전자기사 (2011-06-12)
총 100문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 εs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
2.진공 중에 반지름이 4[cm]인 도체구 A와 내외 반지름이 5[cm] 및 10[cm]인 도체구 B를 동심(同心)으로 놓고 도체구 A에 QA=4×10-10 [C]의 전하를 대전시키고 도체구 B의 전하를 0으로 했을 때, 도체구 A의 전위는 약 몇 [V]인가?
- ①15
- ②30
- ③46
- ④54
3.유전율 ε, 전계의 세기 E인 유전체의 단위 체적에 축적되는 에너지는 얼마인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
4.간격이 1.5[m]이고 평행한 무한히 긴 단상 송선선로가 가설되었다. 여기에 6600[V], 3[A]를 송전하면 단위 길이당 작용하는 힘은?
- ①1.2×10-3 [N], 흡입력
- ②5.89×10-5 [N], 흡입력
- ③1.2×10-6 [N], 반발력
- ④6.28×10-7 [N], 반발력
5.자성체에서 자기 감자력은?
- ①자화의 세기(J)에 비례한다.
- ②감자율(N)에 반비례한다.
- ③자계(H)에 반비례한다.
- ④투자율(μ)에 비례한다.
6.전계 E[V/m], 자계 H[A/m]의 전자계가 평면파를 이루고 자유공간으로 전파될 때, 단위시간당 전력밀도는 몇 [W/m2]인가?
- ①
- ②
- ③E2H
- ④EH
7.공기 콘덴서의 극판사이에 비유전율 5인 유전체를 넣었을 때, 동일 전위차에 대한 극판의 전하량은 어떻게 되는가?
- ①5εo배가 된다.
- ②불변이다.
- ③5배로 증가한다.
- ④1/5로 감소한다.
8.한 변이 L[m]되는 정방형의 도선회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때, 회로중심에서의 자속밀도는 몇 [Wb/m2]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
9.N회 감긴 원통 코일의 단면적이 S[m2]이고 길이가 [m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스는 일정하게 유지하려면 어떻게 하면 되는가?
- ①길이를 1/4로 한다.
- ②단면적을 2배로 한다.
- ③전류의 세기를 2배로 한다.
- ④전류의 세기를 4배로 한다.
10.그림과 같이 반지름 a[m]의 한번 감긴 원형코일이 균일한 자속밀도 B[Wb/m2]인 자계에 놓여 있다. 지금 코일 면을 자계와 나란하게 전류 I[A]를 흘리면 원형코일이 자계로부터 받는 회전 모멘트는 몇 [Nㆍm/rad]인가?
- ①2πaBI
- ②πaBI
- ③2πa2BI
- ④πa2BI
11.진공 중에서 빛의 속도와 일치하는 전자파의 전파 속도를 얻기 위한 조건은?
- ①εs = μs = 0
- ②εs = 0, μs = 1
- ③εs = μs = 1
- ④εs와 μs는 관계가 없다.
12.도체 표면에서 전계 E=Exax+Eyay+Ezaz[V/m]이고, 도체면과 법선방향인 미소길이 dL=dxax+dyay+dzaz[m]일 때, 성립되는 식은?
- ①Exdx=Eydy
- ②Eydz=Ezdy
- ③Exdy=Eydz
- ④Eydy=Ezdz
13.자기인덕턴스가 20[mH]인 코일에 0.2[s] 동안 전류가 100[V]로 변할 때, 코일에 유기되는 기전력[V]은 얼마인가?
- ①10
- ②20
- ③30
- ④40
14.환상 솔레노이드 내의 철심 내부의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가? (단, N은 코일 권선수, R은 환상철심의 평균반지름, I는 코일에 흐르는 전류이다.)
- ①NI
- ②NI/2πR
- ③NI/2R
- ④NI/4πR
15.다음 중 기자력(Magnetomotive Force)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①전기회로의 기전력에 대응한다.
- ②코일에 전류를 흘렸을 때, 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같다.
- ③자기회로의 자기저항과 자속의 곱과 동일하다.
- ④SI단위는 암페어[A]이다.
16.점전하 Q[C]에 의한 무한 평면도체의 영상전하는?
- ①-Q[C]보다 작다.
- ②Q[C]보다 크다.
- ③-Q[C]와 같다.
- ④Q[C]와 같다.
