전자기사 · 2011

전자기사 (2011-10-02)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.평면도체 표면에서 d[m]의 거리에 점전하 Q[C]이 있을 때, 이 전하를 무한원까지 운반하는데 필요한 일은 몇 [J]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.자기 인덕턴스 L1, L2와 상호 인덕턴스 M일 때, 일반적인 자기 결합 상태에서 결합계수 k는?

    1. ①k=0
    2. ②k=1
    3. ③0＜k＜1
    4. ④1＜k

  3. 3.와전류가 이용되고 있는 것은?

    1. ①수중 음파 탐지기
    2. ②레이더
    3. ③자기브레이크(magnetic break)
    4. ④사이클로트론(cyclotron)

  4. 4.단면적 S, 길이 ℓ, 투자율 μ인 자성체의 자기회로에 권선을 N회 감아서 I의 전류를 흐르게 할 때 자속은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  5. 5.그림과 같은 평행판 콘덴서에 극판의 면적이 S[m2], 진전하밀도를 σ[C/m2], 유전율이 각각 ε1=1, ε2=2인 유전체를 채우고 a, b 양단에 V[V]의 전압을 인가할 때 ε1, ε2인 유전체 내부의 전계의 세기 E1, E2와의 관계식은?

    1. ①E1=2E2
    2. ②
    3. ③E1=E2
    4. ④E1=4E2

  6. 6.공기 중에 놓여진 반지름 3[cm]의 구(球)도체에 줄 수 있는 최대 전하는 몇 [C]인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 3×106 [V/m]이다.)

    1. ①1×10-7[C]
    2. ②2×10-7[C]
    3. ③3×10-7[C]
    4. ④4×10-7[C]

  7. 7.N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

    1. ①단면적을 2배로 한다.
    2. ②길이를 1/4로 한다.
    3. ③전류의 세기를 4배로 한다.
    4. ④비투자율을 2배로 한다.

  8. 8.무한장 원주형 도체에 전류가 표면에만 흐른다면 원주 내부의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가?

    1. ①I/2πr
    2. ②NI/2πr
    3. ③I/2r
    4. ④0

  9. 9.전기력선의 기본성질이 아닌 것은?

    1. ①전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 된다.
    2. ②전기력선은 전위가 높은 점에서 낮은 점으로 향한다.
    3. ③전기력선은 정전하에서 시작하여 부전하에서 끝난다.
    4. ④전기력선은 도체표면과 외부공간에 존재한다.

  10. 10.중심이 원점에 있고 z=0인 평면에서 반경 r[m]인 원판에 ρs[C/m2]의 면전하밀도가 진공내에 있을 때 원판의 중심축상 z=h 점에서의 전계 E[V/m]는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  11. 11.는?

    1. ①발산의 정리
    2. ②가우스의 법칙
    3. ③스토크스의 정리
    4. ④암페어의 법칙

  12. 12.반경이 a=10[cm]인 구의 표면전하 밀도를 σ=10-10[C/m2 ]이 되도록 하는 구의 전위는?

    1. ①21.3[V]
    2. ②11.3[V]
    3. ③2.13[V]
    4. ④1.13[V]

  13. 13.자극의 세기 8×10-6 [Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm]인가?

    1. ①1.44×10-4[Nㆍm]
    2. ②1.44×10-5[Nㆍm]
    3. ③3.02×10-4[Nㆍm]
    4. ④3.02×10-5[Nㆍm]

  14. 14.정전용량 C 인 평행판 콘덴서를 전압 V로 충전하고 전원을 제거한 후 전극 간격을 1/2로 접근시키면 전압은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③V
    4. ④2V

  15. 15.그림과 같은 유전속 분포가 이루어질 때 ε1과 ε2의 관계는 어떻게 성립하는가?

    1. ①ε1 > ε2
    2. ②ε1 < ε2
    3. ③ε1 = ε2
    4. ④ε1 < 0, ε2 > 0

  16. 16.서로 다른 두 유전체 사이의 경계면에 전하분포가 없다면 경계면 양쪽에서의 전계 및 자속밀도는?

    1. ①전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
    2. ②전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
    3. ③전계 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
    4. ④전계 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.

  17. 17.그림과 같이 구리로 된 동축케이블의 반지름 a=1.048[mm], c=3.65[mm]이며, 전류 I가 흐른다고 할 때 반지름 a에서의 자계의 세기 Ha와 반지름 b에서의 자계의 세기 Hb와의 비 즉, 이면 반지름 b는 약 몇 [mm]인가?

