문항 목록
1자성체 경계면에 전류가 없을 때의 경계 조건으로 틀린 것은?
2페러데이 법칙 중 옳지 않은 것은? (단, 로서 쇄교 자속수이다.)
3그림과 같은 원통좌표계에서 자속밀도 이다. 0.5≤ r≤ 2.5[m]이고, 0≤ z≤ 2.0[m]로 정의되는 평면을 지나는 자속의 크기를 구하면?
4전위 V가 V=xy2z[V]일 때, 이 원천인 전하밀도 ρ[C/m3]는?
5커패시터를 제조하는데 A, B, C, D와 같은 4가지의 유전재료가 있다. 커패시터내에서 단위체적당 가장 큰 에너지 밀도를 나타내는 재료부터 순서대로 나열하면? (단, 유전재료 A, B, C, D의 비유전율은 각각 ετA=8, ετB=10, ετC=2, ετD=4이다.)
6유전율이 ε, 도전율이 σ이고, 반경이 r1, r2(r1＜r2), 길이가 R인 동축케이블에서 저항 R은 얼마인가?
7균일하게 만들어진 알루미늄 도체가 있다. 이 도체의 도전율은 3.5×107[Ωㆍm]-1이고 전류밀도는 8×105[A/m2 ]이라고 한다. 이 도체에서 서로 1[m] 떨어진 두 점사이의 전위차는 약 몇 [V]인가?
8자속밀도가 B=30[Wb/m2]의 자계 내에 i=5[A]의 전류가 흐르고 있는 길이 ℓ=1[m]인 직선 도체를 자계의 방향에 대해서 60°의 각을 짓도록 놓았을 때, 이 도체에 작용하는 힘[N]은?
9한 변의 길이가 ℓ인 정삼각형 회로에 전류 I가 흐르고 있을 때 삼각형 중심에서의 자계의 세기[AT/m]는?
10공기 중에서 1[V/m]의 전계를 2[A/m2]의 변위전류를 흐르게 하려면 주파수는 약 몇 [MHz]가 되어야 하는가?
11도전율 σ, 투자율 μ인 도체에 교류전류가 흐를 때의 표피효과의 관계로 옳은 것은?
122[Ω]과 4[Ω]의 병렬회로 양단에 40[V]를 가했을 때 2[Ω]에서 발생하는 열은 4[Ω]에서의 열의 몇 배인가?
13내원통의 반지름 a, 외원통의 반지름 b인 동축원통 콘덴서의 내외 원통사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 C0이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 하고 공기대신 비유전율 9인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량은?
14전류에 의한 자계의 법칙으로 옳지 않은 것은?
15진공 중에 선전하밀도가 ρ[C/m], 반지름이 a[m]인 아주 긴 직선원통 전하가 있다. 원통 중심축으로부터 a/2[m]인 거리에 점의 전계의 세기는?
16철심의 길이를 lc[m], 단면적을 S[m2], 투과율을 μ[H/m]라 하고 공극의 길이를 lg[m], 공극부분의 투과율을μ0[H/m]라 할 때, 합성자기 저항 Rm[AT/Wb]은?
17균등전류가 흐르고 있는 무한히 긴 원주도체의 내부 인덕턴스의 크기는 어떻게 결정되는가?
18대지의 고유저항이 ρ[Ωㆍm]일 때 반지름 a[m]인 반구형 접지전극의 접지저항은 몇 [Ω]인가?
19전하 q와 -q가 S만큼 거리를 두고 위치해 있다. 이 때 외부에서 그림과 같이 전계 E를 가했다. 경우 포텐샬 에너지의 식으로 합당한 것은?
20다음 중 전류 운송자(carrier)에 의한 전류가 아닌 것은?
21정현파 교류전압의 평균값이 350[V]일 때 실효값은?
22시정수가 τ인 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 회로에 흐르는 전류는 최종 의 몇 [%]인가? (단, e는 2.718이다.)
23구동점 임피던스에 있어서 영점은?
24v(t)=100sin ωt[V]이고, i(t)=2sin(ωt-π/3)[A]에 대한 평균 전력은?
25파형률에 관한 설명으로 틀린 것은?
26함수 f(t)=tat를 라플라스 변환시킨 것은?
27차단 주파수에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
28다음 회로에서 전압 전달비를 구하면? (단, S=jω이다.)
29단자 외부에 연결되는 임피던스를 예상해서 도입되는 파라미터는?
301000[mH]인 코일의 리액턴스가 377[Ω]일 때 주파수는?
31정 K형 필터에서 임피던스 Z1, Z2와 공칭임피던스 K와의 관계는?
32R-C 직렬 회로망에서 스위치 S가 t=0일 때 닫혔다고 하면 전류 I(t)는? (단, 콘덴서에는 초기 전하가 없었다.)
33어떤 회로망의 4단자 정수가 A=8, B=j2, D=3+j2이면 이 회로망의 C는?
34R-L-C 직렬회로에서 공진주파수보다 큰 주파수에서의 전류는?
35두 개의 코일 a, b를 직렬 접속하였을 때 합성 인덕턴스가 121, 반대로 연결하였을 때 합성 인덕턴스가 9였다. 코일 a의 자기인덕턴스가 20[mH]라면 결합계수(k)는?
36전달함수 을 갖는 요소가 있다. 이 요소에 ω=2인 정현파를 주었을 때 |G(jw)|는? (단, s=jω이다.)