17.아래의 그림과 같은 자기회로에서 A 부분에만코일을 감아서 전류를 인가할 때의 자기저항과 B부분에만 코일을 감아서 전류를 인가할 때의 자기저항[AT/Wb]을 각각 구하면 어떻게 되는가? (단, 자기저항 R1=1, R2=0.5, R3=0.5[AT/Wb]이다.)
- ①RA=1.25, RB=0.83
- ②RA=1.25, RB=1.25
- ③RA=0.83, RB=0.83
- ④RA=0.83, RB=1.25
18.내반경 a[m], 외반경 b[m]인 동축케입르에서 극간 매질의 도전율이 σ[S/m]일 대 단위 길이당 이 동축케이블의 컨덕턴스[S/m]는?
- ①
- ②
- ③
- ④
19.철심이 있는 평균반지름 15[cm]인 환상솔레노이드 코일에 5[A]가 흐를 때, 내부자계의 세기가 1600[AT/m]가 되려면 코일의 권수는 약 몇 회 정도인가?
- ①150
- ②180
- ③300
- ④360
20.자석의 세기 0.2[Wb], 길이 10[cm]인 막대자석의 중심에서 60도의 각을 가지며 40[cm]만큼 떨어진 점 A의 자위는 몇 [A]인가?
- ①1.97×103
- ②3.96×103
- ③7.92×103
- ④9.58×103
21.다음 중 임피던스와 쌍대 관게가 되는 것은?
- ①서셉턴스
- ②컨덕턴스
- ③어드미턴스
- ④리액턴스
22.두 코일의 인덕턴스가 각각 15[mH], 20[mH]이고 상호 인덕턴스가 2[mH]이면 결합계수가는 약 얼마인가?
- ①0.41
- ②0.31
- ③0.21
- ④0.11
23.RL 직렬 회로에서 그 양단에 직류 전압 E를 연결한 다음 한참 후에 스위치 S를 개방하면 L/R 초 후의 전류는 몇 [A]인가?
- ①0.2 E/R
- ②0.368 E/R
- ③0.5 E/R
- ④0.632 E/R
24.다음 회로를 루프해석하기 위한 방정식 Ai=v의 꼴로 정리하였을 때 A 행렬은? (단, i={i1, i2]T 이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
25.최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)
- ①10000
- ②15000
- ③20000
- ④25000
26.구동점 임피던스(driving-point impedance) 함수에 있어서 극(pole)은?
- ①아무런 상태도 아니다.
- ②개방회로 상태를 의미한다.
- ③단락회로 상태를 의미한다.
- ④전류가 많이 흐르는 상태를 의미한다.
27.이상 변압기(Ideal Transformer)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①각 코일의 인덕턴스가 무한대일 것
- ②두 코일의 결합 계수가 1일 것
- ③종단 임피던스가 무한대일 것
- ④코일에 관계되는 손실이 없을 것
28.임피던스 인 2단자 회로에 직류 전원 20[A]를 인가할 때, 이 회로의 단자 전압은?
- ①20[V]
- ②40[V]
- ③200[V]
- ④400[V]
29.다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
- ①
- ②
- ③
- ④
30.그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
- ①26
- ②30
- ③50
- ④68
31.다음 회로에서 단자 a, b에 나타나는 전압은?
- ①8.0[V]
- ②14.8[V]
- ③16.1[V]
- ④18.4[V]
32.다음 그림에서 i1=16[A], i2=22[A], i3=18[A], i4=27[A]일 때 i5는?
- ①-7[A]
- ②-15[A]
- ③3[A]
- ④7[A]
33.인덕턴스가 각각 5[H], 3[H]인 두 코일을 같은 방향으로 하여 직렬로 연결하고 인덕턴스를 측정하였더니 15[H]이었다. 두 코일 간의 상호 인덕턴스는 몇 [H]가 되는가?
- ①1[H]
- ②3[H]
- ③3.5[H]
- ④7[H]
34.다음 중 대칭 4단자의 영상 임피던스는?
- ①
- ②
- ③
- ④
35.이상적인 평형 3상 △전원에서 옳은 내용은?
- ①선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
- ②상전류의 크기 = √3 ×선간 전류의 크기
- ③상전류의 크기 = 선간 전류의 크기
- ④선간 전압의 크기 = √3 ×상전압의 크기
36.그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C 값은 몇 [μF]인가? (단, R=1[kΩ], L=100[mH]이다.)