    1. ①2.95[mm]
    2. ②3.14[mm]
    3. ③3.49[mm]
    4. ④3.62[mm]

  18. 18.다음 중 그 양이 증가함에 따라 무한장 솔레노이드의 자기인덕턴스 값이 증가하지 않는 것은 무엇인가?

    1. ①철심의 투자율
    2. ②철심의 길이
    3. ③철심의 반경
    4. ④코일의 권수

  19. 19.비투자율 1000인 철심이 든 환상솔레노이드의 권수가 600회, 평균지름 20[cm], 철심의 단면적 10[cm2]이다. 이 솔레노이드에 2A의 전류가 흐를 때 철심내의 자속은 약 몇 [Wb]인가?

    1. ①1.2×10-3[Wb]
    2. ②1.2×10-4[Wb]
    3. ③2.4×10-3[Wb]
    4. ④2.4×10-4[Wb]

  20. 20.전자계에 대한 맥스웰의 기본 이론이 아닌 것은?

    1. ①전하에서 전속선이 발산된다.
    2. ②고립 단자극은 존재하지 않는다.
    3. ③변위전류는 자계를 발생하지 않는다.
    4. ④자계의 시간적 변화에 따라 전계의 회전이 생긴다.

  21. 21.콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 Vc(t)는?

    1. ①
    2. ②Vc(t)=C
    3. ③
    4. ④Vc(t)=Cu(t)

  22. 22.교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?

    1. ①L = R2 / (R1C)
    2. ②L = CR1R2
    3. ③L = C / (R1R2)
    4. ④L = (R1R2) / C

  23. 23.인 감쇠지수 함수의 진폭 스펙트럼은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  24. 24.일반적으로 f(t) = -f(-t)의 조건을 만족하는 경우 f(t)를 무슨 함수라 하는가?

    1. ①기함수
    2. ②우함수
    3. ③삼각함수
    4. ④초월함수

  25. 25.다음 그림과 같은 삼각파의 파고율은?

    1. ①1.12
    2. ②1.73
    3. ③1
    4. ④1.41

  26. 26.다음을 역 Laplace로 변환하면?

    1. ①cos 3t
    2. ②sin 3t
    3. ③sin 9t +cos 9t
    4. ④sin 3t +cos 3t

  27. 27.100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 20[W]이었다면 이 형광등의 역률은?

    1. ①0.4
    2. ②0.5
    3. ③0.6
    4. ④0.8

  28. 28.두 개의 코일 L1과 L2를 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100[mH]이고, 반대방향으로 접속하였더니 합성인덕턴스가 40[mH]이었다. 이 때, L1=60[mH]이면 결합계수 K는 약 얼마인가?

    1. ①0.4
    2. ②0.6
    3. ③0.8
    4. ④1.0

  29. 29.저항 R과 리액턴스 X를 직렬로 연결할 때의 역률은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  30. 30.4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류 전압을 가할 때의 무효전력은 몇 [VAR]인가?

    1. ①-40π
    2. ②-60π
    3. ③-120π
    4. ④-240π

  32. 32.원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?

    1. ①원점을 지나는 원
    2. ②원점을 지나는 직선
    3. ③원점을 지나지 않는 원
    4. ④원점을 지나지 않는 직선

  33. 33.그림과 같은 4단자 회로망에서 하이브리드 파라미터 h11은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  34. 34.리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  35. 35.e-atcosωt의 라플라스(Laplace) 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  36. 36.다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A]인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])

    1. ①8.95
    2. ②7.24
    3. ③4.63
    4. ④3.52

  37. 37.RC 직렬회로에서 t= 2RC일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?

    1. ①13.5
    2. ②36.7
    3. ③63.3
    4. ④86.5

  38. 38.다음과 같은 회로에서 저항 RL 양단자(RL을 개방)에서 본 테브난 등가저항[Ω]은?

    1. ①2[Ω]
    2. ②4[Ω]
    3. ③6[Ω]
    4. ④8[Ω]

  39. 39.단위계단함수의 라플라스 변환은?

    1. ①1
    2. ②S
    3. ③1/S
    4. ④1/S-1

  40. 40.다음 회로가 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  41. 41.다음과 같은 FET 소신호 증폭기 회로에서 입력전압이 10[mV]일 때 출력전압으로 가장 적합한 것은?

