스터
    4. ④인덱스 레지스터

  99. 99.Two address machine에서 기억용량이 65536=216이고 Word length가 40Bit라면 이 명령형(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 Bit 구성되는가?

    1. ①5
    2. ②6
    3. ③7
    4. ④8

  100. 100.10진수 (18 - 72)을 BCD 코드로 올바르게 나타낸 것은? (단, 보수는 9의 보수 사용)

    1. ①0100 0101
    2. ②1011 0110
    3. ③1100 1001
    4. ④1100 1010