- ①0.1[μF]
- ②0.2[μF]
- ③1[μF]
- ④2[μF]
37.의 역 라플라스 변환은?
- ①eatsin ωt
- ②e-atsin ωt
- ③eatcos ωt
- ④e-atcos ωt
38.4단자 망에서 하이브리드 ABCD-파라미터에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ①A : 출력개방, 순방향 전압이득
- ②B : 출력단락, 역방향 전달 어드미턴스
- ③C : 출력개방, 순방향 전달 인피던스
- ④D : 출력단락, 역방향 전류이득
39.그림과 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?
- ①10.5[V]
- ②14[V]
- ③19.5[V]
- ④21[V]
40.h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
- ①h11
- ②h21
- ③h12
- ④h22
41.RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대해 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
- ①저역특성이 좋지 않다.
- ②중역특성이 좋지 않다.
- ③대역폭이 너무 넓다.
- ④고역특성이 좋지 않다.
42.커패시터 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동 전압을 나타낸 설명 중 옳은 것은?
- ①맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례 한다.
- ②맥동 전압은 콘덴서 용량 C에만 반비례 한다.
- ③맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 비례 한다.
- ④맥동 전압은 용량 C에만 반비례하고, 부하 저항과는 관계가 없다.
43.위상 변조(PM) 방식에서 변조 지수는?
- ①신호파의 진폭에 비례한다.
- ②신호파의 주파수 제곱에 비례한다.
- ③신호파의 진폭에 반비례한다.
- ④신호파의 주파수에 반비례한다.
44.수정발진자의 가용량은 Co, 고유주파수는 fs이며, 발진자의 극간의 정전용량은 C, 정전용량을 고려한 주파수를 fp라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
45.부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 대응 2진 코드로 변환하는 조합논리회로를 무엇이라 하는가?
- ①디코더
- ②인코더
- ③플립플롭
- ④멀티플렉서
46.이미터 접지 증폭기에서 ICO= 0.01[mA]이고, IB= 0.2[mA]일 때, 컬렉터 전류는 약 몇 [mA]인가? (단, 이 트랜지스터의 β=50이다.)
- ①10.5[mA]
- ②12.5[mA]
- ③15.1[mA]
- ④24.3[mA]
47.입력 주파수 192[Hz]를 T형 플립플롭 3개에 종속접속하면 출력 주파수는?
- ①586[Hz]
- ②64[Hz]
- ③48[Hz]
- ④24[Hz]
48.어떤 연산증폭기의 차동이득이 100000이고 동상읻그이 0.2일 때 동상신호제거비(CMRR)는 몇 [dB]인가?
- ①104[dB]
- ②114[dB]
- ③126[dB]
- ④136[dB]
49.턴-오프 시간(turn-off time)은?
- ①축적시간과 하강시간의 합이다.
- ②상승시간과 지연시간의 합이다.
- ③상승시간과 축적시간의 합이다.
- ④상승시간과 하강시간의 합이다.
50.다음 연산회로에서 입력전압이 각각 V1=5[V], V2=10[V]이고, 저항 R1=R2=Rf=10[kΩ]일 때, 출력전압 VO는 몇 [V]인가?
- ①-5[V]
- ②10[V]
- ③-15[V]
- ④20[V]
51.집적회로의 종류 중 능동소자에 의한 분류에서 바이폴라 소자에 포함되지 않는 것은?
- ①TTL
- ②CMOS
- ③DTL
- ④HTL
52.다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때, 근사적인 β값은 얼마인가?
- ①10
- ②25
- ③50
- ④100
53.FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 적을 크게 하려면?
- ①gm을 크게 한다.
- ②μ를 작게 한다.
- ③부하저항을 작게 한다.
- ④분포된 정전용량을 크게 한다.
54.다음 회로에서 궤환율 β는 약 얼마인가?
- ①0.01
- ②0.09
- ③0.25
- ④0.52
55.발진회로 구성시 유의사항으로 가장 적합하지 않은 것은?
- ①발진소자는 온도편차가 적은 것으로 선정한다.
- ②발진회로내의 연결선은 가능한 한 짧아야 좋다.
- ③발진주파수는 외부로 많이 방사 되도록 한다.
- ④발진회로 주변은 그라운드(Ground)로 차폐한다.
