국가직 9급 · 2013

9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2013-07-27)

총 20문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.반도체 도핑에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 도핑된 불순물들은 모두 활성화되었다고 가정한다)

    1. ①실리콘에 5족 불순물을 도핑하면 n형 반도체 물질이 된다.
    2. ②실리콘에 도핑된 5족 불순물의 농도를 높이면 전자의 이동도는 감소한다.
    3. ③실리콘에 도핑된 5족 불순물의 농도를 높이면 저항도는 증가 한다.
    4. ④실리콘에 도핑된 5족 불순물의 농도를 높이면 정공의 농도는 감소한다.

  2. 2.다음 4단자 회로망의 Y 파라미터 중 Y11, Y22의 값은? (단, Ya=2[℧], Yb=4[℧], Yc=6[℧]이다.) (순서대로 Y11[℧], Y22[℧])

    1. ①2, 3
    2. ②6, 10
    3. ③8, 10
    4. ④8, 12

  3. 3.버랙터(varactor) 다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①순방향 전압영역에서 가변커패시터로 사용된다.
    2. ②역방향 전압영역에서 가변커패시터로 사용된다.
    3. ③순방향 전압영역에서 가변저항으로 사용된다.
    4. ④역방향 전압영역에서 가변저항으로 사용된다.

  4. 4.음성신호의 대역제한 주파수를 4 [kHz]로 하고, 256개의 양자화 레벨을 사용하여 PCM 변조를 하고자 한다. 최대 샘플링 주기 Ts와, 이 때 디지털 신호의 비트율은? (순서대로 Ts[ms], 비트율[kbit/s])

    1. ①0.125, 32
    2. ②0.125, 64
    3. ③0.25, 32
    4. ④0.25, 64

  5. 5.다음 카르노맵(Karnaugh map)을 표현한 논리식으로 옳은 것은?

    1. ①BC′+AB′C′+A′B′C
    2. ②BC′D′+B′C
    3. ③B′C′+BC
    4. ④BC′+B′C

  6. 6.다음은 Op-Amp를 이용한 저대역통과필터이다. R1=1.2[kΩ], C1=0.02[㎌], RG=10{kΩ], RF=50[kΩ]일 때, DC 전압 이득과 차단주파수는? (단, π＝3.14이다) (순서대로 DC 전압이득, 차단주파수[kHz])

    1. ①5, 3.32
    2. ②5, 6.63
    3. ③6, 3.32
    4. ④6, 6.63

  7. 7.다음 회로의 전달함수 H(ω)의 특성을 나타낸 그래프로 가장 적절한 것은? (단, R1=R2=1[kΩ], C=10[㎌]이다)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.다음 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 다이오드는 이상적이며, τ=RC의 값은 충분히 크다)

    1. ①R과 C로 주파수를 조절할 수 있고 Vin으로 진폭을 조절할수 있는 발진기이다.
    2. ②주기신호 Vin의 최대 전압을 출력하는 검출기이다.
    3. ③Vin의 변화율에 비례하는 전압을 출력하는 미분기이다.
    4. ④Vin이 특정전압 사이에 있을 때는 최대 전압을 출력하고 그 외의 영역에서는 최소 전압을 출력하는 윈도우 비교기이다.

  9. 9.전달함수 H(ω)의 크기와 위상이 다음 그림과 같은 필터가 있다. 이 필터의 입력이 일 때, 출력으로 옳은 것은?

    1. ①2sin2(100t)
    2. ②2cos2(100t)
    3. ③1-sin(200t)
    4. ④1+sin(200t)

  10. 10.<그림 1> 증폭기의 소신호 전압이득을 Av1=V2/V1로, <그림 1>의 증폭기 2개를 <그림 2>와 같이 연결하여 2단 증폭기를 구성하였을 때의 소신호 전압이득을 Av2V3/V1로 정의한다. Av1과 Av2에 가장 가까운 값은? (단, BJT는 활성영역에서 동작하고 gm=0.5[A/V], β=250, RB=200[kΩ], RC=500[Ω]이며 C1 및 C2는 매우 크다고 가정한다) (순서대로 Av1, Av2)

    1. ①－125, 16,600
    2. ②－250, 16,600
    3. ③－250, 31,200
    4. ④－250, 62,500

  11. 11.트랜지스터에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①MOSFET은 이미터, 베이스, 컬렉터의 3개의 단자를 갖는다.
    2. ②n채널 MOSFET은 n형 기판에 형성된다.
    3. ③BJT는 MOSFET에 비해 작게 만들 수 있어 초고집적회로 (VLSI)에 유리하다.
    4. ④BJT는 두 개의 PN 접합으로 구성된다.

  12. 12.Vout=V2-V1의 관계를 갖는 회로를 이상적인 Op-Amp를 사용하여 옳게 구현한 것은? (단, 모든 저항의 크기는 동일하다)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.다음 회로에서 Op-Amp가 이상적일 때, 출력전압Vout[V]은? (단, Vin=1[V], r1=R2=R3=R4=1[kΩ])

    1. ①2.5
    2. ②4
    3. ③5
    4. ④6

  14. 14.플립플롭을 사용하여 0에서 8까지의 숫자를 셀 수 있는 업－다운(up-down) 카운터를 설계하려고 할 때, 필요한 플립플롭의 최소 개수는?

    1. ①3
    2. ②4
    3. ③8
    4. ④9

  15. 15.다음 회로에서 출력 Y를 입력 A와 B의 함수로 구하면?

    1. ①Y=A+B
    2. ②Y=AB
    3. ③Y=AB+A′B′
    4. ④Y=AB′+A′B

  16. 16.다음은 이상적인 Op-Amp를 사용한 반전증폭기 회로이다. 이 회로에서 기생 저항 Rpz1-가 존재하지 않을 경우 전압이득은 Vout/Vin=-10이다. 수십 킬로옴(kΩ)의 Rp가 존재할 때, 전압이득의 변화로 옳은 것은?

    1. ①Rp가 없을 때보다 증가한다.
    2. ②Rp가 없을 때보다 감소한다.
    3. ③Rp가 없을 때와 동일하다.
    4. ④Rp가 없을 때보다 증가할 수도 있고 감소할 수도 있다.

  17. 17.다음 논리회로 중 입력 A와 B가 같으면 1을 출력하고, 다르면 0을 출력하는 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 18.다음은 교류 입력 신호를 정류하는 회로들이다. 동일한 교류 입력에 대하여 출력 파형이 동일한 것은? (단, 다이오드는 이상적인 것으로 가정한다)

    1. ①ㄱ－ㄴ
    2. ②ㄱ－ㄷ
    3. ③ㄴ－ㄷ
    4. ④ㄷ－ㄹ

  19. 19.다음 발진기의 발진 조건 및 발진 주파수는? (순서대로 발진 조건, 발진 주파수)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  20. 20.다음 회로에서 다이오드 D1, D2의 상태로 옳은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다) (순서대로 D1, D2)

    1. ①ON, ON
    2. ②ON, OFF
    3. ③OFF, ON
    4. ④OFF, OFF
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