문항 목록
1∇⋅i =0에 대한 설명이 아닌 것은?
21[kV]로 충전된 어떤 콘덴서의 정전에너지가 1[J]일 때, 이 콘덴서의 크기는 몇 [μF]인가?
3진공 중에 선전하 밀도 +λ[C/m]의 무한장 직선전하 A와 -λ[C/m]의 무한장 직선전하 B가 d[m]의 거리에 평행으로 놓여 있을 때, A에서 거리 d/3[m]되는 점의 전계의 크기는 몇 [V/m]인가?
4정전용량 C[F]인 평행판 공기콘덴서에 전극간격의1/2 두께인 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 이때의 정전용량은 몇 [F]인가? (단, 유리의 비유전률은 εs라 한다.)
5자성체 경계면에 전류가 없을 때의 경계조건으로 틀린 것은?
6그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때 A코일 자기인덕턴스가 L1[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스 M은 몇 [H]인가? (단, 누설자속은 0이라고 한다.)
7자기유도계수 L의 계산방법이 아닌 것은? (단, N: 권수, ø : 자속, I : 전류, A : 벡터포텐샬, i : 전류밀도, B : 자속밀도, H : 자계의 세기이다.)
8압전기 현상에서 분극이 응력에 수직한 방향으로 발생하는 현상은?
9다음 중 스토크스(stokes)의 정리는?
10전위가 VA인 A점에서 Q[C]의 전하를 전계와 반대 방향으로 ℓ[m]이동시킨 점 P의 전위[V]는? (단, 전계 E는 일정하다고 가정한다.)
11그림과 같은 공심 토로이드 코일의 권선수를 N배하면 인덕턴스는 몇 배 되는가?
12그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계 중에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 [kcal]의 열이 발생하는가? (단, Br=2[Wb/m2], HL=500[AT/m], B=μH에서 μ는 일정하지 않음)
13환상 철심에 감은 코일에 5[A]의 전류를 흘려 2000[AT]의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는 얼마로 하여야 하는가?
14전기쌍극자에 의한 전계의 세기는 쌍극자로부터의 거리 r에 대해서 어떠한가?
15Z축의 정방향(+방향)으로 10πaz[A]가 흐를 때 이 전류로부터 5[m] 지점에 발생되는 자계의 세기 H[A/m]는?
16전위함수가 V=2x+5yz+3일 때, 점(2,1,0)에서의 전계의 세기는?
17반지름 2[mm]의 두 개의 무한히 긴 원통 도체가 중심 간격 2[m]로 진공 중에 평행하게 놓여있을 때 1[km]당의 정전용량은 약 몇 [μF]인가?
18그림과 같은 전기 쌍극자에서 P점의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
19단면적 1000[mm2] 길이 600[mm]인 강자성체의 철심에 자속밀도 B=1[Wb/m2]를 만들려고 한다. 이 철심에 코일을 감아 전류를 공급하였을 때 발생되는 기자력[AT]은? 문제 오류로 실제 시험에서는 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 가번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
20다음 중 금속에서의 침투깊이(Skin Depth)에 대한 설명으로 옳은 것은?
21그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?
22RLC 병렬회로가 공진주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
23기본파의 50[%]인 제3고조파와 30[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
24다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?
25임의의 회로 실효 전력이 30[W]이고, 무효전력이 40[VAR]일 때 역률은?
264단자망의 파라미터에 대한 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
27단위 임펄스의 라플라스 변환은?
28R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
29공급 전압이 50[V]이고, 회로에 전류가 15[A]가 흐른다고 할 때 이 회로의 유효전력은 몇 [W]인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)
30선형시변 인덕터의 자속이 ø(t)=L(t)i(t) 일 때, 전압 V(t)는?
31다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 옳지 않은 것은?
32다음 중 파형의 대칭성에 해당되지 않는 것은?
33전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시벨(dB) 인가?
34시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 인가할 때 t=3τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?
35K의 적분요소를 갖는 회로의 전달함수는?