56.다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)
- ①0.6[A]
- ②0.7[A]
- ③0.8[A]
- ④1.2[A]
57.플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때, 최소 몇 단의 플립플롭이 필요한가?
- ①3단
- ②4단
- ③5단
- ④6단
58.이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기에서 이미터 저항과 병렬로 연결된 바이패스 커패시터를 제거하면 회로의 상태는?
- ①왜곡이 증가할 것이다.
- ②회로가 불안정할 것이다.
- ③전압이득이 감소할 것이다.
- ④주파수 대역폭이 감소할 것이다.
59.FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①핀치오프 전압은 채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
- ②핀치오프 전압은 캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
- ③핀치오프 전압은 채널 폭의 자승에 비례한다.
- ④핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다.
60.다음 중 트랜지스터의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
- ①fα는 베이스 폭에 반비례한다.
- ②고주파 트랜지스터에서는 fα가 클수록 좋다.
- ③fα는 트랜지스터의 물리적 구조에 의해서 결정된다.
- ④fα는 베이스 영역 내를 확산하는 소수 캐리어의 확산계 수에 비례한다.
61.균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
- ②전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례 한다.
- ③전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2mv2 [J]이다.
- ④전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.
62.다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?
- ①cm/Vㆍs
- ②cm2/Vㆍs
- ③cm2/s
- ④cm/s
63.충분히 높은 주파수의 빛이 금속표면에 가해졌을 때, 그 금속의 표면에서 전자가 방출되는 현상을 무엇이라 하는가?
- ①광학 효과(Optical Effect)
- ②컴프턴 효과(Compton Effect)
- ③애벌런치 효과(Avalanche Effect)
- ④광전 효과(Photoelectric Effect)
64.다음 중 접합형 트랜지스터가 개폐기로 쓰이는 영역은?
- ①포화영역과 활성영역
- ②활성영역과 차단영역
- ③포화영역과 차단영역
- ④활성영역과 역할성영역
65.트랜지스터에서 발생하는 잡음이 아닌 것은?
- ①열 잡음
- ②산탄 잡음
- ③플리커 잡음
- ④분배 잡음
66.실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
- ②일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
- ③게이트 전류에 의하여 방전개시 전압을 제어할 수 있다.
- ④SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이다.
67.전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
- ①충만대(filled band)
- ②금지대(forbidden band)
- ③가전자대(valence band)
- ④전도대(conduction band)
68.낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
- ①서미스터
- ②바리스터
- ③쇼트키 다이오드
- ④제너 다이오드
69.다음 ( ) 안에 들어갈 내용으로 옳은 것은?
- ①① 낮은, ② 높은, ③ 유도
- ②① 높은, ② 낮은, ③ 유도
- ③① 낮은, ② 높은, ③ 지연
- ④① 높은, ② 낮은, ③ 지연
70.반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 띤다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?
- ①도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
- ②도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
- ③도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
- ④도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
71.금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
- ①광에너지
- ②운동에너지
- ③페르미준위
- ④일함수
72.기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?
- ①양광주(positive column)
- ②부 글로우(negative glow)
- ③음극 글로우(cathode glow)
- ④패러데이 암부(faraday dark space)
73.펀치슬루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①베이스 중성영역이 없는 상태이다.
- ②컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
- ③회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.
- ④베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치슬루 현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
74.일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?
- ①자속밀도
- ②전자의 전하
- ③전자의 질량
- ④전자의 속도
75.다음 중 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?
- ①온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
- ②온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
- ③불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
- ④불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
76.반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?
- ①캐리어의 이동도를 결정하기 때문
- ②다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
- ③진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
- ④불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
77.다음 중 물질에서 전자가 방출할 수 있는 조건으로 적당하지 않은 것은?
- ①열을 가한다.
- ②빛을 가한다.
- ③전계를 가한다.
- ④압축한다.
78.1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])
- ①6.24×1015
- ②6.24×1018
- ③6.24×1020
- ④6.24×1022
79.서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류 전류를 흐르게 하면, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?
- ①Peltier Effect
- ②Seebeck Effect
- ③Zeeman Effect
- ④Hall Effect
80.홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
- ①고저항 측정기
- ②전류계
- ③자장계
- ④분압계
81.프로그램에 대한 성능을 평가하고 분석하는 것을 무엇이라 하는가?
- ①bench mark program
- ②system program
- ③control program
- ④scheduler
82.부동소수점 표현 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 해당되지 않는 것은?