37변압기 결선에서 제 3고조파를 발생하는 것은?
38감쇠기의 입력전력과 출력전력의 비가 1/00일 때의 감쇠량은?
39형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 40[W]이었다면, 이 형광등의 역률은?
40R=80[Ω], Xc=60[Ω]인 R-C 직렬회로에 교류 220[V]를 인가할 때의 역률은?
41연산증폭기의 이득 대역폭 적(GㆍB)은 0.35/상승시간 의 식으로 계산된다. 상승시간이 0.175[μs]인 연산증폭기를 이용하여 10[kHz]의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 [dB]인가?
42다음과 같은 회로 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드이다.)
43다음 회로는 어떤 궤환 증폭회로인가?
44Push-Pull 증폭기가 단일 Transistor 증폭기에 비해 그 장점을 잘못 설명한 것은?
45저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
46컬렉터 접지형 증폭기의 특징에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
47α가 0.99, 차단주파수가 30[MHz]인 베이스접지 증폭회로를 이미터접지로 하였을 경우 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가?
48다음 중 수정발진기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
49다음 중 발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?
50부궤환 증폭기의 일반적인 특징 중 옳지 않은 것은?
51다음 중 QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
52일반적인 궤환회로에서 전압증폭도 라고 하면 이 때 부궤환 작용을 할 수 있는 조건은? (단, A는 궤환이 일어나지 않을 때의 이득이다.)
53다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
542진수 (11100101)2를 8진수와 16진수로 바르게 변환한 것은?
55트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.3[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]이라면 안정도 계수 S는?
56다음과 같은 FET 소신호 증폭기회로에서 입력전압이 20[mV]일 때 출력전압으로 가장 적합한 것은?
57다음과 같은 윈 브리지형 발진 회로의 발진 주파수는?
58α=0.98, ICO=5[μA]인 트랜지스터에서 IB=100[μA]일 때 IC는 몇 [mA]인가?
59어떤 파형의 상부와 하부의 두 레벨을 동시에 잘라내어 입력 파형의 극히 좁은 레벨을 꺼내는 회로는?
60그림과 같은 브리지 정류회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
61원자의 성질로 4가지 양자수(n, l, m, s)로서 결정되는 한 개의 양자 상태에는 한 개만의 전자 밖에 들어갈 수 없다는 원리는?
62페르미 디락(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
63다음 중 전자의 비전하를 의미하는 것은?
64전자의 전체 에너지를 E, 운동량을 P라 하면 위치에너지는? (문제 오류로 실제 시험에서는 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
65Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
66반도체에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?
67트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?
68서미스터(Thermistor) 소자에 대한 설명 중 틀린 것은?
69다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?
70자속밀도 B[Wb/m2]인 평등자계 중에 자계와 직각 방향으로 속도 r=mv/eB[m]로 원운동을 한다. 이때 전자의 운동 주기 T[sec]는?
7127[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1[eV] 상위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, Boltzmann 상수 k는 1.38×10-23[J/K]이다.)
72열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?
73실리콘으로 된 PN 접합에서 단면적이 0.5[mm2]이고 공간전하 영역의 폭이 2×10-4[cm]일 때 공간 전하 용량은? (단, 실리콘의 비유전율은 12, 진공의 유전율은 8.85×10-12[F/m]이다.)
74서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흘릴 때 전류의 방향에 따라 접합 부위에 온도차가 발생되는 현상은?
75트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?
76Si 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
77금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
78서로 떨어져 있는 원자를 접근시켜 고체를 형성할 경우, 인접된 원자 간의 상호작용으로 분할된 에너지 준위(Level)가 본질적으로 연속적인 에너지 대역(Band)으로 변하게 되는데 이와 관련이 깊은 것은?
79PN 접합에 순방향 바이어스가 인가되었을 때에 대한 설명 중 옳은 것은?
80부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나며, 일명 에사키(Esaki) 다이오드라고도 하는 것은?
81기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성 요소가 아닌 것은?
82다음 중 스택과 가장 관련이 없는 것은?
83인터럽트(interrupt)의 발생과 처리 과정에서 수행되는 내용이 아닌 것은?
84다음 중 일반적으로 ROM에 저장하는 것이 아닌 것은?
85컴퓨터에서 여러 개의 마이크로프로세서가 하나의 프로그램 상의 서로 다른 태스크(task)를 동시에 처리함으로써 부하를 분담하여 처리속도를 향상시킨 방식은?
86다음 C 프로그램의 출력은?
87부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?
88파이프라인에서 단계의 수를 "k", 실행할 명령어의 수를 "N"이라고 할 때, 파이프라이닝을 이용하여 얻을 수 있는 속도향상 Sp로 가장 타당한 것은?
89분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대 주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 -75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?
90목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
91마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징으로 볼수 없는 것은?
92연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터는?
93다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?
94다른 세 가지와 그 값이 같지 않은 것은?
95명령어의 오퍼랜드를 연산 자료의 주소로 이용하는 주소지정 방식은?
96op-code가 4비트이면 연산자의 종류는 최대 몇 개가 생성될 수 있는가?
9710비트로 표현된 어떤 수 A를 2의 보수로 변환하였다. 이때 변환한 결과를 B라고 할 때 A와 B의 합은?
98RISC에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
99논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
100어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 관계가 먼 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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