3610[V]의 기전력으로 300[C]의 전기량이 이동할 때 몇 [J]의 일을 하게 되는가?
37이상변압기에서 두 코일의 권선비는?
38두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
39ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?
40RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, wr은 공진 각 주파수이다.)
41어떤 증폭기에 그림(a)와 같은 파형이 인가되었을 때 그림(b)와 같은 출력파형이 발생되었다면 이 증폭기는?
42수정발진자의 등가용량은 Co, 고유주파수는 fs이며, 발진자의 극간의 정전용량은 C, 정전용량을 고려한 주파수를 fP 라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
43어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 80[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때 동상이득(Ac)은?
44B급 푸시풀 증폭회로의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
45다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)
46부궤환(negative feedback)을 걸지 않은 경우 증폭기의 전압증폭도 A=1000배이다. β=0.05의 부궤환을 걸면 전압증폭도 Af는 약 얼마인가?
47다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?
48수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?
49그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?
50다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?
51다음 그림의 연산증폭 회로에서 전압이득 AV는?
52피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?
53디지털 신호(2진 데이터)의 정보 내용에 따라서 반송파의 주파수를 변화시키는 것은?
54연산 증폭기에서 입력 오프셋 전압이란?
55T형 플립플롭을 사용하여 4단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?
56다음 그림과 같이 연산증폭기를 이용하여 적분기 회로를 구성하는데 가장 알맞은 것은?
57비안정 멀티바이브레이터 회로에서 베이스 전압의 파형은?
58RL=16[Ω], VCC=30[V]인 B급 전력증폭기에 20[V]의 신호를 공급할 때 입력전력 Pi(dc), 출력전력 Po(ac) 및 효율 η는 약 얼마인가?
59연산 증폭기에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
60동기 3단 2진 카운터를 JK F/F 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 설계할 수 있는가?
61다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
62확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?
63서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?
64반도체에 관한 내용으로 잘못 짝지워 놓은 것은?
65일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?
66금속 표면에서 전자를 끌어내는 방향으로 전계를 가하면 금속표면의 전위장벽이 낮아진다. 이와 같은 효과는?
67pn 접합에 역바이어스 전압을 걸어주면 어떠한 현상이 일어나는가?
68컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
69300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV]인가?
70페르미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
71쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?
72열평형 상태에서 PN 접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?
73가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한쌍의 자유 전자의 정공이 생성되는 현상은?
74접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?
75일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?
76다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?
77PN 접합에서 접촉전위차에 대한 설명 중 옳은 것은?
78어떤 도선에 1[A]의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적을 1[s] 동안에 1[C]의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 수는?
79어떤 금속의 전위장벽 높이(E0)가 13.47[eV]이고, 페르미에너지(Ef)가 8.95[eV]일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?
80초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
81컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?
82비주얼 베이직(Visual Basic) 기본 문법 설명 중 옳은 것은?
83주소 공간이 20[bit]이고 각 주소당 저장되는 데이터의 크기가 8[bit]일 때 주기억 장치의 용량은?
84컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?
85MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
86다음 운영체제(OS)의 구성용소 중 제어 프로그램(Control program)에 포함되지 않는 것은?
87객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 알맞게 만들어진 언어는?
88interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?
89CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?
90push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?
91수치적 연산에 관한 설명 중 가장 옳은 것은?
92컴퓨터의 클록 펄스 주기가 5[MHz]이고, 16비트 레지스터를 통해 데이터를 직렬 전송한다면, 순수 데이털의 비트 전송시간과 워드 전송시간은?
93부동 소수점(floating point) 표현방식에서 정규화하는 이유는?
94주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
95다음 중 DRAM의 특징이 아닌 것은?
962의 보수로 표현되는 수가 A, B 레지스터에 저장되어 있다. A ← A-B 연산을 수행한 후의 A 레지스터는?
97RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?
98마이크로컴퓨터에서 isolated I/O 방식과 비교하여 memory-mapped I/O 방식의 특징으로 옳은 것은?
99다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?
100다음 중 순차 논리회로가 아닌 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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