- ①0(zero)인지 여부를 조사한다.
- ②가수의 위치를 조정한다.
- ③가수를 곱한다.
- ④결과를 정규화 한다.
83.16진수 CAF.28을 8진수로 고치면?
- ①6255.62
- ②6255.52
- ③6257.32
- ④6257.12
84.Associative 메모리와 관련이 없는 것은?
- ①CAM(Content Addressable Memory)
- ②고속의 Access
- ③Key 레지스터
- ④MAR(Memory Address Register)
85.Channel과 DMA에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입출력 할 수 있다.
- ②DMA 방식은 CPU의 간섭없이 일련의 데이터를 기억장치와 직접 입출력할 수 있는 방식이다.
- ③Block multiplexer channel은 여러 개의 고속의 장치를 동시에 동작시킬 수 있다.
- ④Channel은 처리 속도가 빠른 CPU와 처리속도가 늦은 입출력 장치 사이에 발생되는 작업상의 낭비를 줄여준다.
86.다음 연산의 결과로 옳은 것은?
- ①MOVE 연산
- ②Complement 연산
- ③AND 연산
- ④OR 연산
87.명령 인출 사이클(fetch cycle)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①machine cycle에 속한다.
- ②명령어를 해독하는 과정이 포함된다.
- ③반드시 execution cycle에서만 발생한다.
- ④program counter에서 주소가 MAR로 전달된다.
88.프로세서는 입출력 모듈로 외부장치의 주소와 입출력 명령을 보낸다. 입출력 명령의 종류가 아닌 것은?
- ①제어(control)
- ②검사(test)
- ③읽기(read)
- ④수정(modify)
89.ALU의 기능이 아닌 것은?
- ①가산을 한다.
- ②AND 동작을 한다.
- ③complement 동작을 한다.
- ④PC(프로그램카운터)를 1만큼 증가시킨다.
90.마이크로소프트사에서 Driver 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?
- ①ISA
- ②PCI
- ③OSC
- ④WDM
91.CPU 클록이 100[MHz]일 때, 인출 사이크(fetch cycle)에 소요되는 시간은?
- ①12[ns]
- ②24[ns]
- ③30[ns]
- ④36[ns]
92.memory-mapped I/O 방식의 사용상 특징은?
- ①메모리와 입출력 번지 사이의 구별이 없다.
- ②입출력 전용 번지가 할당되기 때문에 프로그램의 이해 및 작성이 쉽다.
- ③기억장치의 이용효율이 높다.
- ④하드웨어가 복잡하다.
93.컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?
- ①interrupt
- ②mapping
- ③merging
- ④overlapping
94.그 자체로 특수한 곱셈과 나눗셈을 수행하거나 혹은 곱셈과 나눗셈에 보조적으로 이용되는 연산은?
- ①논리적 MOVE
- ②산술적 Shift
- ③Rotate
- ④ADD
95.컴퓨터의 특징이라고 볼 수 없는 것은?
- ①범용성이 우수하다.
- ②창의성, 응용성이 있다.
- ③데이터 처리를 신속, 정확하게 할 수 있다.
- ④대용량의 데이터를 기억, 저장, 처리 할 수 있다.
96.주소지정방식 중 최소한 두 번 이상 주기억장치를 접근해야 유효주소를 찾을 수 있는 것은?
- ①즉시주소지정방식
- ②직접주소지정방식
- ③간접주소지정방식
- ④상대주소지정방식
97.확장 보드나 소프트웨어가 입출력하는 버스의 점유권을 쥐고 버스를 직접 제어하는 것은?
- ①bus master
- ②bus slave
- ③bridge
- ④ISA
98.버스 클록(bus clock)이 2.5[GHz]이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭에 가장 근접한 것은?
- ①25[Gbyte/sec]
- ②16[Gbyte/sec]
- ③2[Gbyte/sec]
- ④1[Gbyte/sec]
99.다음 중 매개 변수 전달 기법이 아닌 것은?
- ①Call by Reference
- ②Call by Return
- ③Call by Value
- ④Call by Name
100.3바이트로 구성된 서브루틴 Call 명령어 메모리의 3456번지에 있는 "CALL 3456" 명령문을 수행한 후 PC(Program counter)에 기억된 내용은?
- ①3456
- ②3459
- ③1234
- ④1231