    1. ①입력전압과 동위상인 100[mV]
    2. ②입력전압과 역위상인 100[mV]
    3. ③입력전압과 동위상인 200[mV]
    4. ④입력전압과 역위상인 200[mV]

  42. 42.공간 전하 용량을 변화시켜 콘덴서 역할을 하도록 설계된 다이오드는?

    1. ①제너 다이오드
    2. ②터널 다이오드
    3. ③바렉터 다이오드
    4. ④Gunn 다이오드

  43. 43.트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①컬렉터 용량에만 비례한다.
    2. ②컬렉터 인가 전압에 비례한다.
    3. ③베이스 폭과 컬렉터 용량에 각각 반비례한다.
    4. ④베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.

  44. 44.전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부궤환을 걸때 전압증폭도 Af= 800이 되었다. 이 때 궤환율 β는 몇 [%]인가?

    1. ①0.105[%]
    2. ②0.205[%]
    3. ③0.305[%]
    4. ④0.405[%]

  45. 45.불 방정식 를 간단하게 하면 어떻게 되는가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  46. 46.다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?

    1. ①Early 효과
    2. ②Miller 효과
    3. ③Pinchoff 현상
    4. ④Breakdown 현상

  47. 47.다음 중 부궤환에 의한 출력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전압 직렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
    2. ②전압 병렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
    3. ③전류 직렬 궤환시 출력임피던스는 증가한다.
    4. ④전류 병렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.

  48. 48.FET와 BJT의 전기적 특성을 비교했을 때 적합하지 않은 것은?

    1. ①FET는 BJT보다 잡음이 적다.
    2. ②FET는 BJT보다 입력저항이 작다.
    3. ③FET는 BJT보다 이득대역폭적이 작다.
    4. ④FET는 BJT보다 온도변화에 따른 안정성이 높다.

  49. 49.Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①이득 감소
    2. ②sensitivity 감소
    3. ③대역폭 감소
    4. ④잡음 감소

  50. 50.그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?

    1. ①VO = 0일 때 (IB1+IB2) / 2
    2. ②VO = ∞일 때 (IB1+IB2) / 2
    3. ③VO = 0일 때 (IB1+IB2)
    4. ④VO = ∞일 때 (IB1+IB2)

  51. 51.다음 회로의 동작에 대한 설명으로 가장 적합한 것은? (단, 입력신호는 진폭이 Vm인 정현파이고, 다이오드는 이상적인 것이며, RC 시정수는 신호파의 주기에 비해 매우 크다.)

    1. ①출력은 Vi이다.
    2. ②출력은 2Vi이다.
    3. ③출력전압은 VR - Vm인 정현파이다.
    4. ④부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프한다.

  52. 52.연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①주파수 대역폭이 좁다.
    2. ②입력 임피던스가 낮다.
    3. ③동상신호제거비가 크다.
    4. ④온도변화에 따른 드리프트가 크다.

  53. 53.펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?

    1. ①1×10-4
    2. ②3×10-4
    3. ③6×10-4
    4. ④9×10-4

  54. 54.듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1이고 주기가 30[μs]인 펄스의 폭은 몇 [μs]인가?

    1. ①0.3
    2. ②1
    3. ③3
    4. ④10

  55. 55.다음 중 C급 전력 증폭기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①유통각은 180도 미만이다.
    2. ②광대역 증폭기로 적합하다.
    3. ③최대 효율은 78.5[%] 이상이다.
    4. ④RF 전력증폭기, 주파수 체배기 등에 주로 사용된다.

  56. 56.궤환 발진기의 발진 조건을 나타내는 식은? (단, A는 증폭도, β는 궤환율이다.)

    1. ①βA = 1
    2. ②βA = 0
    3. ③βA = ∞
    4. ④βA = 100

  57. 57.트랜지스터의 직류 증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①hfe의 온도변화
    2. ②hre의 온도변화
    3. ③VBE의 온도변화
    4. ④ICO의 온도변화

  58. 58.전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?

    1. ①감소한다.
    2. ②변화가 없다.
    3. ③증가한다.
    4. ④입력신호의 크기에 따라 증가 또는 감소한다.

  59. 59.다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf양단에 걸리는 전압 Vf = (25 If2 +50 If+3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 VO는?

    1. ①-3[V]
    2. ②-3.2[V]
    3. ③-4.1[V]
    4. ④-5.8[V]

  60. 60.전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?

    1. ①X-OR 2개, AND 2개, OR 1개
    2. ②X-OR 2개, AND 1개, OR 2개
    3. ③X-OR 1개, AND 2개, OR 2개
    4. ④X-OR 2개, AND 2개, OR 2개

  61. 61.길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?

    1. ①160[m/sec]
    2. ②180[m/sec]
    3. ③16[m/sec]
    4. ④18[m/sec]

  62. 62.절대온도 0[K]에서 금속 내 자유전자 평균 온동 에너지는? (단, EF는 페르미 준위이다.)

    1. ①0
    2. ②EF
    3. ③
    4. ④

  63. 63.전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  64. 64.컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?

    1. ①Early 효과
    2. ②Tunnel 효과
    3. ③punch-through
    4. ④Miller 효과

  65. 65.절대온도 0[K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?

    1. ①E=Ef
    2. ②
    3. ③E＞Ef
    4. ④E＜Ef

  66. 66.2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?

    1. ①2.97×107[m/s]
    2. ②9.07×107[m/s]
    3. ③2.97×106[m/s]
    4. ④9.07×106[m/s]

  67. 67.Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에
    2. ②Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에
    3. ③Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에
    4. ④Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

  68. 68.금속의 2차 전자 방출비에 대하여 가장 옳게 설명한 것은?

    1. ①항상 일정하다.
    2. ②방출비 값은 항상 1보다 작다.
    3. ③금속의 종류에 따라서 달라진다.
    4. ④2차 전자는 반사되는 전자를 의미한다.

  69. 69.MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①입력 임피던스가 크다.
    2. ②저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
    3. ③제작이 간편하고, IC화 하기에 적합하다.
    4. ④사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.

  70. 70.전자와 정공의 이동도가 각각 0.32[m2/Vㆍs], 0.18[m2/Vㆍs]이고 저항률이 0.5[Ωㆍm]인 진성반도체의 캐리어 밀도는? (단, 전자의 전하량은 -1.6×10-19 [C]이다.)

    1. ①1.2×1018 [개/m3]
    2. ②1.8×1018 [개/m3]
    3. ③2.5×1019 [개/m3]
    4. ④3.6×1019 [개/m3]

  71. 71.다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)

    1. ①n = p
    2. ②n > p
    3. ③n < p
    4. ④np = 0

  72. 72.피에조 저항(piezo resistance)은?

    1. ①압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
    2. ②자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
    3. ③온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
    4. ④광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.

  73. 73.마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?

    1. ①TRIAC(트라이액)
    2. ②FET(Field Effect Transistor)
    3. ③SCR(Silicon Controlled Rectifier)
    4. ④UJT(Unijunction Junction Transistor)

  74. 74.캐리어의 확산 거리는 무엇에 의존하는가?

    1. ①반도체의 모양
    2. ②캐리어의 이동도에만 의존
    3. ③캐리어의 수명시간에만 의존
    4. ④캐리어의 이동도와 수명시간에 의존

  75. 75.실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

    1. ①인듐(In)
    2. ②갈륨(Ga)
    3. ③인(P)
    4. ④알루미늄(Al)

  76. 76.다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?

    1. ①광전 효과(photo electric effect)
    2. ②콤프턴 효과(compton effect)
    3. ③에디슨 효과(Edison effect)
    4. ④홀 효과(Hole effect)

  77. 77.기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?

    1. ①전리 현상
    2. ②절연 파괴
    3. ③광전 효과
    4. ④절연

  78. 78.에너지 준위도에서 0 준위는?

    1. ①페르미 준위
    2. ②이탈 준위
    3. ③금속내 준위
    4. ④금속외 준위

  79. 79.열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0이라면, 그 의미는?

    1. ①전위장벽이 없어졌다.
    2. ②접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
    3. ③접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
    4. ④접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.

  80. 80.다음 중 반도체 레이저의 일반적인 특징에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①소형화가 가능하다.
    2. ②가스 레이저에 비해 증폭, 발진, 변조가 쉽다.
    3. ③고체, 기체 및 액체 레이저에 비해 효율이 낮다.
    4. ④루비 및 기체 레이저에 비해 낮은 전력으로 동작한다.

  81. 81.기억장치에 대한 설명 중 틀린 것은?

    1. ①주기억장치는 CPU와 직접 자료교환이 가능하다.
    2. ②보조기억장치는 CPU와 직접 자료교환이 불가능하다.
    3. ③주기억장치 소자는 대부분 외부와 직접 자료교환을 할 수 있는 단자가 있다.
    4. ④기억장치에서 사용하는 정보의 단위는 와트(watt)이다.

  82. 82.마이크로프로세서의 명령어 형식이 OP-code 5비트, Operand 11비트로 이루어져 있다면, 명령어의 최대 개수와 사용할 수 있는 최대 메모리 크기는?

    1. ①32개, 1024워드
    2. ②32개, 2048워드
    3. ③64개, 1024워드
    4. ④64개, 2048워드

  83. 83.어셈블러 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?

    1. ①기계어를 사람이 이해할 수 있도록 만든 저급 수준의 언어이다.
    2. ②컴퓨터 하드웨어에 대한 충분한 지식이 없어도 프로그램을 작성하기가 용이하다.
    3. ③각 컴퓨터는 시스템별로 고유의 어셈블리 언어를 갖는다.
    4. ④하드웨어와 밀접한 관계를 갖고 있으므로 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.

  84. 84.부동소수점 표현의 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 포함되지 않는 것은?

    1. ①0(zero)인지 여부를 조사한다.
    2. ②가수의 위치를 조정한다.
    3. ③가수를 곱한다.
    4. ④결과를 정규화한다.

  85. 85.C 언어에서 for문이 무한반복을 실행하는 도중에 빠져 나오기 위한 명령어는?

    1. ①break
    2. ②while
    3. ③if
    4. ④default

  86. 86.다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)

    1. ①Addition
    2. ②Subtraction
    3. ③Multiplication
    4. ④Division

  87. 87.주소 명령 형식 중 3-주소 명령의 장점은?

    1. ①비트가 많이 필요하다.
    2. ②연산 후 입력 자료가 변한다.
    3. ③레지스터의 수가 적게 필요하다.
    4. ④프로그램의 길이를 짧게 할 수 있다.

  88. 88.다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?

    1. ①제어 버스
    2. ②주소 버스
    3. ③데이터 버스
    4. ④I/O 버스

  89. 89.일반적으로 컴퓨터가 가지는 CPU의 구조로 틀린 것은?

    1. ①단일 누산기 구조(single accumulator organization)
    2. ②범용 레지스터 구조(general register organization)
    3. ③특수 레지스터 구조(special register organization)
    4. ④스택 구조(stack organization)

  90. 90.프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?

    1. ①FORTRAN
    2. ②ALGOL
    3. ③어셈블리어
    4. ④C++

  91. 91.전자계산기에서 실행되는 계산 수행 장치는?

    1. ①입력장치
    2. ②연산장치
    3. ③기억장치
    4. ④제어장치

  92. 92.65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가요구되는가?

    1. ①6
    2. ②7
    3. ③8
    4. ④9

  93. 93.10진수 255.875를 16진수로 변환하면?

    1. ①FE.D
    2. ②FF.E
    3. ③9F.8
    4. ④FF.5

  94. 94.컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레그사 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?

    1. ①LOCK
    2. ②STOP
    3. ③IDSEL
    4. ④TRDY

  95. 95.스택(LIFO : Last In First Out)의 용도에 적당하지 않은 것은?

    1. ①수식의 계산
    2. ②서브루틴의 복귀주소 저장
    3. ③인터럽트 처리
    4. ④우선순위 결정

  96. 96.다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

    1. ①3-주소지정 방식
    2. ②2-주소지정 방식
    3. ③1-주소지정 방식
    4. ④0-주소지정 방식

  97. 97.주기억장치와 I/O장치 사이와의 시간적, 공간적 특성 차이를 나타낸 것이 아닌 것은?

    1. ①동작속도
    2. ②정보의 처리 단위
    3. ③동작의 자율성
    4. ④버스구성

  98. 98.부동소수점 표현 방식의 설명으로 잘못된 것은?

    1. ①2의 보수 표현 방법을 많이 사용한다.
    2. ②매우 큰 수와 작은 수를 표시하기에 편리하다.
    3. ③부호, 지수부, 가수부 등으로 구성되어 있다.
    4. ④연산이 복잡하고 시간이 많이 걸린다.

  99. 99.LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?

    1. ①플라즈마(Plasma)
    2. ②CRT(Cathode Ray Tube)
    3. ③TFT(Thin Film Transistor)
    4. ④터치스크린(Touch Screen)

  100. 100.아래의 C 프로그램을 수행하였을 때, C의 값으로 적절한 것은?

    1. ①3
    2. ②12
    3. ③15
    4. ④-9